CN109134446A - 一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置，所述热激活延迟荧光材料为具有式(I)结构的化合物中的任意1种或至少2种的组合。所述有机发光显示装置包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层，以及空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任意1种或至少2种的组合。本发明提供的热激活延迟荧光材料的ΔEst≤0.30eV，甚至ΔEst≤0.15eV，使包含其的有机发光显示装置具有较高的发光效率。

Description

一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置
技术领域
本发明涉及有机电致发光材料技术领域，尤其涉及一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)是指有机发光材料在电流或电场的作用下发光的二极管，它能够将电能直接转化为光能。OLED技术的全固态、主动发光、高对比度、超薄、可柔性显示、低功耗、宽视角、响应速度快、工作温度范围宽、易于实现3D显示等诸多优点，被业内人士称为“梦幻般的显示器”，将成为未来最具发展潜力的新型显示技术。
当然，OLED技术突飞猛进的背后，有机发光材料起着重要的作用。有机发光材料根据发光机理大致可以分为四类：传统荧光材料、磷光材料、三线态-三线态湮灭(TTA)材料和热活化延迟荧光(TADF)材料。其中传统的荧光材料最高内量子效率仅为25％，TTA材料的理论最大内量子产率不超过62.5％，磷光材料虽然理论最大内量子产率可达100％，但通常包含稀有贵金属，导致价格昂贵，并且器件稳定性能差、器件效率下降严重等问题都在很大程度上进一步限制了其大规模商用普及。
近年来，热活化延迟荧光材料逐渐成为了本领域研究的新热点。该材料可以在无贵金属的条件下实现100％的内量子效率，不仅可以避免昂贵的重金属的使用，从而一定程度上降低成本，而且可以期望大幅提高器件寿命和光谱稳定性，同时具有发光效率高、环境友好等优势。但是，目前关于热活化延迟荧光材料的相关研究还比较少，材料种类仍然单一，无法满足OLED器件的开发需求。
因此，更多种类、更高性能的TADF材料亟待开发。
发明内容
为了开发更多种类、更高性能的TADF材料，本发明的目的之一在于提供一种热激活延迟荧光材料，所述热激活延迟荧光材料为具有式(I)结构的化合物中的任意1种或至少2种的组合：
式(I)中，所述D选自取代或未取代的二芳香胺基团、取代或未取代的二芳香胺衍生物基团、取代或未取代的咔唑基团、取代或未取代的咔唑衍生物基团、取代或未取代的吖啶基团、取代或未取代的吖啶衍生物基团，所述D基团通过氮原子接入式(I)结构。
式(I)中，L选自取代或未取代的芳香基团中的任意1种。
式(I)中，n1为0或1，n2为0、1、2、3、4或5。
式(I)中，m为0～6中的任意整数。
R1选自取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基中的任意1种。
本发明的目的之二在于提供一种显示面板，所述显示面板包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层，以及空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任意1种或至少2种的组合。
所述发光层包括本发明目的之一所述热激活延迟荧光材料中的任意1种或至少2种的组合，且所述化合物用作掺杂材料、共同掺杂材料或主体材料中的任意1种。
本发明的目的之三在于提供一种显示装置，包括本发明目的之二所述的显示面板。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明提供的热激活延迟荧光材料以苯并噻吩砜基团为吸电子基团，配合二芳香基氨基基团、咔唑及其衍生物基团、吖啶及其衍生物基团作为供电子基团，使得吸电子基团和供电子基团的电子云具有合适的重叠程度，能够使所述热激活延迟荧光材料最低单重态S1与最低三重态T1态之间的能极差ΔEst＝ES1-ET1≤0.30eV，甚至ΔEst＝ES1-ET1≤0.15eV，具备TADF材料发光机制，可以用于有机光电装置领域，提高发光效率。
(2)本发明提供的热激活延迟荧光材料包含的苯并噻吩砜基团，使其具有良好的稳定性、电荷传输性能。
附图说明
图1是本发明提供的有机发光显示装置的结构示意图。
图2为计算模拟的P2分子结构的HOMO轨道。
图3为计算模拟的P2分子结构的LUMO轨道。
图4是本发明的一个实施方式提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。
图5是本发明的有机发光显示装置的一个实施方式中的示意图。
具体实施方式
本发明目的之一在于提供了一种热激活延迟荧光材料，所述热激活延迟荧光材料为具有式(I)结构的化合物中的任意1种或至少2种的组合：
式(I)中，所述D选自取代或未取代的二芳香胺基团、取代或未取代的二芳香胺衍生物基团、取代或未取代的咔唑基团、取代或未取代的咔唑衍生物基团、取代或未取代的吖啶基团、取代或未取代的吖啶衍生物基团，所述D基团通过氮原子接入式(I)结构。
式(I)中，L选自取代或未取代的芳香基团中的任意1种。
式(I)中，n1为0或1，n2为0、1、2、3、4或5。
式(I)中，m为0～6中的任意整数。
R1选自取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基中的任意1种。
本发明提供的热激活延迟荧光材料含有苯并噻吩砜基团，使其集合了苯环和五元芳杂环所具有的优异的化学性能和物理性能，并且五元芳杂环上的杂原子具有良好的可极化性和高的富电子性，使所述热激活延迟荧光材料具有良好的电荷传输性能和给电子性能，并且该类化合物具有良好的稳定性，适用于有机光电装置。
本发明提供的热激活延迟荧光材料以苯并噻吩砜基团为吸电子基团，配合二芳香胺基团、咔唑及其衍生物基团、吖啶及其衍生物基团作为供电子基团，使得吸电子基团和供电子基团的电子云具有合适的重叠程度，能够使所述热激活延迟荧光材料最低单重态S1与最低三重态T1态之间的能极差ΔEst＝ES1-ET1≤0.30eV，甚至ΔEst＝ES1-ET1≤0.15eV。
在一个实施方式中，所述n2不为0，所述R1基团取代在式(I)结构D-基团或D-L-基团的邻位。
在一个实施方式中，所述n2不为0，所述R1基团取代在式(I)结构D-基团或D-L-基团的间位或者对位。
在一个实施方式中，所述D-L-基团取代在式(I)结构的化合物中的4位或7位。
在一个实施方式中，所述D-L-基团取代在式(I)结构的化合物中的5位或6位。
在一个实施方式中，所述D-L-基团取代在式(I)结构的化合物中的2位或3位。
在一个实施方式中，所述n1为0。
在一个实施方式中，所述n1为1。
在一个实施方式中，所述n1为0，且n2为0。
在一个实施方式中，式(I)中，所述取代或未取代的吖啶基团、取代或未取代的吖啶衍生物基团均各自独立地选自如下结构中的任意1种：
其中，X1和X2为碳原子、氮原子、硅原子、氧原子、硫原子中的任意1个。
R4、R5、R6和R7均各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团。
其中，所述r和s均各自独立地选自0、1、2或3。
其中，所述X1和X2为碳原子或硅原子，p和q各自独立地选自0、1或2；或者所述X1和X2为氮原子，p和q各自独立地选自0或1；或者所述X1和X2为氧原子或硫原子，p和q均为0。
p和q分别表示X上R6、R7取代基的个数，例如，当X为碳原子时，最多可以有两个R6或R7取代基。
在一个实施方式中，式(I)中，所述取代或未取代的咔唑基团、取代或未取代的咔唑衍生物基团均各自独立地选自如下结构中的任意1种：
其中，X3为碳原子、氮原子、硅原子、氧原子、硫原子中的任意1个。
R4、R5和R6均各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团。
其中，所述r和s均各自独立地选自0、1、2或3。
其中，所述X3为碳原子或硅原子，p选自0、1或2；或者所述X3为氮原子，p选自0或1；或者所述X3为氧原子或硫原子，p为0。
在一个实施方式中，所述取代或未取代的二芳香基氨基基团为
其中，R4和R5均各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团。
所述r和s均各自独立地选自0、1、2或3。
在一个实施方式中，所述D选自如下基团中的任意1种：
其中，R8选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团。
在一个实施方式中，所述X为碳原子、氮原子、硅原子中的任意1个。
在一个实施方式中，所述热激活延迟荧光材料最低单重态S1与最低三重态T1态之间的能极差ΔEst＝ES1-ET1≤0.30eV，例如0.29eV、0.28eV、0.27eV、0.26eV、0.25eV、0.24eV、0.23eV、0.22eV、0.21eV、0.20eV、0.19eV、0.18eV、0.16eV、0.14eV、0.13eV、0.12eV、0.11eV、0.10eV、0.09eV、0.08eV、0.07eV、0.06eV、0.05eV、0.04eV、0.03eV、0.02eV、0.01eV等。
在一个实施方式中，所述热激活延迟荧光材料ΔEst≤0.15eV，例如0.14eV、0.13eV、0.12eV、0.11eV、0.10eV、0.09eV、0.08eV、0.07eV、0.06eV、0.05eV、0.04eV、0.03eV、0.02eV、0.01eV等。
在一个实施方式中，所述热激活延迟荧光材料选自如下化合物中的任意1种或至少2种组合：
图2和图3分别示出了化合物P2的轨道排布情况，其中，图2为化合物P2的HOMO能级分布图，图3为化合物P2的LUMO能级分布图。从图2中可以明显看出，化合物P2的HOMO和LUMO分别排布在不同的单元上，实现了完全的分离，这有助于减小系间能差△EST，从而提高反向系间窜越能力。
本发明目的之二在于提供一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层，以及空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的任意1种或至少2种的组合。
所述有机发光显示装置参见图1，包括阳极101和阴极102，设置于所述阳极101和阴极102之间的发光层103，在发光层103的两侧设置有空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的任意1种或至少2种的组合。
所述发光层包括目的之一所述热激活延迟荧光材料中的任意1种或至少2种的组合，且所述化合物用作掺杂材料、共同掺杂材料或主体材料中的任意1种。作为一种特殊情形，所述发光层的发光材料可以是本发明所述的化合物本身。
由于本发明提供的热激活延迟荧光材料ΔEst≤0.30eV，甚至ΔEst≤0.15eV，具有良好的发光性能，可以作为有机光电装置中发光层的掺杂材料、共同掺杂材料或主体材料。
图4为根据实施方式的有机发光器件的结构示意图。有机发光器件包括顺序堆叠的第一电极1、发光层2和第二电极3。可额外地在第一电极1下面或第二电极3上面设置基底。为了用作基底，可使用在通常的有机发光器件中使用的任何基底，且所述基底可为各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、易操作性和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。
发光层2设置在第一电极1上，发光层2可包括空穴传输区域、发射层和电子传输区域。所述空穴传输区域可设置在第一电极1和所述发光层2之间。所述空穴传输区域可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、缓冲层的至少一层或其任意组合形成的多层。所述空穴传输区域可仅包括空穴注入层或空穴传输层。所述空穴传输区域可包括缓冲层。所述缓冲层可根据从所述发光层2发射的光的波长补偿光学谐振距离，可改善有机发光器件的效率。
所述发光层2可包括主体和掺杂剂。所述电子传输区域可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层的至少一层或其任意组合形成的多层。例如，所述电子传输区域可具有空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构或者电子传输层/电子注入层结构，但是所述电子传输区域的结构不限于此。所述电子传输层可具有单层结构或者包括两种或更多种不同的材料的多层结构。
在本发明提供的有机发光显示装置中，阳极材料可以选自金属例如铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金。阳极材料也可以选自金属氧化物如氧化铟、氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；阳极材料还可以选自导电性聚合物例如聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等。此外，阳极材料还可以选自除以列举的阳极材料以外的有助于空穴注入的材料及其组合，其包括已知的适合做阳极的材料。
在本发明提供的有机发光显示装置中，阴极材料可以选自金属例如铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金。阴极材料也可以选自多层金属材料例如LiF/Al、LiO2/Al、BaF2/Al等。除了以上列举的阴极材料以外，阴极材料还可以是有助于电子注入的材料及其组合，包括已知的适合做阴极的材料。
在本发明中，有机发光显示装置可以这样制作：在透明或不透明的光滑的基板上形成阳极，在阳极上形成有机薄层，在有机薄层上形成阴极。有机薄层的形成可以采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。
在一个实施方式中，所述发光层的主体材料或客体材料为本发明目的之一所述的化合物中的任意1种或至少2种组合。
在一个实施方式中，所述发光层的发光材料为红光发光材料，所述红光发光材料的单重态能级为1.61～1.99eV，例如1.62eV、1.65eV、1.68eV、1.70eV、1.73eV、1.75eV、1.78eV、1.80eV、1.82eV、1.85eV、1.90eV、1.92eV、1.95eV、1.98eV等
在一个实施方式中，所述发光层的发光材料为绿光发光材料，所述绿光发光材料的单重态能级为2.15～2.52eV，例如2.16eV、2.20eV、2.23eV、2.26eV、2.30eV、2.35eV、2.38eV、2.40eV、2.42eV、2.45eV、2.48eV、2.50eV、2.51eV等。
在一个实施方式中，所述发光层的发光材料为蓝光发光材料，所述蓝光发光材料的单重态能级为2.52～2.73eV，例如2.53eV、2.55eV、2.58eV、2.60eV、2.63eV、2.65eV、2.67eV、2.69eV、2.70eV、2.72eV等。
在一个实施方式中，所述发光层包括主体材料和客体材料，其中，主体材料选自2,8-二(二苯基氧膦基)二苯并噻吩、4,4'-二(9-咔唑)联苯、3,3'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯、2,8-双(二苯基膦氧基)二苯并呋喃、双(4-(9H-咔唑基-9-基)苯基)二苯硅烷、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑、二(2-二苯氧化膦基)二苯醚、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、9-(3-(9H-咔唑基-9-基)苯基)-9H-咔唑-3-氰基、9-苯基-9-[4-(三苯基硅烷基)苯基]-9H-芴、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、2,6-二咔唑-1,5-吡啶、聚乙烯基咔唑和聚芴中的任意1种或至少2种组合，客体材料选自本发明目的之一所述的化合物中的任意1种或至少2种组合。
所述主体材料的HOMO能级与所述客体材料的HOMO能级之差小于0.6eV，例如0.59eV、0.55eV、0.53eV、0.50eV、0.48eV、0.45、0.43eV、0.40eV、0.38eV、0.35eV、0.33eV、0.30eV、0.28eV、0.24eV、0.22eV、0.20eV、0.18eV、0.15eV、0.12eV、0.10eV、0.08eV、0.05eV、0.03eV、0.01eV等，或所述主体材料的LUMO能级与所述客体材料的LUMO能级之差小于0.6eV，例如0.59eV、0.55eV、0.53eV、0.50eV、0.48eV、0.45、0.43eV、0.40eV、0.38eV、0.35eV、0.33eV、0.30eV、0.28eV、0.24eV、0.22eV、0.20eV、0.18eV、0.15eV、0.12eV、0.10eV、0.08eV、0.05eV、0.03eV、0.01eV等。
在一个实施方式中，所述主体材料的单重态能级高于所述客体材料的单重态能级，且主体材料的单重态能级与客体材料的单重态能级之差小于1.0eV。
在一个实施方式中，所述发光层的发光材料包括主体材料和客体材料，主体材料选自本发明目的之一所述化合物中任意1种或至少2种组合，客体材料选自荧光材料、热活化延迟荧光材料或磷光发光材料。
所述主体材料的HOMO能级与所述客体材料的HOMO能级之差小于0.6eV，例如0.59eV、0.55eV、0.53eV、0.50eV、0.48eV、0.45、0.43eV、0.40eV、0.38eV、0.35eV、0.33eV、0.30eV、0.28eV、0.24eV、0.22eV、0.20eV、0.18eV、0.15eV、0.12eV、0.10eV、0.08eV、0.05eV、0.03eV、0.01eV等，或所述主体材料的LUMO能级与所述客体材料的LUMO能级之差小于0.6eV，例如0.59eV、0.55eV、0.53eV、0.50eV、0.48eV、0.45、0.43eV、0.40eV、0.38eV、0.35eV、0.33eV、0.30eV、0.28eV、0.24eV、0.22eV、0.20eV、0.18eV、0.15eV、0.12eV、0.10eV、0.08eV、0.05eV、0.03eV、0.01eV等。
在一个实施方式中，所述发光层的发光材料包括主体材料和客体材料，主体材料选自本发明目的之一所述化合物中任意1种或至少2种组合，客体材料选自荧光材料或热活化延迟荧光材料，所述客体材料的单重态能级小于所述主体材料的单重态能级，且主体材料的单重态能级与客体材料的单重态能级之差小于1.0eV，例如0.99eV、0.97eV、0.95eV、0.93eV、0.90eV、0.88eV、0.85eV、0.83eV、0.80eV、0.79eV、0.75eV、0.73eV、0.70eV、0.68eV、0.65eV、0.63eV、0.60eV、0.59eV、0.55eV、0.53eV、0.50eV、0.48eV、0.45、0.43eV、0.40eV、0.38eV、0.35eV、0.33eV、0.30eV、0.28eV、0.24eV、0.22eV、0.20eV、0.18eV、0.15eV、0.12eV、0.10eV、0.08eV、0.05eV、0.03eV、0.01eV等。
在一个实施方式中，所述发光层的发光材料包括主体材料和客体材料，主体材料选自本发明目的之一所述的化合物中的任意1种或至少2种组合，客体材料选自磷光材料，所述客体材料的三重态能级小于所述主体材料的三重态能级，且主体材料的三重态能级与客体材料的三重态能级之差小于1.0eV，例如0.99eV、0.97eV、0.95eV、0.93eV、0.90eV、0.88eV、0.85eV、0.83eV、0.80eV、0.79eV、0.75eV、0.73eV、0.70eV、0.68eV、0.65eV、0.63eV、0.60eV、0.59eV、0.55eV、0.53eV、0.50eV、0.48eV、0.45、0.43eV、0.40eV、0.38eV、0.35eV、0.33eV、0.30eV、0.28eV、0.24eV、0.22eV、0.20eV、0.18eV、0.15eV、0.12eV、0.10eV、0.08eV、0.05eV、0.03eV、0.01eV等。
在一个实施方式中，空穴注入材料、空穴传输材料及电子阻挡材料可选自N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-NPD)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1,3-二咔唑-9-基苯(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、3,3'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯(mCBP)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-NPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)联苯-4,4'-二胺(NPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、聚乙烯咔唑(PVK)、9-苯基-3,9-联咔唑(CCP)、三氧化钼(MoO3)等材料，但不局限于以上几种材料。
在一个实施方式中，空穴阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料可选自2,8-二(二苯基氧膦基)二苯并噻吩(PPT)、TSPO1、TPBi、2,8-双(二苯基膦氧基)二苯并呋喃(PPF)、二(2-二苯氧化膦基)二苯醚(DPEPO)、氟化锂(LiF)、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyBP)、三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷(3TPYMB)、1,3-双(3,5-二吡啶-3-基苯基)苯(B3PYPB)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BMPYPHB)、2,4,6-三(联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪(T2T)、二苯基二[4-(吡啶-3-基)苯基]硅烷(DPPS)、碳酸铯(Cs2O3)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、8-羟基喹啉-锂(Liq)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等材料，但不局限于以上几种材料。
在一个实施方式中，所述基底可以是刚性基板(硼硅酸盐玻璃、浮法钠钙玻璃、高折射率玻璃、不锈钢等)，也可以是柔性基板(例如聚酰亚胺(PI))塑料衬底、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)塑料衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)塑料衬底、聚醚砜树脂衬底(PES)、聚碳酸酯塑料衬底(PC)、超薄柔性玻璃衬底、金属箔片衬底等)。
在一个实施方式中，有机发光显示装置可以是OLED，其可以用在有机发光显示装置中，其中有机发光显示装置可以是手机显示屏(图5)、电脑显示屏、液晶电视显示屏、智能手表显示屏、智能汽车显示面板、VR或AR头盔显示屏、各种智能设备的显示屏等。
本发明提供了若干个示例性的化合物的制备方法。在随后的制备例中，对化合物P5、P8、P14、P19和P20的合成进行示例性的描述。
制备例1
化合物P5按照以下路线合成：
将S1(10.5mmol)、S2(10mmol)、(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05mmol)、叔丁醇钠(14mmol)、叔丁基膦(0.2mmol)投入100mL三口烧瓶中，一面搅拌，一面迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入20mL甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流12小时。反应后，在放置冷却至室温的反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水进行洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得中间体P5(8.2mmol、产率82％)。
对P5进行元素分析结构(分子式C28H29NO2S)：计算值：C，75.81；H，6.59；N，3.16；O，7.21；S，7.23；测试值：C，75.83；H，6.61；N，3.14；O，7.20；S，7.22。通过MALDI-TOF MS(m/z)分析得到：计算值443.2，测试值443.5。
制备例2
化合物P8按照以下路线合成：
具体步骤：将S3(8.5mmol)、S4(8mmol)、(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.06mmol)、叔丁醇钠(12mmol)、叔丁基膦(0.3mmol)投入100mL三口烧瓶中，一面搅拌，一面迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入20mL甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流12小时。反应后，在放置冷却至室温的反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水进行洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得产物P8(5.76mmol、产率72％)。
对P8进行元素分析结构(分子式C39H26N2O2S)：计算值：C，79.84；H，4.47；N，4.77；O，5.45；S，5.47；测试值：C，79.87；H，4.49；N，4.74；O，5.46；S，5.44。通过MALDI-TOF MS(m/z)分析得到：计算值586.2，测试值586.6。
制备例3
化合物P14按照以下路线合成：
具体步骤：将S5(6.0mmol)、S6(6.3mmol)、(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05mmol)、叔丁醇钠(10mmol)、叔丁基膦(0.25mmol)投入100mL三口烧瓶中，一面搅拌，一面迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入30mL甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流12小时。反应后，在放置冷却至室温的反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水进行洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得目标产物P14(4.56mmol、产率76％)。
对P14进行元素分析结构(分子式C32H23NO2SSi)：计算值：C，74.82；H，4.51；N，2.73；O，6.23；S，6.24；Si，5.47；测试值：C，74.85；H，4.53；N，2.70；O，6.24；S，6.22；Si，5.46。通过MALDI-TOF MS(m/z)分析得到：计算值513.1，测试值513.1。
制备例4
化合物P19按照以下路线合成：
具体步骤：将S7(6.0mmol)、S8(12.5mmol)、(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.08mmol)、叔丁醇钠(12mmol)、叔丁基膦(0.3mmol)投入100mL三口烧瓶中，一面搅拌，一面迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入30mL甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流12小时。反应后，在放置冷却至室温的反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水进行洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得中间体S9(5.1mmol、产率85％)。
对S9进行元素分析结构(分子式C39H29N3)：计算值：C，86.80；H，5.42；N，7.79；测试值：C，86.82；H，5.44；N，7.75。通过MALDI-TOF MS(m/z)分析得到：计算值539.2，测试值539.5。
具体步骤：将S9(7.0mmol)、S5(6.5mmol)、(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.09mmol)、叔丁醇钠(14mmol)、叔丁基膦(0.4mmol)投入100mL三口烧瓶中，一面搅拌，一面迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入35mL甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流12小时。反应后，在放置冷却至室温的反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水进行洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得目标产物P19(4.55mmol、产率70％)。
对P19进行元素分析结构(分子式C47H33N3O2S)：计算值：C，80.20；H，4.73；N，5.97；O，4.55；S，4.56；测试值：C，80.23；H，4.75；N，5.94；O，4.54；S，4.53。通过MALDI-TOF MS(m/z)分析得到：计算值703.2，测试值703.5。
制备例5
化合物P20按照以下路线合成：
具体步骤：将S2(6mmol)、S10(6.5mmol)、(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.085mmol)、叔丁醇钠(12mmol)、叔丁基膦(0.42mmol)投入100mL三口烧瓶中，一面搅拌，一面迅速反复3次脱气和氮气置换，通过注射器加入35mL甲苯。将该混合物在氮气气流下，加热回流12小时。反应后，在放置冷却至室温的反应溶液中添加水，利用二氯甲烷进行萃取，并利用饱和食盐水进行洗净。利用无水硫酸钠对有机层进行干燥后，将溶剂蒸馏去除，并使用柱层析法进行精制，获得中间体P20(4.74mmol、产率79％)。
对P20进行元素分析结构(分子式C26H15NO2S2)：计算值：C，71.37；H，3.46；N，3.20；O，7.31；S，14.66；测试值：C，71.40；H，3.48；N，3.18；O，7.30；S，14.64。通过MALDI-TOF MS(m/z)分析得到：计算值437.0，测试值437.2。
本发明提供的具有式(I)所示结构的化合物，可以通过类似的现有技术合成。
化合物的模拟计算：
运用密度泛函理论(DFT)，针对化合物P2～P21，利用Gaussian 09程序包在B3LYP/6-31G(d)计算水平下，优化并计算得到了分子前线轨道的分布情况；同时基于含时密度泛函理论(TDDFT)，模拟计算了分子的单线态能级S1和三线态能级T1，结果如表1所示。
表1 10种典型化合物的相关性能数据
化合物 HOMO(eV) LUMO(eV) S<sub>1</sub>(eV) T<sub>1</sub>(eV) △E<sub>ST</sub>(eV) Eg(eV)
P2 -5.40 -2.53 2.6400 2.6132 0.0268 2.87
P5 -5.56 -2.52 2.8887 2.8342 0.0545 3.04
P8 -5.34 -2.60 2.7757 2.7753 0.0004 2.74
P13 -5.61 -2.59 2.7574 2.7455 0.0119 3.02
P14 -5.67 -2.58 2.8112 2.7991 0.0121 3.09
P16 -5.03 -2.39 2.4637 2.4451 0.0186 2.64
P18 -5.42 -2.82 2.9013 2.8922 0.0091 2.60
P19 -5.44 -2.80 2.6938 2.6885 0.0053 2.64
P20 -5.61 -2.63 2.9314 2.9003 0.0311 2.98
P21 -5.57 -2.62 2.8899 2.8586 0.0313 2.95
在表1中，S1表示单线态能级，T1表示三线态能级，△EST表示单线态和三线态能级差，Eg表示HOMO-LUMO能级差。
由表1可以看出，所有化合物的△EST均小于0.3ev，实现了较小的单线态和三线态能级差，有利于提高反向系间窜越能力。
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种有机电致发光器件N1：
蒸镀法制备非掺杂有机电致发光器件的具体步骤：
将具有膜厚为100nm的ITO薄膜的阳极基板用蒸馏水、丙酮、异内醇超声清洗并放入烘箱干燥，通过UV处理表面30分钟，然后移至真空蒸镀腔中。在真空度为2×10-6Pa下开始蒸镀各层薄膜，蒸镀5nm厚的HATCN形成空穴注入层，蒸镀40nm厚的N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-NPD)，然后蒸镀10nm厚的4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成空穴传输层(HTL)。在空穴传输层上，蒸镀30nm厚的化合物P2形成发光层。然后在发光层上蒸镀二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦(TSPO1)形成5nm厚的空穴阻挡层(HBL)。在空穴阻挡层上1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyBP)以形成30nm的电子传输层(ETL)。在电子传输层上依次蒸镀2.5nm厚的LIF和100nm厚的Al作为电子注入层(EIL)和阴极，从而制成有机发光显示装置，性能测试结果如表2所示。
实施例2
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N2，将化合物P2替换为化合物P5。
实施例3
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N3，将化合物P2替换为化合物P8。
实施例4
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N4，将化合物P2替换为化合物P13。
实施例5
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N5，将化合物P2替换为化合物P14。
实施例6
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N6，将化合物P2替换为化合物P16。
实施例7
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N7，将化合物P2替换为化合物18。
实施例8
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N8，将化合物P2替换为化合物19。
实施例9
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N9，将化合物P2替换为化合物20。
实施例10
与实施例1的区别在于，提供一种有机电致发光器件N10，将化合物P2替换为化合物P21。
表2真空蒸镀法制备的非掺杂器件的性能结果
实施例11
本实施例提供一种有机电致发光器件N11：
蒸镀法制备掺杂有机电致发光器件N11的具体步骤：
将具有膜厚为100nm的ITO薄膜的阳极基板用蒸馏水、丙酮、异内醇超声清洗并放入烘箱干燥，通过UV处理表面30分钟，然后移至真空蒸镀腔中。在真空度为2×10-6Pa下开始蒸镀各层薄膜，蒸镀5nm厚的HATCN形成空穴注入层，蒸镀40nm厚的N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-NPD)，然后蒸镀10nm厚的4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成空穴传输层(HTL)。在空穴传输层上，用化合物P2作为发光层的掺杂材料，3,3'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯(mCBP)作为发光层的主体材料，同时蒸镀该掺杂材料和主体材料，形成30nm厚的发光层。然后在发光层上蒸镀二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦(TSPO1)形成5nm厚的空穴阻挡层(HBL)。在空穴阻挡层上1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyBP)以形成30nm的电子传输层(ETL)。在电子传输层上依次蒸镀2.5nm厚的LIF和100nm厚的Al作为电子注入层(EIL)和阴极，从而制成有机发光显示装置，性能测试结果如表3所示。
实施例12
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N12，将化合物P2替换为化合物P5。
实施例13
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N13，将化合物P2替换为化合物P8。
实施例14
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N14，将化合物P2替换为化合物P13。
实施例15
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N15，将化合物P2替换为化合物P14。
实施例16
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N16，将化合物P2替换为化合物P16。
实施例17
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N17，将化合物P2替换为化合物P18。
实施例18
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N18，将化合物P2替换为化合物P19。
实施例19
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N19，将化合物P2替换为化合物P20。
实施例20
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件N20，将化合物P2替换为化合物P21。
对比例1
与实施例11的区别在于，提供一种有机电致发光器件C1，将化合物P2替换为蓝光发光材料BCzVBi。
表3真空蒸镀法制备的掺杂器件性能结果
由表2和表3可以看出，以本发明提供的化合物为发光材料的非掺杂真空蒸镀法制备的器件取得了7.8％的最大外量子效率。这说明，得益于苯并噻吩砜基团的引入，使分子中D单元和A单元之间的作用更加强烈，分子扭曲强度增大，形成了较大的二面角，实现了HOMO轨道和LUMO的有效分离，减弱了由π-π堆积导致的激子淬灭问题，同时分子维持了一定的分子刚性，能够实现较高的光致发光量子产率PLQY，从而获得了较为满意的器件性能。
此外，由表3可以看出，同采用经典蓝光发光材料BCzVBi作为荧光掺杂剂的参比器件C1相比，N11～N20(掺杂)器件的EQE(max)均明显高于对比器件C1，这主要得益于本发明提供的化合物自身的TADF特性，可以利用传统荧光分子(如BCzVBi)跃迁禁阻的三线态激子来发光，从而提高了器件效率。
以本发明提供的化合物为掺杂体发光材料，mCBP为主体材料的掺杂器件取得了18.0％的最大外量子效率，与非掺杂型器件相比又有了进一步的提升，表明通过引入主体材料掺杂可以更好地避免π-π堆积效应，降低浓度淬熄现象。
实施例21
本实施例提供一种有机电致发光器件N21：
蒸镀法制备掺杂有机电致发光器件的具体步骤：
将具有膜厚为100nm的ITO薄膜的阳极基板用蒸馏水、丙酮、异内醇超声清洗并放入烘箱干燥，通过UV处理表面30分钟，然后移至真空蒸镀腔中。在真空度为2×10-6Pa下开始蒸镀各层薄膜，蒸镀5nm厚的HATCN形成空穴注入层，蒸镀40nm厚的N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-NPD)，然后蒸镀10nm厚的4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成空穴传输层(HTL)。在空穴传输层上，用红荧烯作为发光层的掺杂材料，化合物P2作为发光层的主体材料，同时蒸镀该掺杂材料和主体材料，形成30nm厚的发光层。然后在发光层上蒸镀二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦(TSPO1)形成5nm厚的空穴阻挡层(HBL)。在空穴阻挡层上1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyBP)以形成30nm的电子传输层(ETL)。在电子传输层上依次蒸镀2.5nm厚的LIF和100nm厚的Al作为电子注入层(EIL)和阴极，从而制成有机发光显示装置，性能测试结果如表4所示。
实施例22
与实施例21的区别在于，提供了一种有机电致发光器件N22，将红荧烯替换为Ir(ppy)3。
表4真空蒸镀法制备的掺杂器件性能结果
器件 V<sub>on</sub>[V] CE<sub>(10mA/cm</sub><sup>2</sup><sub>)</sub>(cd A<sup>-1</sup>) EQE<sub>(max)</sub>(％)
N21 4.65 15.4 9.2
N22 4.86 38.6 18.6
由表4可以看出，以本发明的化合物P2为主体材料，红荧烯和Ir(ppy)3为掺杂体材料的掺杂器件分别取得了9.2％和18.6％的最大外量子效率，说明本发明中的化合物可以作为荧光材料和磷光材料的主体材料。
实施例23
本实施例提供了一种有机电致发光器件N23：
溶液法制备掺杂器件的步骤如下：
将ITO玻璃依次使用丙酮、碱性洗液、超纯水、异丙醇各超声清洗两次，每次15分钟，然后用臭氧清洗机处理15分钟。向玻璃基底上喷墨打印40nm厚的PEDOT：PSS溶液，放置于真空烘箱120℃下45分钟烘干，在PEDOT：PSS上分别制备TAPC层和mCP层作为空穴传输层和电子阻挡层，分别配制PVK和化合物P2的邻二氯苯溶液(浓度为12mg/mL)，用移液枪移取50uL(5％)的化合物P2溶液加入到PVK溶液中，磁力搅拌均匀后涂布发光层，厚度为40nm。将基片转移到真空腔室进行热蒸发镀膜，制备电子传输层(TmPyPb，50nm)、电子注入层(LiF，0.5-1nm)和阴极(Al，100nm)，形成完整的器件，性能测试结果如表5所示。
实施例24
本实施例提供了一种有机电致发光器件N24：
溶液法制备非掺杂器件的步骤如下：
将ITO玻璃依次使用丙酮、碱性洗液、超纯水、异丙醇各超声清洗两次，每次15分钟，然后用臭氧清洗机处理15分钟。向玻璃基底上喷墨打印40nm厚的PEDOT：PSS溶液，放置于真空烘箱120℃下45分钟烘干，在PEDOT：PSS上分别制备TAPC层和mCP层作为空穴传输层和电子阻挡层，然后喷墨打印化合物P2的甲苯溶液(浓度为12mg/mL)作为发光层，厚度为40nm。将基片转移到真空腔室进行热蒸发镀膜，制备电子传输层(TmPyPb，50nm)、电子注入层(LiF，0.5-1nm)和阴极(Al，100nm)，形成完整的器件，性能测试结果如表5所示。
表5溶液法制备的器件性能结果
器件 Von[V] CE(10mA/cm2)(cd A-1) EQE<sub>(max)</sub>(％)
N23 4.58 23.5 13.6
N24 4.30 11.4 6.5
由表5可以看出，溶液法制备的以本发明的化合物为发光材料的非掺杂和掺杂器件分别取得了6.5％和13.6％的最大外量子效率。与蒸镀法相比，性能均略有下降，可能是溶液法加工中残留的溶剂带来的性能下降。
有机光电装置的性能评价：
用Keithley 2365A数字纳伏表测试根据测试例以及对比例中制造的有机光电装置在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到有机光电装置的在不同电压下的电流密度。用Konicaminolta CS-2000分光辐射亮度计测试根据测试例以及对比例制作的有机光电装置在不同电压下的亮度和辐射能流密度。根据有机光电装置在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度下(10mA/cm2)的电流效率(Cd/A)和外量子效率EQE。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (21)

1.一种热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料为具有式(I)结构的化合物中的任意1种或至少2种的组合：
式(I)中，所述D选自取代或未取代的二芳香胺基团、取代或未取代的咔唑基团、取代或未取代的咔唑衍生物基团、取代或未取代的吖啶基团、取代或未取代的吖啶衍生物基团，所述D基团通过氮原子接入式(I)结构；
式(I)中，L选自取代或未取代的芳香基团中的任意1种；
式(I)中，n1为0或1，n2为0、1、2、3、4或5；
式(I)中，m为0～6中的任意整数；
R1选自取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基中的任意1种。
2.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述n2不为0，所述R1基团取代在式(I)结构D-基团或D-L-基团的邻位。
3.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述n2不为0，所述R1基团取代在式(I)结构D-基团或D-L-基团的间位或者对位。
4.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述D-L-基团取代在式(I)结构的化合物中的4位或7位。
5.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述D-L-基团取代在式(I)结构的化合物中的5位或6位。
6.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述D-L-基团取代在式(I)结构的化合物中的2位或3位。
7.如权利要求4～6任意一项所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述n1为0。
8.如权利要求4～6任意一项所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述n1为1。
9.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述n1为0，且n2为0。
10.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，式(I)中，所述取代或未取代的吖啶基团、取代或未取代的吖啶衍生物基团均各自独立地选自如下结构中的任意1种：
其中，X1和X2为碳原子、氮原子、硅原子、氧原子、硫原子中的任意1个；
R4、R5、R6和R7均各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团；
其中，所述r和s均各自独立地选自0、1、2或3；
其中，所述X1和X2为碳原子或硅原子，p和q各自独立地选自0、1或2；或者所述X1和X2为氮原子，p和q各自独立地选自0或1；或者所述X1和X2为氧原子或硫原子，p和q均为0。
11.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，式(I)中，所述取代或未取代的咔唑基团、取代或未取代的咔唑衍生物基团均各自独立地选自如下结构中的任意1种：
其中，X3为碳原子、氮原子、硅原子、氧原子、硫原子中的任意1个；
R4、R5和R6均各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团；
其中，所述r和s均各自独立地选自0、1、2或3；
其中，所述X3为碳原子或硅原子，p选自0、1或2；或者所述X3为氮原子，p选自0或1；或者所述X3为氧原子或硫原子，p为0。
12.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述取代或未取代的二芳香胺基团为
其中，R4和R5均各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团；
所述r和s均各自独立地选自0、1、2或3。
13.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述D选自如下基团中的任意1种：
其中，R8选自氢原子、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的C3-C40的吖嗪基及其衍生物基团。
14.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料选自如下化合物中的任意1种或至少2种的组合：
15.根据要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物的最低单重态能级S1与最低三重态能级T1之间的能级差ΔEst＝ES1-ET1≦0.30eV。
16.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述化合物的ΔEst≤0.15eV。
17.一种有机发光显示装置，包括阳极、阴极、以及位于阳极和阴极之间的发光层，以及空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任意1种或至少2种的组合，其中发光层的发光材料包括权利要求1～16中任一项所述的化合物中的1种或至少2种的组合。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，所述发光层包括权利要求1～16中任意一项所述热激活延迟荧光材料中的任意1种或至少2种的组合，且所述化合物用作客体材料或主体材料中的任意1种。
19.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述发光层包括主体材料和客体材料，其中，所述客体材料选自权利要求1～16任一项所述化合物中的1种或至少2种组合；
所述主体材料的HOMO能级与所述客体材料的HOMO能级之差小于0.6eV，或所述主体材料的LUMO能级与所述客体材料的LUMO能级之差小于0.6eV。
20.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述发光层的发光材料包括主体材料和客体材料，所述主体材料选自权利要求1～16任一项所述化合物中的任意1种或至少2种组合；
所述主体材料的HOMO能级与所述客体材料的HOMO能级之差小于0.6eV，或所述主体材料的LUMO能级与所述客体材料的LUMO能级之差小于0.6eV。
21.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述发光层的发光材料包括主体材料和客体材料，主体材料选自权利要求1～16任一项所述化合物中的任意1种或至少2种组合；
所述客体材料的三重态能级小于所述主体材料的三重态能级，且主体材料的三重态能级与客体材料的三重态能级之差小于1.0eV。
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