JP2005209660A5 - - Google Patents

Claims (28)

1. アノード電極と、透明なカソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に介在された光電気的に活性な領域とを備えるオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、
   前記カソード電極は、
   仕事関数が３．５ｅＶ以下である材料を含有する第１層と、
   前記第１層よりも光電気的に活性な前記領域から離間し、前記第１層とは組成が異なりかつ仕事関数が３．５ｅＶ以下である別の材料を含有する第２層と、
   前記第１層よりも光電気的に活性な前記領域から離間し、かつ仕事関数が３．５ｅＶ以上の材料を含有する第３層と、
   を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
2. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの一方が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
3. 請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記化合物がハロゲン化合物であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
4. 請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記化合物がフッ化物であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
5. 請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属が１族に属する金属又は２族に属する金属であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
6. 請求項５記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属がリチウムであることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
7. 請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
8. 請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
9. 請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方が金属からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
10. 請求項９記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方がＬｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｒｂ、Ｋ、Ｙ、Ｎａ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔｂ、およびＹｂからなる群より選択された金属を含有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
11. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層が前記第１層よりも厚いことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
12. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層の厚さが１００Åを超えることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
13. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層に含まれる材料は、前記第２層に含まれる材料と比較して高い仕事関数を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
14. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第３層の厚さが１０００Åを超えることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
15. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、仕事関数が３．５ｅＶ以上の前記材料が１０⁵（Ω・ｃｍ）^-1を超える導電率を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
16. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、仕事関数が３．５ｅＶ以上の前記材料がアルミニウム、金またはインジウムスズ酸化物であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
17. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、光電気的に活性な前記領域が発光性を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
18. 請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、光電気的に活性な前記領域が発光性有機材料を含有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
19. 請求項１８記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記発光性有機材料が高分子材料であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
20. 請求項１９記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記発光性有機材料が共役高分子材料であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
21. 請求項１８記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記発光性有機材料と前記アノード電極または前記カソード電極の少なくともいずれか一方との間に電荷輸送層を介在したことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
22. 請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属が１族に属する金属又は２族に属する金属であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
23. 請求項２２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属がリチウムであることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
24. 請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
25. 請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
26. 請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方が金属からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
27. 請求項２６記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方がＬｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｒｂ、Ｋ、Ｙ、Ｎａ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔｂ、およびＹｂからなる群より選択された金属を含有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
28. アノード電極を成膜する工程と、
    前記アノード電極上に光電気的に活性な材料の領域を成膜する工程と、
    光電気的に活性な材料の前記領域上に、仕事関数が３．５ｅＶ以下の材料を成膜して第１透明カソード電極層を形成する工程と、
    前記第１透明カソード電極層上に、前記第１透明カソード電極に含有される材料とは別の材料でありかつ仕事関数が３．５ｅＶ以下のものを成膜して、前記第１透明カソード電極層とは組成が異なる第２透明カソード電極層を形成する工程と、
    前記第２透明カソード電極層上に、仕事関数が３．５ｅＶ以上の材料を成膜して第３透明カソード電極層を形成する工程と、
    を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法。