JPH08250284A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法

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JPH08250284A
JPH08250284A JP7072448A JP7244895A JPH08250284A JP H08250284 A JPH08250284 A JP H08250284A JP 7072448 A JP7072448 A JP 7072448A JP 7244895 A JP7244895 A JP 7244895A JP H08250284 A JPH08250284 A JP H08250284A
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JP
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organic
electrode
sputtering
electron injection
injection electrode
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JP7072448A
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Hiroyuki Suzuki
博之 鈴木
Makoto Hikita
真 疋田
Satoshi Hoshino
聰 星野
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の有機エレクトロルミネッセンス素子
(以下、有機EL素子と略す)に比較し、発光特性に優
れて安定なEL発光を示す有機EL素子とその作製方法
を提供する。 【構成】 少なくとも正孔注入電極、電子注入電極及び
これらの電極間に形成された有機発光層から構成される
有機EL素子において、電子注入電極が、スパッタ蒸着
膜層で構成されている有機EL素子。電子注入電極が電
極を構成する金属材料への不活性ガスイオン照射による
スパッタ蒸着法で作製される有機EL素子の作製方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてディスプレイ
に使用される発光効率が高く、かつ発光安定性に優れた
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子(以下、
EL素子と略記する)は、完全固体素子であるため耐衝
撃性に優れるという点に加え、現在広く実用化されてい
る液晶で用いられているバックライトとカラーフィルタ
ーの組合せとは異なり、自己発光のため視認性が高いと
いう特徴を有している。そのため、古くから無機材料を
中心として様々なEL素子が提案され、かつ実用化が試
みられている。無機材料を用いたEL素子には、pn接
合、粉末EL及び薄膜ELの3つの素子構造が検討され
ている。しかし、pn接合を用いたEL素子では、完全
性が高く不純物の少ない結晶作製が要求されるためコス
トが高かったり、粉末ELでは、発光特性の電圧に対す
る閾値の急峻性や動作寿命が十分でなかったり、また薄
膜ELでは動作電圧を低くできないなどの問題点があ
り、これまでのところ大面積ディスプレーへの実用化に
は至っていない。一方、有機材料についても古くからア
ントラセンなどの分子性結晶でEL発光が観測されてい
たが、結晶の厚みを1μm以下にすることが極めて困難
であったため、動作電圧が高く実用にはほど遠いもので
あった。しかし、近年有機低分子材料の多層蒸着薄膜
〔例えば、アプライド・フィジックス・レターズ(App
l. Phys. Lett.)、第51巻、第913頁(198
7)〕や共役系高分子薄膜〔例えば、ネイチャー(Natu
re) 、第347巻、第539頁(1990)〕を用いて
駆動電圧の低い、青色から赤色までの多色発光が可能な
EL素子が報告され、それ以来各種材料・素子の開発が
活発に進められている。有機材料の多くは正孔輸送性で
あるため、有機EL素子の素子特性向上のポイントは、
有機発光層にいかに効率よく電子を注入するかにある。
これまでに、金属の仕事関数とその金属を電子注入電極
として用いた有機EL素子発光効率・発光閾値電圧との
関連性に関する研究から、電子注入電極としてはMgや
Caなどの仕事関数の低い(4.0eV以下)金属が適
していることが解っている〔アプライド・フィジックス
・レターズ、第58巻、第1982頁(1991)〕。
また最近では、有機EL素子に用いられる材料や素子構
造の検討が進み、電子注入電極として仕事関数が4.0
eV以下のMgやCaなどの金属の代りに、より安定で
扱いやすいAlを用いて高い発光効率が実現している例
も報告されている〔例えば、ジャーナル・オブ・エレク
トロニック・マテリアルズ(J.ElectronicMaterials)
、第23巻、第453頁(1994)及びアクタ・ポ
リマー(ActaPolymer) 、第44巻、第201頁(19
93)〕。
【0003】従来の有機EL素子においては、電子注入
電極は真空蒸着法で作製されているが、ほとんどの場合
10-6Torr台又はそれより悪い真空度で蒸着が行わ
れている。一般に、電子注入電極として用いる金属とし
ては、仕事関数の低い金属が適していることが知られて
いる。これらの金属としては、K、Naなどのアルカリ
金属、Mg、Ca、Ba、Srなどのアルカリ土類金
属、Al、In、Yなどのほか、Pr、Eu、Er、N
d、Yb、Smなどの希土類金属などが挙げられる。し
かし、これらの金属の多くは酸素や水分に対して反応性
が高いことが知られている。蒸着源としてこれらの金属
の供給や追加を行う際には、通常大気中での作業が含ま
れるため、上記のような金属の表面は通常酸化物などが
形成されている。有機層の上に電子注入電極を蒸着する
際には、まず基板と蒸着源をシャッターで分離し、表面
に形成された酸化膜などを蒸発させてから、シャッター
を開き金属を基板に蒸着することが一般に行われてい
る。しかし、金属酸化物は必ずしもその金属単体よりも
蒸発温度が低かったり、あるいは蒸気圧が高いとは限ら
ないため、表面に形成された酸化膜を完全に除去するこ
とは極めて困難であり、その結果純粋な金属膜からなる
電子注入電極を容易に作れないという欠点を有してい
た。また、上記電子注入電極用金属材料の酸化物が電極
−有機層界面や電極内部に形成された場合には、酸化物
の仕事関数や電気伝導性が金属単体のものと異なるた
め、有機層への電子注入特性が変わる結果、希望する有
機EL素子の特性が得られないなどの欠点を有してい
た。更に真空蒸着法により有機層上に作製した金属電極
は、蒸発分子あるいは原子の持つ運動エネルギーが0.
1〜0.2eVであり、また通常、素子作製時の基板温
度は有機物の分解を防止するため100℃以下であるの
で、蒸発分子あるいは原子のマイグレーションが少な
く、基板との密着性が悪い。そのため、電圧印加時に時
間と共に発光効率が低下したり、また金属電極のはく
離、散逸などが起こり、安定な素子を作製することが困
難であった。この現象は、有機EL素子を構成する有機
層を変えても起こり、主な原因は素子構造や素子作製プ
ロセスにあると考えられる。また電子注入電極として
は、Mg単独では成膜性、及び密着性が悪いため、Mg
−AgやMg−Inなどの合金を用いることが多いが、
多くの場合別種の金属の蒸気圧が大きく異なるため、蒸
着法で最適な混合比の合金薄膜を作製することは困難で
ある。更に、より実用的な観点に立てば、蒸着法におい
ては蒸着の度に蒸着源を交換あるいは追加したり、膜厚
の均一性や、特に合金などにおいては膜質の再現性に問
題があるなど、従来広く用いられている蒸着法での電子
注入電極作製は生産性の点でも問題が多い。
【0004】一方、スパッタリング法においては、蒸着
物質を不活性ガスイオンでたたき出すために、製膜に用
いられる金属イオンは0.2〜10eVの運動エネルギ
ーを持つため表面マイグレーションが大きく、有機層と
の密着性に優れた成膜が可能である。そして、成膜条件
を適当に選ぶことにより、有機層へのダメージをなくす
あるいは低減することができる。またスパッタリング法
においては、有機層の上への電極作製に先立ち、プレス
パッタリングを行うことにより、真空中で新たな金属表
面を露出したり、逆スパッタリングにより有機層表面に
吸着した酸素や水を除去することが可能であるので、ク
リーンな電極−有機層界面や電子注入電極を作製するこ
とができる。その結果、再現性のある安定な有機EL素
子を作製することができる。また、スパッタリング法に
おいては、蒸気圧が大きく異なる金属の混合物をターゲ
ットとして用いても、生成する薄膜とターゲットとの組
成のずれは少ないことも利点である。更に、スパッタリ
ング法は、蒸着法に比較し蒸着源を長時間供給する必要
がなく、膜厚の均一性や、膜質の再現性の点で蒸着法よ
り勝るなど、生産性の点でも有利である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の有機EL素子に比較し、発光特性に優れて安定なEL
発光を示す素子とその作製方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明は第1の発明は有機EL素子に関する発明であっ
て、少なくとも正孔注入電極、電子注入電極及びこれら
の電極間に形成された有機発光層から構成される有機E
L素子において、電子注入電極が、スパッタ蒸着膜層で
構成されていることを特徴とする。そして、本発明の第
2の発明は、有機EL素子の作製方法に関する発明であ
って、第1の発明の有機EL素子の作製方法において、
電子注入電極が電極を構成する金属材料への不活性ガス
イオン照射によるスパッタ蒸着法で作製されることを特
徴とする。
【0007】有機EL素子の素子特性向上のためには、
いかに有機層との密着性が高く、電極−有機層界面や電
極がクリーンな電子注入電極をMgやCaなどの仕事関
数の低い金属やAlなどの仕事関数が比較的低い金属を
用いて作製するかが重要である。本発明者らは、有機E
L材料の発光特性の劣化の原因を鋭意検討した結果、従
来の有機EL素子における特性劣化の主要な原因が、電
圧印加時における電子注入電極の経時変化時間にあるこ
とを突止めた。この電子注入電極の経時変化は、有機E
L素子を構成する有機層を変えても起こり、主な原因は
素子構造や素子作製プロセスにあると考えられる。そこ
で、本発明者らは従来から電子注入電極作製に一般的に
用いられてきた真空蒸着法をスパッタリング法に変更す
ることにより、有機層との密着性が高く電極金属−有機
層界面及び電子注入電極がクリーンな有機EL素子の作
製を行うことができた。これは、従来の有機EL素子作
製において電子注入電極作製に広く用いられてきた真空
蒸着法に代り、スパッタリング法を採用することにより
実現できた。スパッタリング法においては、蒸着物質を
不活性ガスイオンでたたき出すため、製膜に用いられる
金属イオンは0.2〜10eVの運動エネルギーを持つ
ため表面マイグレーションが大きく、有機層との密着性
に優れた成膜が可能であること、有機層の上への電極作
製に先立ち、プレスパッタリングを行うことにより、真
空中で新たな金属表面を露出したり、逆スパッタリング
により有機層表面に吸着した酸素や水を除去することが
可能であるので、クリーンな電極−有機層界面や電子注
入電極を作製することができることなど、真空蒸着法に
はない利点を有している。本発明者らは、電子注入電極
作製プロセスへのスパッタリング法の適用法を検討し、
スパッタリング法が、これまで電子注入電極として用い
られてきた金属の電極作製プロセスとして適しているこ
とを明らかにした。これにより、従来広く用いられてき
た真空蒸着法で電子注入電極を作製した場合に比較し、
再現性のある安定な有機EL素子の作製を実現すること
ができた。
【0008】以下に本発明を図を参照しつつ説明する。
図1〜図4は本発明の有機EL素子の構成図である。本
発明の有機EL素子は、図1に示すように、透明な基板
1上に正孔注入電極2、有機化合物からなる発光層3、
電子注入電極4が順に積層された構造を有しており、こ
のうち電子注入電極4が電極を構成する金属材料への不
活性ガスイオン照射によるスパッタ蒸着法で作製され
る。更に、図2〜図4に示すように、透明基板1上に上
記構成に加えて、有機化合物からなる正孔輸送層5や電
子輸送層6のどちらか一方、あるいは双方を有する構造
を持ってもよい。透明基板1としては、可視光をできる
だけ透過するものが望ましく、例えばガラス、石英、透
明サファイア、透明プラスチックなどが挙げられる。正
孔注入電極2としては、仕事関数の大きい(4eV以
上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物
を電極物質とするものが好ましく用いられる。このよう
な電極物質の具体例としては、Au、Ptなどの金属、
ITO、SnO2 、ZnO、CuIなどの誘電性を有し
た透明材料又は半透明材料が挙げられる。これらの正孔
注入電極は、これらの電極用物質を蒸着やスパッタリン
グなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製
することができる。この電極よりEL発光を取り出す場
合には、透過率を10%より大きくすることが望まし
く、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下、
好ましくは10〜20Ω/□が望ましい。更に膜厚は材
料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10
〜200nmの範囲で選ばれる。
【0009】一方、電子注入電極4としては、仕事関数
の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物
及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用
いられる。このような電極物質の具体例としては、N
a、K、Mg、Ca、Al、In、希土類金属などが挙
げられる。これらの電子注入電極は、これらの電極用物
質をスパッタリング法により、薄膜を形成させることに
より作製することができる。この電極よりEL発光を取
り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが
望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□
以下が望ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10
nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、本発明の有機EL素子においては、該正
孔注入電極又は電子注入電極のいずれか一方が、透明又
は半透明であることが、発光の効率的な透過の観点から
好都合である。
【0010】また発光層3には、電子又は正孔、あるい
はその両方を輸送する能力を有し、かつ発光量子収率が
高い有機化合物が用いられる。例えば、8−ヒドロキシ
キノリンのアルミニウム錯体(以下、Alq3 と略記す
る)のほかクマリン6やDCMなどのレーザー色素など
を代表とする低分子有機化合物の真空蒸着膜やポリパラ
フェニレンビニレン(PPV)やその誘導体を代表とす
る発光性の共役高分子化合物が用いられる。更に、発光
層3は、キャリア再結合に応じて発光する能力を持つ有
機ゲスト物質を有機ホスト化合物中に濃度0.1〜10
wt%分散させた系でも良い。ここで、ゲストとして
は、Alq3 やクマリン6やDCMなどのレーザー色
素、有機オリゴマー、高分子の中からホスト材料との相
溶性に応じて選択すればよい。一方ホスト材料として
は、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネートなどの高分子のほか、Alq3 やクマリン6
やDCMなどのレーザー色素の蒸着膜を使用することも
できる。
【0011】正孔輸送層5としては、ポリ(メチルフェ
ニルシラン)などのポリシラン類やポリビニルカルバゾ
ールのほか、例えばN,N′−ジフェニル−N,N′−
ビス(3−メチルフェニル)−1,1′−ビフェニル−
4,4′−ジアミン(TPD)などが用いられる。一
方、電子輸送層6としては、上記Alq3 のほか、2−
(4′−ターシャリブチルフェニル)−5−(ビフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾールなどが用いられ
る。
【0012】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定され
るものではない。
【0013】実施例1 図5は本発明で用いたスパッタリング装置の概略構成図
である。図5に示すスパッタリング装置を用いてAl、
Mg、Agの薄膜作製に対するスパッタリング法の適用
性について検討した。ここでこのスパッタリング装置
は、基板10、基板ホルダ11、基板選択用シャッタ1
2、ターゲット選択用シャッタ13、不活性ガス供給配
管14、不活性ガス流量調整用マスフローコントローラ
ー15、真空チャンバー16、真空計17、ターゲット
18、ターゲット水冷ホルダ19から構成されている。
その結果を表1にまとめた。
【0014】
【表1】 表 1 ──────────────────────────────────── 金属 真空度 プレスパ スパッタ Ar圧力 RFパワー 膜厚 ッタ時間 時間 (10-7Torr) (min) (min) (mTorr) (W) (nm) ──────────────────────────────────── Al 5.6 10 6 6 160 100 5.5 10 15 4 140 190 Mg 5.6 10 5 4 140 170 8.0 10 3 4 120 115 Ag 8.6 10 3 3 120 170 5.6 10 5 4 140 340 ────────────────────────────────────
【0015】表1より、膜厚はArガス圧力、RFパワ
ー及びスパッタ時間に依存し、同じ金属においては、A
rガス圧力が高いほど、またRFパワーが大きいほど生
成する膜厚が厚いことが解った。また上記3つの金属を
比較すると、定性的にAg>Mg>Alの順でスパッタ
されやすいことが解った。この順番は、各金属元素のス
パッタ収率の順番と一致し、金属膜がスパッタ法で作製
されていることが解った。
【0016】実施例2 ガラス基板上にITOを厚さ100nmで形成したもの
を正孔注入電極とした。この基板を界面活性剤中で10
分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水で洗浄した
後、順にアセトン、イソプロピルアルコール中でそれぞ
れ20分間超音波洗浄を行った。この基板を乾燥後直ち
に、ポリ(メチルフェニルシラン)(以下、PMPSと
略記する)のトルエン溶液(1.5wt%)をスピンコ
ートし(1000rpm、30秒)、膜厚約120nm
のPMPS薄膜を作製した。その後このサンプルを真空
蒸着装置内に入れ、真空度3×10-6Torr、蒸着速
度0.6〜1.5A/sでAlq3 層を40nm蒸着し
た。その後、このサンプルを別の蒸着装置に装着し、真
空度4×10-6Torr、蒸着速度3〜4A/sでAl
電極を190nm作製した。このサンプルに対し、蛍光
スペクトルと蛍光励起スペクトルを測定した結果、両ス
ペクトルはAl電極蒸着前のスペクトルと一致し、真空
蒸着法による電子注入電極作製により有機層がダメージ
を受けていないことが確認された。次にこの有機EL素
子をヘリウムガス雰囲気の試料室に入れ、電圧(横軸、
V)−電流(縦軸、A)−EL発光強度(縦軸、任意単
位)特性を測定した。その結果図6に示すようにEL発
光が観測されたものの、その発光は不安定で、発光強度
も小さかった。また同じ素子について、分光器とCCD
検出器を用いてELスペクトルを測定した結果、EL発
光はAlq3 層から出ていることが解った。
【0017】実施例3 ガラス基板上にITOを厚さ100nmで形成したもの
を正孔注入電極とした。この基板を界面活性剤中で10
分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水で洗浄した
後、順にアセトン、イソプロピルアルコール中でそれぞ
れ20分間超音波洗浄を行った。この基板を乾燥後直ち
に、PMPSのトルエン溶液(1.5wt%)をスピン
コートし(1000rpm、30秒)、膜厚約120n
mのPMPS膜を作製した。その後このサンプルを真空
蒸着装置内に入れ、真空度3×10-6Torr、蒸着速
度0.6〜1.5A/sでAlq3 層を40nm蒸着し
た。その後、このサンプルを図5のスパッタリング装置
内に蒸着し、真空度6×10-7Torrとなった後、ま
ずArガス圧力4mTorr、パワー140Wで10分
間Alターゲットにプレスパッタを行いクリーンな表面
を露出させた後、同じArガス圧力、パワーで15分間
スパッタリングを行い、Al電極を190nm作製し
た。このサンプルに対し、蛍光スペクトルと蛍光励起ス
ペクトルを測定した結果、両スペクトルはスパッタリン
グ前のスペクトルと一致し、スパッタリング法による電
子注入電極作製により有機層がダメージを受けていない
ことが確認された。次にこの有機EL素子をヘリウムガ
ス雰囲気の試料室に入れ、電圧(横軸、V)−電流(縦
軸、A)−EL発光強度(縦軸、任意単位)特性を測定
した。その結果図7に示すように非常に安定で高効率の
EL発光が観測された。また同じ素子について、分光器
とCCD検出器を用いてELスペクトルを測定した結
果、EL発光はAlq3 層から出ていることが解った。
【0018】実施例4 ガラス基板上にITOを厚さ100nmで形成したもの
を正孔注入電極とした。この基板を界面活性剤中で10
分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水で洗浄した
後、順にアセトン、イソプロピルアルコール中でそれぞ
れ20分間超音波洗浄を行った。この基板を乾燥後直ち
に、PMPSのトルエン溶液(1.5wt%)をスピン
コートし(1000rpm、30秒)、膜厚約120n
mのPMPS膜を作製した。その後レーザー色素である
クマリン6(ポリスチレンに対し、1wt%)とポリス
チレンの酢酸エチル溶液(1wt%)をPMPS膜の上
にスピンコートし(5000rpm、30秒)、厚さ3
0nmのクマリン6含有ポリスチレン膜を作製した。こ
のサンプルを真空蒸着装置内に入れ、真空度3×10-6
Torr、蒸着速度0.6〜1.5A/sでAlq3
を40nm蒸着した。ここで、酢酸エチルはPMPSを
溶解しないことを確認してある。その後、このサンプル
をスパッタ装置内に装着し、真空度5×10-7Torr
となった後、まずArガス圧4mTorr、パワー14
0Wで10分間Alターゲットにプレスパッタを行いク
リーンな表面を露出させた後、同じArガス圧、パワー
で15分間スパッタリングを行い、Al電極を190n
m作製した。このサンプルに対し、蛍光スペクトルと蛍
光励起スペクトルを測定した結果、両スペクトルはスパ
ッタリング前のスペクトルと一致し、スパッタリング法
による電子注入電極作製により有機層がダメージを受け
ていないことが確認された。次にこの有機EL素子をヘ
リウムガス雰囲気の試料室に入れ、電圧−電流−EL発
光強度特性を測定した。その結果図7と同様な非常に安
定で高効率のEL発光が観測された。また同じ素子につ
いて、分光器とCCD検出器を用いてELスペクトルを
測定した結果、EL発光はクマリン6層とAlq3 層か
ら出ていることが解った。
【0019】実施例5 ガラス基板上にITOを厚さ100nmで形成したもの
を正孔注入電極とした。この基板を界面活性剤中で10
分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水で洗浄した
後、順にアセトン、イソプロピルアルコール中でそれぞ
れ20分間超音波洗浄を行った。この基板を乾燥後直ち
に、PMPSのトルエン溶液(1.5wt%)をスピン
コートし(1000rpm、30秒)、膜厚約120n
mのPMPS膜を作製した。その後このサンプルを真空
蒸着装置内に入れ、真空度3×10-6Torr、蒸着速
度0.6〜1.5A/sでAlq3 層を40nm蒸着し
た。その後、このサンプルをスパッタ装置内に装着し、
真空度5×10-7Torrとなった後、まずArガス圧
4mTorr、パワー120Wで10分間Mgターゲッ
トにプレスパッタを行いクリーンな表面を露出させた
後、同じArガス圧、パワーで3分間スパッタリングを
行い、Mg電極を115nm作製した。引続いて、Ar
ガス圧3mTorr、パワー120Wで10分間Agタ
ーゲットにプレスパッタを行いクリーンな表面を露出し
た後、同じAr圧、パワーで3分間スパッタリングを行
い、Ag膜をMg膜の上に170nm作製した。このA
g膜は、酸素や水分に対して劣化しやすいMg膜の保護
膜として働く。このサンプルに対し、蛍光スペクトルと
蛍光励起スペクトルを測定した結果、両スペクトルはス
パッタリング前のスペクトルと一致し、スパッタリング
法による電子注入電極作製により有機層がダメージを受
けていないことが確認された。次にこの有機EL素子を
ヘリウムガス雰囲気の試料室に入れ、電圧−電流−EL
発光強度特性を測定した。その結果、発光閾値電圧が約
5Vと電子注入電極がAl電極の場合よりも低く非常に
安定で高効率のEL発光が観測された。また同じ素子に
ついて、分光器とCCD検出器を用いてELスペクトル
を測定した結果、EL発光はAlq3 層から出ているこ
とが解った。
【0020】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、有
機層との密着性に優れたクリーンな電極を作成すること
が可能となるので、従来の有機EL素子に比較し、発光
特性に優れて安定なEL発光を示す素子とその作製方法
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の1例の構成図である。
【図2】本発明の有機EL素子の1例の構成図である。
【図3】本発明の有機EL素子の1例の構成図である。
【図4】本発明の有機EL素子の1例の構成図である。
【図5】本発明で用いたスパッタリング装置の概略構成
図である。
【図6】電子注入用Al電極を真空蒸着法で作製した有
機EL素子の素子特性の1例を示す図である。
【図7】電子注入用Al電極をスパッタリング法で作製
した有機EL素子の素子特性の1例を示す図である。
【符号の説明】
1:透明基板、2:正孔注入電極、3:発光層、4:電
子注入電極、5:正孔輸送層、6:電子輸送層、10:
基板、11:基板ホルダ、12:基板選択用シャッタ、
13:ターゲット選択用シャッタ、14:不活性ガス供
給配管、15:不活性ガス流量調整用マスフローコント
ローラー、16:真空チャンバー、17:真空計、1
8:ターゲット、19:ターゲット水冷ホルダ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも正孔注入電極、電子注入電極
    及びこれらの電極間に形成された有機発光層から構成さ
    れる有機エレクトロルミネッセンス素子において、電子
    注入電極が、スパッタ蒸着膜層で構成されていることを
    特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子の作製方法において、電子注入電極が電極
    を構成する金属材料への不活性ガスイオン照射によるス
    パッタ蒸着法で作製されることを特徴とする有機エレク
    トロルミネッセンス素子の作製方法。
JP7072448A 1995-03-07 1995-03-07 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 Pending JPH08250284A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289787A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Tdk Corp 有機el素子
US6794278B2 (en) 2001-05-14 2004-09-21 Junji Kido Method for producing organic thin-film device by use of facing-targets-type sputtering apparatus
JP2012059709A (ja) * 1999-02-12 2012-03-22 Cambridge Display Technol Ltd オプトエレクトロニクスデバイス

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