JPS6088424A - ビ−ムアニ−ル法 - Google Patents
ビ−ムアニ−ル法Info
- Publication number
- JPS6088424A JPS6088424A JP19606583A JP19606583A JPS6088424A JP S6088424 A JPS6088424 A JP S6088424A JP 19606583 A JP19606583 A JP 19606583A JP 19606583 A JP19606583 A JP 19606583A JP S6088424 A JPS6088424 A JP S6088424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- point
- scanning
- sample
- temperature
- sample surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームアニール法に関するものである。
レーザビームや電子ビーム等の指向性エネルギービーム
を試料に照射して舐料表面全加熱する方法は、半導体装
置の製造分野等において注目されている。しかし、ビー
ムを試料表面に高速に走査するために従来から採用され
ている回転反射鏡や電磁コイル等金用いてレーザビーム
や電子ビームを走査した場合には、第１図に示した様に
試料１１表面へのビーム１２ 、１２’の入射角θの違
いや焦点（焦点面１３）からのずれｈＫよシ照射パワー
密度が一定とならないため、試料のアニールに不均一が
生じるという問題があった。
を試料に照射して舐料表面全加熱する方法は、半導体装
置の製造分野等において注目されている。しかし、ビー
ムを試料表面に高速に走査するために従来から採用され
ている回転反射鏡や電磁コイル等金用いてレーザビーム
や電子ビームを走査した場合には、第１図に示した様に
試料１１表面へのビーム１２ 、１２’の入射角θの違
いや焦点（焦点面１３）からのずれｈＫよシ照射パワー
密度が一定とならないため、試料のアニールに不均一が
生じるという問題があった。
本発明の目的は、上記従来方法における問題点を大幅に
改善し得る新規なビームアニール法を提供することであ
る。
改善し得る新規なビームアニール法を提供することであ
る。
本発明による方法は試料の一端部または試料の一外部に
おいて入射ビームが試料表面または試料表面の延長面に
垂直に入射しかつ該試料表面また仲試料表面の延長面へ
の垂直入射点がビームの焦点となる様にビームと試料と
を配置し、先ず試料被照射部が所望の熱処理温度に達し
ない条件で前記垂直入射点または、七必外側よりビーム
金試料表面の他端に向けて一方向に走査した後１次に被
照射部が所望の温度になる様な条件で少くとも一部分は
前記１回目のビーム照射領域と重なる様に一回目の走査
終点あるいはその近傍より一回目の照射領域に平行にか
つ一回目の走査方向とは逆の方向にビームを走査するこ
とを特徴とするものであるＯ 本発明による方法においては、試料端部または試料外に
おいて試料面またはその延長面上でビームが焦点を結ぶ
様にビームと試料との位置関係が選ばれている。例えば
、第２図に示した試料台部平面模式図において、ビーム
は試料台２１上のに料２２の表面と同一水準点Ｆ点上に
焦点を結ぶ様に配置しである。従って、ビーム全回転鏡
や電磁コイルによってＦ点から一方向に一定速度で１回
目の走査を行った場合には、Ｆ点から離れると共にビー
ム照射によって生じる試料面の温度上昇は単調に減少す
る。これはビームの入射角が大きくなることと試料面が
焦点から外れること（収差）による。しかしながらビー
ムを一回Ｆ点からＧ点（試料をはさんでＦ点と対称な点
をＧ点とする）にまで一定パワー、一定速度で走査した
直後（ビームがＧ点に達した時）での被走査部線上の温
度分布は例えば第３図の曲線３１によって近似的に表わ
すことができる。試料表面温度がＦ点から離れる程高く
なっているのが特徴である。これは。
おいて入射ビームが試料表面または試料表面の延長面に
垂直に入射しかつ該試料表面また仲試料表面の延長面へ
の垂直入射点がビームの焦点となる様にビームと試料と
を配置し、先ず試料被照射部が所望の熱処理温度に達し
ない条件で前記垂直入射点または、七必外側よりビーム
金試料表面の他端に向けて一方向に走査した後１次に被
照射部が所望の温度になる様な条件で少くとも一部分は
前記１回目のビーム照射領域と重なる様に一回目の走査
終点あるいはその近傍より一回目の照射領域に平行にか
つ一回目の走査方向とは逆の方向にビームを走査するこ
とを特徴とするものであるＯ 本発明による方法においては、試料端部または試料外に
おいて試料面またはその延長面上でビームが焦点を結ぶ
様にビームと試料との位置関係が選ばれている。例えば
、第２図に示した試料台部平面模式図において、ビーム
は試料台２１上のに料２２の表面と同一水準点Ｆ点上に
焦点を結ぶ様に配置しである。従って、ビーム全回転鏡
や電磁コイルによってＦ点から一方向に一定速度で１回
目の走査を行った場合には、Ｆ点から離れると共にビー
ム照射によって生じる試料面の温度上昇は単調に減少す
る。これはビームの入射角が大きくなることと試料面が
焦点から外れること（収差）による。しかしながらビー
ムを一回Ｆ点からＧ点（試料をはさんでＦ点と対称な点
をＧ点とする）にまで一定パワー、一定速度で走査した
直後（ビームがＧ点に達した時）での被走査部線上の温
度分布は例えば第３図の曲線３１によって近似的に表わ
すことができる。試料表面温度がＦ点から離れる程高く
なっているのが特徴である。これは。
Ｆ点に近い程ビーム通過後の時間が経過しているため放
熱効果により温度の低下が大きいためである。次にＧ点
からＦ点に向けて更にパワー全土げであるいは走査速度
を下げて折返し反対方向に２回目の走査を行った場合に
は、この２回目の走査そのものによる試料表面の温度上
昇は前述の如く入射角や収差の影響により第３図の曲線
３２で近似される如く、２点側で高く、Ｇ点側で低くな
る。
熱効果により温度の低下が大きいためである。次にＧ点
からＦ点に向けて更にパワー全土げであるいは走査速度
を下げて折返し反対方向に２回目の走査を行った場合に
は、この２回目の走査そのものによる試料表面の温度上
昇は前述の如く入射角や収差の影響により第３図の曲線
３２で近似される如く、２点側で高く、Ｇ点側で低くな
る。
しかし、実質的なＩＡ相表面の温度は、前記１回目の走
査による予熱効果と２回目の走査による温度上昇の和と
して近似できるので、第３図の曲線３３で表わされるほ
ぼ均一な温度上昇が実現できる。このＩ？Ｅぼ均一な温
度が所望の熱処理温度となるように１回目−９”・２回
目のビームのパワー、走査速度、１回目と２回目の走査
の時間間隔等のパラメータを調贅すればよい。また１回
目と２回目のト射部分は一部分だけが重なっていてもか
まわない。
査による予熱効果と２回目の走査による温度上昇の和と
して近似できるので、第３図の曲線３３で表わされるほ
ぼ均一な温度上昇が実現できる。このＩ？Ｅぼ均一な温
度が所望の熱処理温度となるように１回目−９”・２回
目のビームのパワー、走査速度、１回目と２回目の走査
の時間間隔等のパラメータを調贅すればよい。また１回
目と２回目のト射部分は一部分だけが重なっていてもか
まわない。
第１図は、従来のビームアニール法における問題点を説
明するための図。第２図及び第３図は本発明による方法
を説明するための図で、第２図は試料台部平面模式図、
第３図は試料面上における位置と温度の関係全示す図。 １１．２２・・・試 料、 １２．１２’・・・ビーム
。 １３・・・焦点面、 ２１・・・試料台。
明するための図。第２図及び第３図は本発明による方法
を説明するための図で、第２図は試料台部平面模式図、
第３図は試料面上における位置と温度の関係全示す図。 １１．２２・・・試 料、 １２．１２’・・・ビーム
。 １３・・・焦点面、 ２１・・・試料台。
Claims (1)
- 試料の一端部または試料の一外部において入射ビームが
試料表面または試料表面の延長面に垂直に入射しかつ該
試料表面または試料表面の延長面への垂直入射点がビー
ムの焦点となる様にビームと試料とを配置し、先ず＾科
被照射部が所望の熱処理温度に達しない条件で前記垂直
入射点またはその外側よシビームを試料表面の他端に向
けて一方向に走査した後１次に被照射部が所望の温度に
なる様な条件で少くとも一部分は前記１回目のビーム照
射領域と重なる様に一回目の走査終点あるいはその近傍
より一回目の照射領域に平行にかつ一回目の走査方向と
は逆の方向にビームを走査することを特徴とするビーム
アニール法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19606583A JPS6088424A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | ビ−ムアニ−ル法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19606583A JPS6088424A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | ビ−ムアニ−ル法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088424A true JPS6088424A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH0436447B2 JPH0436447B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=16351610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19606583A Granted JPS6088424A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | ビ−ムアニ−ル法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450409A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Agency Ind Science Techn | Manufacture of semiconductor single crystal layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103140A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Fujitsu Ltd | レ−ザアニ−ル方法 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19606583A patent/JPS6088424A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103140A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Fujitsu Ltd | レ−ザアニ−ル方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450409A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Agency Ind Science Techn | Manufacture of semiconductor single crystal layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0436447B2 (ja) | 1992-06-16 |
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