JPS60117617A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60117617A JPS60117617A JP22563983A JP22563983A JPS60117617A JP S60117617 A JPS60117617 A JP S60117617A JP 22563983 A JP22563983 A JP 22563983A JP 22563983 A JP22563983 A JP 22563983A JP S60117617 A JPS60117617 A JP S60117617A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、さらに詳言すれ
ば、レーザ光を照射して一部を加熱また゛溶融して熱処
理し所望の特性を得る半導体装置の製造方法に関する。
ば、レーザ光を照射して一部を加熱また゛溶融して熱処
理し所望の特性を得る半導体装置の製造方法に関する。
発明の背景
半導体装置、特に大規検集積回路装置の製造に当っての
半導体ウェハの処理の過程でウェハ表面にレーザ光を照
射して熱処理を行うレーザアニールと呼ばれる技術が使
用される。これば例えばイオン注入により形成された注
入層の特性を所望の特性にするため、ポリシリコン配線
の抵抗を低抵抗にするため、電界効果トランジスタのチ
ャンネルにおけるキャリア移動度を所望値にするため等
のために、半導体装置にレーザ光を照射して一部を加熱
または溶融して熱処理して所定の特性を得るために利用
される。
半導体ウェハの処理の過程でウェハ表面にレーザ光を照
射して熱処理を行うレーザアニールと呼ばれる技術が使
用される。これば例えばイオン注入により形成された注
入層の特性を所望の特性にするため、ポリシリコン配線
の抵抗を低抵抗にするため、電界効果トランジスタのチ
ャンネルにおけるキャリア移動度を所望値にするため等
のために、半導体装置にレーザ光を照射して一部を加熱
または溶融して熱処理して所定の特性を得るために利用
される。
従来技術と問題点
この場合に従来は、レーザ光を対物レンズで集束して半
導体ウェハ表面に垂直に照射している。
導体ウェハ表面に垂直に照射している。
しかるに半導体ウェハ裏面はその被照射部分は鏡面に近
く、照射されたレーザ光は鏡面反射される。この場合の
反射率は５０％以上にも達する場合も稀ではなく、反射
光のためにレーザの発振が不安定となる欠点があった。
く、照射されたレーザ光は鏡面反射される。この場合の
反射率は５０％以上にも達する場合も稀ではなく、反射
光のためにレーザの発振が不安定となる欠点があった。
発明の目的
本発明は上記にかんがみなされたもので、上記の欠点を
解消してレーザの発振が不安定にならずかつ半導体ウェ
ハの熱処理も従来の場合以上に効率よく行える半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
解消してレーザの発振が不安定にならずかつ半導体ウェ
ハの熱処理も従来の場合以上に効率よく行える半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は半導体ウェハ表面に対する垂直面に幻し所定の
角度をなすようにレーザ光を半導体ウェハ表面に集束照
射し、かつ半導体ウェハ表面で反射したレーザ光を前記
半導体ウェハ表面の前記レーザ光の照射点と同一点に再
入射させるようにしたことを特徴とするものである。
角度をなすようにレーザ光を半導体ウェハ表面に集束照
射し、かつ半導体ウェハ表面で反射したレーザ光を前記
半導体ウェハ表面の前記レーザ光の照射点と同一点に再
入射させるようにしたことを特徴とするものである。
発明の実施例
以下、本発明を実施例により説明する。
図は本発明方法を適用した一実施例の構成説明図である
。
。
図においてて１は集積半導体装置の製造過程にある半導
体ウェハであり、２はレーザである。
体ウェハであり、２はレーザである。
レーザ２からのレーザ光は反射鏡３で反射せしめて、更
に対物レンズ４で集束して半導体ウェハ１の表面に対す
る垂直面に対して２〜３度の角度を成すようにして半導
体ウェハ１の表面にレーザ光を照射するように設定しで
ある。
に対物レンズ４で集束して半導体ウェハ１の表面に対す
る垂直面に対して２〜３度の角度を成すようにして半導
体ウェハ１の表面にレーザ光を照射するように設定しで
ある。
また半導体ウェハｌから反射された光はレンズ５で受光
して平行光に変換して反射鏡６に照射して反射させるよ
うにしである。
して平行光に変換して反射鏡６に照射して反射させるよ
うにしである。
以上の如く構成された本発明の一実施例において、レー
ザ２からのレーザ光は反射鏡３により反射されて、対物
レンズ４に入射し、対物レンズ４で半導体ウェハ１の表
面上に集束されて半導体ウェハ１の表面に対して８７〜
８８度の角度で入射される。この入射光は半導体装置１
の表面で反射される。半導体装置１からの反射光は発散
光となる。この発散光はレンズ５に入射されて再び平行
光線に変換され、反射１１６に入射して反射する。
ザ２からのレーザ光は反射鏡３により反射されて、対物
レンズ４に入射し、対物レンズ４で半導体ウェハ１の表
面上に集束されて半導体ウェハ１の表面に対して８７〜
８８度の角度で入射される。この入射光は半導体装置１
の表面で反射される。半導体装置１からの反射光は発散
光となる。この発散光はレンズ５に入射されて再び平行
光線に変換され、反射１１６に入射して反射する。
反射ｖＡ６からの反射光はレンズ５によって半導体ウェ
ハ１の表面に集束して照射される。この照射光は半導体
ウェハ１の表面で反射される。
ハ１の表面に集束して照射される。この照射光は半導体
ウェハ１の表面で反射される。
ここで半導体ウェハ１の表面に対する入射光の角度を半
導体ウェハ１表面の垂直面に対して２〜３度と設定した
のはこの角度を大きくすると反射率が増大するためであ
る。いま、本実施例における反射率αは従来の如く前記
角度が０度の場合より僅かに大きいが、レンズ４を介し
てレーザ２へ戻る光はα２となる。ちなみに従来の反射
率をα０としα＃１．１α０とした場合、レーザ２へ戻
る光は従来の場合のほぼ６０％に減少し、レーザ２の発
振の不安定は軽減される。また半導体ウェハｌの加熱に
寄与する光は約２５％増加することになる。
導体ウェハ１表面の垂直面に対して２〜３度と設定した
のはこの角度を大きくすると反射率が増大するためであ
る。いま、本実施例における反射率αは従来の如く前記
角度が０度の場合より僅かに大きいが、レンズ４を介し
てレーザ２へ戻る光はα２となる。ちなみに従来の反射
率をα０としα＃１．１α０とした場合、レーザ２へ戻
る光は従来の場合のほぼ６０％に減少し、レーザ２の発
振の不安定は軽減される。また半導体ウェハｌの加熱に
寄与する光は約２５％増加することになる。
発明の詳細
な説明した如く本発明方法によれば、半導体ウェハを加
熱、熱処理するためのレーザ光を、半導体ウェハの表面
に対する垂直面に対し所定の角度をなすように集束して
照射し、かつ半導体ウェハ表面からの反射光を再び前記
半導体ウェハ表面上の同一点に照射させるようにしたた
め、レーザへ戻る光は減少し、レーザの発振が不安定と
なることは軽減され、また半導体ウェハの加熱に寄与す
る光量も増加する。
熱、熱処理するためのレーザ光を、半導体ウェハの表面
に対する垂直面に対し所定の角度をなすように集束して
照射し、かつ半導体ウェハ表面からの反射光を再び前記
半導体ウェハ表面上の同一点に照射させるようにしたた
め、レーザへ戻る光は減少し、レーザの発振が不安定と
なることは軽減され、また半導体ウェハの加熱に寄与す
る光量も増加する。
図は本発明を適用した一実施例の説明図。
ｌ・・・半導体ウェハ、２・・・レーザ、３および６・
・・反射鏡、４および５・・・対物レンズ。 特許出願人 富 士 通 株式会社
・・反射鏡、４および５・・・対物レンズ。 特許出願人 富 士 通 株式会社
Claims (1)
- 半導体ウェハ表面へのレーザ光の照射によってｆ、４＞
処理して所望の特性を得る半導体装置の製造方法におい
て、半導体ウェハ表面に対する垂直面に対し所定の角度
をなすようにレーザ光を半導体ウェハ表面に集束・照射
し、かつ半導体ウェハ表面で反射したレーザ光を前記半
導体ウェハ表面の前記レーザ光の照射点と同一点に再入
射させるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22563983A JPS60117617A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22563983A JPS60117617A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117617A true JPS60117617A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16832451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22563983A Pending JPS60117617A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117617A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005210129A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Ultratech Inc | 低濃度ドープされたシリコン基板のレーザ熱アニール |
| US7494942B2 (en) | 2003-09-29 | 2009-02-24 | Ultratech, Inc. | Laser thermal annealing of lightly doped silicon substrates |
| JP2011204912A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール装置 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22563983A patent/JPS60117617A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7494942B2 (en) | 2003-09-29 | 2009-02-24 | Ultratech, Inc. | Laser thermal annealing of lightly doped silicon substrates |
| JP2005210129A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Ultratech Inc | 低濃度ドープされたシリコン基板のレーザ熱アニール |
| JP2011204912A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール装置 |
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