CN112234148A - 发光二极管、显示面板、显示装置和发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了发光二极管、显示面板、显示装置和发光装置。发光二极管包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，发光二极管满足以下条件至少之一：空穴传输层的折射率大于等于2；电子传输层的折射率大于等于2；空穴注入层的折射率小于等于1.8；电子注入层的折射率小于等于1.8。可以有效减小SPP损耗，达到对发光二极管内部光子模态分布曲线的优化，提高可出射的模态部分，从而提高发光二极管的外量子效率，且同时保证较佳的微腔增益和良好的电学性能，进而使得发光二极管具有优异的使用性能；而且，无需引入外部结构，不破坏发光二极管的电学基础，即可大幅度提升发光二极管的EQE，进而提高发光二极管的发光效率。

Description

发光二极管、显示面板、显示装置和发光装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及发光二极管、显示面板、显示装置和发光装置。
背景技术
现有的发光二极管器件的内量子效率基本可以达到将近100％，但器件的EQE(外量子效率)却仍旧处于较低的水平(在20％～30％)。这是因为对于平面结构的发光二极管器件来说，基于电磁波在多介质膜层传播的原理，发光二极管器件内，通过激子复合跃迁后发出的电磁波由于全反射的作用，或者近场光子和金属表面振荡电子形成的混合激发态，导致大量(70％以上)光子被限域在发光二极管器件内部或者被SPP(有机膜与金属截面表面等离子体)损耗掉而无法出射，使得器件的外量子效率低于30％。
所以，如何将被限制或者被损耗掉的70％的光子恢复和取出(即提高外量子效率)，是进一步大幅提高发光二极管器件效率的关键所在。针对上述问题，现在主流的方案为通过改善器件外部结构如光栅、Lens(透镜)、光子晶体等结构设计，破坏器件内部的波导效应、降低SPP损耗。但上述方法会增加工艺制程的复杂性、破坏器件的电学结构、破坏微腔增益等问题，量产性具有较大困难。
因此，关于发光二极管的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种发光二极管，该发光二极管具有较高的外量子效率(EQE)。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种发光二极管。根据本发明的实施例，发光二极管包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述发光二极管满足以下条件至少之一：所述空穴传输层的折射率大于等于2；所述电子传输层的折射率大于等于2；所述空穴注入层的折射率小于等于1.8；所述电子注入层的折射率小于等于1.8。由此，空穴传输层和电子传输层具有较高的折射率，可以有效保证良好的微腔增益；与阴极相邻的电子注入层和与阳极相邻的空穴注入层的折射率较低，可以有效减小SPP损耗，达到对发光二极管内部光子模态分布曲线的优化，提高可出射的模态部分。故而上述设置要求可以有效提高发光二极管的外量子效率(或者说光取出效率)，即提升发光二极管的光耦合输出效率，且同时保证良好的电学性能，进而使得发光二极管具有优异的使用性能；此外，本申请的发光二极管无需引入外部结构，不破坏发光二极管的电学基础，即可大幅度提升发光二极管的EQE，进而提高发光二极管的发光效率。
根据本发明的实施例，所述空穴传输层的折射率为2～2.5，所述电子传输层的折射率为2～2.5。
根据本发明的实施例，所述空穴注入层的折射率为1.5～1.8，所述电子注入层的折射率为1.5～1.8。
根据本发明的实施例，所述空穴传输层的折射率和所述电子传输层的折射率均为2.2，所述空穴注入层和所述电子注入层的折射率均为1.6。
根据本发明的实施例，发光二极管还包括：光耦合层，所述光耦合层设置在所述阴极远离所述阳极的表面上，其中，所述光耦合层的至少一部分材料与空穴传输层或所述电子传输层的材料相同。
根据本发明的实施例，所述发光层的折射率为小于等于1.7。
根据本发明的实施例，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；所述空穴传输层的材料为MoO3；所述电子传输层的材料为Liq；所述电子注入层的材料为Bphen：Li；所述光耦合层的材料CPL和LiF。
根据本发明的实施例，所述发光层包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层。
根据本发明的实施例，所述发光二极管为LED器件或OLED器件
在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板括前面所述的发光二极管。由此，该显示面板中的OLED器件的出光效率较高，即OLED器件的外量子效率较高，从而可以有效提升显示面板的显示质量。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置中的OLED器件的出光效率较高，即OLED器件的外量子效率较高，从而可以有效提升显示装置的显示质量。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种发光装置。根据本发明的实施例，该发光装置包括前面所述的发光二极管。由此，该发光装置中的LED器件的出光效率较高，即LED器件的外量子效率较高，从而可以有效提升发光装置的发光亮度和发光强度。
附图说明
图1是本发明一个实施例中发光二极管的结构示意图。
图2是本发明另一个实施例中发光二极管的结构示意图。
图3是本发明又一个实施例中发光二极管的结构示意图。
图4是实施例1中发光二极管的发光光谱图。
图5是对比例1中发光二极管的发光光谱图。
图6是实施例2中发光二极管的发光光谱图。
图7是对比例2中发光二极管的发光光谱图。
图8是实施例3中发光二极管的发光光谱图。
图9是对比例3中发光二极管的发光光谱图。
图10是实施例4和对比例4中发光二极管的发射光谱图。
图11是实施例4和对比例4中发光二极管的J-V曲线图，其中，横坐标为电压(V)，纵坐标为电流密度(mA/cm2)。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用材料未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种发光二极管。根据本发明的实施例，参照图1，发光二极管包括依次层叠设置的阳极10、空穴注入层(HIL)20、空穴传输层(HTL)30、发光层40、电子传输层(HTL)50、电子注入层(EIL)60和阴极70，所述发光二极管满足以下条件至少之一：所述空穴传输层的折射率大于等于2；所述电子传输层的折射率大于等于2；所述空穴注入层的折射率小于等于1.8；所述电子注入层的折射率小于等于1.8。由此，空穴传输层和电子传输层具有较高的折射率，空穴传输层和电子传输层两者中间夹着发光层，如此通过高折射率膜层到低射折射率膜层(发光层的折射率通常小于2)的高全反射比例，增强因阴极减薄(为了提高光透过率，通常会将阴极做的比较薄)而减弱的微腔增益，，即可以有效保证良好的微腔增益；与阴极相邻的电子注入层和与阳极相邻的空穴注入层的折射率较低，有效减小SPP损耗，达到对发光二极管内部光子模态分布曲线的优化，提高可出射的模态部分。故而上述设置要求可以有效提高发光二极管的外量子效率(或者说光取出效率)，即提升发光二极管的光耦合输出效率；且同时保证较佳良好的电学性能，进而使得发光二极管具有优异的使用性能；此外，本申请的发光二极管无需引入外部结构，不破坏发光二极管的电学基础，即可大幅度提升发光二极管的EQE，进而提高发光二极管的发光效率。
根据本发明的实施例，空穴传输层的折射率为2～2.5，电子传输层的折射率为2～2.5比如空穴传输层的折射率和/或电子传输层的折射率为2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5。由此，可以有效降低发光二极管的SPP损耗，提高其外量子效率；若空穴传输层的折射率和/或电子传输层的折射率小于2，则对发光二极管的外量子效率改善效果不佳。需要说明的是，理论上空穴传输层的折射率和电子传输层的折射率越大，对外量子效率的提升效果越佳，但是目前难以找到折射率大于2.5，且可以满足空穴传输层和电子传输层的使用性能的材料。
根据本发明的实施例，空穴注入层的折射率为1.5～1.8，电子注入层的折射率为1.5～1.8，比如空穴注入层的折射率或/和电子注入层的折射率为1.5、1.55、1.6、1.65、1.7、1.75、1.8。由此，可以有效降低发光二极管的SPP损耗，提高其外量子效率；若空穴注入层的折射率和/或电子注入层的折射率大于1.8，则对发光二极管的外量子效率改善效果不佳。需要说明的是，理论上空穴注入层的折射率和电子注入层的折射率越小，对外量子效率的提升效果越佳，但是目前难以找到折射率小于1.5，且又可以满足空穴注入层和电子注入层的使用性能的材料。
根据本发明的实施例，所述空穴传输层的折射率和所述电子传输层的折射率均为2.2，所述空穴注入层和所述电子注入层的折射率均为1.6。由此，可以最有效地降低发光二极管的SPP损耗，最大程度的提升发光二极管的光耦合输出效率，且同时不会影响发光二极管的电学性能。
根据本发明的实施例，发光层的折射率为小于等于1.7，比如发光层的材料为1.7、1.68、1.65、1.62、1.6、1.58、1.55、1.52、1.5。由此，可以更进一步的提升发光二极管的外量子效率。
根据本发明的实施例，发光层包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层。由此，当发光二极管作为OLED器件应用于显示装置时，可以有效实现显示装置的显示效果。
根据本发明的实施例，参照图2，发光二极管还包括：光耦合层80，光耦合层80设置在阴极70远离阳极10的表面上，其中，光耦合层80的至少一部分材料与空穴传输层30或电子传输层50的材料相同。由此，可以更进一步的提升发光二极管的外量子效率。
其中，光耦合层可以多层不同材料的叠层结构，只要其中的至少一层结构的材料与空穴传输层30或电子传输层50的材料相同即可。
根据本发明的实施例，空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；空穴传输层的材料为MoO3(三氧化钼)；电子传输层的材料为Liq(锂喹啉配合物)；电子注入层的材料为Bphen：Li；光耦合层的材料CPL和LiF(氟化锂)，由上述材料形成的发光二极管中，空穴注入层的折射率为1.52，空穴传输层的折射率为2.2，电子传输层的折射率为2.2，电子注入层的折射率为1.7。由此，发光二极管具有较高的外量子效率，且电学性能较佳，进而可以保证发光二极管较高的发光强度和使用性能。
根据本发明的实施例，上述各层结构的厚度没有特殊要求，本领域技术人员可以根据不同发光层的发光颜色等实际情况灵活选择，在此不再过多的赘述。
根据本发明的实施例，阴极和阳极的具体材料没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，阴极的材料包括但不限于银、镁、钼中的至少之一，阳极的材料包括层叠设置的银和ITO或层叠设置的ITO、银和ITO。由此，阴极和阳极的导电性能较佳，而且材料来源广泛。其中，阳极中ITO的面电阻小于30Ω/□。
根据本发明的实施例，参照图3，发光二极管还包括封装层90，封装层90设置在光耦合层80远离阳极的一侧。在一些实施例中，封装层包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层，其中，第一无机层和第二无机层的形成材料包括但不限于氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅，有机层的形成材料包括但不限于油墨(IJP)。如此，可以有效对发光层进行封装，以防水氧进入到发光层中，影响其发光性能。
根据本发明的实施例，所述发光二极管为LED器件或OLED器件。
根据本发明的实施例，制作发光二极管的方法步骤包括：
S100：在阳极的一侧通过第一蒸镀形成空穴注入层。
其中，阳极是通过光刻形成的，在形成红色荧光发光层之前，需要将阳极依次在去离子水、丙酮、无水乙醇的超声环境中冲洗，之后再用氮气吹干，并进行氧气等离子体处理。
S200：在空穴注入层远离所述阳极的表面上第二蒸镀形成空穴输入层；
S300：在空穴输入层远离阳极的表面上第三蒸镀形成发光层；
S400：在发光层远离所述阳极的表面上第四蒸镀形成电子传输层；
S500：在电子传输层远离阳极的一侧通过第五蒸镀形成电子注入层；
S600：在电子注入层远离阳极的一侧通过第六蒸镀形成阴极；
S700：在阴极远离阳极的一侧形成封装层。
其中，第一蒸镀、第二蒸镀、第三蒸镀、第四蒸镀、第五蒸镀和第六蒸镀的蒸发速率分别为8nm/s～30nm/s，比如8nm/s、10nm/s、12nm/s、14nm/s、16nm/s、18nm/s、20nm/s、22nm/s、24nm/s、26nm/s、28nm/s、30nm/s。由此，可以制备得到性能较佳、厚度均匀的阳极、阴极、发光层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层以及空穴传输层等各层结构。另外，通过蒸镀形成阳极的过程中，其中银电极层的蒸发速率为30～40nm/s。
在一些具体实施例中，在蒸镀制备阴极时，可采用金属掩膜板(metal mask)，蒸发速率为30nm/s，在蒸镀阳极、空穴注入层、空穴传输层、红色荧光发光层、绿色荧光发光层、间隔层、蓝色荧光发光层、电子传输层和阳极等结构时，采用开放掩膜版(open mask)，且蒸发速率为10nm/s。
其中，第一蒸镀、第二蒸镀、第三蒸镀、第四蒸镀、第五蒸镀和第六蒸镀在过程中，腔体的真空度分别小于3×10-6Torr(比如3×10-6Torr、2×10-6Torr、1×10-6Torr、0.5×10-6Torr、0.1×10-6Torr)。由此，有助于制备性能较的阳极、阴极、荧光发光层、电子传输层、空穴传输层、间隔层等各层结构，避免在蒸镀的过程中发生副反应。
在形成封装层之后，对发光二极管进行封装处理，具体的可以采用玻璃盖板改主要封装的区域，然后在其四周涂上紫外固化胶，放在265nm的紫外灯下进行照射20-25分钟。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括前面所述的发光二极管。由此，该显示面板中的OLED器件的出光效率较高，即OLED器件的外量子效率较高，从而可以有效提升显示面板的显示质量。本领域技术人员可以理解，该显示面板具有前面所述的发光二极管的所有特征和优点，在此不再一一赘述。
本领域技术人员可以理解，该显示面板除了前面所述的发光二极管，该显示面板还具备常规显示面板所必备的结构或部件，比如还包括衬底、薄膜晶体管、平坦层、像素界定层、用于封装OLED器件的封装薄膜等必备的结构或部件。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置中的OLED器件的出光效率较高，即OLED器件的外量子效率较高，从而可以有效提升显示装置的显示质量。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述的显示面板的所有特征和优点，在此不再一一赘述。
根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际要求灵活选择。在一些实施例中，显示装置的具体种类包括但不限于手机、笔记本、iPad、kindle、游戏机等一切具有显示功能的显示装置。
本领域技术人员可以理解，该显示装置除了前面所述的显示面板，还具有常规显示装置所必备的结构或部件，以手机为例，除了前面所述的显示面板，手机还包括玻璃盖板、壳体、CPU、音频模组、摄像模组、触控模组等必备的结构或部件。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种发光装置。根据本发明的实施例，该发光装置包括前面所述的发光二极管。由此，该发光装置中的LED器件的出光效率较高，即LED器件的外量子效率较高，从而可以有效提升发光装置的发光亮度和发光强度。本领域技术人员可以理解，该发光装置具有前面所述的发光二极管的所有特征和优点，在此不再一一赘述。
实施例
实施例1
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，厚度为10纳米，折射率为1.6；
空穴传输层，厚度为100纳米，折射率为2.2；
蓝光发光层，厚度为25纳米；
电子传输层，厚度为35纳米，折射率为2.2；
电子注入层，厚度为10纳米，折射率为1.6；
光耦合层，厚度为65纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅。
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对比例1
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，厚度为10纳米，折射率为1.8；
空穴传输层，厚度为100纳米，折射率为1.8；
蓝光发光层，厚度为25纳米；
电子传输层，厚度为35纳米，折射率为1.8；
电子注入层，厚度为10纳米，折射率为1.8；
光耦合层，厚度为65纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅。
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对实施例1和对比例1中的发光二极管的发光光谱图分别参照图4和图5，由图4和图5可见，相比对比例1，实施例1中的发光二极管的光耦合输出效率提高了40％，即外量子效率提升了40％。其中，图4和图5中均具有两个曲线，其中峰值较小的曲线仅代表一种模态，峰值较高的曲线代表发光强度值。
实施例2
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，厚度为10纳米，折射率为1.6；
空穴传输层，厚度为120纳米，折射率为2.2；
绿光发光层，厚度为30纳米；
电子传输层，厚度为35纳米，折射率为2.2；
电子注入层，厚度为10纳米，折射率为1.6；
光耦合层，厚度为65纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅。
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对比例2
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，厚度为10纳米，折射率为1.8；
空穴传输层，厚度为120纳米，折射率为1.8；
绿光发光层，厚度为30纳米；
电子传输层，厚度为35纳米，折射率为1.8；
电子注入层，厚度为10纳米，折射率为1.8；
光耦合层，厚度为65纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅。
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对实施例2和对比例2中的发光二极管的发光光谱图分别参照图6和图7，由图6和图7可见，相比对比例2，实施例2中的发光二极管的光耦合输出效率提高了42％，即外量子效率提升了42％。其中，图6和图7中均具有两个曲线，其中峰值较小的曲线仅代表一种模态，峰值较高的曲线代表发光强度值。
实施例3
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，厚度为10纳米，折射率为1.6；
空穴传输层，厚度为150纳米，折射率为2.2；
红光发光层，厚度为15纳米；
电子传输层，厚度为35纳米，折射率为2.2；
电子注入层，厚度为10纳米，折射率为1.6；
光耦合层，厚度为65纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对比例3
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，厚度为10纳米，折射率为1.8；
空穴传输层，厚度为150纳米，折射率为1.8；
红光发光层，厚度为15纳米；
电子传输层，厚度为35纳米，折射率为1.8；
电子注入层，厚度为10纳米，折射率为1.8；
光耦合层，厚度为65纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅。
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对实施例3和对比例3中的发光二极管的发光光谱图分别参照图8和图9，由图8和图9可见，相比对比例3，实施例3中的发光二极管的光耦合输出效率提高了25％，即外量子效率提升了25％。其中，图8和图9中均具有两个曲线，其中峰值较小的曲线仅代表一种模态，峰值较高的曲线代表发光强度值。
实施例4
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，材料为PEDOT:PSS，厚度为10纳米，折射率为1.52；
空穴传输层，材料为MoO3，厚度为40纳米，折射率为2.2；
绿光发光层，材料为CBP和Ir(ppy)3，其中Ir(ppy)3的质量百分含量为5％，厚度为20纳米；
电子传输层，材料为Liq，厚度为25纳米，折射率为2.0；
电子注入层，材料为Bphen：Li，厚度为10纳米，折射率为1.7；
光耦合层，材料为CPL和LiF的双层结构，CPL的厚度为80纳米，LiF的厚度为60纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅。
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对比例4
发光二极管的结构为：
阳极，材料为ITO，面电阻小于30Ω/□；
空穴注入层，MoO3，厚度为10纳米，折射率为2.2；
空穴传输层，材料为NPD，厚度为40纳米；
绿光发光层，材料为CBP和Ir(ppy)3，其中Ir(ppy)3的质量百分含量为5％，厚度为20纳米；
电子传输层，材料为Liq，厚度为25纳米，折射率为2.0；
光耦合层，材料为CPL和LiF的双层结构，CPL的厚度为80纳米，LiF的厚度为60纳米；
封装层，包括1000纳米的氮氧化硅、8微米的IJP油墨和600纳米的为氧化硅。
发光二极管的发光面积为3毫米*3毫米。
对实施例4和对比例4中的发光二极管在15mA/cm2电流密度下的电致光谱图参照图10，由图10可见，相比对比例4，在相同的驱动电流下实施例4中的发光二极管的绿光强度有明显的增强；
对实施例4和对比例4中的发光二极管的J-V曲线图参照图11，由图11可见，实施例4和对比例4中的发光二极管的J-V曲线基本重合，由此说明实施例4中的发光二极管出光增强的原因是光学结构的微腔增益和电极，且依然具有良好的电学性能。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (12)

1.一种发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述发光二极管满足以下条件至少之一：
所述空穴传输层的折射率大于等于2；
所述电子传输层的折射率大于等于2；
所述空穴注入层的折射率小于等于1.8；
所述电子注入层的折射率小于等于1.8。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的折射率为2～2.5，所述电子传输层的折射率为2～2.5。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的折射率为1.5～1.8，所述电子注入层的折射率为1.5～1.8。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的折射率和所述电子传输层的折射率均为2.2，所述空穴注入层和所述电子注入层的折射率均为1.6。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：光耦合层，所述光耦合层设置在所述阴极远离所述阳极的表面上，其中，所述光耦合层的至少一部分材料与空穴传输层或所述电子传输层的材料相同。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层的折射率为小于等于1.7。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；
所述空穴传输层的材料为MoO3；
所述电子传输层的材料为Liq；
所述电子注入层的材料为Bphen：Li；
所述光耦合层的材料CPL和LiF。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为LED器件或OLED器件。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～9中任一项所述的发光二极管。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显示面板。
12.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1～9中任一项所述的发光二极管。
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