CN103594645A - 一种有机电致发光器件以及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该器件包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、保护层、阻挡层以及散热层以及与所述导电基板配合的将所述发光层、所述阴极、所述保护层、所述阻挡层及所述散热层封装的封装膜。其中，保护层可以将阴极与阻挡层隔开，防止阴极受到后续加工工艺的破坏；阻挡层分成两层具有较好的防氧防水功能；外层的散热层可以增强器件的散热能力，延长器件寿命。上述有机电致发光器件的防水性能可达10^-5g/(m²·天)，封装效果好，寿命可达9000小时以上。

Description

一种有机电致发光器件以及制备方法

技术领域

本发明涉及电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，再在发光层上方制备一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被认为是最具有发展前景的照明器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程。

然而传统的有机电致发光器件普遍存在封装效果差、使用寿命短的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种封装效果良好、使用寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、保护层、阻挡层及散热层，所述有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜将所述发光层、阴极、保护层、阻挡层及散热层封装于所述导电基板上，其中，所述保护层的材料为CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，所述阻挡层包括层叠设置的掺杂氮化物层及有机层，所述掺杂氮化物层中主体材料为Si₃N₄、AlN、TiN、BN、SiN或TaN，所述掺杂氮化物层中客体材料为CaO、BaO、SrO或MgO，且所述客体材料占所述掺杂氮化物层的质量百分比为25~55%，所述有机层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂。

在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为200~300nm。

在其中一个实施例中，所述掺杂氮化物层的厚度为100~200nm。

在其中一个实施例中，所述有机层的厚度为1~1.5μm。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的数量至少为3个。

在其中一个实施例中，所述散热层的材料为金属或合金材料，厚度为200~500nm。

在其中一个实施例中，所述封装膜为金属箔片。

在其中一个实施例中，还包括在所述导电基板与所述发光层之间依次设置的空穴注入层和空穴传输层，以及在所述发光层与所述阴极之间依次设置的电子传输层和电子注入层。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

在导电基板上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

使用真空蒸发的方式在所述阴极上蒸镀CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，形成保护层，其中，蒸发速度为

采用电子束蒸发方式，向真空反应室内通入流量为1~5sccm的N₂，以Si、Al、B、Ta或Ti为主体材料，CaO、BaO、SrO或MgO为客体材料，在所述保护层上蒸发制备掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为25~55%；

采用旋涂工艺在所述掺杂氮化物层上涂覆聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，固化后得到有机层；

在所述有机层上制备散热层；以及

采用封装膜配合所述导电基板对所述发光层、所述阴极、所述保护层、所述阻挡层及所述散热层进行封装处理，得到所述有机电致发光器件。

在其中一个实施例中，还包括在制备发光层之前采用真空蒸镀的方法在所述导电基板上依次制备空穴注入层及空穴传输层的步骤；

以及在制备阴极之前，采用真空蒸镀的方法在所述发光层上制备电子传输层及电子注入层的步骤。

上述有机电致发光器件在阴极上设置有保护层、阻挡层及散热层，阻挡层包括掺杂氮化物层和有机层；其中，保护层可以将阴极与阻挡层隔开，防止阴极受到后续加工工艺的破坏；阻挡层分成两层具有较好的防氧防水功能，分层设置的阻挡层可以防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好；外层设置散热层，可以提高器件的散热能力，延长器件寿命。上述有机电致发光器件的防水性能可达10^-5g/m²·天，封装效果好，寿命可达9000小时以上。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法流程图。

具体实施方式

下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。

如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠设置的导电基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极107、保护层108、阻挡层109及散热层110。此外，该有机电致发光器件100还包括封装膜111。

导电基板101为洁净的玻璃基板或导电有机薄膜基板，如厚度为100nm的ITO玻璃基板或PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）聚合物导电基板等。导电基板101上制备有阳极图形。

空穴注入层102、空穴传输层103、电子传输层105、电子注入层106等功能层采用常用的材料制备，如空穴注入层102可以通过MoO₃按照30wt%的掺杂浓度掺入NPB中得到；空穴传输层103可以为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）；电子传输层105可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）；电子注入层106可以通过CsN3按照30wt%的掺杂浓度掺入Bphen中得到。此外，在其他实施方式中，该有机电致发光器件100还可以不包括空穴注入层102、空穴传输层103、电子传输层105及电子注入层106或者只包括上述其中一种、两种或三种功能层。

发光层104可以采用常用的材料制备，如发光层104的主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)，其中，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5wt%。

阴极107可以采用非透明金属材料制备，如铝、镍或金等，还可以采用具有介质层/金属层/介质层结构的透明材料制备，如ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS等。

保护层108直接制备在阴极107上，防止后续工艺对阴极107的破坏。保护层108的材料可以是CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS。保护层108的厚度在200~300nm之间。

阻挡层109包括层叠设置的掺杂氮化物层及有机层。掺杂氮化物层中主体材料为Si3N4、AlN、TiN、BN、SiN或TaN。掺杂氮化物层中客体材料为CaO、BaO、SrO或MgO。客体材料占掺杂氮化物层的质量百分比为25~55%。掺杂氮化物层的厚度为100~200nm。有机层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，厚度为1~1.5μm。阻挡层109分成两层具有较好的防氧防水功能。分层设置的阻挡层109可以防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好。本实施方式的有机电致发光器件100包括一层阻挡层109，在其他实施方式中，该有机电致发光器件100还可以包括多层阻挡层109，相应地，阻挡层109数量越多，阻挡水氧的效果更好。

在本实施方式中，散热层110为金属或合金材料制作，如Al、Ag、Au等金属单质或其组合。散热层110的厚度为200~500nm。采用金属或合金材料制作的散热层110可以直接将各功能层和发光层等产生的热量散发出去，提高器件的散热能力，有利于延长器件的使用寿命。可以理解，在其他实施方式中，散热层110的材料不限于金属或合金，还可以为散热性能良好的玻璃、透明陶瓷等，一方面增强器件的散热性能，另一方面可以提高透光效果。

封装膜111与导电基板101配合，将空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极107、保护层108、阻挡层109及散热层110密封，形成第一道阻挡水氧的屏障。在本实施方式中封装膜111的材料为金属箔片。金属材质的封装膜111与散热层110直接接触，进一步提高了器件的散热能力，将封装膜对器件光效的影响降到最低，在不影响器件光效的同时提高器件的使用寿命。在其他实施方式中，封装膜111的材质还可以为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）等。

该有机电致发光器件100在阴极107上设置有保护层108、阻挡层109及散热层110，阻挡层109包括掺杂氮化物层和有机层；其中，保护层108可以将阴极107与阻挡层109隔开，防止阴极107受到后续加工工艺的破坏；阻挡层109分成两层具有较好的防氧防水功能，分层设置的阻挡层109可以防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好；外层设置散热层110，可以提高器件的散热能力，延长器件寿命。上述有机电致发光器件的防水性能可达10^-5g/m²·天，封装效果好，寿命可达9000小时以上。

针对具有上述结构的有机电致发光器件100，本实施方式还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：

步骤S210，在导电基板上依次制备阳极功能层、发光层、阴极功能层及阴极。其中，阳极功能层包括空穴注入层及空穴传输层，阴极功能层包括电子传输层及电子注入层。本步骤可以采用常用的真空蒸镀的方式进行各膜层的镀置。

步骤S220，使用真空蒸发的方式在阴极上蒸镀厚度为200~300nm的CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，形成保护层，其中，蒸发速度为

步骤S230，采用电子束蒸发方式，向真空度为1×10^-2~1×10^-3Pa的真空反应室内通入流量为1~5sccm的N₂，以Si、Al、B、Ta或Ti为主体材料，CaO、BaO、SrO或MgO为客体材料，在保护层上蒸发制备一层厚度为100~200nm的掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为25~55%。

步骤S240，采用旋涂工艺在掺杂氮化物层上涂覆聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，固化后得到有机层。具体是在惰性气体或氮气等保护气体氛围下，在掺杂氮化物层上涂覆一层厚度为1~1.5μm的聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，然后在光强为10~15mW/cm²的UV光（如波长为200~400nm的UV光）下曝光200~300s进行固化。

步骤S250，在有机层上制备散热层。具体是采用真空蒸镀的方法在有机层上制备一层厚度为200~500nm的金属层或合金层作为散热层，如Al层或Ag层等，其中，真空度为3×10^-5~8×10^-5Pa，蒸发速度为

在本实施方式中，步骤S240和步骤S250只进行了一次，在其他实施方式中，还可以在第一次完成步骤S250后再依次重复步骤S240和步骤S250一次、两次和三次，以制得具有多层阻挡层的有机电致发光器件，其阻挡水氧的效果更好，器件的寿命更长。

步骤S260，采用金属箔片作为封装膜，配合导电基板对各功能层（包括阳极功能层和阴极功能层）、发光层、阴极、保护层、阻挡层及散热层进行封装处理，得到有机电致发光器件，具体是在金属箔片的边缘涂布封装胶，采用波长在200~400nm之间的紫外光进行固化，光强度为10~15mW/cm²，曝光时间为300~400s。

此外，在其他实施方式中，对于没有阳极功能层或阴极功能层的有机电致发光器件，上述制备方法可以做适应性修改。该制备过程原理简单，对设备要求低，制得的有机电致发光器件阻挡水氧的效果好，寿命长。

以下为具体实施例部分

实施例1：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/CuPc/(Si₃N₄：CaO/聚四氟乙烯)₃/Al/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）ITO玻璃基板前处理：在超声波清洗机中依次使用丙酮、乙醇、去离子水及乙醇对ITO玻璃基板进行清洗，单项清洗时间为5分钟，然后用氮气吹干，在烘箱中烤干待用；对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数。ITO玻璃基板的厚度为100nm。

b）功能层及发光层的制备：

空穴注入层：采用真空蒸镀的方法将MoO₃掺杂入NPB中，掺杂浓度为30wt%，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度厚度10nm。

空穴传输层：采用真空蒸镀的方法，以4,4',4″-三(咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料在空穴注入层上蒸镀空穴传输层，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

厚度30nm。

发光层：采用真空蒸镀的方法，以1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）为主体材料，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)为客体材料在空穴传输层上镀置发光层，其中，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5％，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

蒸发厚度20nm。

电子传输层：采用真空蒸镀的方法在发光层上蒸镀4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm。

电子注入层：采用真空蒸镀的方法将CsN₃掺入Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

蒸发厚度20nm。

c）阴极的制备：采用真空蒸镀的方法在电子注入层上蒸镀Al阴极层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度为100nm。

d）保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层CuPc，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

厚度200nm。

e）阻挡层的制备：

Si₃N₄：CaO层的制备：采用电子束蒸发方式，向真空度为2×10^-3Pa的真空反应室内通入流量为1sccm的N₂，以Si为主体材料，CaO为客体材料，在保护层上蒸发制备一层厚度为100nm的掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为55%。

聚四氟乙烯层的制备：在Ar氛围下，在掺杂氮化物层上涂覆一层厚度1μm的聚四氟乙烯材料，然后用λ＝365nm的UV光进行固化，光强10mW/cm²，曝光时间200s。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）散热层的制备：在阻挡层上采用真空蒸镀的方法制作一层厚度200nm的金属铝，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

g）封装：在厚度为100μm的Al箔片的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间350s，将上述功能层、发光层、阴极、保护层、阻挡层、散热层封装在金属箔片及导电基板内。

实施例2：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/NPB/(AlN：BaO/甲基丙烯酸树脂)₃/Ag/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层NPB，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度厚度300nm。

e）阻挡层的制备：

AlN：BaO层的制备：采用电子束蒸发方式，向真空度为2×10^-3Pa的真空反应室内通入流量为2sccm的N₂，以Al为主体材料，BaO为客体材料，在保护层上蒸发制备一层厚度为150nm的掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为25%。

甲基丙烯酸树脂层的制备：在Ar氛围下，在掺杂氮化物层上涂覆一层厚度1.5μm的甲基丙烯酸树脂材料，然后用λ=365nm的UV光进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间200s。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）散热层的制备：在阻挡层上采用真空蒸镀的方法制作一层厚度500nm的Ag层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

g）封装：在厚度为100μm的Al箔片的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强10mW/cm²，曝光时间400s，将上述功能层、发光层、阴极、保护层、阻挡层、散热层封装在金属箔片及导电基板内。

实施例3：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/Alq₃/(BN：SrO/环脂肪环氧树脂)₃/Cu/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层Alq₃，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

厚度250nm。

e）阻挡层的制备：

BN：SrO层的制备：采用电子束蒸发方式，向真空度为2×10^-3Pa的真空反应室内通入流量为5sccm的N₂，以B为主体材料，SrO为客体材料，在保护层上蒸发制备一层厚度为200nm的掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为45%。

环脂肪环氧树脂层的制备：在N₂氛围下，在掺杂氮化物层上涂覆一层厚度1.2μm的环脂肪环氧树脂材料，然后用λ=365nm的UV光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间230s。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）散热层的制备：在阻挡层上采用真空蒸镀的方法制作一层厚度300nm的Cu层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

g）封装：在厚度为100μm的Al箔片的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间300s，将上述功能层、发光层、阴极、保护层、阻挡层、散热层封装在金属箔片及导电基板内。

实施例4：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/SiO/(SiN:MgO/聚四氟乙烯)₃/Cu：Al/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层SiO，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度厚度200nm。

e）阻挡层的制备：

SiN:MgO层的制备：采用电子束蒸发方式，向真空度为2×10^-3Pa的真空反应室内通入流量为2sccm的N₂，以Si为主体材料，MgO为客体材料，在保护层上蒸发制备一层厚度为100nm的掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为45%。

聚四氟乙烯层的制备：在Ar氛围下，在掺杂氮化物层上涂覆一层厚度1μm的聚四氟乙烯材料，然后用λ=365nm的UV光进行固化，光强10mW/cm²，曝光时间200s。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）散热层的制备：在阻挡层上采用真空蒸镀的方法制作一层厚度500nm的铜铝合金层，铜铝质量比为3：1，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

g）封装：在厚度为100μm的Al箔片的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间350s，将上述功能层、发光层、阴极、保护层、阻挡层、散热层封装在金属箔片及导电基板内。

实施例5：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/MgF₂/(TaN：MgO/甲基丙烯酸树脂)₃/Al/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层MgF₂，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度300nm。

e）阻挡层的制备：

TaN：MgO层的制备：采用电子束蒸发方式，向真空度为2×10^-3Pa的真空反应室内通入流量为2sccm的N₂，以Ta为主体材料，MgO为客体材料，在保护层上蒸发制备一层厚度为200nm的掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为40%。

甲基丙烯酸树脂的制备：在Ar氛围下，在掺杂氮化物层上涂覆一层厚度1.5μm的甲基丙烯酸树脂材料，然后用λ=365nm的UV光进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间200s。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）散热层的制备：在阻挡层上采用真空蒸镀的方法制作一层厚度300nm的Al，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

g）封装：在厚度为100μm的Al箔片的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间400s，将上述功能层、发光层、阴极、保护层、阻挡层、散热层封装在金属箔片及导电基板内。

实施例6：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/ZnS/(TiN：MgO/环脂肪环氧树脂)₃/Ag/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层ZnS，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度厚度250nm。

e）阻挡层的制备：

TiN：MgO层的制备：采用电子束蒸发方式，向真空度为2×10^-3Pa的真空反应室内通入流量为2sccm的N₂，以Ti为主体材料，MgO为客体材料，在保护层上蒸发制备一层厚度为150nm的掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为40%。

环脂肪环氧树脂的制备：在Ar氛围下，在掺杂氮化物层上涂覆一层厚度1.2μm的环脂肪环氧树脂材料，然后用λ＝365nm的UV光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间230s。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）散热层的制备：在阻挡层上采用真空蒸镀的方法制作一层厚度300nm的Ag，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

g）封装：在厚度为100μm的Al箔片的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间350s，将上述功能层、发光层、阴极、保护层、阻挡层、散热层封装在金属箔片及导电基板内。

表1为实施例1-6中制得的有机电致发光器件的防水性能测试结果，表2为实施例1-6制得的有机电致发光器件的使用寿命测试结果。

表1

表2

由表1和表2的数据可以看出采用本实施方式结构的有机电致发光器件防水的能力强，器件寿命较长。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、保护层、阻挡层及散热层，所述有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜将所述发光层、阴极、保护层、阻挡层及散热层封装于所述导电基板上，其中，所述保护层的材料为CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，所述阻挡层包括层叠设置的掺杂氮化物层及有机层，所述掺杂氮化物层中主体材料为Si₃N₄、AlN、TiN、BN、SiN或TaN，所述掺杂氮化物层中客体材料为CaO、BaO、SrO或MgO，且所述客体材料占所述掺杂氮化物层的质量百分比为25~55%，所述有机层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度为200~300nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂氮化物层的厚度为100~200nm。

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机层的厚度为1~1.5μm。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层的数量至少为3个。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述散热层的材料为金属或合金材料，厚度为200~500nm。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装膜为金属箔片。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括在所述导电基板与所述发光层之间依次设置的空穴注入层和空穴传输层，以及在所述发光层与所述阴极之间依次设置的电子传输层和电子注入层。

9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在导电基板上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

使用真空蒸发的方式在所述阴极上蒸镀CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，形成保护层，其中，蒸发速度为

采用电子束蒸发方式，向真空反应室内通入流量为1~5sccm的N₂，以Si、Al、B、Ta或Ti为主体材料，CaO、BaO、SrO或MgO为客体材料，在所述保护层上蒸发制备掺杂氮化物层，其中，蒸发速度为

客体材料在掺杂氮化物层的掺杂质量百分比为25~55%；

采用旋涂工艺在所述掺杂氮化物层上涂覆聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，固化后得到有机层；

在所述有机层上制备散热层；以及

采用封装膜配合所述导电基板对所述发光层、所述阴极、所述保护层、所述阻挡层及所述散热层进行封装处理，得到所述有机电致发光器件。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括在制备发光层之前采用真空蒸镀的方法在所述导电基板上依次制备空穴注入层及空穴传输层的步骤；

以及在制备阴极之前，采用真空蒸镀的方法在所述发光层上制备电子传输层及电子注入层的步骤。

Images