CN113036044B - 一种有机发光器件、显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光器件、显示装置及其制备方法，通过使电致发光层包括层叠设置的多个子发光层，多个子发光层包括第一子发光层和第二子发光层，第二子发光层包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料，可以使在第一子发光层内或第一子发光层和第二子发光层内形成的高浓度的三线态激子通过激子缓冲材料，来增加向第二磷光发光客体材料转移的途径和时间，从而可以降低高电流密度下的第一磷光发光客体材料和第二磷光发光客体材料中的三线态激子的浓度，进而可以改善有机发光器件的效率滚降现象。

Description

一种有机发光器件、显示装置及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种有机发光器件、显示装置及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode，OLED)由两个相对的电极和置于其间的具有半导体特性的有机材料薄膜组成。当有电荷通过时，可以使有机材料发光。采用OLED形成的显示装置，被业界公认是继液晶显示器之后的第三代显示技术。

发明内容

本发明实施例提供一种有机发光器件、显示装置及其制备方法，用于改善效率滚降现象，提高发光效率。

本发明实施例提供了一种有机发光器件，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上且相对设置的第一电极和第二电极，位于所述第一电极和所述第二电极之间的电致发光层，所述电致发光层包括层叠设置的多个子发光层；

所述多个子发光层包括第一子发光层和第二子发光层；所述第一子发光层包括第一发光主体材料和第一磷光发光客体材料，所述第二子发光层包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料；

所述第一发光主体材料的三线态能级和所述第二发光主体材料的三线态能级高于所述激子缓冲材料的三线态能级，且所述激子缓冲材料的三线态能级高于所述第一发光客体材料的三线态能级和所述第二发光客体材料的三线态能级。

可选地，在本发明实施例中，所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料为空穴传输型发光主体材料；

所述电致发光层包括层叠设置的两个子发光层；所述第一子发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二子发光层位于所述第一子发光层与所述第二电极之间。

可选地，在本发明实施例中，所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料为电子传输型发光主体材料；

所述电致发光层包括层叠设置的两个子发光层；所述第一子发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二子发光层位于所述第一子发光层与所述第一电极之间。

可选地，在本发明实施例中，所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料为双极性型发光主体材料；

所述电致发光层包括层叠设置的三个子发光层；所述三个子发光层包括两个第一子发光层和一个第二子发光层；

所述两个第一子发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二子发光层位于所述两个第一子发光层之间。

可选地，在本发明实施例中，所述激子缓冲材料为热激活延迟荧光材料，且所述激子缓冲材料的单线态能级和三线态能级之间的能极差不大于0.3eV。

可选地，在本发明实施例中，所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料相同；和或，

所述第一磷光发光客体材料和所述第二磷光发光客体材料相同。

可选地，在本发明实施例中，所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料的HOMO能级低于所述第一磷光发光客体材料、所述第二磷光发光客体材料以及所述激子缓冲材料的HOMO能级；

所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料的LUMO能级高于所述第一磷光发光客体材料、所述第二磷光发光客体材料以及所述激子缓冲材料的LUMO能级。

可选地，在本发明实施例中，所述有机发光器件还包括：位于所述第一电极和所述电致发光层之间的空穴传输层，以及位于所述第二电极和所述电致发光层之间的电子传输层。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：多个像素单元；

各所述像素单元包括上述有机发光器件。

本发明实施例还提供了一种上述有机发光器件的制备方法，包括：

在衬底基板上形成第一电极；

在所述第一电极背离所述衬底基板一侧形成所述电致发光层；

在所述电致发光层背离所述衬底基板一侧形成第二电极；

其中，所述电致发光层包括层叠设置的多个子发光层；其中，所述多个子发光层包括第一子发光层和第二子发光层；所述第一子发光层包括第一发光主体材料和第一磷光发光客体材料，所述第二子发光层包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料；所述第一发光主体材料的三线态能级和所述第二发光主体材料的三线态能级高于所述激子缓冲材料的三线态能级，且所述激子缓冲材料的三线态能级高于所述第一发光客体材料的三线态能级和所述第二发光客体材料的三线态能级。

可选地，在本发明实施例中，在衬底基板上形成第一电极之后，且在所述第一电极背离所述衬底基板一侧形成所述电致发光层之前，还包括：形成空穴传输层；

在所述第一电极背离所述衬底基板一侧形成所述电致发光层之后，且在所述电致发光层背离所述衬底基板一侧形成第二电极之前，还包括：形成电子传输层。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的有机发光器件、显示装置及其制备方法，通过使电致发光层包括层叠设置的多个子发光层，多个子发光层包括第一子发光层和第二子发光层，第二子发光层包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料，可以使在第一子发光层内或第一子发光层和第二子发光层内形成的高浓度的三线态激子通过激子缓冲材料，来增加向第二磷光发光客体材料转移的途径和时间，从而可以降低高电流密度下的第一磷光发光客体材料和第二磷光发光客体材料中的三线态激子的浓度，进而可以改善有机发光器件的效率滚降现象。

附图说明

图1为主体材料和磷光发光客体材料之间的能量转移过程的示意图；

图2为本发明实施例提供的一种有机发光器件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种有机发光器件的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种有机发光器件的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的第二子发光层中能量转移过程的示意图；

图6为本发明实施例提供的制备方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

一般，磷光OLED由于能够同时利用三重态和单重态的激子，内量子效率理论上可达到100％，从而克服了传统荧光OLED只利用单重态的激子时的25％效率的限制，从而实现高效的发光和显示。通常，对于磷光发光材料，一般会使用主体材料和磷光发光客体材料掺杂的发光结构。一般有机发光器件的结构，可以包括基板，以及依次制备于基板上的第一电极110、空穴传输单元、有机发光层、电子传输单元以及第二电极120。其中，有机发光层包括主体材料和掺杂的磷光发光客体材料。一般有机发光层中掺杂的磷光发光客体材料是按照一定比例均匀分散于主体材料中的。对于上述有机发光层，结合图1所示，主体材料一般通过Forster能量转移和Dexter能量转移方式，能直接且快速的将能量转移给掺杂的磷光发光客体材料，以使磷光发光客体材料发射磷光。需要说明的是，图1中，10代表激子，S0代表基态，S1代表单线态，T1代表三线态。

然而，一方面，由于磷光发光客体材料的三线态激子寿命相对较长(在微秒级别)，这样在高电流密度时，磷光发光客体材料的三线态激子浓度较大，容易引起TTA(triplet-triplet annihilation)或TPA(triplet-polaron annihilation)等湮灭，造成高亮度下严重的效率滚降，器件寿命较短。尤其是，由于蓝色磷光发光客体材料的三线态(T1>2.7eV)能量较高，导致三线态激子湮灭更为严重，破坏也更大，效率滚降也更严重。

另一方面，激子湮灭过程中容易形成热态激子，这些热态激子的能量是发光激子的2倍多，容易导致主体材料或磷光发光客体材料发生化学键解离现象，从而降低发光性能。

有鉴于此，本发明实施例提供了一种有机发光器件，如图2至图4所示，可以包括：衬底基板100，位于衬底基板100上且相对设置的第一电极110和第二电极120，位于第一电极110和第二电极120之间的电致发光层130，电致发光层130包括层叠设置的多个子发光层；其中，多个子发光层包括第一子发光层131和第二子发光层132；第一子发光层131包括第一发光主体材料和第一磷光发光客体材料，第二子发光层132包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料(Exciton-Buffering Material，EBM)。并且，第一发光主体材料的三线态能级和第二发光主体材料的三线态能级高于激子缓冲材料的三线态能级，且激子缓冲材料的三线态能级高于第一发光客体材料的三线态能级和第二发光客体材料的三线态能级。

本发明实施例提供的有机发光器件，通过使电致发光层130包括层叠设置的多个子发光层，多个子发光层包括第一子发光层131和第二子发光层132，第二子发光层132包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料，可以使在第一子发光层131内或第一子发光层131和第二子发光层132内形成的高浓度的三线态激子通过激子缓冲材料，来增加向第二磷光发光客体材料转移的途径和时间，从而可以降低高电流密度下的第一磷光发光客体材料和第二磷光发光客体材料中的三线态激子的浓度，进而可以改善有机发光器件的效率滚降现象。

结合图5所示，以第二子发光层132内形成的高浓度的三线态激子为例，在高电流密度下，第二子发光层132内形成的高浓度的三线态激子可以通过EBM，来增加向第二磷光发光客体材料转移的途径和时间。其中，第一个转移途径为：三线态激子通过激子缓冲材料的单线态能级S1转移到第二磷光发光客体材料的单线态能级S1。第二个转移途径为：三线态激子通过激子缓冲材料的三线态能级T1转移到第二磷光发光客体材料的三线态能级T1。第三个转移途径为：三线态激子通过激子缓冲材料的三线态能级T1通过反隙间窜越转移到激子缓冲材料的单线态能级S1，再由激子缓冲材料的单线态能级S1转移到第二磷光发光客体材料的单线态能级S1。需要说明的是，图5中，10代表激子，S0代表基态，S1代表单线态，T1代表三线态，SISC为反隙间窜越(Reverse Inter System Crossing)。

并且，本发明实施例提供的有机发光器件，可以在三线态激子发生TPA或TTA湮灭之前，通过将激子快速转移给第二磷光发光客体材料，即可以使原来要进行湮灭的激子进行发光，从而可以提高有机发光器件的发光效率。

以及，本发明实施例提供的有机发光器件，可以将复合区中的三线态激子进行快速转移，从而可以降低形成的热态激子的数量。尤其是高电流密度下的高浓度的三线态激子，可以通过将三线态激子进行快速转移，以降低形成的热态激子的数量，从而可以提高有机发光器件的寿命。

在具体实施时，如图2至图4所示，有机发光器件还可以包括：位于第一电极110和电致发光层130之间的空穴传输层140，以及位于第二电极120和电致发光层130之间的电子传输层150。示例性地，空穴传输层140可以采用空穴传输材料，电子传输层150可以采用电子传输材料。在实际应用中，空穴传输材料和电子传输材料可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一发光主体材料和第二发光主体材料设置为空穴传输型发光主体材料。在本发明实施例中，如图2所示，可以使电致发光层130包括层叠设置的两个子发光层；第一子发光层131位于第一电极110与第二电极120之间，第二子发光层132位于第一子发光层131与第二电极120之间。由于第一发光主体材料和第二发光主体材料设置为空穴传输型发光主体材料，其激子的复合区偏向第二电极120侧，因此通过将含有EBM的第二子发光层132靠近第二电极120侧，这样在高电流密度下，EBM可以快速转移复合区中的三线态激子，从而让过剩的三线态激子可以通过EBM转移而避免TTA和TPA湮灭，从而可以减小效率滚降，提高有机发光器件的寿命。

需要说明的是，在实际应用中，可以根据实际应用环境来选择空穴传输型发光主体材料，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一发光主体材料和第二发光主体材料设置为电子传输型发光主体材料。在本发明实施例中，如图3所示，电致发光层130可以包括层叠设置的两个子发光层；第一子发光层131位于第一电极110与第二电极120之间，第二子发光层132位于第一子发光层131与第一电极110之间。由于第一发光主体材料和第二发光主体材料设置为电子传输型发光主体材料，其激子的复合区偏向第一电极110侧，因此通过将含有EBM的第二子发光层132靠近第一电极110侧，这样在高电流密度下，EBM可以快速转移复合区中的三线态激子，从而让过剩的三线态激子可以通过EBM转移而避免TTA和TPA湮灭，从而可以减小效率滚降，提高有机发光器件的寿命。

需要说明的是，在实际应用中，可以根据实际应用环境来选择电子传输型发光主体材料，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一发光主体材料和第二发光主体材料设置为双极性型发光主体材料。在本发明实施例中，如图4所示，电致发光层130可以包括层叠设置的三个子发光层；三个子发光层包括两个第一子发光层131和一个第二子发光层132；其中，两个第一子发光层131位于第一电极110与第二电极120之间，第二子发光层132位于两个第一子发光层131之间。由于第一发光主体材料和第二发光主体材料设置为电子传输和空穴传输的双极性型发光主体材料，其激子的复合区可能位于中间，因此通过将含有EBM的第二子发光层132位于中间，这样在高电流密度下，EBM可以快速转移复合区中的三线态激子，从而让过剩的三线态激子可以通过EBM转移而避免TTA和TPA湮灭，从而减小效率滚降，提高有机发光器件的寿命。

需要说明的是，在实际应用中，可以根据实际应用环境来选择双极性型发光主体材料，在此不作限定。

为了可以更好的使EBM转移三线态激子，在具体实施时，可以使激子缓冲材料设置为热激活延迟荧光材料，且激子缓冲材料的单线态能级和三线态能级之间的能极差不大于0.3eV。示例性地，激子缓冲材料的单线态能级和三线态能级之间的能极差可以为0.3eV。激子缓冲材料的单线态能级和三线态能级之间的能极差也可以为0.25eV。激子缓冲材料的单线态能级和三线态能级之间的能极差也可以为0.2eV。当然，在实际应用中，可以根据实际应用环境来选择激子缓冲材料的单线态能级和三线态能级之间的能极差，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一发光主体材料和第二发光主体材料相同。这样可以降低工艺制备难度以及提高转移效率。当然，在实际应用中，也可以使第一发光主体材料和第二发光主体材料不相同，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一磷光发光客体材料和第二磷光发光客体材料相同。这样可以降低工艺制备难度以及提高转移效率。当然，在实际应用中，也可以使第一磷光发光客体材料和第二磷光发光客体材料不相同，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一发光主体材料和第二发光主体材料的HOMO能级低于第一磷光发光客体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料的HOMO能级。当然，在实际应用中，由于不同材料对应的HOMO能级不同，因此可以根据实际应用环境来确定上述材料的HOMO能级，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一发光主体材料和第二发光主体材料的LUMO能级高于第一磷光发光客体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料的LUMO能级。当然，在实际应用中，由于不同材料对应的LUMO能级不同，因此可以根据实际应用环境来确定上述材料的LUMO能级，在此不作限定。

在具体实施时，可以使激子缓冲材料在第二子发光层132中的含量范围设置为5wt％～15wt％。示例性地，可以使激子缓冲材料在第二子发光层132中的含量设置为5wt％。也可以使激子缓冲材料在第二子发光层132中的含量设置为10wt％。也可以使激子缓冲材料在第二子发光层132中的含量设置为15wt％。当然，在实际应用中，不同的应用环境需求的激子缓冲材料在第二子发光层132中的含量不同，因此激子缓冲材料在第二子发光层132中的含量可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第二发光主体材料在第二子发光层132中的含量范围设置为80wt％～93wt％。示例性地，可以使第二发光主体材料在第二子发光层132中的含量设置为80wt％。也可以使第二发光主体材料在第二子发光层132中的含量设置为90wt％。也可以使第二发光主体材料在第二子发光层132中的含量设置为93wt％。当然，在实际应用中，不同的应用环境需求的第二发光主体材料在第二子发光层132中的含量不同，因此第二发光主体材料在第二子发光层132中的含量可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第二磷光发光客体材料在第二子发光层132中的含量范围设置为2wt％～5wt％。示例性地，可以使第二磷光发光客体材料在第二子发光层132中的含量设置为2wt％。也可以使第二磷光发光客体材料在第二子发光层132中的含量设置为4wt％。也可以使第二磷光发光客体材料在第二子发光层132中的含量设置为5wt％。当然，在实际应用中，不同的应用环境需求的第二磷光发光客体材料在第二子发光层132中的含量不同，因此第二磷光发光客体材料在第二子发光层132中的含量可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一磷光发光客体材料在第一子发光层131中的含量范围设置为1wt％～25wt％。示例性地，可以使第一磷光发光客体材料在第一子发光层131中的含量设置为1wt％，则第一发光主体材料在第一子发光层131中的含量设置为99wt％。也可以使第一磷光发光客体材料在第一子发光层131中的含量设置为5wt％，则第一发光主体材料在第一子发光层131中的含量设置为95wt％。也可以使第一磷光发光客体材料在第一子发光层131中的含量设置为15wt％，则第一发光主体材料在第一子发光层131中的含量设置为85wt％。也可以使第一磷光发光客体材料在第一子发光层131中的含量设置为25wt％，则第一发光主体材料在第一子发光层131中的含量设置为75wt％。当然，在实际应用中，不同的应用环境需求的第一磷光发光客体材料在第一子发光层131中的含量不同，因此第一磷光发光客体材料在第一子发光层131中的含量可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，在垂直于衬底基板100100所在平面的方向上，可以使第一子发光层131的厚度的范围设置为：0.1nm～10.0nm。示例性地，可以使第一子发光层131的厚度设置为：0.1nm。也可以使第一子发光层131的厚度设置为：0.5nm。也可以使第一子发光层131的厚度设置为：5.0nm。也可以使第一子发光层131的厚度设置为：10.0nm。当然，在实际应用中，不同的应用环境需求的第一子发光层131的厚度不同，因此第一子发光层131的厚度可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，在垂直于衬底基板100100所在平面的方向上，可以使第二子发光层132的厚度的范围设置为：1.0nm～60.0nm。示例性地，可以使第二子发光层132的厚度设置为：1.0nm。也可以使第二子发光层132的厚度设置为：5.0nm。也可以使第二子发光层132的厚度设置为：20.0nm。也可以使第二子发光层132的厚度设置为：30.0nm。也可以使第二子发光层132的厚度设置为：60.0nm。当然，在实际应用中，不同的应用环境需求的第二子发光层132的厚度不同，因此第二子发光层132的厚度可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，可以使第一子发光层131占电致发光层130中第一子发光层131和第二子发光层132的总量的比例不少于90％。示例性地，可以使第一子发光层131占电致发光层130中第一子发光层131和第二子发光层132的总量的比例设置为90％。也可以使第一子发光层131占电致发光层130中第一子发光层131和第二子发光层132的总量的比例设置为93％。当然，在实际应用中，不同的应用环境需求不同，因此第一子发光层131占电致发光层130中第一子发光层131和第二子发光层132的总量的比例可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，本发明实施例提供的有机发光器件可以设置为底发射型有机发光器件。这样可以将第一电极110设置为阳极，第二电极120设置为阴极。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种上述有机发光器件的制备方法，如图6所示，可以包括如下步骤：

S01、在衬底基板100上形成第一电极110；

S02、在第一电极110背离衬底基板100一侧形成电致发光层130；

S03、在电致发光层130背离衬底基板100一侧形成第二电极120；

其中，电致发光层130包括层叠设置的多个子发光层；其中，多个子发光层包括第一子发光层131和第二子发光层132；第一子发光层131包括第一发光主体材料和第一磷光发光客体材料，第二子发光层132包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料；第一发光主体材料的三线态能级和第二发光主体材料的三线态能级高于激子缓冲材料的三线态能级，且激子缓冲材料的三线态能级高于第一发光客体材料的三线态能级和第二发光客体材料的三线态能级。

在具体实施时，在S01之后，且在步骤S02之后，还可以包括：形成空穴传输层140。

在具体实施时，在S02之后，且在步骤S03之后，还可以包括：形成电子传输层150。

在具体实施时，衬底基板100可以设置为30mm*30mm尺寸的玻璃基板。衬底基板100具有四个发光区域，每个发光区域内设置一个有机发光器件。并且，每个发光区域的尺寸设置为2mm*2mm。

在具体实施时，第一电极110的材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等；也可以为金属材料，例如金、银、铝等，在此不作限定。在第一电极110的材料为ITO时，可以形成覆盖于衬底基板100表面的ITO膜层，以使该ITO膜层形成位于每个发光区域内的第一电极110。示例性地，在入射光波长为550nm时，第一电极110的透光率设置为90％，第一电极110的表面粗糙度Ra<1nm，第一电极110的厚度设置为1.3nm，第一电极110的方块电阻设置为10Ω/_口。

在具体实施时，第二电极120的材料可以为金属材料，例如金、银、铝等，在此不作限定。

在具体实施时，在形成ITO膜层后，需要对衬底基板100进行清洗。示例性地，首先将形成有ITO膜层的衬底基板100放置在盛有丙酮溶液的容器中，将该容器放置于超声波清洗机内进行超声清洗，且清洗时间为30分钟，主要是将附着在ITO表面的有机物进行溶解和去除。然后将清洗完毕的衬底基板100取出放置在热板，以在120℃的条件下烘烤半个小时，主要是移除衬底基板100表面的有机溶剂和水汽。然后将烘烤完毕的衬底基板100迅速转移到等离子体设备中进行O₃等离子体处理，主要是将ITO表面难以除尽的有机物或异物进一步使用等离子处理，处理时间为15分钟。然后，将处理完毕的衬底基板100迅速转移到蒸镀设备成膜室中。

在将衬底基板100转移到蒸镀设备成膜室中后，可以蒸镀电致发光层130。示例性地，在形成第一子发光层131时，打开有机蒸发源，对具有第一发光主体材料和第一磷光发光客体材料的有机材料进行100℃预热，预热时间为15分钟，主要是进一步移除有机材料中的水汽。然后对需要蒸镀的有机材料进行快速升温加热处理，并打开蒸发源上方的挡板，直到该材料的蒸发源有有机材料溢出，同时晶振片检测器检测到蒸发速率。然后进行缓慢升温，升温步长为1～5℃，直到蒸发速率稳定在1A/s时，打开掩膜板正下方的挡板，进行成膜。当电脑端观测到衬底基板100上的有机膜达到预设膜厚时，关闭掩膜板挡板和蒸发源正上方挡板，关闭该有机材料的蒸发源加热器。形成第二子发光层132和第二电极120金属材料的蒸镀工艺如上，在此不作赘述。

并且，在将衬底基板100转移到蒸镀设备成膜室之前，还需要对蒸镀设备成膜室进行处理。具体地，首先对蒸镀设备成膜室进行洁净处理，使用IPA进行擦拭成膜室的腔体内壁，保证整个成膜室腔体内没有异物或粉尘。然后，将装有有机材料的坩埚和装有金属铝粒的坩埚依次放置在有机蒸发源和无机蒸发源位置上。关闭腔体，进行初抽真空和抽高真空步骤，使得蒸镀设备成膜室内部的真空度达到10^-7Torr。

在蒸镀完第二电极120后，即可形成有机发光器件。之后，还会对形成的有机发光器件进行封装。示例性地，封装流程如下：选取20mm*20mm的封装盖板，并对选取的封装盖板进行清洁处理。在清洁完毕的封装盖板外延四周进行UV胶材涂覆或点胶。然后，将点完UV胶材的封装盖板转移到真空贴合设备中，与蒸镀完第二电极120后的衬底基板100进行真空贴合。然后，转移到UV固化腔体中，使用365nm波段的紫外光进行光固化。光固化后的有机发光器件，还需要在温度80℃下，进行半小时的后热处理，使得UV胶材完全固化。

需要说明的是，封装盖板的清洁处理方式与对形成有ITO膜层的衬底基板100的清洗方式基本相同，在此不作赘述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括多个像素单元。各像素单元包括上述有机发光器件。该显示装置解决问题的原理与前述有机发光器件相似，因此该显示装置的实施可以参见前述有机发光器件的实施，重复之处在此不再赘述。

在具体实施时，在本发明实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

本发明实施例提供的有机发光器件、显示装置及其制备方法，通过使电致发光层包括层叠设置的多个子发光层，多个子发光层包括第一子发光层和第二子发光层，第二子发光层包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料，可以使在第一子发光层内或第一子发光层和第二子发光层内形成的高浓度的三线态激子通过激子缓冲材料，来增加向第二磷光发光客体材料转移的途径和时间，从而可以降低高电流密度下的第一磷光发光客体材料和第二磷光发光客体材料中的三线态激子的浓度，进而可以改善有机发光器件的效率滚降现象。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种有机发光器件，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上且相对设置的第一电极和第二电极，位于所述第一电极和所述第二电极之间的电致发光层，其特征在于，所述电致发光层包括层叠设置的多个子发光层；

所述多个子发光层包括第一子发光层和第二子发光层；所述第一子发光层包括第一发光主体材料和第一磷光发光客体材料，所述第二子发光层包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料；

所述第一发光主体材料的三线态能级和所述第二发光主体材料的三线态能级高于所述激子缓冲材料的三线态能级，且所述激子缓冲材料的三线态能级高于所述第一磷光发光客体材料的三线态能级和所述第二磷光发光客体材料的三线态能级；

所述第一电极位于所述第二电极和所述衬底基板之间；

所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料为具有电子传输和空穴传输的双极性型发光主体材料；

所述电致发光层包括层叠设置的三个子发光层；所述三个子发光层包括两个第一子发光层和一个第二子发光层；

所述两个第一子发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二子发光层位于所述两个第一子发光层之间。

2.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述激子缓冲材料为热激活延迟荧光材料，且所述激子缓冲材料的单线态能级和三线态能级之间的能级差不大于0.3eV。

3.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料相同；和/或，

所述第一磷光发光客体材料和所述第二磷光发光客体材料相同。

4.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料的HOMO能级低于所述第一磷光发光客体材料、所述第二磷光发光客体材料以及所述激子缓冲材料的HOMO能级；

所述第一发光主体材料和所述第二发光主体材料的LUMO能级高于所述第一磷光发光客体材料、所述第二磷光发光客体材料以及所述激子缓冲材料的LUMO能级。

5.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件还包括：位于所述第一电极和所述电致发光层之间的空穴传输层，以及位于所述第二电极和所述电致发光层之间的电子传输层。

6.一种显示装置，其特征在于，包括：多个像素单元；

各所述像素单元包括如权利要求1-5任一项所述的有机发光器件。

7.一种如权利要求1-5任一项所述的有机发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一电极；

在所述第一电极背离所述衬底基板一侧形成所述电致发光层；

在所述电致发光层背离所述衬底基板一侧形成第二电极；

其中，所述电致发光层包括层叠设置的多个子发光层；其中，所述多个子发光层包括第一子发光层和第二子发光层；所述第一子发光层包括第一发光主体材料和第一磷光发光客体材料，所述第二子发光层包括第二发光主体材料、第二磷光发光客体材料以及激子缓冲材料；所述第一发光主体材料的三线态能级和所述第二发光主体材料的三线态能级高于所述激子缓冲材料的三线态能级，且所述激子缓冲材料的三线态能级高于所述第一磷光发光客体材料的三线态能级和所述第二磷光发光客体材料的三线态能级。

8.如权利要求7所述的有机发光器件的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成第一电极之后，且在所述第一电极背离所述衬底基板一侧形成所述电致发光层之前，还包括：形成空穴传输层；

在所述第一电极背离所述衬底基板一侧形成所述电致发光层之后，且在所述电致发光层背离所述衬底基板一侧形成第二电极之前，还包括：形成电子传输层。

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