KR20150085661A - 인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드 - Google Patents

인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR20150085661A
KR20150085661A KR1020140005590A KR20140005590A KR20150085661A KR 20150085661 A KR20150085661 A KR 20150085661A KR 1020140005590 A KR1020140005590 A KR 1020140005590A KR 20140005590 A KR20140005590 A KR 20140005590A KR 20150085661 A KR20150085661 A KR 20150085661A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dopant
phosphorescent dopant
sub
level
emission layer
Prior art date
Application number
KR1020140005590A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101680934B1 (ko
Inventor
이준엽
김보성
Original Assignee
단국대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 단국대학교 산학협력단 filed Critical 단국대학교 산학협력단
Priority to KR1020140005590A priority Critical patent/KR101680934B1/ko
Publication of KR20150085661A publication Critical patent/KR20150085661A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101680934B1 publication Critical patent/KR101680934B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

유기발광다이오드를 제공한다. 상기 유기발광다이오드는 애노드, 캐소드, 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 차례로 배치된 제1 서브 발광층과 제2 서브 발광층을 구비하는 발광층을 포함한다. 상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층 중 어느 하나의 서브 발광층은 제1 인광도펀트, 지연형광도펀트, 및 제1 호스트를 함유한다. 상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층 중 다른 하나의 서브 발광층은 제2 인광도펀트와 제2 호스트를 함유할 수 있다.

Description

인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드 {Highly Efficient OLED having Phosphorescence and Delayed Fluorescence Dopants}
본 발명은 유기전자소자에 관한 것으로 더욱 상세하게는 유기발광다이오드에 관한 것이다.
유기발광다이오드(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기발광다이오드는 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이에 개재된 유기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층은, 전자주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하는데, 이 엑시톤이 기저상태로 전이하면서 광이 방출된다.
이러한 유기발광다이오드에서 백색의 광을 방출하는 백색유기발광다이오드가 개발되고 있다. 이러한 백색유기발광다이오드에서 인광도펀트와 형광도펀트를 조합하여 백색을 구현하는 방법이 개발되고 있으나(KR20100137335A), 형광도펀트의 낮은 삼중항 에너지로 인해 인광도펀트의 엑시톤이 소광되는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 인광도펀트의 엑시톤이 소광되지 않아 효율이 크게 향상된 백색 유기발광다이오드를 제공함에 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기발광다이오드를 제공한다. 상기 유기발광다이오드는 애노드, 캐소드, 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 차례로 배치된 제1 서브 발광층과 제2 서브 발광층을 구비하는 발광층을 포함한다. 상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층 중 어느 하나의 서브 발광층은 제1 인광도펀트, 지연형광도펀트, 및 제1 호스트를 함유한다. 상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층 중 다른 하나의 서브 발광층은 제2 인광도펀트와 제2 호스트를 함유할 수 있다.
상기 제1 호스트의 T1 준위는 상기 제1 인광도펀트의 T1 준위 또는 상기 지연형광도펀트의 T1 준위에 비해 높을 수 있다.
상기 지연형광도펀트의 T1 준위는 상기 제1 인광도펀트의 T1 준위에 비해 같거나 낮을 수 있다.
상기 지연형광도펀트는 T1 준위와 S1 준위 사이의 에너지 갭(△EST)이 0 내지 0.5 eV일 수 있다. 상기 지연형광도펀트는 카바졸릴 다이시아노벤젠(carbazolyl dicyanobenzene, CDCB)일 수 있다.
상기 제1 또는 제2 인광도펀트는 Ir(pq)2(acac), PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), Ir(ppy)3 , Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3, FIrpic, (F2ppy)2Ir(tmd), 또는 Ir(dfppz)3일 수 있다. 상기 제1 또는 제2 호스트는 mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene), mCBP (3,3'-di(9H-carbazol-9-yl)-1,1'-biphenyl), CBP (4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), BmPyPb (1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), TSPO1(diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl), 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), 2,5-디아릴 실롤 유도체(PyPySPyPy), 퍼플루오리네이티드 화합물(PF-6P), COTs (Octasubstituted cyclooctatetraene), TAZ, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BCP, Balq, 또는 이들의 복합 호스트일 수 있다.
상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층은 서로 보색관계에 있는 광을 방출할 수 있다. 상기 제1 인광도펀트는 청색 인광도펀트이고, 상기 지연형광도펀트는 녹색 지연형광도펀트이고, 상기 제2 인광도펀트는 적색 인광도펀트일 수 있다. 이 때, 상기 제1 인광도펀트는 FIrpic이고, 상기 지연형광도펀트는 4CzIPN이고, 상기 제2 인광도펀트는 Ir(pq)2acac일 수 있다. 다른 예에서, 상기 제1 인광도펀트는 적색 인광도펀트이고, 상기 지연형광도펀트는 녹색 지연형광도펀트이고, 상기 제2 인광도펀트는 청색 인광도펀트일 수 있다. 이 때, 상기 제1 인광도펀트는 Ir(pq)2acac이고, 상기 지연형광도펀트는 4CzIPN이고, 상기 제2 인광도펀트는 FIrpic일 수 있다.
상기 애노드가 광투과전극이고 상기 캐소드가 광반사전극이고, 상기 제1 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장은 상기 제2 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장에 비해 짧을 수 있다. 이와는 반대로, 상기 애노드가 광반사전극이고 상기 캐소드가 광투과전극이고, 상기 제2 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장은 상기 제1 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장에 비해 같거나 짧을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 지연형광도펀트를 인광도펀트와 동일 층 내에서 도펀트로서 함께 사용함으로써, 엑시톤 소광 확률이 크게 줄일 수 있고 이에 따라 소자 발광효율을 크게 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 2a는 복합발광층 내 인광도펀트, 지연형광도펀트, 및 호스트의 에너지 준위를 개략적으로 도시한다.
도 2b는 인광발광층 내 인광도펀트와 호스트의 에너지 준위를 개략적으로 도시한다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
유기발광다이오드
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기발광다이오드는 서로 마주보는 애노드(10)와 캐소드(70), 및 이들 두 전극 사이에 배치된 발광층(40)을 구비한다.
이러한 유기발광다이오드에 순방향 바이어스를 인가하면 애노드(10)에서 정공이 발광층(40)으로 유입되고, 캐소드(70)에서 전자가 발광층(40)으로 유입된다. 발광층(40)으로 유입된 전자와 정공은 결합하여 엑시톤을 형성하고, 엑시톤이 기저상태로 전이하면서 광이 방출된다.
발광층(40)은 적어도 두 층 이상의 서브 발광층들, 일 예로서 한 쌍의 서브 발광층들(40a, 40b) 즉, 제1 서브 발광층(40a)과 제2 서브 발광층(40b)을 구비할 수 있다. 상기 서브 발광층들(40a, 40b) 중 어느 하나는 인광발광층이고, 다른 하나는 인광과 지연형광의 복합발광층일 수 있다. 상기 복합발광층은 제1 인광도펀트, 지연형광도펀트, 및 제1 호스트를 함유하고, 상기 인광발광층은 제2 인광도펀트와 제2 호스트를 함유할 수 있다. 상기 제1 인광도펀트와 상기 제2 인광도펀트는 서로 다른 물질일 수 있고, 또한 상기 제1 호스트와 상기 제2 호스트는 서로 다른 물질일 수 있다.
한편, 발광층(40)에서 백색광을 방출할 수 있도록 상기 서브 발광층들(40a, 40b)에서 각각 방출되는 색들은 보색관계에 있을 수 있다. 예를 들어, 상기 서브 발광층들(40a, 40b) 중 인광발광층이 적색 인광도펀트를 함유하는 경우, 복합발광층은 녹색 인광도펀트와 청색 지연형광도펀트를 함유하거나 또는 청색 인광도펀트와 녹색 지연형광도펀트를 함유할 수 있다. 다른 예로서, 인광발광층이 녹색 인광도펀트를 함유하는 경우, 복합발광층은 적색 인광도펀트와 청색 지연형광도펀트를 함유하거나 또는 청색 인광도펀트와 적색 지연형광도펀트를 함유할 수 있다. 또 다른 예로서, 인광발광층이 청색 인광도펀트를 함유하는 경우, 복합발광층은 적색 인광도펀트와 녹색 지연형광도펀트를 함유하거나 또는 녹색 인광도펀트와 적색 지연형광도펀트를 함유할 수 있다.
지연형광도펀트는 열에 의해 삼중항 상태(T1 준위)에서 일중항 상태(S1 준위)로 역 계간 전이(reverse ISC (intersystem crossing))가 가능할 수 있을 정도로 삼중항 상태(T1)와 일중항 상태(S1) 사이의 에너지 갭(△Est)이 적은 물질이다. 일 예로서, 지연형광도펀트는 삼중항 상태와 일중항 상태 사이의 에너지 갭(△EST)이 0 내지 0.5 eV일 수 있다. 이러한 지연형광도펀트는 카바졸릴 다이시아노벤젠계 유도체들(carbazolyl dicyanobenzene derivatives, CDCB derivatives)으로서, 일 예로서, 적색에서 청색순으로 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-diphenylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Ph), 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-dimethylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Me), 3,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN), 3,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (4CzPN), 2,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,3- dicyanobenzene (4CzIPN), 또는 2, 4,5-bis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (2CzPN)일 수 있다.
인광도펀트는 Ir(pq)2(acac) (하기 화학식 참조), PtOEP(하기 화학식 참조), Ir(piq)3(하기 화학식 참조), Btp2Ir(acac) (하기 화학식 참조) 등의 적색 도펀트; Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘) (하기 화학식 참조), Ir(ppy)2(acac) (하기 화학식 참조), Ir(mpyp)3(하기 화학식 참조) 등의 녹색 도펀트; 또는 F2Irpic(FIrpic로도 명명됨, 하기 화학식 참조), (F2ppy)2Ir(tmd)(하기 화학식 참조), Ir(dfppz)3(하기 화학식 참조) 등의 청색 도펀트일 수 있다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003

Figure pat00004
한편, 제1 호스트와 제2 호스트는 서로에 관계없이 mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene), mCBP (3,3'-di(9H-carbazol-9-yl)-1,1'-biphenyl), CBP (4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), BmPyPb (1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), TSPO1(diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl), 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), 2,5-디아릴 실롤 유도체(PyPySPyPy), 퍼플루오리네이티드 화합물(PF-6P), COTs (Octasubstituted cyclooctatetraene), TAZ(하기 화학식 참조), Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BCP(하기 화학식 참조), Balq(하기 화학식 참조), 또는 이들의 복합 호스트일 수 있다.
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
도 2a는 복합발광층 내 인광도펀트, 지연형광도펀트, 및 호스트의 에너지 준위를 개략적으로 도시한다.
도 2a를 참조하면, 전자와 정공이 호스트에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 호스트의 S1 준위에 있는 경우 이는 게스트인 인광도펀트의 S1 준위 또는 T1 준위, 또는 지연형광도펀트의 S1 준위 또는 T1 준위로 에너지 이동할 수 있다. 한편, 생성된 엑시톤이 호스트의 T1 준위에 있는 경우 이는 인광도펀트의 T1 준위 또는 지연형광도펀트의 T1 준위로 에너지 이동할 수 있다. 인광도펀트에서 S1 준위에 있는 엑시톤은 인광도펀트의 T1 준위로 계간 전이한다. 마찬가지로, 전자와 정공이 인광도펀트에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 인광도펀트의 S1 준위에 있는 경우 엑시톤은 인광도펀트의 T1 준위로 계간 전이한다. 지연형광도펀트에서 T1 준위에 있는 엑시톤은 S1 준위로 열에 의해 역 계간 전이한다. 마찬가지로, 전자와 정공이 지연형광도펀트에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 지연형광도펀트의 T1 준위에 있는 경우 엑시톤은 지연형광도펀트의 S1 준위로 열에 의해 역 계간 전이한다. 인광도펀트에서 T1 준위에 있는 엑시톤은 인광을 방출하면서 S0 준위로 에너지 이동할 수 있다. 또한, 지연형광도펀트의 S1 준위에 있는 엑시톤은 형광을 방출하면서 S0 준위로 에너지 이동할 수 있다.
지연형광도펀트의 T1 준위는 S1 준위로의 열에 의한 역 계간 전이를 가능하게 하기 위해, 일반 형광도펀트의 T1 준위에 비해 매우 높다. 일반 형광 도펀트의 경우 T1 준위가 인광도펀트의 T1 준위에 비해 상당히 낮아, 인광도펀트에서 생성된 T1 준위에 있는 엑시톤이 일반 형광 도펀트의 T1 준위로 에너지 전이가 활발하고 또한 에너지 전이한 후 발광에 참여하지 못하고 소광될 확률이 높다.
그러나, 지연형광도펀트의 T1 준위는 인광도펀트의 T1 준위에 비해 낮은 경우에도, 지연형광도펀트의 T1 준위와 인광도펀트의 T1 준위의 에너지 차이가 일반 형광도펀트의 T1 준위와 인광도펀트의 T1 준위의 에너지 차이에 비해 적어, 인광도펀트의 T1 준위에 있는 엑시톤이 지연형광도펀트의 T1 준위로 에너지 이동될 확률이 줄어들 수 있다. 설사, 인광도펀트의 T1 준위에 있는 엑시톤이 지연형광도펀트의 T1 준위로 에너지 이동한다고 하더라도 지현형광도펀트의 T1 준위에 있는 엑시톤은 다시 지현형광도펀트의 S1 준위로 역 계간 전이 한 후 형광으로 방출되므로 엑시톤이 소광되는 것은 아니다. 따라서, 엑시톤 소광 확률이 극히 줄어들 수 있고 이에 따라 발광효율은 크게 증가될 수 있다.
다른 예에서, 지연형광도펀트의 T1 준위는 인광도펀트의 T1 준위에 비해 높을 수 있다. 이 경우에는 반대로, 지연형광도펀트의 T1 준위에 있는 엑시톤이 인광도펀트의 T1 준위로 에너지 이동할 수 있으나, 인광도펀트의 T1 준위에 있는 엑시톤은 계간 전이를 통해 인광으로 방출되므로 엑시톤이 소광되는 것은 아니다. 따라서, 이 역시 엑시톤 소광 확률이 극히 줄어들 수 있고 이에 따라 발광효율은 크게 증가될 수 있다.
한편, 호스트의 T1 준위는 인광도펀트의 T1 준위 또는 지연형광도펀트의 T1 준위에 비해 높고, 호스트의 S1 준위는 인광도펀트의 S1 준위 또는 지연형광도펀트의 S1 준위에 비해 높을 수 있다. 이에 더하여, 지연형광도펀트의 T1 준위는 인광도펀트의 T1 준위에 비해 같거나 낮을 수 있다. 이 경우, 호스트를 선택함에 있어서, 지연형광도펀트의 T1 준위를 고려할 필요없이, 인광도펀트의 T1 준위만을 고려하여 인광도펀트의 T1 준위 보다 높은 T1 준위를 갖는 호스트를 선택하면 되므로, 기존 인광도펀트에 사용하던 호스트를 그대로 이용하는 등 호스트 선택의 폭이 넓어질 수 있다. 또한, 지연형광도펀트가 추가되었다 하더라도, 호스트의 T1 준위를 추가로 높이는 것을 고려하지 않아도 되므로, 호스트의 S1 준위 및 밴드갭도 유지가능하고, 이에 따라 소자 구동전압 또한 상승되지 않는 효과가 있다.
한편, 복합발광층 내에서 인광도펀트와 지연형광도펀트 중 더 짧은 파장의 광을 방출하는 도펀트의 몰비가 다른 도펀트의 몰비에 비해 클 수 있다.
도 2b는 인광발광층 내 인광도펀트와 호스트의 에너지 준위를 개략적으로 도시한다.
도 2b를 참조하면, 전자와 정공이 호스트에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 호스트의 S1 준위에 있는 경우 이는 게스트인 인광도펀트의 S1 준위 또는 T1 준위로 에너지 이동할 수 있다. 한편, 생성된 엑시톤이 호스트의 T1 준위에 있는 경우 이는 인광도펀트의 T1 준위로 에너지 이동할 수 있다. 인광도펀트에서 S1 준위에 있는 엑시톤은 인광도펀트의 T1 준위로 계간 전이한다. 마찬가지로, 전자와 정공이 인광도펀트에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 인광도펀트의 S1 준위에 있는 경우, 엑시톤은 인광도펀트의 T1 준위로 계간 전이한다. 인광도펀트에서 T1 준위에 있는 엑시톤은 인광을 방출하면서 S0 준위로 에너지 이동할 수 있다. 이 때, 호스트의 T1 준위는 인광도펀트의 T1 준위에 비해 높고, 호스트의 S1 준위는 인광도펀트의 S1 준위에 비해 높을 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 서브발광층들(40a, 40b) 중 더 짧은 파장의 광을 방출하는 서브 발광층은 광추출전극에 인접하여 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 애노드(10)가 광투과전극이고 상기 캐소드(70)가 광반사전극인 경우에, 상기 제1 서브 발광층(40a)에서 방출되는 광의 파장은 상기 제2 서브 발광층(40b)에서 방출되는 광의 파장에 비해 같거나 짧을 수 있다. 다른 예로서, 상기 애노드(10)가 광반사전극이고 상기 캐소드(70)가 광투과전극인 경우에, 상기 제2 서브 발광층(40b)에서 방출되는 광의 파장은 상기 제1 서브 발광층(40a)에서 방출되는 광의 파장에 비해 같거나 짧을 수 있다.
애노드(10)와 발광층(40) 사이에 정공전도층(20)이 배치될 수 있다. 또한, 발광층(40)과 캐소드(70) 사이에 전자전도층(50)이 배치될 수 있다. 정공전도층(20)은 정공의 수송을 위한 정공수송층(25)과 정공의 주입을 용이하게 하기 위한 정공주입층(23)을 구비할 수 있다. 또한, 전자전도층(50)은 전자의 수송을 위한 전자수송층(55)와 전자의 주입을 용이하게 하기 위한 전자주입층(53)을 구비할 수 있다.
이에 더하여, 발광층(40)과 전자전도층(50) 구체적으로, 전자수송층(55) 사이에 정공블로킹층(미도시)이 배치될 수 있다. 또한, 발광층(40)과 정공전도층(20) 구체적으로, 정공수송층(25) 사이에 전자블로킹층(미도시)이 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 전자수송층(55)이 정공블로킹층의 역할을 수행할 수 있고, 또는 정공수송층(25)이 전자블로킹층의 역할을 수행할 수도 있다.
한편, 정공주입층(23) 및/또는 정공수송층(25)은 애노드(10)의 일함수 준위와 발광층(40) 구체적으로, 상기 제1 서브 발광층(40a) 내 호스트 물질의 HOMO 에너지 준위 사이의 HOMO 에너지 준위를 갖는 층들로, 애노드(10)에서 발광층(40)으로의 정공의 주입 또는 수송 효율을 높이는 기능을 한다. 또한, 전자주입층(53) 및/또는 전자수송층(55)은 캐소드(70)의 일함수 준위와 발광층(40), 구체적으로 상기 제2 서브 발광층(40b) 내 호스트 물질의 LUMO 에너지 준위 사이의 LUMO 에너지 준위를 갖는 층들로, 캐소드(70)에서 발광층(40)으로의 전자의 주입 또는 수송 효율을 높이는 기능을 한다. 이 때, 정공주입층(23) 및/또는 정공수송층(25)의 정공수송능력의 향상과 전자주입층(53) 및/또는 전자수송층(55)의 전자수송능력의 향상은 유기발광다이오드의 효율 향상 및 구동 전압 감소를 가져올 수 있다.
하기에서, 애노드(10), 정공주입층(23), 정공수송층(25), 전자블로킹층(미도시), 정공블로킹층(미도시), 전자수송층(55), 전자주입층(53), 및 캐소드(70)를 형성하는 재료를 설명한다.
애노드(10)는 전도성 금속 산화물, 금속, 금속 합금, 또는 탄소재료일 수 있다. 전도성 금속 산화물은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide: ITO), 플루오린 틴 옥사이드(fluorine tin oxide: FTO), 안티몬 틴 옥사이드(antimony tin oxide, ATO), 플루오르 도프 산화주석(FTO), SnO2, ZnO, 또는 이들의 조합일 수 있다. 애노드(10)로서 적합한 금속 또는 금속합금은 Au와 CuI일 수 있다. 탄소재료는 흑연, 그라핀, 또는 탄소나노튜브일 수 있다.
정공주입층(23) 또는 정공수송층(25)은 정공 수송 물질로서 통상적으로 사용되는 재료를 포함할 수 있으며, 하나의 층이 서로 다른 정공 수송 물질층을 구비할 수 있다. 정공 수송물질은 예를 들면, mCP (N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene); PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrenesulfonate); NPD (N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-diphenylbenzidine); N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐(TPD); N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐; N,N,N'N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐; N,N,N'N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐; 코퍼(II)1,10,15,20-테트라페닐-21H,23H-포피린 등과 같은 포피린(porphyrin)화합물 유도체; TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(p-tolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane); N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4, 4', 4'-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민과 같은 트리아릴아민 유도체; N-페닐카르바졸 및 폴리비닐카르바졸과 같은 카르바졸 유도체; 무금속 프탈로시아닌, 구리프탈로시아닌과 같은 프탈로시아닌 유도체; 스타버스트 아민 유도체; 엔아민스틸벤계 유도체; 방향족 삼급아민과 스티릴 아민 화합물의 유도체; 및 폴리실란 등일 수 있다. 이러한 정공수송물질은 전자블로킹층의 역할을 수행할 수도 있다.
정공 블로킹층은 발광층(40) 내의 삼중항 엑시톤 또는 정공이 캐소드(70) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 역할을 하는 것으로서, 공지된 정공 저지 재료 중에서 임의로 선택될 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 사용할 수 있다.
전자수송층(55)은 TSPO1(diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl), 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), 2,5-디아릴 실롤 유도체(PyPySPyPy), 퍼플루오리네이티드 화합물(PF-6P), COTs (Octasubstituted cyclooctatetraene), TAZ(상기 화학식 참조), Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BCP(상기 화학식 참조), 또는 Balq(상기 화학식 참조)일 수 있다.
전자주입층(53)은 예를 들면, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, BaF2, 또는 Liq(리튬 퀴놀레이트)일 수 있다.
캐소드(70)는 애노드(70)에 비해 낮은 일함수를 갖는 도전막으로, 예를 들어, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 인듐, 이트륨, 리튬, 은, 납, 세슘 등의 금속 또는 이들의 2종 이상의 조합을 사용하여 형성할 수 있다.
애노드(10)와 캐소드(70)는 스퍼터링(sputtering)법, 기상증착법 또는 이온빔증착법을 사용하여 형성될 수 있다. 정공주입층(23), 정공수송층(25), 발광층(40), 정공 블로킹층, 전자수송층(55), 및 전자주입층(53)은 서로에 관계없이 증착법 또는 코팅법, 예를 들어 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 닥터 블레이딩법을 이용하거나, 또는 전기영동법을 이용하여 형성될 수 있다.
유기발광다이오드는 기판(미도시) 상에 배치될 수 있는데, 기판은 애노드(10) 하부에 배치될 수도 있고 또는 캐소드(70) 상부에 배치될 수도 있다. 다시 말해서, 기판 상에 애노드(10)가 캐소드(70) 보다 먼저 형성될 수도 있고 또는 캐소드(70)가 애노드(10) 보다 먼저 형성될 수도 있다.
기판은 평판상의 부재로서 광투과성 기판일 수 있고, 이 경우, 상기 기판은 유리; 세라믹스재료; 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP) 등과 같은 고분자 재료로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 기판은 광반사가 가능한 금속기판일 수도 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실험예들; Examples]
제조예 1: 유기발광다이오드 제조 (ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:FIrpic:4CzIPN/TPBI:Ir(pq) 2 acac/TSPO1/LiF/Al)
애노드인 50㎚의 ITO층을 포함하는 ITO 기판은 순수와 이소프로필 알코올을 이용하여 초음파에서 30분간 세정하였다. 세정한 ITO 기판을 단파장의 자외선을 이용하여 표면처리한 후 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate))를 60nm의 두께로 스핀코팅하였다. 스핀코팅 후, 정공주입 또는 수송물질인 TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(p-tolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane)를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 증착하여 20nm의 정공수송층을 형성하였다. 이 후, 전자 블로킹 물질인 mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene)를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 증착하여 10nm의 엑시톤저지층을 형성하였다. 이 후, 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로, 호스트인 mCP, 청색 인광 도펀트인 FIrpic, 및 녹색 지연형광도펀트인 4CzIPN을 공증착하여 제1 서브 발광층을 형성하였다. 이 때, mCP, FIrpic, 및 4CzIPN의 몰비는 94 : 5 : 1이었다. 이 후, 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로, 호스트인 TPBI와 적색 인광 도펀트인 Ir(pq)2acac를 공증착하여 제2 서브 발광층을 형성하였다. 이 때, TPBI와 Ir(pq)2acac의 몰비는 97 : 3이었다. 이 후, 전자수송물질로서 TSPO1(diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl)를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 증착하여 35nm의 전자수송층을 형성하였다. 이 후, 전자주입재료로서 LiF를 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.01 nm/s의 속도로 증착하여 1nm의 전자주입층을 형성하였다. 그 후, Al을 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.5nm/sec의 속도로 증착하여 100nm의 캐소드를 형성함으로써 유기발광다이오드를 형성하였다. 소자 형성후 CaO 흡습제와 유리 커버 글라스를 이용하여 소자를 밀봉하였다.
제조예 1을 통해 제조된 유기발광다이오드는 4.0V의 전압에서 최대양자효율 20.2%를 나타내어 우수한 발광 특성을 보였다.
제조예 2: 유기발광다이오드 제조 (ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:FIrpic/TPBI:4CzIPN:Ir(pq)2acac/TSPO1/LiF/Al)
제1 서브 발광층과 제2 서브 발광층을 하기와 같이 형성한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다. 상기 제1 서브 발광층을, 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로, 호스트인 mCP와 청색 인광 도펀트인 FIrpic를 공증착하여 형성하였다. 이 때, mCP와 FIrpic의 몰비는 95 : 5 였다. 이 후, 상기 제2 서브 발광층을, 1x10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로, 호스트인 TPBI, 녹색 지연형광도펀트인 4CzIPN, 적색 인광 도펀트인 Ir(pq)2acac를 공증착하여, 형성하였다. 이 때, TPBI, 4CzIPN, 및 Ir(pq)2acac의 몰비는 94.5 : 5 : 0.5 였다.
제조예 2를 통해 제조된 유기발광다이오드는 5.0V의 전압에서 최대양자효율 16.8%를 나타내어 우수한 발광 특성을 보였다.
비교예1: 유기발광다이오드 제조 (ITO/PEDOT:PSS/TAPC/mCP/mCP:FIrpic:C545T/TPBI:Ir(pq) 2 acac/TSPO1/LiF/Al)
녹색 지연형광도펀트인 4CzIPN 대신에 일반적인 녹색 형광도펀트인 C545T(하기 화학식 참조)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 유기발광다이오드를 제조한 후 밀봉하였다. 비교예를 통해 제조된 유기발광다이오드는 5.5V의 전압에서 최대양자효율 8%를 나타었다.
Figure pat00008
C545T
서브 발광층들 중 어느 하나를 인광도펀트와 지연형광도펀트를 함유하는 복합발광층으로 형성한 경우(제조예들 1 및 2)에는, 인광도펀트와 일반 형광발광재료를 함유하는 발광층으로 형성한 경우(비교예)에 비해 양자효율이 거의 두배 향상된 것을 알 수 있다. 이론에 구속되는 것은 아니지만, 이러한 결과는 앞서 설명한 바와 같이, 지연형광도펀트를 인광도펀트와 동일 층 내에서 도펀트로서 함께 사용함으로써, 엑시톤 소광 확률이 크게 줄어든 것에 기인하는 것으로 사료된다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (16)

  1. 애노드와 캐소드; 및
    상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 차례로 배치된 제1 서브 발광층과 제2 서브 발광층을 구비하는 발광층을 포함하고, 상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층 중 어느 하나의 서브 발광층은 인광도펀트, 지연형광도펀트, 및 호스트를 함유하는 유기발광다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인광도펀트는 제1 인광도펀트이고, 상기 호스트는 제1 호스트이고,
    상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층 중 다른 하나의 서브 발광층은 제2 인광도펀트와 제2 호스트를 함유하는 유기발광다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 호스트의 T1 준위는 상기 인광도펀트의 T1 준위 또는 상기 지연형광도펀트의 T1 준위에 비해 높은 유기발광다이오드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지연형광도펀트의 T1 준위는 상기 인광도펀트의 T1 준위에 비해 같거나 낮은 유기발광다이오드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지연형광도펀트는 T1 준위와 S1 준위 사이의 에너지 갭(△EST)이 0 내지 0.5 eV인 유기발광다이오드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지연형광도펀트는 카바졸릴 다이시아노벤젠계 유도체(carbazolyl dicyanobenzene derivatives, CDCB derivatives)인 유기발광다이오드.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 지연형광도펀트는 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-diphenylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Ph), 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-dimethylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Me), 3,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN), 3,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (4CzPN), 2,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,3- dicyanobenzene (4CzIPN), 또는 2, 4,5-bis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (2CzPN)인 유기발광다이오드.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 인광도펀트는 Ir(pq)2(acac), PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), Ir(ppy)3 , Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3, FIrpic, (F2ppy)2Ir(tmd), 또는 Ir(dfppz)3인 유기발광다이오드.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 호스트는 mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene), mCBP (3,3'-di(9H-carbazol-9-yl)-1,1'-biphenyl), CBP (4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), BmPyPb (1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), TSPO1(diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl), 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), 2,5-디아릴 실롤 유도체(PyPySPyPy), 퍼플루오리네이티드 화합물(PF-6P), COTs (Octasubstituted cyclooctatetraene), TAZ, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BCP, Balq, 또는 이들의 복합 호스트인 유기발광다이오드.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 서브 발광층과 상기 제2 서브 발광층은 서로 보색관계에 있는 광을 방출하는 유기발광다이오드.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 인광도펀트는 청색 인광도펀트이고, 상기 지연형광도펀트는 녹색 지연형광도펀트이고, 상기 제2 인광도펀트는 적색 인광도펀트인 유기발광다이오드.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 인광도펀트는 FIrpic이고, 상기 지연형광도펀트는 4CzIPN이고, 상기 제2 인광도펀트는 Ir(pq)2acac인 유기발광다이오드.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 인광도펀트는 적색 인광도펀트이고, 상기 지연형광도펀트는 녹색 지연형광도펀트이고, 상기 제2 인광도펀트는 청색 인광도펀트인 유기발광다이오드.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 인광도펀트는 Ir(pq)2acac이고, 상기 지연형광도펀트는 4CzIPN이고, 상기 제2 인광도펀트는 FIrpic인 유기발광다이오드.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 애노드가 광투과전극이고 상기 캐소드가 광반사전극이고, 상기 제1 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장은 상기 제2 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장에 비해 짧은 유기발광다이오드.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 애노드가 광반사전극이고 상기 캐소드가 광투과전극이고, 상기 제2 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장은 상기 제1 서브 발광층에서 방출되는 광의 파장에 비해 같거나 짧은 유기발광다이오드.
KR1020140005590A 2014-01-16 2014-01-16 인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드 KR101680934B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140005590A KR101680934B1 (ko) 2014-01-16 2014-01-16 인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140005590A KR101680934B1 (ko) 2014-01-16 2014-01-16 인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150085661A true KR20150085661A (ko) 2015-07-24
KR101680934B1 KR101680934B1 (ko) 2016-11-30

Family

ID=53875874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140005590A KR101680934B1 (ko) 2014-01-16 2014-01-16 인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101680934B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190130265A (ko) * 2018-05-14 2019-11-22 성균관대학교산학협력단 유기 발광 장치
KR102100620B1 (ko) * 2019-02-19 2020-05-15 성균관대학교산학협력단 유기 발광 장치
CN112820834A (zh) * 2019-11-15 2021-05-18 乐金显示有限公司 有机发光装置和使用该有机发光装置的显示装置
CN113036044A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 合肥欣奕华智能机器有限公司 一种有机发光器件、显示装置及其制备方法
US11482681B2 (en) 2018-07-27 2022-10-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and electronic device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102505881B1 (ko) 2019-10-04 2023-03-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR102544979B1 (ko) 2019-10-04 2023-06-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR102505882B1 (ko) 2019-10-04 2023-03-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR20210071572A (ko) 2019-12-06 2021-06-16 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
KR20210136224A (ko) 2020-05-06 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE502005002342D1 (de) 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
JP5694019B2 (ja) * 2011-03-17 2015-04-01 株式会社東芝 有機電界発光素子、表示装置および照明装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190130265A (ko) * 2018-05-14 2019-11-22 성균관대학교산학협력단 유기 발광 장치
US11482681B2 (en) 2018-07-27 2022-10-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and electronic device
KR102100620B1 (ko) * 2019-02-19 2020-05-15 성균관대학교산학협력단 유기 발광 장치
CN112820834A (zh) * 2019-11-15 2021-05-18 乐金显示有限公司 有机发光装置和使用该有机发光装置的显示装置
CN113036044A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 合肥欣奕华智能机器有限公司 一种有机发光器件、显示装置及其制备方法
CN113036044B (zh) * 2019-12-25 2022-09-09 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 一种有机发光器件、显示装置及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101680934B1 (ko) 2016-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101680934B1 (ko) 인광 및 지연형광 도펀트들을 함유하는 고효율 유기발광다이오드
JP6813569B2 (ja) 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）の正孔注入層（ｈｉｌ）として使用される金属アミド
JP6807379B2 (ja) 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）の正孔注入層（ｈｉｌ）として使用される金属アミドがドープされたトリアリールアミン厚層
US10879481B2 (en) Organic light emitting display device
KR100730190B1 (ko) 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법
EP2937915B1 (en) White organic light emitting device
JP5182901B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20050024763A (ko) 도핑된 발광층을 갖는 유기전계발광소자
JPWO2008120714A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR102353804B1 (ko) 유기 발광 소자
KR100741098B1 (ko) 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법
KR100933747B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20100073417A (ko) 유기전계발광소자
KR20150059324A (ko) 지연형광을 이용하는 고효율 유기발광다이오드
KR101764464B1 (ko) 바이폴라 유기재료 및 이를 함유하는 유기발광다이오드
KR102063221B1 (ko) 유기 발광 장치
KR101674250B1 (ko) 고효율 백색 유기발광다이오드
KR100721947B1 (ko) 다수의 발광층을 구비하는 유기 전계 발광 소자
KR102271666B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20180079108A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20160043891A (ko) 유기전계발광소자
KR20180079109A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP6078701B1 (ja) 白色発光有機ｅｌパネル及びその製造方法
CN117693211A (zh) 有机电致发光二极管及其制作方法
JP5870304B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190925

Year of fee payment: 4