JP2001313174A - 発光素子 - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】電気エネルギーの利用効率が高く、多色発光が
可能な発光素子を提供する。 【解決手段】正極と負極の間に発光物質が存在し、電気
エネルギーにより発光する素子であって、素子が一般式
1のチオフェンジオキサイド誘導体を含む発光素子。 (R1〜R8はそれぞれ同じでも異なってもよく、水
素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸
基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア
リールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール
基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケ
ン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニ
ル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、
アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基又は隣
接置換基との間に形成される環構造である。)
可能な発光素子を提供する。 【解決手段】正極と負極の間に発光物質が存在し、電気
エネルギーにより発光する素子であって、素子が一般式
1のチオフェンジオキサイド誘導体を含む発光素子。 (R1〜R8はそれぞれ同じでも異なってもよく、水
素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸
基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア
リールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール
基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケ
ン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニ
ル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、
アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基又は隣
接置換基との間に形成される環構造である。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関する。
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】負極から注入された電子と正極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下
での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が
特徴であり注目を集めている。
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下
での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が
特徴であり注目を集めている。
【0003】この研究は、コダック社のC.W.Tan
gらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来(Appl.Phys.Lett.51(12)
21,p.913,1987)、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であるトリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体、そして負極
としてMg:Agを順次設けたものであり、10V程度
の駆動電圧で1,000cd/m2の緑色発光が可能で
あった。現在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構
成要素の他に電子輸送層を設けているものなど構成を変
えているものもあるが、基本的にはコダック社の構成を
踏襲している。
gらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来(Appl.Phys.Lett.51(12)
21,p.913,1987)、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であるトリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体、そして負極
としてMg:Agを順次設けたものであり、10V程度
の駆動電圧で1,000cd/m2の緑色発光が可能で
あった。現在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構
成要素の他に電子輸送層を設けているものなど構成を変
えているものもあるが、基本的にはコダック社の構成を
踏襲している。
【0004】多色発光の中では緑色発光材料の研究が最
も進んでおり、現在は赤色発光材料と青色発光材料にお
いて、耐久性に優れ十分な輝度と色純度特性を示すもの
が望まれ、特性向上を目指して鋭意研究がなされてい
る。
も進んでおり、現在は赤色発光材料と青色発光材料にお
いて、耐久性に優れ十分な輝度と色純度特性を示すもの
が望まれ、特性向上を目指して鋭意研究がなされてい
る。
【0005】青色発光材料としては、キノリノール誘導
体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルアリ
ーレン誘導体、ジフェニルアントラセン誘導体などが挙
げられる。
体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルアリ
ーレン誘導体、ジフェニルアントラセン誘導体などが挙
げられる。
【0006】赤色発光材料としては、ビス(ジイソプロ
ピルフェニル)ペリレンなどのペリレン系、ペリノン
系、ポルフィリン系、Eu錯体(Chem. Lett., 1267(19
91))などが挙げられる。
ピルフェニル)ペリレンなどのペリレン系、ペリノン
系、ポルフィリン系、Eu錯体(Chem. Lett., 1267(19
91))などが挙げられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術に用
いられる発光材料(ホスト材料、ドーパント材料)に
は、発光効率が低く消費電力が高いものや、色純度が低
いものが多かった。
いられる発光材料(ホスト材料、ドーパント材料)に
は、発光効率が低く消費電力が高いものや、色純度が低
いものが多かった。
【0008】本発明は、かかる問題を解決し、電気エネ
ルギーの利用効率が高く、多色発光が可能な発光素子を
提供することを目的とするものである。
ルギーの利用効率が高く、多色発光が可能な発光素子を
提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は正極と負極の間
に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素
子であって、該素子がチオフェンジオキサイド誘導体を
含むことを特徴とする発光素子である。
に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素
子であって、該素子がチオフェンジオキサイド誘導体を
含むことを特徴とする発光素子である。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明において正極は、光を取り
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化
錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、ある
いは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定されるもの
でないが、ITOガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば3
00Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機
能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能
になっていることから、低抵抗品を使用することが特に
望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ
事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられ
ることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5
mm以上あれば十分である。ガラスの材質については、
ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカ
リガラスの方が好ましいが、SiO2 などのバリアコ
ートを施したソーダライムガラスも市販されているので
これを使用できる。ITO膜形成方法は、電子線ビーム
法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受け
るものではない。
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化
錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、ある
いは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定されるもの
でないが、ITOガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば3
00Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機
能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能
になっていることから、低抵抗品を使用することが特に
望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ
事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられ
ることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5
mm以上あれば十分である。ガラスの材質については、
ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカ
リガラスの方が好ましいが、SiO2 などのバリアコ
ートを施したソーダライムガラスも市販されているので
これを使用できる。ITO膜形成方法は、電子線ビーム
法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受け
るものではない。
【0011】負極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウ
ム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウム、マグネシウムなどがあげられるが、電子注入効率
をあげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナト
リウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこ
れら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、
これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であ
ることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグ
ネシウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)をドー
ピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい
例として挙げることができるが、フッ化リチウムのよう
な無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定
されるものではない。更に電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チ
タニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコー
ル、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層すること
が好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法
も抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプ
レーティング、コーティングなど導通を取ることができ
れば特に制限されない。
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウ
ム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウム、マグネシウムなどがあげられるが、電子注入効率
をあげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナト
リウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこ
れら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、
これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であ
ることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグ
ネシウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)をドー
ピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい
例として挙げることができるが、フッ化リチウムのよう
な無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定
されるものではない。更に電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チ
タニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコー
ル、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層すること
が好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法
も抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプ
レーティング、コーティングなど導通を取ることができ
れば特に制限されない。
【0012】本発明における発光物質とは、1)正孔輸
送層/発光層、2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、
3)発光層/電子輸送層、4)正孔輸送層/発光層/正
孔阻止層、5)正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子
輸送層、6)発光層/正孔阻止層/電子輸送層そして、
7)以上の組合わせ物質を一層に混合した形態のいずれ
であってもよい。即ち、素子構成としては、上記1)〜
6)の多層積層構造の他に7)のように発光材料単独ま
たは発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む層を
一層設けるだけでもよい。さらに、本発明における発光
物質は自ら発光するもの、その発光を助けるもののいず
れにも該当し、発光に関与している化合物、層などを指
すものである。
送層/発光層、2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、
3)発光層/電子輸送層、4)正孔輸送層/発光層/正
孔阻止層、5)正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子
輸送層、6)発光層/正孔阻止層/電子輸送層そして、
7)以上の組合わせ物質を一層に混合した形態のいずれ
であってもよい。即ち、素子構成としては、上記1)〜
6)の多層積層構造の他に7)のように発光材料単独ま
たは発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む層を
一層設けるだけでもよい。さらに、本発明における発光
物質は自ら発光するもの、その発光を助けるもののいず
れにも該当し、発光に関与している化合物、層などを指
すものである。
【0013】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合するか正孔輸送性物質と高
分子結着剤の混合物により形成され、正孔輸送性物質と
してはN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチ
ルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジア
ミン、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−
4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミンなどのトリ
フェニルアミン類、ビス(N−アリルカルバゾール)ま
たはビス(N−アルキルカルバゾール)類、ピラゾリン
誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オ
キサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフ
ィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系で
は前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレ
ン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが
好ましいが、素子作製に必要な薄膜を形成し、正極から
正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であ
れば特に限定されるものではない。
種類以上の物質を積層、混合するか正孔輸送性物質と高
分子結着剤の混合物により形成され、正孔輸送性物質と
してはN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチ
ルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジア
ミン、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−
4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミンなどのトリ
フェニルアミン類、ビス(N−アリルカルバゾール)ま
たはビス(N−アルキルカルバゾール)類、ピラゾリン
誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オ
キサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフ
ィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系で
は前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレ
ン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが
好ましいが、素子作製に必要な薄膜を形成し、正極から
正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であ
れば特に限定されるものではない。
【0014】発光層は発光材料(ホスト材料、ドーパン
ト材料)により形成され、これはホスト材料とドーパン
ト材料との混合物であっても、ホスト材料単独であって
も、いずれでもよい。ホスト材料とドーパント材料は、
それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであって
も、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全
体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれ
であってもよい。ドーパント材料は積層されていても、
分散されていても、いずれであってもよい。
ト材料)により形成され、これはホスト材料とドーパン
ト材料との混合物であっても、ホスト材料単独であって
も、いずれでもよい。ホスト材料とドーパント材料は、
それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであって
も、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全
体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれ
であってもよい。ドーパント材料は積層されていても、
分散されていても、いずれであってもよい。
【0015】発光材料としてはチオフェンジオキサイド
誘導体が好適に用いられる。チオフェンジオキサイド誘
導体はその高い電子親和力のために電子輸送性に優れ、
また蛍光量子収率が高いため高輝度発光を得ることがで
きる。また置換基や縮合する環の数や種類を変えること
で青色〜赤色までの多色発光が容易に実現できることも
大きな利点である。
誘導体が好適に用いられる。チオフェンジオキサイド誘
導体はその高い電子親和力のために電子輸送性に優れ、
また蛍光量子収率が高いため高輝度発光を得ることがで
きる。また置換基や縮合する環の数や種類を変えること
で青色〜赤色までの多色発光が容易に実現できることも
大きな利点である。
【0016】上記チオフェンジオキサイド誘導体として
下記一般式(1)で表される化合物が好適に用いられ
る。
下記一般式(1)で表される化合物が好適に用いられ
る。
【0017】
【化3】
【0018】ここでR1〜R8はそれぞれ同じでも異なっ
ていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、
アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、ア
ルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエー
テル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカ
ン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒ
ド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カ
ルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキ
サニル基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中
から選ばれる。
ていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、
アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、ア
ルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエー
テル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカ
ン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒ
ド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カ
ルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキ
サニル基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中
から選ばれる。
【0019】これらの置換基の内、アルキル基とは例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽
和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換され
ていてもかまわない。また、シクロアルキル基とは例え
ばシクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、ア
ダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、アラル
キル基とは例えばベンジル基、フェニルエチル基などの
脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪
族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換
されていてもかまわない。また、アルケニル基とは例え
ばビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合
を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換で
も置換されていてもかまわない。また、シクロアルケニ
ル基とは例えばシクロペンテニル基、シクロペンタジエ
ニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を含む不飽和
脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されて
いてもかまわない。また、アルキニル基とは例えばアセ
チレニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素
基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわな
い。また、アルコキシ基とは例えばメトキシ基などのエ
ーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭
化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。ま
た、アルキルチオ基とはアルコキシ基のエーテル結合の
酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。また、ア
リールエーテル基とは例えばフェノキシ基などのエーテ
ル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水
素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、
アリールチオエーテル基とはアリールエーテル基のエー
テル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものであ
る。また、アリール基とは例えばフェニル基、ナフチル
基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル
基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、複素環
基とは例えばフリル基、チエニル基、オキサゾリル基、
ピリジル基、キノリル基、カルバゾリル基などの炭素以
外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも
置換されていてもかまわない。ハロゲンとはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素を示す。ハロアルカン、ハロアルケ
ン、ハロアルキンとは例えばトリフルオロメチル基など
の、前述のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基の
一部あるいは全部が、前述のハロゲンで置換されたもの
を示し、残りの部分は無置換でも置換されていてもかま
わない。アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カ
ルバモイル基、アミノ基には脂肪族炭化水素、脂環式炭
化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換されたもの
も含み、さらに脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香
族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかま
わない。シリル基とは例えばトリメチルシリル基などの
ケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されてい
てもかまわない。シロキサニル基とは例えばトリメチル
シロキサニル基などのエーテル結合を介したケイ素化合
物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわ
ない。隣接置換基との間に形成される縮合環または脂肪
族環は無置換でも置換されていてもかまわない。
ばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽
和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換され
ていてもかまわない。また、シクロアルキル基とは例え
ばシクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、ア
ダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、アラル
キル基とは例えばベンジル基、フェニルエチル基などの
脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪
族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換
されていてもかまわない。また、アルケニル基とは例え
ばビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合
を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換で
も置換されていてもかまわない。また、シクロアルケニ
ル基とは例えばシクロペンテニル基、シクロペンタジエ
ニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を含む不飽和
脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されて
いてもかまわない。また、アルキニル基とは例えばアセ
チレニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素
基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわな
い。また、アルコキシ基とは例えばメトキシ基などのエ
ーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭
化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。ま
た、アルキルチオ基とはアルコキシ基のエーテル結合の
酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。また、ア
リールエーテル基とは例えばフェノキシ基などのエーテ
ル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水
素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、
アリールチオエーテル基とはアリールエーテル基のエー
テル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものであ
る。また、アリール基とは例えばフェニル基、ナフチル
基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル
基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、複素環
基とは例えばフリル基、チエニル基、オキサゾリル基、
ピリジル基、キノリル基、カルバゾリル基などの炭素以
外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも
置換されていてもかまわない。ハロゲンとはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素を示す。ハロアルカン、ハロアルケ
ン、ハロアルキンとは例えばトリフルオロメチル基など
の、前述のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基の
一部あるいは全部が、前述のハロゲンで置換されたもの
を示し、残りの部分は無置換でも置換されていてもかま
わない。アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カ
ルバモイル基、アミノ基には脂肪族炭化水素、脂環式炭
化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換されたもの
も含み、さらに脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香
族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかま
わない。シリル基とは例えばトリメチルシリル基などの
ケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されてい
てもかまわない。シロキサニル基とは例えばトリメチル
シロキサニル基などのエーテル結合を介したケイ素化合
物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわ
ない。隣接置換基との間に形成される縮合環または脂肪
族環は無置換でも置換されていてもかまわない。
【0020】また、上記チオフェンジオキサイド誘導体
として下記一般式(2)で表される化合物も同様に好適
に用いられる。
として下記一般式(2)で表される化合物も同様に好適
に用いられる。
【0021】
【化4】
【0022】ここでR9〜R14はそれぞれ同じでも異な
っていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
アルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、ア
ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構
造、の中から選ばれる。これらの置換基の説明は上述し
たものと同様である。
っていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
アルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、ア
ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構
造、の中から選ばれる。これらの置換基の説明は上述し
たものと同様である。
【0023】上記チオフェンジオキサイド誘導体の好適
な例として、特に限定されるものではないが、具体的に
は下記のような構造が挙げられる。
な例として、特に限定されるものではないが、具体的に
は下記のような構造が挙げられる。
【0024】
【化5】
【0025】
【化6】
【0026】上記チオフェンジオキサイド誘導体は、ド
ーパント材料としてもホスト材料としても使用すること
ができる。
ーパント材料としてもホスト材料としても使用すること
ができる。
【0027】ドーピング量は、通常多すぎると濃度消光
現象が起きるため、通常ホスト材料に対して10重量%
以下で用いることが好ましく、更に好ましくは2%以下
である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸
着法によって形成することができるが、ホスト材料と予
め混合してから同時に蒸着しても良い。
現象が起きるため、通常ホスト材料に対して10重量%
以下で用いることが好ましく、更に好ましくは2%以下
である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸
着法によって形成することができるが、ホスト材料と予
め混合してから同時に蒸着しても良い。
【0028】また、ドーパント材料およびホスト材料
は、いずれもそれぞれ一種のみに限定する必要はなく、
本発明の化合物を複数混合して用いたり、あるいは既知
のドーパント材料およびホスト材料の一種類以上を本発
明の化合物と混合して用いてもよい。この場合の既知の
ドーパント材料としてはイソベンゾフラン誘導体、ペリ
レン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、カルバゾー
ル誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、チオキサン
テン誘導体、アザチオキサンテン誘導体、パイロメタン
誘導体などが挙げられ、また既知のホスト材料としては
キノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導
体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジフェニルアントラ
セン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタルイミド誘導体、
ジケトピロロピロール誘導体などが挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
は、いずれもそれぞれ一種のみに限定する必要はなく、
本発明の化合物を複数混合して用いたり、あるいは既知
のドーパント材料およびホスト材料の一種類以上を本発
明の化合物と混合して用いてもよい。この場合の既知の
ドーパント材料としてはイソベンゾフラン誘導体、ペリ
レン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、カルバゾー
ル誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、チオキサン
テン誘導体、アザチオキサンテン誘導体、パイロメタン
誘導体などが挙げられ、また既知のホスト材料としては
キノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導
体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジフェニルアントラ
セン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタルイミド誘導体、
ジケトピロロピロール誘導体などが挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
【0029】本発明における電子輸送性材料としては、
電界を与えられた電極間において負極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム錯体に代表されるキノリ
ノール誘導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノ
ール金属錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフ
タレン、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ア
ルダジン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導
体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体、キノキ
サリン誘導体などが挙げられるが特に限定されるもので
はない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられる
が、異なる電子輸送材料と積層または混合して使用して
も構わない。
電界を与えられた電極間において負極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム錯体に代表されるキノリ
ノール誘導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノ
ール金属錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフ
タレン、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ア
ルダジン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導
体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体、キノキ
サリン誘導体などが挙げられるが特に限定されるもので
はない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられる
が、異なる電子輸送材料と積層または混合して使用して
も構わない。
【0030】正孔阻止層は正孔阻止性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合することにより形成され、
正孔阻止性物質としてはフェナントロリン誘導体、シロ
ール誘導体、キノリノール誘導体金属錯体、オキサジア
ゾール誘導体、オキサゾール誘導体などが好ましいが、
正孔が負極側から素子外部に流れ出てしまい発光効率が
低下するのを阻止することができる化合物であれば特に
限定されるものではない。
種類以上の物質を積層、混合することにより形成され、
正孔阻止性物質としてはフェナントロリン誘導体、シロ
ール誘導体、キノリノール誘導体金属錯体、オキサジア
ゾール誘導体、オキサゾール誘導体などが好ましいが、
正孔が負極側から素子外部に流れ出てしまい発光効率が
低下するのを阻止することができる化合物であれば特に
限定されるものではない。
【0031】本発明のチオフェンジオキサイド誘導体は
上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層、正孔阻止層のい
ずれにも好適に用いることができるが、薄膜状態で色純
度が高く強度の大きい蛍光を有しているため、発光材料
として発光層に適用することがより好ましい。
上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層、正孔阻止層のい
ずれにも好適に用いることができるが、薄膜状態で色純
度が高く強度の大きい蛍光を有しているため、発光材料
として発光層に適用することがより好ましい。
【0032】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層、
正孔阻止層に用いられる材料は単独で各層を形成するこ
とができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカル
バゾール)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメ
タクリレート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフ
ェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、
ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリア
ミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポ
リウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹
脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させ
て用いることも可能である。
正孔阻止層に用いられる材料は単独で各層を形成するこ
とができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカル
バゾール)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメ
タクリレート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフ
ェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、
ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリア
ミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポ
リウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹
脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させ
て用いることも可能である。
【0033】発光物質の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティ
ング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵
抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好ましい。層の
厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することは
できないが、1〜1000nmの間から選ばれる。
子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティ
ング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵
抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好ましい。層の
厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することは
できないが、1〜1000nmの間から選ばれる。
【0034】電気エネルギーとは主に直流電流を指す
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
【0035】本発明におけるマトリクスとは、表示のた
めの画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合
で文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途に
よって決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画
像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四
角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型デ
ィスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用い
ることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を
配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青
の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデル
タタイプとストライプタイプがある。そして、このマト
リクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティ
ブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構
造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮し
た場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があ
るので、これも用途によって使い分けることが必要であ
る。
めの画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合
で文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途に
よって決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画
像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四
角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型デ
ィスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用い
ることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を
配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青
の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデル
タタイプとストライプタイプがある。そして、このマト
リクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティ
ブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構
造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮し
た場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があ
るので、これも用途によって使い分けることが必要であ
る。
【0036】本発明におけるセグメントタイプとは、予
め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、
決められた領域を発光させることになる。例えば、デジ
タル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ
機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車のパネル
表示などがあげられる。そして、前記マトリクス表示と
セグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよ
い。
め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、
決められた領域を発光させることになる。例えば、デジ
タル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ
機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車のパネル
表示などがあげられる。そして、前記マトリクス表示と
セグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよ
い。
【0037】また本発明の発光素子はバックライトとし
ても好適に用いることができる。バックライトとは、主
に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使
用され、液晶表示装置、時計、オーディオ機器、自動車
パネル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表示
装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途の
バックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光
板からなっているため薄型化が困難であることを考える
と本発明におけるバックライトは、薄型、軽量が特徴に
なる。
ても好適に用いることができる。バックライトとは、主
に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使
用され、液晶表示装置、時計、オーディオ機器、自動車
パネル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表示
装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途の
バックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光
板からなっているため薄型化が困難であることを考える
と本発明におけるバックライトは、薄型、軽量が特徴に
なる。
【0038】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
【0039】実施例1 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、エッチングを行った。得られた
基板をアセトン、”セミコクリン56”で各々15分間
超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプ
ロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタ
ノールに15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素
子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸
着装置内に設置して、装置内の真空度が1×10-5Pa
以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正
孔輸送材料としてN,N’−ジフェニル−N,N’−
(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,
4’−ジアミン(TPD)を50nmの厚さに蒸着し、
正孔輸送層を形成した。次に発光材料として下記に示す
EM1を15nmの厚さに蒸着し、発光層を形成した。
次に2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10
−フェナントロリン(バソクプロイン)を35nmの厚
さに蒸着して電子輸送層を形成し、最後にリチウムを
0.5nm、銀を150nm蒸着して負極を形成し、5
×5mm角の素子を作製した。
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、エッチングを行った。得られた
基板をアセトン、”セミコクリン56”で各々15分間
超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプ
ロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタ
ノールに15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素
子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸
着装置内に設置して、装置内の真空度が1×10-5Pa
以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正
孔輸送材料としてN,N’−ジフェニル−N,N’−
(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,
4’−ジアミン(TPD)を50nmの厚さに蒸着し、
正孔輸送層を形成した。次に発光材料として下記に示す
EM1を15nmの厚さに蒸着し、発光層を形成した。
次に2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10
−フェナントロリン(バソクプロイン)を35nmの厚
さに蒸着して電子輸送層を形成し、最後にリチウムを
0.5nm、銀を150nm蒸着して負極を形成し、5
×5mm角の素子を作製した。
【0040】
【化7】
【0041】この発光素子からは、ピーク波長が480
nm、最高輝度が1553cd/m2の高輝度の青色発
光が得られた。
nm、最高輝度が1553cd/m2の高輝度の青色発
光が得られた。
【0042】実施例2 発光材料として下記に示すEM2を用いた以外は実施例
1と同様にして発光素子を作製した。
1と同様にして発光素子を作製した。
【0043】
【化8】
【0044】この発光素子からは、ピーク波長が535
nm、最高輝度が541cd/m2の高輝度の白色発光
が得られた。
nm、最高輝度が541cd/m2の高輝度の白色発光
が得られた。
【0045】実施例3 発光材料として下記に示すEM3を用いた以外は実施例
1と同様にして発光素子を作製した。
1と同様にして発光素子を作製した。
【0046】
【化9】
【0047】この発光素子からは、ピーク波長が615
nm、最高輝度が110cd/m2の橙色発光が得られ
た。
nm、最高輝度が110cd/m2の橙色発光が得られ
た。
【0048】比較例1 発光材料として下記に示すEM4を用いた以外は実施例
1と同様にして発光素子を作製した。
1と同様にして発光素子を作製した。
【0049】
【化10】
【0050】この発光素子からは、発光が得られなかっ
た。
た。
【0051】実施例4 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって
300μmピッチ(残り幅270μm)×32本のスト
ライプ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺
方向片側は外部との電気的接続を容易にするために1.
27mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてあ
る。得られた基板をアセトン、”セミコクリン56”で
各々15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。
続いてイソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄し
てから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。
この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処
理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5
×10-4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によ
って、まず前記TPDを100nm蒸着した。次に発光
材料として前記EM1を50nmの厚さに蒸着した。次
に厚さ50μmのコバール板にウエットエッチングによ
って16本の250μmの開口部(残り幅50μm、3
00μmピッチに相当)を設けたマスクを、真空中でI
TOストライプに直交するようにマスク交換し、マスク
とITO基板が密着するように裏面から磁石で固定し
た。そしてマグネシウムを50nm、アルミニウムを1
50nm蒸着して32×16ドットマトリクス素子を作
製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロス
トークなく文字表示できた。
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって
300μmピッチ(残り幅270μm)×32本のスト
ライプ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺
方向片側は外部との電気的接続を容易にするために1.
27mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてあ
る。得られた基板をアセトン、”セミコクリン56”で
各々15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。
続いてイソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄し
てから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。
この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処
理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5
×10-4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によ
って、まず前記TPDを100nm蒸着した。次に発光
材料として前記EM1を50nmの厚さに蒸着した。次
に厚さ50μmのコバール板にウエットエッチングによ
って16本の250μmの開口部(残り幅50μm、3
00μmピッチに相当)を設けたマスクを、真空中でI
TOストライプに直交するようにマスク交換し、マスク
とITO基板が密着するように裏面から磁石で固定し
た。そしてマグネシウムを50nm、アルミニウムを1
50nm蒸着して32×16ドットマトリクス素子を作
製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロス
トークなく文字表示できた。
【0052】
【発明の効果】本発明は、電気エネルギーの利用効率が
高く、多色発光が可能な発光素子を提供できるものであ
る。
高く、多色発光が可能な発光素子を提供できるものであ
る。
Claims (5)
- 【請求項1】正極と負極の間に発光物質が存在し、電気
エネルギーにより発光する素子であって、該素子がチオ
フェンジオキサイド誘導体を含むことを特徴とする発光
素子。 - 【請求項2】前記チオフェンジオキサイド誘導体が一般
式(1)で表されることを特徴とする請求項1記載の発
光素子。 【化1】 (ここでR1〜R8はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
く、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル
基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、
アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロ
アルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カ
ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中から選
ばれる。) - 【請求項3】前記チオフェンジオキサイド誘導体が一般
式(2)で表されることを特徴とする請求項1記載の発
光素子。 【化2】 (ここでR9〜R14はそれぞれ同じでも異なっていても
よく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキ
ル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル
基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、
アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロ
アルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カ
ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
基、隣接置換基との間に形成される環構造、の中から選
ばれる。) - 【請求項4】前記チオフェンジオキサイド誘導体が発光
材料であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 【請求項5】マトリクスおよび/またはセグメント方式
によって表示するディスプレイであることを特徴とする
請求項1記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000127124A JP2001313174A (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000127124A JP2001313174A (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001313174A true JP2001313174A (ja) | 2001-11-09 |
Family
ID=18636771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000127124A Pending JP2001313174A (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001313174A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7674822B2 (en) | 2004-11-24 | 2010-03-09 | Wyeth | PTP1b inhibitors |
CN106566533A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-04-19 | 华南理工大学 | 基于稠环氧化噻吩有机发光材料及其制备方法和应用 |
CN109134446A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置 |
-
2000
- 2000-04-27 JP JP2000127124A patent/JP2001313174A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7674822B2 (en) | 2004-11-24 | 2010-03-09 | Wyeth | PTP1b inhibitors |
CN106566533A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-04-19 | 华南理工大学 | 基于稠环氧化噻吩有机发光材料及其制备方法和应用 |
CN109134446A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置 |
CN109134446B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-03-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种热激活延迟荧光材料及包含其的有机发光显示装置 |
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