CN117693211A - 有机电致发光二极管及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 239
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YERGTYJYQCLVDM-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-(4-methylphenyl)pyridine Chemical compound [Ir+3].C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1 YERGTYJYQCLVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 claims description 5
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 claims description 5
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 14
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 149
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 4
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- -1 (4-phenyl) (4-butylphenyl) amine Chemical class 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- GSZSSHONEMLEPL-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrakis(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(C(F)(F)F)=C(C(F)(F)F)C=C1C(F)(F)F GSZSSHONEMLEPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJNZQKYSNAQLEO-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylphenyl)pyridine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1 KJNZQKYSNAQLEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRAMIWXXKJVLIG-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[10-(3-pyridin-3-ylphenyl)anthracen-9-yl]phenyl]pyridine Chemical compound N1=CC(=CC=C1)C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC=1 VRAMIWXXKJVLIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUXDISWFIRZXPN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=C(C)C=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 UUXDISWFIRZXPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNVSTRMCTBUNBP-UHFFFAOYSA-N N1=CC(=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N1C(N=CC(=C1)C1=C(C=CC=C1)C=1C=NC=CC=1)C Chemical compound N1=CC(=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N1C(N=CC(=C1)C1=C(C=CC=C1)C=1C=NC=CC=1)C DNVSTRMCTBUNBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPCZJLGGXRGYIE-UHFFFAOYSA-N [C]1=CC=CN=C1 Chemical group [C]1=CC=CN=C1 KPCZJLGGXRGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SHLTUEMNYNAKHE-UHFFFAOYSA-N n-(4-phenylphenyl)dibenzothiophen-4-amine Chemical compound C=1C=CC(C2=CC=CC=C2S2)=C2C=1NC(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 SHLTUEMNYNAKHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
本发明涉及一种有机电致发光二极管及其制作方法。有机电致发光二极管的发光层含有P型主体材料、N型主体材料以及客体材料。N型主体材料有多种，多种N型主体材料能够分别与P型主体材料形成多种激基复合物。LUMO能级相对高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物1的LUMO能级，高于LUMO能级相对低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物2的LUMO能级，通过此种设置，激基复合物1的能量传递给客体材料的同时，也会有部分能量传递给激基复合物2，激基复合物2的能量也会传递给客体材料，如此能够减少能量的损失，并且能够形成更均衡的能量传递，有利于提高器件寿命。
Description
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种有机电致发光二极管及其制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)因其具有色域宽、色彩饱和度和对比度高以及主动发光等优势，广泛应用于显示领域和照明领域。
当前典型的OLED器件为三明治夹层结构，具体为在阳极层和阴极层之间设置传输层和发光层的叠层结构。当在OLED的两电极施加一定的电压时，空穴由阳极和注入层经传输层漂移至发光层，电子由阴极和注入层经传输层漂移至发光层，空穴和电子在发光层复合生成激子，激子能量跃迁产生光子从而发出一定波长的光。
目前，绿色OLED采用的主体材料为激基复合物，这样的优势是从电荷传输层到发光层之间没有能量势垒，激基复合物到掺杂剂之间能量传递高效，激基复合物的形成有效降低掺杂剂中的极化子密度以及较低的陷阱，从而降低三重态猝灭的可能性，器件具有小效率滚降。然而，较差的三重态能量限制会导致主体材料的降解，使器件寿命降低。
发明内容
基于此，有必要提供一种有机电致发光二极管及其制作方法，以提高器件寿命。
本发明的其中一个目的是提供一种有机电致发光二极管，方案如下：
一种有机电致发光二极管，包括：
依次层叠设置的基板、第一电极层、发光层和第二电极层；
其中，所述发光层含有P型主体材料、N型主体材料以及客体材料，所述N型主体材料有多种，多种所述N型主体材料能够分别独立地与所述P型主体材料形成激基复合物；
LUMO能级相对高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级，高于LUMO能级相对低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级。
在其中一个实施例中，所述P型主体材料的HOMO能级低于所述N型主体材料的HOMO能级，所述P型主体材料的LUMO能级低于所述N型主体材料的LUMO能级，多种所述N型主体材料的HOMO能级以及LUMO能级分别依次递增。
在其中一个实施例中，多种所述N型主体材料的HOMO能级依次递增的数值为0.2eV～0.5eV，多种所述N型主体材料的LUMO能级依次递增的数值为0.2eV～0.5eV。
在其中一个实施例中，所述P型主体材料选自mCP、TCTA、TAPC、NPB、TmPyPB及MADN中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述N型主体材料选自Alq3、B3PYMPM、Bphen、Balq、BCP及TPBi中的至少两种。
在其中一个实施例中，所述客体材料选自Ir(ppy)3、Ir(mppy)3、Ir(ppy)2acac及Firpic中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述P型主体材料和所述N型主体材料的质量比为1:(0.1～9)，和所述客体材料在所述发光层中的质量分数为4％～12％。
在其中一个实施例中，所述发光层包含相互混合的所述P型主体材料、所述N型主体材料以及所述客体材料。
在其中一个实施例中，所述第一电极层与所述发光层之间还设置有空穴注入层、空穴传输层中的至少一层；
和/或所述发光层与所述第二电极层之间还设置有电子传输层和电子注入层中的至少一层。
本发明的其中一个目的是提供一种有机电致发光二极管的制作方法，方案如下：
一种有机电致发光二极管的制作方法，包括以下步骤：
提供设有第一电极层的基板；
在所述第一电极层上制作发光层，所述发光层含有P型主体材料、N型主体材料以及客体材料，所述N型主体材料有多种，多种所述N型主体材料的HOMO能级以及LUMO能级分别依次递增，多种所述N型主体材料能够分别与所述P型主体材料形成相应的多种激基复合物，LUMO能级相对高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级，高于LUMO能级相对低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级；
在所述发光层上制作第二电极层。
在其中一个实施例中，所述P型主体材料的HOMO能级低于所述N型主体材料的HOMO能级，所述P型主体材料的LUMO能级低于所述N型主体材料的LUMO能级。
与传统方案相比，上述有机电致发光二极管及其制作方法具有以下有益效果：
上述有机电致发光二极管及其制作方法在发光层中设置多种N型主体材料，能够分别与P型主体材料形成相应的多种激基复合物，激基复合物的能量能够传递至客体材料，并且LUMO能级相对较高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物1的LUMO能级，高于LUMO能级相对较低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物2的LUMO能级，通过此种设置，激基复合物1的能量传递给客体材料的同时，也会有部分能量传递给激基复合物2，激基复合物2的能量也会传递给客体材料，如此能够减少能量的损失，并且能够形成更均衡的能量传递，有利于提高器件寿命。
多种N型主体材料的HOMO能级以及LUMO能级分别依次递增，并且均高于P型主体材料的HOMO能级和LUMO能级。这种能级关系设置，HOMO能级和LUMO能级较高的N型主体材料与P型主体材料形成激基复合物1，其能量传递给客体材料的同时，也会有部分能量传递给HOMO能级和LUMO能级较低的N型主体材料与P型主体材料形成的激基复合物2，激基复合物2的能量也会传递给客体材料，如此能够减少能量的损失，并且能够形成更均衡的能量传递，有利于提高器件寿命。
附图说明
图1为一实施例的有机电致发光二极管的结构示意图；
图2为一种传统的有机电致发光二极管的发光层中有P型主体材料和N型主体材料的能级关系图；
图3为图2中发光层的能量传递示意图；
图4为本发明一实施例的有机电致发光二极管的发光层中有P型主体材料和N型主体材料的能级关系图；
图5为图4中发光层的能量传递示意图；
图6为实施例1和对比例1制作的有机电致发光二极管的LT95寿命曲线图，其中曲线A代表对比例1，曲线B代表实施例1；
图7为实施例2和对比例2制作的有机电致发光二极管的LT95寿命曲线图，其中曲线A代表对比例2，曲线B代表实施例2。
附图标记说明：
100、有机电致发光二极管；110、基板；120、第一电极层；130、发光层；140、第二电极层；150、空穴注入层；160、空穴传输层；170、电子传输层；180、电子注入层；190、光取出层。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参考图1所示，本发明一实施例的有机电致发光二极管100，包括依次层叠设置的基板110、第一电极层120、发光层130和第二电极层140。
其中，发光层130含有P型主体材料(p-host)、N型主体材料(n-host)以及客体材料(dopant)。N型主体材料有多种。在多种N型主体材料中，LUMO能级相对高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级，高于LUMO能级相对低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级。
上述有机电致发光二极管100的发光层130中包含多种N型主体材料，能够分别与P型主体材料形成相应的多种激基复合物，激基复合物的能量能够传递至客体材料，并且LUMO能级相对较高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物1的LUMO能级，高于LUMO能级相对较低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物2的LUMO能级，通过此种设置，激基复合物1的能量传递给客体材料的同时，也会有部分能量传递给激基复合物2，激基复合物2的能量也会传递给客体材料，如此能够减少能量的损失，并且能够形成更均衡的能量传递，有利于提高器件寿命。
在其中一个示例中，多种N型主体材料能够分别与P型主体材料形成相应的多种激基复合物。P型主体材料的HOMO能级低于N型主体材料的HOMO能级，P型主体材料的LUMO能级低于N型主体材料的LUMO能级，多种N型主体材料的HOMO能级以及LUMO能级分别依次递增。
这种能级关系设置，HOMO能级和LUMO能级较高的N型主体材料与P型主体材料形成激基复合物1，其能量传递给客体材料的同时，也会有部分能量传递给HOMO能级和LUMO能级较低的N型主体材料与P型主体材料形成的激基复合物2，激基复合物2的能量也会传递给客体材料，如此能够减少能量的损失，并且能够形成更均衡的能量传递，有利于提高器件寿命。
例如，一个示例的有机电致发光二极管100中，发光层130中含有P型主体材料、两种N型主体材料(分别为n-host1与n-host2)以及客体材料。p-host能够与n-host1形成激基复合物1，p-host能够与n-host2形成激基复合物2。传统的有机电致发光二极管的发光层中有P型主体材料和N型主体材料的能级关系如图2所示，能量传递如图3所示。而本示例的p-host、n-host1和n-host2的能级结构如图4所示，能量传递如图4所示。本示例中p-host、n-host1和n-host2的HOMO能级大小依次递增，p-host、n-host1和n-host2的LUMO能级依次递增。如此，p-host与n-host1形成的激基复合物1的能量传递给客体材料的同时，也会有一部分能量传递至p-host与n-host2形成的激基复合物2，激基复合物2的能量传递给客体材料，这样同时有两部分能量传递至客体材料，降低能量损失，并且更均衡的能量传递能够提高器件的寿命。
又如，另一个示例的有机电致发光二极管100中，发光层130中含有P型主体材料、三种N型主体材料(分别为n-host1、n-host2与n-host3)以及客体材料。p-host能够与n-host1形成激基复合物1，p-host能够与n-host2形成激基复合物2，p-host能够与n-host3形成激基复合物3。p-host、n-host1、n-host2和n-host3的HOMO能级大小依次递增，p-host、n-host1、n-host2和n-host3的LUMO能级依次递增。如此，p-host与n-host1形成的激基复合物1的能量传递给客体材料的同时，也会有一部分能量传递至p-host与n-host2形成的激基复合物2和p-host与n-host3形成的激基复合物3，激基复合物2部分能量传递至激基复合物3，这样同时有多部分能量传递至客体材料，降低能量损失，并且更均衡的能量传递能够提高器件的寿命。
类似地，发光层130中可以设置更多种类的N型主体材料n-host，与P型主体材料p-host形成多个激基复合物进行能量传递。
在其中一个示例中，所述P型主体材料选自mCP(9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑)、CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、TAPC(4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺)、NPB(N-[1,1'-联苯]-4-基-二苯并噻吩-4-胺)、TmPyPB(1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯)及MADN(2-甲基-9,10-二(2-萘基)蒽)中的至少一种。
在其中一个示例中，所述N型主体材料选自Alq3(8-羟基喹啉铝)、B3PYMPM(4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲罗啉)、Balq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)、BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲)及TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)中的至少两种。
在其中一个示例中，所述客体材料选自Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合铱(III))、Ir(mppy)3(三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III))、Ir(ppy)2acac(乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶-C2,N)合铱(III))及Firpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱)中的至少一种。
在一个具体的示例中，发光层130中，P型主体材料为mCP，N型主体材料有Bphen和B3PYMPM两种，客体材料为Ir(mppy)3。
在其中一个示例中，P型主体材料和N型主体材料的质量比为1:(0.1～9)。具体例如为1∶9、2∶9、3∶9、4∶9、5∶9、6∶9、7∶9、8∶9、1∶1、9∶1、9∶2、9∶3、9∶4、9∶5、9∶6、9∶7、9∶8等。
在其中一个示例中，客体材料在所述发光层中的质量分数为4％～12％，具体例如为4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％等。
在其中一个示例中，多种所述N型主体材料的HOMO能级依次递增的数值为0.2eV～0.5eV，多种所述N型主体材料的LUMO能级依次递增的数值为0.2eV～0.5eV。
在其中一个示例中，对于单一的N型主体材料，其HOMO能级约为-6.0eV，LUMO能级约为-3.5eV。
可以理解，第一电极层120和第二电极层140中的一者为阳极层，另一者为阴极层。其中阳极层可以为ITO、IZO、FTO，或者ITO/Ag/ITO等叠层结构。阴极层可以为Al、Ag、Au、Mg-Ag等。
如图1所述，在其中一个示例中，有机电致发光二极管该包括光取出层190，光取出层190设置在第二电极层远离发光层的一侧上。光取出层190能够提高器件的出光效率，材料可以为高折射率的有机物，例如NPB等。
在其中一个示例中，第一电极层120与发光层130之间和/或发光层130与第二电极层140之间还设置有载流子功能层。
在其中一个示例中，载流子功能层为空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。
具体地，第一电极层120为阴极层，第二电极层140为阳极层，第一电极层120与发光层130之间设置有电子传输层和电子注入层中的至少一层，第二电极层140与发光层130之间设置有空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。或者，第一电极层120为阳极层，第二电极层140为阴极层，第一电极层120与发光层130之间设置有空穴传输层和空穴注入层中的至少一层，第二电极层140与发光层130之间设置有电子传输层和电子注入层中的至少一层。
在图1所示的具体示例中，有机电致发光二极管100包括依次层叠设置的基板110、第一电极层120(阳极层)、空穴注入层150、空穴传输层160、发光层130、电子传输层170、电子注入层180、第二电极层140(阴极层)以及光取出层190。
其中，空穴注入层的材料可以是导电聚合物，例如：PEDOT:PSS；也可以是高功函数的n型半导体，例如：HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)、MoO3、WO3、V2O5、Rb2O等。
空穴传输层的材料可以是无机半导体，例如NiO、Cu2O等；也可以是有机半导体，例如：NPB、TCTA、poly-TPD(聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺])、3TPYMB(三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷)、TFB(1,2,4,5-四(三氟甲基)苯)、TAPC、CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)等。
电子传输材料可以是有机半导体，例如TPBi、TmPyPB、Bphen、DPPyA(9,10-二(3-(3-吡啶)苯基)蒽)、B3PYMPM等。
电子注入材料可以是碱金属盐，例如LiF、NaF、CsF、Cs2CO3等；也可以是低功函数金属，例如Yb、Ca等。
进一步地，本发明还提供一种有机电致发光二极管的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1，提供设有第一电极层的基板。
步骤S2，在第一电极层上制作发光层，发光层含有P型主体材料、N型主体材料以及客体材料，N型主体材料有多种，多种N型主体材料能够分别与P型主体材料形成相应的多种激基复合物，LUMO能级相对较高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级，高于LUMO能级相对较低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级。
步骤S3，在发光层上制作第二电极层。
上述有机电致发光二极管的制作方法在发光层中设置多种N型主体材料，能够分别与P型主体材料形成相应的多种激基复合物，激基复合物的能量能够传递至客体材料，并且LUMO能级相对较高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物1的LUMO能级，高于LUMO能级相对较低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物2的LUMO能级，通过此种设置，激基复合物1的能量传递给客体材料的同时，也会有部分能量传递给激基复合物2，激基复合物2的能量也会传递给客体材料，如此能够减少能量的损失，并且能够形成更均衡的能量传递，有利于提高器件寿命。
具体的，P型主体材料、N型主体材料以及客体材料为相互混合的。对于发光层的制作，可采用溶液法，溶液法可以根据需求采用特定溶剂溶解不同主体材料，相较于蒸镀法更易于使多种材料混合均匀。具体地，将P型主体材料、N型主体材料以及客体材料共同溶解于溶剂中，配置成发光材料墨水，再将发光材料墨水涂覆于第一电极层上，干燥成膜。其中，溶剂例如可以是甲苯、邻二甲苯、四氢化萘、酯类溶剂中的一种或多种。
以下以提供具体的实施例对本发明的有机电致发光二极管作进一步说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围，在本发明构思的引导下，本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
实施例1
本实施例的有机电致发光二极管的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极层，厚度为45nm。
(2)在阳极上沉积空穴注入材料PEDOT:PSS，形成厚度为40nm的空穴注入层。
(3)在上述空穴注入层上沉积空穴传输材料TCTA，形成厚度为30nm的空穴传输层。
(4)在上述空穴传输层上沉积发光材料，形成厚度为60nm的发光层，包括P型主体材料、N型主体材料以及客体材料，其中P型主体材料p-host采用mCP，N型主体材料n-host1采用Bphen、N型主体材料n-host2采用B3PYMPM，客体材料dopant采用Ir(mppy)3。p-host和n-host的质量比为1:1，dopant的质量分数为8％，n-host1与n-host2的质量比为8:2。
(5)在上述发光层上沉积电子传输材料B3PYMPM，形成厚度为20nm的电子传输层。
(6)在上述电子传输层上沉积电子注入材料LiF，形成厚度为1nm的电子注入层。
(7)在上述电子注入层上沉积导电材料Al作为阴极层，厚度为100nm。
实施例2
本实施例的有机电致发光二极管的制作方法包括以下步骤：
(1)以ITO(7nm)/Ag(110nm)/ITO(10nm)叠层结构作为阳极层。
(2)在阳极上沉积空穴注入材料HATCN，形成厚度为50nm的空穴注入层。
(3)在上述空穴注入层上沉积空穴传输材料NPB，形成厚度为120nm的空穴传输层。
(4)在上述空穴传输层上沉积发光材料，形成厚度为60nm的发光层，包括P型主体材料、N型主体材料以及客体材料，其中P型主体材料p-host采用mCP，N型主体材料n-host1采用Bphen、N型主体材料n-host2采用B3PYMPM，客体材料dopant采用Ir(mppy)3。p-host和n-host的质量比为1:1，dopant的质量分数为8％，n-host1与n-host2的质量比为8:2。
(5)在上述发光层上沉积电子传输材料B3PYMPM，形成厚度为30nm的电子传输层。
(6)在上述电子传输层上沉积导电材料Ag作为阴极层，厚度为18nm。
(7)在上述阴极层上沉积NPB作为光取出层，厚度为80nm。
对比例1
本对比例的有机电致发光二极管的制作方法步骤与实施例1基本相同，区别在于，在步骤(4)中，发光层中的N型主体材料仅采用Bphen，即单一N型主体材料。
对比例2
本对比例的有机电致发光二极管的制作方法步骤与实施例2基本相同，区别在于，在步骤(4)中，发光层中的N型主体材料仅采用Bphen，即单一N型主体材料。
对上述实施例1～2和对比例1～2制作得到的有机电致发光二极管进行性能测试。测试结果如表1、图6和图7所示。
| 组别 | 器件效率 | CIEy |
| 实施例1 | 58cd/A | 0.618 |
| 实施例2 | 109cd/A | 0.732 |
| 对比例1 | 60cd/A | 0.617 |
| 对比例2 | 110cd/A | 0.736 |
由图6可见，实施例1相较于对比例1，LT95寿命提升约0.8倍。由图7可见，实施例2相较于对比例2，LT95寿命提升约1.1倍。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种有机电致发光二极管，其特征在于，包括：
依次层叠设置的基板、第一电极层、发光层和第二电极层；
其中，所述发光层含有P型主体材料、N型主体材料以及客体材料，所述N型主体材料有多种，多种所述N型主体材料能够分别独立地与所述P型主体材料形成激基复合物；
LUMO能级相对高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级，高于LUMO能级相对低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级。
2.如权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述P型主体材料的HOMO能级低于所述N型主体材料的HOMO能级，所述P型主体材料的LUMO能级低于所述N型主体材料的LUMO能级，多种所述N型主体材料的HOMO能级以及LUMO能级分别依次递增。
3.如权利要求2所述的有机电致发光二极管，其特征在于，多种所述N型主体材料的HOMO能级依次递增的数值为0.2eV～0.5eV，多种所述N型主体材料的LUMO能级依次递增的数值为0.2eV～0.5eV。
4.如权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述P型主体材料选自mCP、TCTA、TAPC、NPB、TmPyPB及MADN中的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述N型主体材料选自Alq3、B3PYMPM、Bphen、Balq、BCP及TPBi中的至少两种。
6.如权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述客体材料选自Ir(ppy)3、Ir(mppy)3、Ir(ppy)2acac及Firpic中的至少一种。
7.如权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述P型主体材料和所述N型主体材料的质量比为1:(0.1～9)，所述客体材料在所述发光层中的质量分数为4％～12％。
8.如权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述发光层包含相互混合的所述P型主体材料、所述N型主体材料以及所述客体材料。
9.如权利要求1～7中任一项所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述第一电极层与所述发光层之间还设置有空穴注入层、空穴传输层中的至少一层；
和/或所述发光层与所述第二电极层之间还设置有电子传输层和电子注入层中的至少一层。
10.一种有机电致发光二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供设有第一电极层的基板；
在所述第一电极层上制作发光层，所述发光层含有P型主体材料、N型主体材料以及客体材料，所述N型主体材料有多种，多种所述N型主体材料能够分别独立地与所述P型主体材料形成相应的多种激基复合物，LUMO能级相对高的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级，高于LUMO能级相对低的所述N型主体材料与所述P型主体材料所形成的激基复合物的LUMO能级；
在所述发光层上制作第二电极层。
11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述P型主体材料的HOMO能级低于所述N型主体材料的HOMO能级，所述P型主体材料的LUMO能级低于所述N型主体材料的LUMO能级，多种所述N型主体材料的HOMO能级以及LUMO能级分别依次递增。
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