CN112054129B - 一种发光器件、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光器件、显示装置，涉及显示技术领域，该发光器件能够有效提高显示装置的发光效率，进而提升显示装置的性能。该发光器件包括：发光层，所述发光层包括热激活延迟荧光材料；所述热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；所述供体基团和所述受体基团分别键合至所述连接基团；所述供体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ1，所述受体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ2；其中，θ1和θ2能够使得所述热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。本发明适用于发光器件以及显示装置的制作。

Description

一种发光器件、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)发光器件因其优异的性能受到了广泛的应用，OLED发光器件的发光方式分为磷光发光和荧光发光。
磷光发光材料受激发后产生的单重态激子和三重态激子跃迁到基态时都能够发光，使得基于磷光发光的OLED发光器件的IQE(Internal Quantum Efficiency，内量子效率)达到100％。但是，由于磷光发光材料需要稀有金属元素制备，致使磷光发光的OLED发光器件的成本较高，且污染严重。
因此，荧光发光的OLED发光器件应运而生，以避免使用稀有金属元素。然而，传统荧光发光材料受激发后会以25∶75的比例产生单重态激子和三重态激子，25％的单重态激子跃迁到基态时放射荧光，75％的三重态激子跃迁到基态时不发光。由于无法将产生比例高的三重态激子用于发光，必然导致传统荧光发光材料的发光效率低，使得基于荧光发光的OLED发光器件的IQE最高只能达到其理论极限值，致使基于传统荧光发光的OLED发光器件的发光效率低，发光性能差。
发明内容
本发明的实施例提供一种发光器件、显示装置，该发光器件能够有效提高发光效率，进而提升发光性能。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种发光器件，包括发光层，所述发光层包括热激活延迟荧光材料；所述热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；
所述供体基团和所述受体基团分别键合至所述连接基团；所述供体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ1，所述受体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ2；其中，θ1和θ2能够使得所述热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。
可选的，80°＜θ1＜100°，0°≦θ2＜20°。
可选的，85°＜θ1＜95°，0°＜θ2＜10°。
可选的，所述供体基团包括吖啶类基团，所述受体基团包括吖嗪类基团，所述连接基团包括芳基。
可选的，所述热激活延迟荧光材料的通式为：
其中，A为单键、氧、硫、芳基、杂芳基中的任一种；X1、X2、X3为碳、氮中的任一种，X1、X2、X3至少一个为氮；R1、R2、R3为芳基、杂芳基中的任一种；L为芳基。
可选的，所述发光层还包括客体材料；所述客体材料掺杂在所述热激活延迟荧光材料中；
所述热激活延迟荧光材料的三重态能级T1TADF与所述客体材料的三重态能级T1dopant满足：T1TADF-T1dopant≥0.4eV。
可选的，所述发光器件还包括阴极和阳极，所述阳极和所述阴极分置于所述发光层中相对的两侧；
所述发光器件还包括：电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层位于所述阳极和所述发光层之间，所述空穴阻挡层位于所述阴极和所述发光层之间。
可选的，所述热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMOTADF与所述电子阻挡层的最高分子占据轨道HOMOEBL满足：HOMOEBL-HOMOTADF≤0.3eV；
所述热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMOTADF与所述空穴阻挡层的最低分子未占据轨道LUMOHBL满足：LUMOTADF-LUMOHBL≤0.3eV。
可选的，所述热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMOTADF与所述空穴阻挡层的最高分子占据轨道HOMOHBL满足：HOMOTADF-HOMOHBL≥0.1eV；
所述热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMOTADF与所述电子阻挡层的最低分子未占据轨道LUMOEBL满足：LUMOTADF-LUMOEBL≥0.1eV。
可选的，所述电子阻挡层的三重态能级大于所述热激活延迟荧光材料的三重态能级；
所述空穴阻挡层的三重态能级大于所述热激活延迟荧光材料的三重态能级。
可选的，所述发光器件还包括位于所述阳极和所述电子阻挡层之间的空穴注入层、空穴传输层，以及位于所述阴极和所述空穴阻挡层之间的电子注入层和电子传输层；
其中，所述空穴注入层位于所述阳极和所述空穴传输层之间，所述电子注入层位于所述阴极和所述电子传输层之间。
另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述发光器件。该显示装置的发光器件的发光层中包含热激活延迟荧光材料，热激活延迟荧光材料的供体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角θ1、以及所述受体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ2能够使得所述热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。
本发明的实施例提供了一种发光器件、显示装置，该发光器件包括发光层，发光层包括热激活延迟荧光材料；热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；供体基团和受体基团分别键合至连接基团；供体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角为θ1，受体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角为θ2；其中，θ1和θ2能够使得热激活延迟荧光材料的单重态能级与热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。
该发光器件的发光层中，热激活延迟荧光材料的供体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角为θ1，受体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角为θ2，通过设置θ1和θ2，能够减小热激活延迟荧光材料中HOMO与LUMO电子云在空间上的重叠，进而使热激活延迟荧光材料中单重态和三重态之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。由于热激活延迟荧光材料的三重态激子可以通过反向系间窜跃到单重态形成单重态激子，单重态激子受激发产生延迟荧光，且单重态和三重态之间的能级差越小越有利于发生反向系间窜跃，因此，能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV的热激活延迟荧光材料更容易进行反向系间窜跃，从而能够充分利用该热激活延迟荧光材料中产生比例高的三重态激子，使该发光层中激子的利用率较高，有效提高发光器件的发光效率，进而提升发光性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种热激活延迟荧光材料的结构式；
图2为本发明实施例提供的一种热激活延迟荧光材料的发光原理图；
图3为本发明实施例提供的四种不同热激活延迟荧光材料的性能表征图；
图4为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光器件，该发光器件包括发光层，发光层包括热激活延迟荧光材料。参考图1所示，热激活延迟荧光材料包括供体基团11、受体基团22和连接基团33。
供体基团11和受体基团22分别键合至连接基团33；供体基团11所在平面和连接基团33所在平面之间的扭转角为θ1，受体基团22所在平面和连接基团33所在平面之间的扭转角为θ2；其中，θ1和θ2能够使得热激活延迟荧光材料的单重态能级与热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。
上述扭转角为两个平面所构成的角度。参考图1所示，供体基团11所在平面α和连接基团33所在平面β之间的扭转角为θ1。图1中，以受体基团22所在平面和连接基团33所在平面之间的扭转角θ2为0°为例进行绘示，此时，受体基团22所在平面和连接基团33所在平面共面。
这里对于常量T的具体数值不做限定，示例的，上述常量T可以是0.1eV、0.2eV、0.25eV等等。
参考图2所示，上述热激活延迟荧光材料(TADF)受激发后产生25％的单重态激子和75％的三重态激子，只有25％的单重态激子跃迁到基态时进行荧光发光(即过程a)，而75％的三重态激子跃迁到基态时不进行磷光发光(即过程c)。但通过对热激活延迟荧光材料供体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角θ1、以及受体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角θ2进行设置，使得热激活延迟荧光材料中HOMO与LUMO电子云的重叠程度大幅减小，进而使得该热激活延迟荧光材料中单重态和三重态之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。而单重态和三重态之间的能级差越小越有利于发生反向系间窜跃，则热激活延迟荧光材料中75％的三重态激子可以更容易地反向系间窜跃到单重态形成单重态激子，形成的单重态激子受激发后进行荧光发光(即过程b)。即将原本不能参与发光的高比例三重态激子转换成能够参与发光的单重态激子，从而大幅提高了三重态激子的利用率，进而有效提高了发光器件的发光效率和发光性能。
可选的，80°＜θ1＜100°，0°≦θ2＜20°。通过限定θ1和θ2的角度范围，能够减小热激活延迟荧光材料中HOMO与LUMO电子云在空间上的重叠，进而使热激活延迟荧光材料中单重态和三重态之间的能级差△EST小于常量T，0eV＜T＜0.3eV，提高发光器件的发光效率。
这里对于θ1和θ2的具体数值不做限定，下面以图3所示的化合物1-4为例，说明热激活延迟荧光材料的结构。
化合物1中θ1＝90.79°且θ2＝0.66°、化合物2中θ1＝90.75°且θ2＝0.06°、化合物3中θ1＝90.95°且θ2＝0.01°、化合物4中θ1＝89.93°且θ2＝0°。化合物1-4的分子空间构型、分子结构式、HOMO电子云模型和LUMO电子云模型分别参考图3中A1-A4、B1-B4、C1-C4和D1-D4所示。
上述分子空间构型是分子中各基团或原子等在空间分布的形状。HOMO电子云模型为热激活延迟荧光材料中HOMO电子能级分布模型，LUMO电子云模型为热激活延迟荧光材料中LUMO电子能级分布模型，其中，HOMO表示已占有电子的能级最高的轨道，LUMO表示未占有电子的能级最低的轨道。上述化合物1-4均满足80°＜θ1＜100°，0°≦θ2＜20°。
将上述化合物1-4应用于发光层中，分别得到发光层1-4，再制作使用发光层1-4的发光器件1-4。发光器件1-4分别包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，对发光器件1-4进行测试，得到表一所示的发光器件1-4的性能参数。
表一
化合物 PL(nm) θ1(°) θ2(°) △EST(meV) EQE(％)
化合物1 472 90.79 0.66 150 15.6
化合物2 478 90.75 0.06 180 8.2
化合物3 472 90.95 0.01 130 10.9
化合物4 456 89.93 0 150 8.4
表一中，PL表示化合物1-4的光致发光光谱的峰值，θ1表示化合物1-4中供体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角，θ2表示化合物1-4中受体基团所在平面和连接基团所在平面之间的扭转角，△EST表示化合物1-4中单重态和三重态之间的能级差，EQE表示发光器件1-4的外部量子效率。
从表一可以得出：发光器件1、3、4的EQE比发光器件2的EQE大，这是因为化合物的△EST越小，发光器件的EQE越大。但是对于发光器件1、4而言，同一△EST对应的发光器件1、4的EQE不同，这是因为发光器件的EQE还受发光层中载流子迁移率等因素的影响，同理也使得发光器件3的EQE并非最大，但仍能实现其比发光器件4的EQE大。
可选的，85°＜θ1＜95°，0°＜θ2＜10°。
这里对于θ1和θ2的具体数值不做限定，示例的，θ1为90°、θ2为0°。此时，热激活延迟荧光材料中HOMO与LUMO电子云在空间上的重叠程度最小，即HOMO与LUMO达到了最大限度的分离程度，会使得ΔEST趋于很小，发光层中激子的利用率最高，发光器件的发光效率最高。
可选的，供体基团包括吖啶类基团，受体基团包括吖嗪类基团，连接基团包括芳基。
可选的，热激活延迟荧光材料的通式为：
其中，A为单键、氧、硫、芳基、杂芳基中的任一种；X1、X2、X3为碳、氮中的任一种，X1、X2、X3至少一个为氮；R1、R2、R3为芳基、杂芳基中的任一种；L为芳基。
可选的，发光层还包括客体材料；客体材料掺杂在热激活延迟荧光材料中；热激活延迟荧光材料的三重态能级T1TADF与客体材料的三重态能级T1dopant满足：T1TADF-T1dopant≥0.4eV。这样，更有利于将热激活延迟荧光材料中的三重态能量传递给客体材料，提高发光器件的发光效率。
上述发光层的客体材料可以是Ir(ppy)3、Be(PP)2、PPF中的任意一种。这里Ir(ppy)3的中文名称为三(2-苯基吡啶)合铱；Be(PP)2的中文名称为二(2-羟基苯基吡啶)；PPF的中文名称为高分子聚乙烯丙纶，其化学结构式为
上述热激活延迟荧光材料与客体材料的掺杂比例为99：1～80:20。
可选的，参考图4所示，发光器件还包括阴极8和阳极9，阳极9和阴极8分置于发光层1中相对的两侧；发光器件还包括：电子阻挡层3和空穴阻挡层2，电子阻挡层3位于阳极9和发光层1之间，空穴阻挡层2位于阴极8和发光层1之间。
上述电子阻挡层的材料可以是mCP、CCP、Tris-PCz中的任一种。这里mCP的中文名称为甲基环戊烯醇酮；CCP的中文名称为环瓜氨酸肽，其化学结构式为Tris-PCz的中文名称为9-苯基-3,6-双(9-苯基-9H咔唑-3-基)-9H-咔唑，其化学结构式为上述电子阻挡层的厚度范围可以是10～80nm，示例的，电子阻挡层的厚度可以是20nm、40nm、60nm、80nm等。
上述空穴阻挡层的材料可以是BCP、Bphen、TPBI中的任一种。这里BCP的中文名称为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉；Bphen的中文名称为邻二氮菲；TPBI的中文名称为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，其化学结构式为上述空穴阻挡层的厚度范围可以是5～10nm，示例的，空穴阻挡层的厚度可以是6nm、7nm、8nm、9nm等。
上述电子阻挡层能够阻挡发光层中的电子穿出发光层，保证更多地电子在发光层中与空穴发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。上述空穴阻挡层能够阻挡发光层中的空穴穿出发光层，保证更多地空穴在发光层中与电子发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。
可选的，热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMOTADF与电子阻挡层的最高分子占据轨道HOMOEBL满足：HOMOEBL-HOMOTADF≤0.3eV；热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMOTADF与空穴阻挡层的最低分子未占据轨道LUMOHBL满足：LUMOTADF-LUMOHBL≤0.3eV。
该发光器件中，发光层与电子阻挡层的能级间隙减小，使得阳极产生的空穴更易于通过电子阻挡层传输到发光层中，与发光层中的电子复合形成激子，进而提高发光效率；发光层与空穴阻挡层的能级间隙减小，使得阴极产生的电子更易于通过空穴阻挡层传输到发光层中，与发光层中的空穴复合形成激子，进而提高发光效率。
可选的，热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMOTADF与空穴阻挡层的最高分子占据轨道HOMOHBL满足：HOMOTADF-HOMOHBL≥0.1eV；热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMOTADF与电子阻挡层的最低分子未占据轨道LUMOEBL满足：LUMOTADF-LUMOEBL≥0.1eV。
该发光器件中，发光层与空穴阻挡层的能级间隙增大，有利于阻挡发光层中的空穴进一步迁移到阴极；发光层与电子阻挡层的能级间隙增大，有利于阻挡发光层中的电子进一步迁移到阳极，从而有利于将发光区域限制在发光层中，防止发光层能量向周边功能层扩散，进一步提高发光器件的发光效率。
可选的，电子阻挡层的三重态能级大于热激活延迟荧光材料的三重态能级；空穴阻挡层的三重态能级大于热激活延迟荧光材料的三重态能级。能够有效阻挡电子、空穴穿出发光层，更好的将电子、空穴限制在发光层中，防止发光层能量向周边功能层扩散，进一步提高发光器件的发光效率。
可选的，参考图5所示，发光器件还包括位于阳极9和电子阻挡层之间的空穴注入层7、空穴传输层5，以及位于阴极8和空穴阻挡层2之间的电子注入层6和电子传输层4；其中，空穴注入层7位于阳极9和空穴传输层5之间，电子注入层6位于阴极8和电子传输层4之间。
上述空穴注入层的材料可以是MoO3、F4-TCNQ、HAT-CN这的任意一种。这里MoO3的中文名称为三氧化钼；F4-TCNQ的中文名称为2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌；HAT-CN的中文名称为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲2,3,6,7,10,11，其化学结构式为上述空穴注入层的厚度范围可以是5～30nm，示例的，空穴注入层的厚度可以是6nm、10nm、15nm、20nm等。
上述空穴传输层的材料可以是NPB、m-MTDATA、TPD中的任意一种，这里NPB的中文名称为N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，其化学结构式为：m-MTDATA的中文名称为4,4′,4″-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺；TPD的中文名称为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺。上述空穴传输层的厚度范围可以是1000～1300nm，示例的，空穴传输层的厚度可以是1000nm、1100nm、1200nm、1300nm等。
上述电子注入层的材料可以是LiF、Yb、Liq中的任一种。这里LiF的中文名称为氟化锂；Yb的中文名称为镱；Liq的中文名称为8-羟基喹啉-锂，其化学结构式为上述电子注入层的厚度范围可以是1～3nm，示例的，电子注入层的厚度可以是1nm、2nm、3nm等。
上述电子传输层的材料可以是BCP、Bphen、TPBI中的任一种。这里BCP的中文名称为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉；Bphen的中文名称为邻二氮菲；TPBI的中文名称为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。上述电子传输层的厚度可以是20～35nm，示例的，电子传输层的厚度可以是20nm、23nm、30nm、35nm等。
下面提供一具体实施例。参考图5所示，发光器件包括：阳极9，其材料为ITO，厚度为100nm；位于阳极9上的空穴注入层7，其材料为HAT-CN，厚度为10nm；位于空穴注入层7上的空穴传输层5，其材料为NPD，厚度为40nm；位于空穴传输层5上的电子阻挡层3，其材料为CCP，厚度为10nm；位于电子阻挡层3上的发光层1，发光层1的主体材料为化合物1(化合物1为上述图3所示的θ1＝90.79°且θ2＝0.66°的热激活延迟荧光材料，其分子结构式为)，客体材料为PPF，客体材料的厚度为20nm，化合物1与PPF的掺杂比例为99：1；位于发光层1上的空穴阻挡层2，其材料为BCP，厚度为6nm；位于空穴阻挡层2上的电子传输层4，其材料为TPBI，厚度为30nm；位于电子传输层4上的电子注入层6，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层6上的阴极8，其材料为Al，厚度为100nm。
上述发光器件的发光效率较高。
上述发光器件可以应用于显示装置中，这里对于显示装置的具体结构不做限定。
示例的，显示装置可以包括显示基板和发光器件。显示基板包括阵列排布的多个像素单元，发光器件包括阵列排布的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，红色子像素与红色发光器件电连接，绿色子像素与绿色发光器件电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件电连接。
参考图6所示，红色子像素与红色发光器件100电连接，绿色子像素与绿色发光器件200电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件300电连接。参考图6所示，以位于最左端的红色子像素为例说明具体结构，红色子像素包括：位于衬底10上的依次层叠设置的缓冲层11、有源层210、栅绝缘层12、栅极金属层(包括栅极110和第一电极212)、绝缘层13、电极层(包括第二电极213)、层间介质层14、源漏金属层(包括源极111和漏极112)、平坦层15、像素界定层302。其中，第一电极212和第二电极213用于形成存储电容。像素界定层302包括开口，开口内设置有红色发光器件100，红色发光器件100的阳极9与薄膜晶体管的漏极112电连接。显示基板还包括位于像素界定层302之上的隔垫物34。需要说明的是，该显示基板中，可以是部分像素界定层上设置有隔垫物，也可以是全部像素界定层上设置有隔垫物，这里不做限定。
红色发光器件100包括阳极9、以及位于阳极9上的依次层叠设置的空穴注入层7、空穴传输层5、电子阻挡层313、红色发光层113、空穴阻挡层2、电子传输层4、电子注入层6、阴极8。
需要说明的是，图6所示的绿色发光器件200和蓝色发光器件300的发光层与红色发光器件100的发光层的材料不同，绿色发光器件的发光层用于发出绿光，蓝色发光器件的发光层用于发出蓝光，红色发光器件的发光层用于发出红光。另外，绿色发光器件和蓝色发光器件的电子阻挡层与红色发光器件的电子阻挡层的材料也不同。除发光层和电子阻挡层以外，绿色发光器件、蓝色发光器件包括的其它膜层均与红色发光器件相同，这里不再赘述。
参考图6所示，该显示装置还可以包括覆盖发光器件的光学膜层41、第一无机层421、有机层43、第二无机层422，第一无机层421、有机层43和第二无机层422可以起到封装作用，保护发光器件，延长使用寿命。
实施例二
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括实施例一提供的发光器件。
该显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示装置)，这里不做限定。该显示装置可以是OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示装置，还可以是包括OLED的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置具有显示效果好、寿命长、稳定性高、对比度高等优点。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括发光层，其特征在于，所述发光层包括热激活延迟荧光材料；所述热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；
所述供体基团和所述受体基团分别键合至所述连接基团；所述供体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ1，所述受体基团所在平面和所述连接基团所在平面之间的扭转角为θ2；其中，θ1和θ2能够使得所述热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV；
其中，所述热激活延迟荧光材料的通式为：
其中，A为单键、氧、硫、芳基、杂芳基中的任一种；X1、X2、X3为碳、氮中的任一种，X1、X2、X3至少一个为氮；R1、R2、R3为芳基、杂芳基中的任一种；L为芳基。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
80°＜θ1＜100°，0°≦θ2＜20°。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，85°＜θ1＜95°，0°＜θ2＜10°。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述供体基团包括吖啶类基团，所述受体基团包括吖嗪类基团，所述连接基团包括芳基。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层还包括客体材料；所述客体材料掺杂在所述热激活延迟荧光材料中；
所述热激活延迟荧光材料的三重态能级T1TADF与所述客体材料的三重态能级T1dopant满足：T1TADF-T1dopant≥0.4eV。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括阴极和阳极，所述阳极和所述阴极分置于所述发光层中相对的两侧；
所述发光器件还包括：电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层位于所述阳极和所述发光层之间，所述空穴阻挡层位于所述阴极和所述发光层之间。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMOTADF与所述电子阻挡层的最高分子占据轨道HOMOEBL满足：HOMOEBL-HOMOTADF≤0.3eV；
所述热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMOTADF与所述空穴阻挡层的最低分子未占据轨道LUMOHBL满足：LUMOTADF-LUMOHBL≤0.3eV。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的最高分子占据轨道HOMOTADF与所述空穴阻挡层的最高分子占据轨道HOMOHBL满足：HOMOTADF-HOMOHBL≥0.1eV；
所述热激活延迟荧光材料的最低分子未占据轨道LUMOTADF与所述电子阻挡层的最低分子未占据轨道LUMOEBL满足：LUMOTADF-LUMOEBL≥0.1eV。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的三重态能级大于所述热激活延迟荧光材料的三重态能级；
所述空穴阻挡层的三重态能级大于所述热激活延迟荧光材料的三重态能级。
10.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括位于所述阳极和所述电子阻挡层之间的空穴注入层、空穴传输层，以及位于所述阴极和所述空穴阻挡层之间的电子注入层和电子传输层；
其中，所述空穴注入层位于所述阳极和所述空穴传输层之间，所述电子注入层位于所述阴极和所述电子传输层之间。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的发光器件。
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