KR20050024763A - 도핑된 발광층을 갖는 유기전계발광소자 - Google Patents

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Abstract

도핑된 발광층을 갖는 유기전계발광소자를 제공한다. 상기 유기전계발광소자는 제 1 전극, 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되어 발광도판트 및 호스트 물질을 갖는 발광층을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 발광도판트는 상기 발광층의 상기 제 1 전극와 가까운 제 1 면과 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 사이에서 불연속적인 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 한다. 이로써, 상기 유기전계발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 구동전압을 감소시킬 수 있다.

Description

도핑된 발광층을 갖는 유기전계발광소자 {OLED with dopped emission layer}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히 도핑된 발광층을 갖는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기전계발광소자는 자발광형 표시소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 갖고 있어 차세대 표시장치(display)로서 각광받고 있다.
상기 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판 상에 위치한 애노드(anode), 상기 애노드 상에 위치한 발광층(emission layer; EML), 상기 발광층 상에 위치한 캐소드(cathode)로 이루어진다. 이러한 유기전계발광소자의 구동원리는 다음과 같다. 상기 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 발광층내로 주입되고 전자는 캐소드로부터 발광층내로 주입된다. 상기 발광층내로 주입된 정공과 전자는 상기 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
상기 발광층을 이루는 유기재료의 전계발광특성에 따라 발광특성이 결정되기도 하는데, 미국 특허 제 4,769,292호는 호스트 물질과 발광도판트로 이루지고, 1um이하의 두께의 발광영역을 갖는 유기전계발광소자에 대해 기술하고 있다. 이 때, 상기 발광도판트는 상기 호스트 물질로부터 에너지를 전이받아 엑시톤을 생성하는 물질로서, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출함으로써 유기전계발광소자의 발광색을 조절하고 발광효율을 증대시키는 역할을 한다.
이와 같이, 상기 발광층을 호스트물질과 발광도판트로 구성하는 경우, 상기 도판트의 농도는 상기 유기전계발광소자의 구동전압과 발광효율에 영향을 주는데, 상기 도판트의 농도를 높이는 경우 상기 구동전압을 낮출 수 있으나 이 경우, 농도 소광(concentration quenching) 현상이 일어나 발광효율이 감소될 수 있다. 따라서 상기 구동전압을 낮출 수 있을 뿐 아니라, 상기 발광효율을 높일 수 있는 도판트 의 농도조절이 필요하다.
한편, 상기 엑시톤은 상기 발광층 내에서 생성되어 일정기간 상기 여기상태를 유지하다 상기 기저상태로 전이하게 되는데, 이에 소요되는 시간을 엑시톤의 수명이라 한다. 상기 시간동안 상기 엑시톤은 상기 발광층/애노드 계면 또는 상기 발광층/캐소드 계면으로 확산할 수 있는데, 상기 유기전계발광소자의 발광효율 증대를 위해서는 상기 엑시톤을 상기 발광층 내로 속박(confine)할 필요가 있다. 이는 상기 엑시톤의 수명 및 확산거리가 긴 인광도판트의 경우 더욱 그러하다.
이를 위해 미국특허 제 6097147호에서는 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 블로킹층을 삽입함으로써 상기 엑시톤을 상기 발광층 내로 속박하여 발광효율을 증대시킬 수 있음을 기술하고 있다. 그러나, 풀칼라 유기전계발광소자를 제조함에 있어, 상기 블로킹층은 공통층으로 형성되므로 서로 다른 특성의 발광도판트를 갖는 적색, 녹색 및 청색의 유기전계발광소자들 각각의 발광효율을 조절하기 힘든 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광층내로 엑시톤을 효과적으로 속박하여 발광효율이 증대되고 구동전압이 감소된 유기전계발광소자를 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 유기전계발광소자를 제공한다. 상기 유기전계발광소자는 제 1 전극, 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되어 발광도판트 및 호스트 물질을 갖는 발광층을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 발광도판트는 상기 발광층의 상기 제 1 전극와 가까운 제 1 면과 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 사이에서 불연속적인 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 감소할 수 있다. 이 때, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서 50 중량% 이하이고 상기 제 2 면에서 0 중량% 이상인 것이 바람직하다.
이와는 달리, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 증가할 수 있다. 이 때, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서 0 중량% 이상이고 상기 제 2 면에서 50 중량% 이하인 것이 바람직하다.
상기 발광도판트의 농도는 상기 발광층의 두께 10Å 내지 300Å 마다 불연속적으로 변하는 것이 바람직하다.
상기 발광도판트는 인광도판트인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 인광도판트는 PtOEP, PQIr(acac), Btp2Ir(acac), Ir(ppy)3, FIrpic로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것이 바람직하다. 한편, 상기 호스트 물질은 CBP 또는 mCP인 것이 바람직하다.
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 중 어느 한 전극이 애노드이고 나머지 한 전극이 캐소드인 경우, 상기 유기전계발광소자는 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 개재된 정공수송층, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 개재된 전자수송층을 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 발광층과 상기 전자수송층 사이에 정공억제층을 더욱 포함한다.
상기 발광층은 상기 호스트물질과 상기 발광도판트를 공증착함으로써 형성할 수 있다. 이와는 달리, 상기 발광층은 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; LITI)에 의해 형성할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 다른 유기전계발광소자를 제공한다. 상기 유기전계발광소자는 제 1 전극, 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되어 발광도판트 및 호스트 물질을 갖는 발광층을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 발광도판트는 상기 발광층의 상기 제 1 전극와 가까운 제 1 면과 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 사이에서 연속적인 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 감소할 수 있다. 이 때, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서 50 중량% 이하이고 상기 제 2 면에서 0 중량% 이상인 것이 바람직하다.
이와는 달리, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 증가할 수 있다. 이 때, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면에서 0 중량% 이상이고 상기 제 2 면에서 50 중량% 이하인 것이 바람직하다.
상기 발광도판트는 인광도판트인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 인광도판트는 PtOEP, PQIr(acac), Btp2Ir(acac), Ir(ppy)3, FIrpic로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것이 바람직하다. 한편, 상기 호스트 물질은 CBP 또는 mCP인 것이 바람직하다.
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 중 어느 한 전극이 애노드이고 나머지 한 전극이 캐소드인 경우, 상기 유기전계발광소자는 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 개재된 정공수송층, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 개재된 전자수송층을 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 발광층과 상기 전자수송층 사이에 정공억제층을 더욱 포함한다.
상기 발광층은 상기 호스트물질과 상기 발광도판트를 공증착함으로써 형성할 수 있다. 이와는 달리, 상기 발광층은 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; LITI)에 의해 형성할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 2 은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 기판(100) 상에 애노드(110)를 형성한다. 상기 애노드(110)는 투명전극 또는 반사전극으로 형성할 수 있는데, 상기 애노드(110)가 투명전극인 경우 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하여 형성하고, 상기 애노드(110)가 반사전극인 경우 Ag, Al, Ni, Pt, Pd 또는 이들의 합금을 사용하여 형성한다.
상기 애노드(110) 상에 정공수송층(130)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 정공수송층(130)을 형성하기 전에 상기 애노드(110) 상에 정공주입층(120)을 더욱 형성할 수 있다. 상기 정공주입층(120)은 후속하는 공정에서 형성되는 발광층으로의 정공의 주입을 용이하게 하는 층으로서, CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB와 같은 저분자재료과 PANI, PEDOT:PSS와 같은 고분자재료를 사용하여 형성할 수 있다. 상기 정공수송층(130)은 NPB, TPD, s-TAD, MTADATA등의 저분자재료와 PVK, BFE, BFB, TFB와 같은 고분자재료를 사용하여 형성할 수 있다.
상기 정공수송층(130) 상에 호스트 물질과 발광도판트를 갖는 발광층(140)을 형성하되, 상기 발광층(140)내에서 상기 발광도판트가 농도 구배를 갖도록 형성한다. 상기 발광도판트의 농도 구배는 연속적 또는 불연속적일 수 있다. 상기 발광도판트의 농도 구배가 불연속적인 경우, 상기 발광도판트의 농도는 상기 발광층(140)의 두께 10Å 내지 300Å 마다 불연속적으로 변하도록 한다.
상기 발광도판트의 농도 구배를 갖는 발광층(140)을 형성하는 것은 상기 호스트 물질과 상기 발광도판트를 진공시스템에서 공증착함으로써 형성하되, 상기 호스트 물질과 상기 발광도판트의 증착정도를 상기 진공시스템의 두께 모니터(thickness monitor)를 사용하여 제어함으로써 수행하는 것이 바람직하다. 풀칼라 유기전계발광소자를 구현하기 위해서는 섀도우 마스크를 사용하여 적색, 녹색 및 청색의 발광층을 각각 진공증착하되, 상기 적색, 녹색 또는 청색의 발광층은 후술하는 바와 같이 상기 발광도판트의 특성에 따라 서로 다른 농도 구배 형태를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
이와는 달리, 상기 발광층(140)을 형성하는 것은 레이저 열전사법(laser induced thermal imaging)을 사용하여 형성할 수도 있다. 이를 위해서는 도너필름이 필요한데, 상기 도너필름은 기재필름을 제공하고, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층을 형성하고, 상기 광-열 변환층 상에 전사층을 형성함으로써 준비한다. 상기 광-열 변환층 상에 전사층을 형성하는 것은 상기 호스트 물질과 상기 발광도판트를 진공시스템에서 공증착함으로써 형성하되, 상기 전사층 내에서 상기 발광도판트가 농도 구배를 갖도록 형성한다. 이어서, 상기 준비된 도너필름을 상기 정공수송층(130)이 형성된 기판(100)상에 상기 전사층이 상기 기판(100)을 향하도록 배치하고, 상기 도너필름의 소정영역에 레이저를 조사함으로써 상기 전사층을 상기 기판(100)으로 전사시켜 상기 정공수송층(130) 상에 발광층(140)을 형성한다. 풀칼라 유기전계발광소자를 구현하기 위해서는 적색, 녹색 및 청색의 발광층을 각각 레이저 열전사법을 사용하여 형성하되, 상기 적색, 녹색 또는 청색의 발광층은 후술하는 바와 같이 상기 발광도판트의 특성에 따라 서로 다른 농도 구배 형태를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
상기 발광도판트는 형광도판트 또는 인광도판트일 수 있는데, 상기 형광도판트는 예를 들어 DCJTB, DCM일 수 있고, 상기 인광도판트는 Ir, Pt, Tb, 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 중심금속을 갖는 인광 유기금속착체로서 예를 들어, PtOEP, PQIr(acac), Btp2Ir(acac), Ir(ppy)3, FIrpic일 수 있다. 상기 형광도판트에 대한 호스트 물질은 Alq3인 것이 바람직하며, 상기 인광도판트에 대한 호스트 물질은 CBP 또는 mCP인 것이 바람직하다.
상기 발광도판트는 유기전계발광소자가 구동함에 있어 상기 호스트 물질로부터 에너지를 전이 받아 엑시톤(exciton)을 형성하고, 상기 엑시톤은 바닥상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다. 상기 형광도판트의 경우는 단일항(singlet)상태의 엑시톤에서 역시 단일항 상태인 바닥상태로의 발광전이(radiative transition)가 일어나므로 상기 엑시톤의 수명이 짧다. 그러나 상기 인광도판트의 경우는 삼중항(triplet)상태의 엑시톤에서 상기 바닥상태로의 발광전이가 일어나는데, 이는 원칙적으로는 금지되고 스핀-궤도 결합(spin-orbit coupling)이 가능한 경우에만 빛을 방출하면서 바닥상태로 전이하게 된다. 이러한 인광도판트에 의한 엑시톤은 그 수명이 길고 확산거리가 긴 것이 특징이다.
한편, 상기 발광도판트의 특성에 따라 상기 농도 구배의 형태를 달리하여 형성할 수 있다. 상기 도 1 에서와 같이, 상기 발광도판트의 농도를 상기 발광층의 상기 애노드(110)에 가까운 면, 즉 제 1 면(140a)에서 상기 제 1 면(140a)와 반대되는 면 즉, 제 2 면(140b)으로 감소하도록 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면(140a)에서 50 중량% 이하이고, 상기 제 2 면(140b)에서 0 중량% 이상이 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 반대로 상기 도 2 에서와 같이, 상기 발광도판트의 농도를 상기 제 1 면(140a)에서 상기 제 2 면(140b)로 증가하도록 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 발광도판트의 농도는 상기 제 1 면(140a)에서 0중량% 이상이고, 상기 제 2 면(140b)에서 50 중량% 이하가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
상기 발광도판트의 농도 구배를 결정하는 요인은 상기 발광도판트의 정공이동도 또는 전자이동도에 대한 특성이라고 예측되나 이와 같은 이론에 구속되는 것은 아니다. 상기 정공이동도가 상기 전자이동도에 비해 큰 발광도판트의 경우, 그에 의해 생성된 엑시톤은 상기 유기전계발광소자의 구동과정에 있어 상기 제 2 면(140b)으로 확산되기 쉬우므로, 상기 제 2 면(140b)에서의 농도를 낮게하고 상기 제 1 면(140a)에서의 농도를 높게 함으로써 상기 엑시톤을 상기 발광층(140) 내에 속박하는 것을 용이하게 할 수 있다. 그러나, 상기 전자이동도가 상기 정공이동도에 비해 큰 발광도판트의 경우, 그에 의해 생성된 엑시톤은 상기 유기전계발광소자의 구동과정에 있어 상기 제 1 면(140a)으로 확산되기 쉬우므로, 상기 제 1 면(140a)에서의 농도를 낮게하고 상기 제 2 면(140b)에서의 농도를 높게 함으로써 상기 엑시톤을 상기 발광층(140) 내에 속박하는 것을 용이할 수 있다.
결과적으로 상기 발광층(140)을 형성함에 있어서, 상기 발광도판트가 상기 발광층(140) 내에서 농도 구배를 갖도록 형성하는 것은 상기 엑시톤을 상기 발광층 내에 속박하는 것을 용이하게 하고 이로인해 상기 유기전계발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다. 특히, 상기 인광도판트에 의한 엑시톤의 경우 수명과 확산거리가 길어 상기 엑시톤을 상기 발광층(140) 내에 속박하는 것이 쉽지 않으므로, 상술한 바와 같이 상기 인광도판트를 상기 발광층(140) 내에서 농도 구배를 갖도록 형성함으로써 상기 유기전계발광소자의 발광효율 향상을 더욱 기대할 수 있다.
이어서, 상기 발광층(140) 상에 전자수송층(160)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 발광도판트가 인광도판트인 경우는 상기 전자수송층(160)을 형성하기 전에 상기 발광층(140)상에 정공억제층(150)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 전자수송층(160) 상에 전자주입층(170)을 더욱 형성할 수 있다. 상기 전자주입층(170)은 상기 발광층(140)으로의 전자주입을 용이하게 하는 층으로 예를 들어, Alq3, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD를 사용하여 형성할 수 있다. 상기 전자수송층(160)은 예를 들어, PBD, TAZ, spiro-PBD와 같은 고분자와 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자재료를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 정공억제층(150)은 예를 들어 Balq, BCP, CF-X, TAZ 또는 spiro-TAZ를 사용하여 형성할 수 있다.
상기 정공억제층(150) 또는 상기 전자수송층(160)과 상기 발광층(140) 사이의 계면 에너지 장벽은 상기 발광층(140)에서 상기 정공억제층(150) 또는 상기 전자수송층(160)으로 정공이 유입되는 것을 억제하고, 상기 정공수송층(130)과 상기 발광층(140) 사이의 계면 에너지 장벽은 상기 발광층(140)으로부터 상기 정공수송층(130)으로 전자가 유입되는 것을 억제한다. 따라서, 상기 정공억제층(150), 상기 전자수송층(160) 또는 상기 정공수송층(130)을 형성하는 것은 상기 엑시톤을 상기 발광층(140)에 속박시키는 것을 더욱 용이하게 할 수 있다.
이어서, 상기 전자주입층(170) 상에 캐소드(180)를 형성한다. 상기 캐소드(180)는 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 또는 이들의 합금을 사용하여 형성하되, 투명전극인 경우는 광을 투과할 수 있을 정도로 얇게 형성하고, 반사전극인 경우는 두껍게 형성한다.
상기 제 1 또는 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자는 애노드가 하부에 위치하고 캐소드가 상부에 위치하는 구조이나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 상기 캐소드가 하부에 위치하고 상기 애노드가 상부에 위치하는 구조의 유기전계발광소자로도 구체화 될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실험예 1; Ir(ppy)3 10%-7%-4% graded EML>
80㎛의 폭으로 패터닝된 ITO 기판을 초음파 세정 및 UV-O3 처리를 한 뒤, 저분자재료인 이데미츠 406(이데미츠사; HOMO 5.1eV)을 600Å의 두께로 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 이어서, 저분자재료인 이데미츠 320(이데미츠사; HOMO 5.4eV)을 300Å의 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상에 녹색 인광도판트인 Ir(ppy)3의 농도가 10중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 80Å의 두께로 공증착하고, 상기 Ir(ppy)3의 농도가 7중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 80Å의 두께로 공증착한 후, 상기 Ir(ppy)3의 농도가 4중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 80Å의 두께로 공증착함으로써, 총 240Å의 두께로 발광층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 증착함으로써 정공억제층을 형성하였고, 상기 정공억제층 상에 Alq3를 200Å의 두께로 증착함으로써 전자수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자수송층 상에 LiF를 20Å의 두께로 증착하고, Al을 3000Å의 두께로 증착함으로써 전자주입층과 캐소드를 형성하였다. 이로써, 유기전계발광소자를 완성하였다.
<비교예 1; Ir(ppy)3 4%-7%-10% graded EML>
상기 정공수송층 상에 녹색 인광도판트인 Ir(ppy)3의 농도가 4중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 80Å의 두께로 공증착하고, 상기 Ir(ppy)3의 농도가 7중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 80Å의 두께로 공증착한 후, 상기 Ir(ppy)3의 농도가 10중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 80Å의 두께로 공증착함으로써, 총 240Å의 두께로 발광층을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 완성하였다.
<비교예 2; Ir(ppy)3 4% EML>
상기 정공수송층 상에 녹색 인광도판트인 Ir(ppy)3의 농도가 4중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 240Å의 두께로 공증착함으로써 발광층을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 완성하였다.
<비교예 3; Ir(ppy)3 7% EML>
상기 정공수송층 상에 녹색 인광도판트인 Ir(ppy)3의 농도가 7중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 240Å의 두께로 공증착함으로써 발광층을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 완성하였다.
<비교예 4; Ir(ppy)3 10% EML>
상기 정공수송층 상에 녹색 인광도판트인 Ir(ppy)3의 농도가 10중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 Ir(ppy)3를 240Å의 두께로 공증착함으로써 발광층을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 완성하였다.
도 3은 상기 실험예 1, 상기 비교예 1 내지 4에 의해 제작된 유기전계발광소자들 각각의 전압-휘도특성에 대한 그래프이다. 한편, 도 4는 상기 실험예 1, 상기 비교예 1 내지 4에 의해 제작된 유기전계발광소자들 각각의 휘도-발광효율특성에 대한 그래프이다. 도 3 및 도 4에 있어서 참조부호 10, 20, 30, 40, 50은 각각 상기 실험예 1, 상기 비교예 1 내지 4에 따른 유기전계발광소자들을 나타낸다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 상기 인광도판트인 Ir(ppy)3의 농도가 상기 발광층 내에서 일정한 경우(30, 40, 50), 상기 농도가 4%(30), 7%(40), 10%(50)로 높아질수록 같은 전압에서의 휘도는 높아졌고, 휘도 500cd/㎡에서 전압인 구동전압은 낮아졌다.(도 3) 그러나 상기 농도가 10%(50)에 이르면 농도소광이 발생하여 발광효율이 급격하게 감소했다.(도 4) 이는 상기 구동전압을 낮추기 위해 상기 인광도판트의 농도를 상기 발광층 내에서 일정하게 증가시키는 것은 발광효율측면에서 부적절함으로 보여준다.
반면, 상기 인광도판트인 Ir(ppy)3의 농도가 상기 발광층 내에서 구배를 갖는 경우(10, 20), 그 중에서도 상기 실험예 1에 따른 경우(10)는 상기 구동전압이 감소되었을 뿐 아니라 상기 발광효율이 뚜렷하게 향상되었음을 보여준다. 이는 상기 인광도판트 Ir(ppy)3의 경우 상기 발광층 내에서 농도 구배를 갖도록 형성하되 상기 발광층의 애노드에 가까운 면에서 그와 반대되는 면으로 농도를 감소하도록 형성하여(10%-7%-4%) 상기 Ir(ppy)3에 의한 엑시톤을 상기 발광층 내로 속박킴으로써, 상기 유기전계발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 구동전압을 감소시킬 수 있음을 나타낸다.
<실험예 2; RD61 4%-8%-12% graded EML>
80㎛의 폭으로 패터닝된 ITO 기판을 초음파 세정 및 UV-O3 처리를 한 뒤, 저분자재료인 이데미츠 406(이데미츠사; HOMO 5.1eV)을 600Å의 두께로 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 이어서, 저분자재료인 이데미츠 320(이데미츠사; HOMO 5.4eV)을 300Å의 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상에 적색 인광도판트인 RD61(UDC 사)의 농도가 4중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 RD61을 100Å의 두께로 공증착하고, 상기 RD61의 농도가 8중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 RD61을 100Å의 두께로 공증착한 후, 상기 RD61의 농도가 12중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 RD61을 100Å의 두께로 공증착함으로써, 총 300Å의 두께로 발광층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 증착함으로써 정공억제층을 형성하였고, 상기 정공억제층 상에 Alq3를 200Å의 두께로 증착함으로써 전자수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자수송층 상에 LiF를 20Å의 두께로 증착하고, Al을 3000Å의 두께로 증착함으로써 전자주입층과 캐소드를 형성하였다. 이로써, 유기전계발광소자를 완성하였다.
<비교예 5; RD61 12%-8%-4% graded EML>
상기 정공수송층 상에 적색 인광도판트인 RD61(UDC 사)의 농도가 12중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 RD61을 100Å의 두께로 공증착하고, 상기 RD61의 농도가 8중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 RD61을 100Å의 두께로 공증착한 후, 상기 RD61의 농도가 4중량%가 되도록 상기 CBP와 상기 RD61을 100Å의 두께로 공증착함으로써, 총 300Å의 두께로 발광층을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 2와 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 완성하였다.
<비교예 6; RD61 12% EML>
상기 정공수송층 상에 적색 인광도판트인 RD61(UDC 사)의 농도가 12중량%가 되도록 호스트 물질인 CBP와 상기 RD61을 300Å의 두께로 공증착함으로써 발광층을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 2와 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 완성하였다.
상기 실험예 2, 상기 비교예 5 및 6에 따라 완성된 유기전계발광소자의 발광효율특성을 하기 표 1에 나타내었다.
기준전압(V) 발광효율(cd/A)
실험예 2 5.5 15.5
비교예 5 5.5 13.2
비교예 6 5.5 13.4
표 1을 참고하면, 상기 적색 인광도판트 RD61을 상기 발광층 내에서 농도 구배를 갖도록 형성하되 상기 발광층의 애노드에 가까운 면에서 그와 반대되는 면으로 농도를 증가시키도록 형성(실험예 2)함으로써, 발광효율이 상기 비교예5 또는 상기 비교예 6에 비해 향상되었음을 알 수 있다.
또한, 풀칼라 유기전계발광소자를 구현함에 있어 적색, 녹색, 청색 각각의 발광도판트의 특성에 맞게 농도의 구배를 갖는 발광층들을 형성함으로써, 상기 발광층들의 상·하부에 정공수송층, 정공억제층 또는 전자수송층을 공통으로 형성하면서도 상기 각각의 색을 나타내는 유기전계발광소자의 발광효율을 쉽게 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 발광도판트의 농도 구배를 갖는 발광층을 형성하여 유기전계발광소자의 구동과정에 있어 엑시톤을 상기 발광층 내로 속박시킴으로써 상기 유기전계발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라, 구동전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 풀칼라 유기전계발광소자를 구현함에 있어 상기 적색, 녹색, 청색의 유기전계발광소자의 발광효율을 조절하는 것이 간편해진다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 실험예 1, 비교예 1 내지 4에 의해 제작된 유기전계발광소자들 각각의 전압-휘도특성에 대한 그래프이다.
도 4는 실험예 1, 비교예 1 내지 4에 의해 제작된 유기전계발광소자들 각각의 휘도-발광효율특성에 대한 그래프이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
100 : 기판 110 : 애노드
120 : 정공주입층 130 : 정공수송층
140 : 발광층 150 : 정공억제층
160 : 전자수송층 170 : 전자주입층
180 : 캐소드

Claims (25)

  1. 제 1 전극, 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되어 발광도판트 및 호스트 물질을 갖는 발광층을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서,
    상기 발광도판트는 상기 발광층의 상기 제 1 전극와 가까운 제 1 면과 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 사이에서 불연속적인 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 감소하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서 50 중량% 이하이고 상기 제 2 면에서 0 중량% 이상인 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 증가하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서 0 중량% 이상이고 상기 제 2 면에서 50 중량% 이하인 유기전계발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는 상기 발광층의 두께 10Å 내지 300Å 마다 불연속적으로 변하는 유기전계발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광도판트는 인광도판트인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 인광도판트는 PtOEP, PQIr(acac), Btp2Ir(acac), Ir(ppy)3, FIrpic로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 호스트 물질은 CBP 또는 mCP인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 중 어느 한 전극이 애노드이고 나머지 한 전극이 캐소드인 경우,
    상기 애노드와 상기 발광층 사이에 개재된 정공수송층,
    상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 개재된 전자수송층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 발광층과 상기 전자수송층 사이에 정공억제층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 호스트물질과 상기 발광도판트를 공증착함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광층은 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; LITI)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  14. 제 1 전극, 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되어 발광도판트 및 호스트 물질을 갖는 발광층을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서,
    상기 발광도판트는 상기 발광층의 상기 제 1 전극와 가까운 제 1 면과 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 사이에서 연속적인 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 감소하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서 50 중량% 이하이고 상기 제 2 면에서 0 중량% 이상인 유기전계발광소자.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서부터 상기 제 2 면으로 증가하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 발광도판트의 농도는
    상기 제 1 면에서 0 중량% 이상이고 상기 제 2 면에서 50 중량% 이하인 유기전계발광소자.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 발광도판트는 인광도판트인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 인광도판트는 PtOEP, PQIr(acac), Btp2Ir(acac), Ir(ppy)3, FIrpic로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 호스트 물질은 CBP 또는 mCP인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  22. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 중 어느 한 전극이 애노드이고 나머지 한 전극이 캐소드인 경우,
    상기 애노드와 상기 발광층 사이에 개재된 정공수송층,
    상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 개재된 전자수송층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 발광층과 상기 전자수송층 사이에 정공억제층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  24. 제 14 항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 호스트물질과 상기 발광도판트를 공증착함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  25. 제 14 항에 있어서,
    상기 발광층은 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; LITI)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100690886B1 (ko) * 2005-06-22 2007-03-09 한양대학교 산학협력단 인광성 유기 발광 소자 및 제조방법
KR100731755B1 (ko) * 2006-05-03 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자용 도너 기판 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
KR100834160B1 (ko) * 2006-02-06 2008-06-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
US8564195B2 (en) 2007-02-09 2013-10-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20150070964A (ko) * 2013-12-17 2015-06-25 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 인광성 도펀트 프로파일 관리를 통해 연장된 ｏｌｅｄ 동작 수명
US9893291B2 (en) 2015-11-03 2018-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI272036B (en) * 2005-02-23 2007-01-21 Au Optronics Corp Organic electroluminescent devices and display apparatus
GB2438771B (en) * 2005-03-02 2011-01-26 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescence element, image display unit and lighting device
US8017251B2 (en) * 2005-03-28 2011-09-13 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
JP4915544B2 (ja) * 2005-05-11 2012-04-11 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1894262B1 (fr) * 2005-06-10 2013-01-23 Thomson Licensing Diode organique electroluminescente ne comprenant au plus que deux couches de materiaux organiques differents
KR20070000262A (ko) * 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 Mg-Ag 단일 박막층을 사용한 음극 전극 형성 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자
KR20080025393A (ko) * 2005-07-06 2008-03-20 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
JP4959961B2 (ja) * 2005-07-29 2012-06-27 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 有機ｅｌ素子の製造方法
US7772761B2 (en) * 2005-09-28 2010-08-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic electrophosphorescence device having interfacial layers
US20070075636A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent element
TWI331484B (en) * 2006-03-15 2010-10-01 Au Optronics Corp Organic emmitting material for oled
KR20080028212A (ko) * 2006-09-26 2008-03-31 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 및 그 제조방법
EP2097938B1 (en) * 2006-12-28 2019-07-17 Universal Display Corporation Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (oled) structures
US20080238300A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Sang Tae Park Organic electroluminescence device and method for fabricating the same
US20080254217A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-16 Boroson Michael L Fine control of vaporized organic material
WO2008132965A1 (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置
JP5497259B2 (ja) 2007-07-27 2014-05-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US8040053B2 (en) * 2008-02-09 2011-10-18 Universal Display Corporation Organic light emitting device architecture for reducing the number of organic materials
CN102203977B (zh) * 2008-09-04 2014-06-04 通用显示公司 白色磷光有机发光器件
EP2200407B1 (en) * 2008-12-17 2017-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
CN104022232B (zh) * 2010-01-20 2017-01-18 株式会社日立制作所 有机发光层材料及其涂布液、有机发光元件以及光源装置
US9608225B2 (en) * 2010-01-21 2017-03-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
KR101843760B1 (ko) 2010-12-01 2018-05-14 닛토 덴코 가부시키가이샤 도펀트 농도 구배를 갖는 방사성 세라믹 재료들 및 그것을 제조하고 사용하는 방법들
KR20140059073A (ko) * 2012-11-07 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9978812B2 (en) * 2014-01-14 2018-05-22 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display panel
US9397309B2 (en) 2014-03-13 2016-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US9929365B2 (en) * 2014-05-28 2018-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Excited state management
CN104716265B (zh) 2015-03-30 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 蓝光有机电致发光器件及制备方法、显示面板和显示装置
US10290816B2 (en) 2015-11-16 2019-05-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent materials and devices
KR102490381B1 (ko) * 2015-12-24 2023-01-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 유기발광 적층구조물
CN110010774B (zh) * 2018-01-05 2023-06-27 固安鼎材科技有限公司 有机电致发光器件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6541909B1 (en) * 1999-03-02 2003-04-01 Nec Corporation Organic electroluminescent device with doped transport layer(s) and production method
KR100377573B1 (ko) 2000-10-17 2003-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 적색 발광 화합물 및 이를 사용한유기 전계 발광 소자
DE60239198D1 (de) * 2001-05-16 2011-03-31 Univ Princeton Hocheffiziente mehrfarbige elektrophosphoreszente oleds
US6699597B2 (en) * 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
JP3848306B2 (ja) * 2003-06-27 2006-11-22 キヤノン株式会社 アントリル誘導基置換化合物およびそれを使用した有機発光素子
US7151339B2 (en) * 2004-01-30 2006-12-19 Universal Display Corporation OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100690886B1 (ko) * 2005-06-22 2007-03-09 한양대학교 산학협력단 인광성 유기 발광 소자 및 제조방법
KR100834160B1 (ko) * 2006-02-06 2008-06-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR100731755B1 (ko) * 2006-05-03 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자용 도너 기판 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
US7767489B2 (en) 2006-05-03 2010-08-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Donor substrate for a flat panel display and method of fabricating an organic light emitting diode (OLED) display using the same
US8564195B2 (en) 2007-02-09 2013-10-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20150070964A (ko) * 2013-12-17 2015-06-25 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 인광성 도펀트 프로파일 관리를 통해 연장된 ｏｌｅｄ 동작 수명
US9893291B2 (en) 2015-11-03 2018-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device

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