CN103594642A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该器件包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层以及第二保护层以及与所述导电基板配合的将所述发光层、所述阴极、所述第一保护层、所述阻挡层及所述第二保护层封装的PET封装膜。其中，第一保护层可以将阴极与阻挡层隔开，防止阴极受到后续加工工艺的破坏；阻挡层分成三层具有较好的防氧防水功能；外层的第二保护层可以在阻挡层上形成致密的保护膜，防止阻挡层直接遭受水氧腐蚀，从而阻挡层的阻挡效果进一步增加，阻挡寿命延长。上述有机电致发光器件的防水性能可达10^-6g/m²·天，封装效果好，寿命可达20000小时以上。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，再在发光层上方制备一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被认为是最具有发展前景的照明器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程。

然而传统的有机电致发光器件普遍存在封装效果差、使用寿命短的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种封装效果良好、使用寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层，所述有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜将所述发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层封装于所述导电基底上，其中，所述第一保护层的材料为CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，所述阻挡层包括层叠设置的SiOC层、隔离层及SiON层，所述第二保护层的材料为SiO。

在其中一个实施例中，所述第一保护层的厚度为200~300nm。

在其中一个实施例中，所述SiOC层的厚度为400~600nm。

在其中一个实施例中，所述隔离层的材质为WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al，厚度为100~150nm。

在其中一个实施例中，所述SiON层的厚度为400~600nm。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的数量至少为3个。

在其中一个实施例中，所述第二保护层的厚度为100~150nm。

在其中一个实施例中，还包括在所述导电基板与所述发光层之间依次设置的空穴注入层和空穴传输层，以及在所述发光层与所述阴极之间依次设置的电子传输层和电子注入层。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

在导电基板上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

使用真空蒸发的方式在所述阴极上蒸镀CuPc层、NPB层、Alq₃层、SiO层、MgF₂层或ZnS层作为第一保护层，其中，蒸发速度为

使用等离子体增强化学气相沉积法，采用六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷或四乙氧基硅烷为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中在所述第一保护层上沉积SiOC层，其中，六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷或四乙氧基硅烷的流量为20~25sccm，所述N₂O和Ar的混合气体的流量为20~50sccm，N₂O占所述混合气体的体积比为5~80%；

采用真空蒸镀的方法，在所述SiOC层上蒸镀WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al作为隔离层，其中，蒸发速度为

使用等离子体增强化学气相沉积法，在含有六甲基二硅胺、NH₃、O₂及Ar的氛围中，在所述隔离层上制备SiON层，其中，六甲基二硅烷的流量为5~15sccm，Ar流量为60~80sccm，NH₃与O₂的流量为15~30sccm，NH₃占NH₃与O₂混合气体的体积比为10~90%；

采用真空蒸镀的方式在所述SiON层上制备SiO层作为第二保护层，其中，蒸发速度为

采用封装膜配合所述导电基板对所述发光层、所述阴极、所述第一保护层、所述阻挡层及所述第二保护层封装进行封装处理，得到所述有机电致发光器件。

在其中一个实施例中，还包括在制备发光层之前采用真空蒸镀的方法在所述导电基板上依次制备空穴注入层及空穴传输层的步骤；

以及在制备阴极之前，采用真空蒸镀的方法在所述发光层上制备电子传输层及电子注入层的步骤。

上述有机电致发光器件在阴极上设置有第一保护层、阻挡层及第二保护层，阻挡层包括SiOC层、隔离层及SiON层；其中，第一保护层可以将阴极与阻挡层隔开，防止阴极受到后续加工工艺的破坏；阻挡层分成三层，中间的隔离层连接SiOC层及SiON层，SiOC层及SiON层具有较好的防氧防水功能，分层设置的阻挡层可以防水水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好；外层的第二保护层也即SiO层可以在SiON层上形成致密的保护膜，防止SiON层直接遭受水氧腐蚀，从而阻挡层的阻挡效果进一步增加，阻挡寿命延长。上述有机电致发光器件的防水性能可达10^-6g/m²·天，封装效果好，寿命可达20000小时以上。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法流程图。

具体实施方式

下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。

如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠设置的导电基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极107、第一保护层108、阻挡层109及第二保护层110。此外，该有机电致发光器件100还包括封装膜111。

导电基板101为洁净的玻璃基板或导电有机薄膜基板，如厚度为100nm的ITO玻璃基板或PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）聚合物导电基板等。导电基板101上制备有阳极图形。

空穴注入层102、空穴传输层103、电子传输层105、电子注入层106等功能层采用常用的材料制备，如空穴注入层102可以通过MoO₃按照30wt%的掺杂浓度掺入NPB中得到；空穴传输层103可以为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）；电子传输层105可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）；电子注入层106可以通过CsN3按照30wt%的掺杂浓度掺入Bphen中得到。此外，在其他实施方式中，该有机电致发光器件100还可以不包括空穴注入层102、空穴传输层103、电子传输层105及电子注入层106或者只包括上述其中一种、两种或三种功能层。

发光层104可以采用常用的材料制备，如发光层104的主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)，其中，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5wt%。

阴极107可以采用非透明金属材料制备，如铝、镍或金等，还可以采用具有介质层/金属层/介质层结构的透明材料制备，如ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS等。

第一保护层108直接制备在阴极107上，防止后续工艺对阴极107的破坏。第一保护层108的材料可以是CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS。第一保护层108的厚度在200~300nm之间。

阻挡层109包括层叠设置的SiOC层、隔离层及SiON层。其中，SiOC层的厚度为400~600nm；隔离层的材质为WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al，厚度为100~150nm；SiON层的厚度为400~600nm。SiOC层及SiON层具有良好的隔氧隔水功能，SiOC层及SiON层之间设置隔离层，防止氧或水汽的逐渐渗透，从而整个阻挡层109阻挡水氧效果更好。本实施方式的有机电致发光器件100包括一层阻挡层109，在其他实施方式中，该有机电致发光器件100还可以包括多层阻挡层109，相应地，阻挡层109数量越多，阻挡水氧的效果更好。

本实施方式的第二保护层110为厚度在100~150nm之间的SiO层。第二保护层110在阻挡层109之外，该外层的第二保护层也即SiO层可以在SiON层上形成致密的保护膜，防止SiON层直接遭受水氧腐蚀，从而阻挡层109的阻挡效果进一步增加，阻挡寿命延长。

封装膜111与导电基板101配合，将空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极107、第一保护层108、阻挡层109及第二保护层110密封，形成第一道阻挡水氧的屏障。在本实施方式中封装膜111的材料为聚对苯二甲酸乙二酯（PET），在其他实施方式中，封装膜111的材质还可以为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等。

该有机电致发光器件100在阴极107上设置有第一保护层108、阻挡层109及第二保护层110，阻挡层109包括SiOC层、隔离层及SiON层；其中，第一保护层108可以将阴极107与阻挡层109隔开，防止阴极107受到后续加工工艺的破坏；阻挡层109分成三层，中间的隔离层连接SiOC层及SiON层，SiOC层及SiON层具有较好的防氧防水功能，分层设置的阻挡层109阻挡水氧效果更好；外层的第二保护层110也即SiO层可以在SiON层上形成致密的保护膜，防止SiON层直接遭受水氧腐蚀，从而阻挡层109的阻挡效果进一步增加，阻挡寿命延长。上述有机电致发光器件100的防水性能能达到10^-6g/m²·天，封装效果好，寿命可达20，000小时以上。

针对具有上述结构的有机电致发光器件100，本实施方式还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：

步骤S210，在导电基板上依次制备阳极功能层、发光层、阴极功能层及阴极。其中，阳极功能层包括空穴注入层及空穴传输层，阴极功能层包括电子传输层及电子注入层。本步骤可以采用常用的真空蒸镀的方式进行各膜层的镀置。

步骤S220，使用真空蒸发的方式在阴极上蒸镀厚度为200~300nm的CuPc层、NPB层、Alq₃层、SiO层、MgF₂层或ZnS层作为第一保护层，其中，蒸发速度为

步骤S230，使用等离子体增强化学气相沉积法，采用六甲基二硅氧烷（HMDSO）、四甲基硅烷（TMS）或四乙氧基硅烷（TEOS）为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中在第一保护层上沉积一层厚度为400~600nm的SiOC层，其中，六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷或四乙氧基硅烷的流量为20~25sccm，N₂O和Ar的混合气体的流量为20~50sccm，N₂O占混合气体的体积比为5~80%。

步骤S240，采用真空蒸镀的方法，在SiOC层上蒸镀一层厚度为100~150nm的WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al作为隔离层，其中蒸发速度为

步骤S250，使用等离子体增强化学气相沉积法，在含有六甲基二硅胺（HMDS）、NH₃、O₂及Ar的混合气体氛围中，在隔离层上制备一层厚度为400~600nm的SiON层，其中，六甲基二硅烷的流量为5~15sccm，Ar流量为60~80sccm，NH₃与O₂的流量为15~30sccm，NH₃占NH₃与O₂混合气体的体积比为10~90%。

步骤S260，采用真空蒸镀的方式在SiON层上制备一层厚度为100~150nm的SiO层作为第二保护层，其中，蒸发速度

步骤S270，采用PET封装膜配合导电基板对各功能层（包括阳极功能层和阴极功能层）、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层进行封装处理，得到有机电致发光器件，具体是在PET封装膜的边缘涂布封装胶，采用波长在200~400nm之间的紫外光进行固化，光强度为10~15mW/cm²，曝光时间为300~400s。

此外，在其他实施方式中，对于没有阳极功能层或阴极功能层的有机电致发光器件，上述制备方法可以做适应性修改。该制备过程原理简单，对设备要求低，制得的有机电致发光器件阻挡水氧的效果好，寿命长。

以下为具体实施例部分

实施例1：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/CuPc/(SiOC/WO₃/SiON)₃/SiO/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）ITO玻璃基板前处理：在超声波清洗机中依次使用丙酮、乙醇、去离子水及乙醇对ITO玻璃基板进行清洗，单项清洗时间为5分钟，然后用氮气吹干，在烘箱中烤干待用；对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数。ITO玻璃基板的厚度为100nm。

b）功能层及发光层的制备：

空穴注入层：采用真空蒸镀的方法将MoO₃掺杂入NPB中，掺杂浓度为30wt%，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度厚度10nm。

空穴传输层：采用真空蒸镀的方法，以4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料在空穴注入层上蒸镀空穴传输层，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

厚度30nm。

发光层：采用真空蒸镀的方法，以1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）为主体材料，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)为客体材料在空穴传输层上镀置发光层，其中，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5％，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

蒸发厚度20nm。

电子传输层：采用真空蒸镀的方法在发光层上蒸镀4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

蒸发厚度10nm。

电子注入层：采用真空蒸镀的方法将CsN₃掺入Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

蒸发厚度20nm。

c）阴极的制备：采用真空蒸镀的方法在电子注入层上蒸镀Al阴极层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度为100nm。

d）第一保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层CuPc，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

厚度200nm。

e）阻挡层的制备：

SiOC膜的制备：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）的方法，以HMDSO为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中，在第一保护层上制备一层厚度400nm为SiOC层，其中，HMDSO的流量为20sccm、N₂O与Ar混合气体的流量为20sccm，N₂O占N₂O与Ar混合气体的体积比为R，R为80%。

隔离层的制备：采用真空蒸镀的方法制备，在SiOC层上蒸镀一层为WO₃层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度120nm。

SiON膜的制备：采用PECVD法，在HMDS（六甲基二硅胺）、NH₃、O₂及Ar的气体氛围中，在WO₃层上制备厚度为400nm的SiON层，其中，HMDS流量为5sccm，Ar流量60sccm，NH₃与O₂混合气体的流量为15sccm，NH₃与O₂比值为R，R为50%。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）第二保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在最上层的阻挡层上制备一层SiO膜层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度100nm。

g）封装：在含铝PET封装膜的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强10mW/cm²，曝光时间400s，将上述功能层、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层、第二保护层封装在PET封装膜及导电基板内。

实施例2：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/NPB/(SiOC/MoO₃/SiON)₃/SiO/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）第一保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层NPB，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

厚度300nm。

e）阻挡层的制备：

SiOC膜的制备：采用PECVD的方法，以TMS为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中，在第一保护层上制备一层厚度600nm为SiOC层，其中，TMS的流量为25sccm、N₂O与Ar混合气体的流量为50sccm，N₂O占N₂O与Ar混合气体的体积比为R，R值为50%。

隔离层的制备：采用真空蒸镀的方法制备，在SiOC层上蒸镀一层为MoO₃层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度150nm。

SiON膜的制备：采用PECVD法，在HMDS、NH₃、O₂及Ar的气体氛围中，在WO₃层上制备厚度为600nm的SiON层，其中，HMDS流量为15sccm，Ar流量80sccm，NH₃与O₂混合气体的流量为30sccm，NH₃与O₂比值为R，R为90%。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）第二保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在最上层的阻挡层上制备一层SiO膜层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度厚度150nm。

g）封装：在含铝PET封装膜的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间300s，将上述功能层、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层、第二保护层封装在PET封装膜及导电基板内。

实施例3：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/Alq₃/(SiOC/V₂O₅/SiON)₃/SiO/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）第一保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层Alq₃，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

厚度250nm。

e）阻挡层的制备：

SiOC膜的制备：采用PECVD的方法，以TEOS为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中，在第一保护层上制备一层厚度420nm为SiOC层，其中，TEOS的流量为20sccm、N₂O与Ar混合气体的流量为40sccm，N₂O占N₂O与Ar混合气体的体积比为R，R值为50%。

隔离层的制备：采用真空蒸镀的方法制备，在SiOC层上蒸镀一层为V₂O₅层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度130nm。

SiON膜的制备：采用PECVD法，在HMDS、NH₃、O₂及Ar的气体氛围中，在V₂O₅层上制备厚度为480nm的SiON层，其中，HMDS流量为10sccm，Ar流量65sccm，NH₃与O₂混合气体的流量为20sccm，NH₃与O₂比值为R，R为10%。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）第二保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在最上层的阻挡层上制备一层SiO膜层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度120nm。

g）封装：在含铝PET封装膜的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间350s，将上述功能层、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层、第二保护层封装在PET封装膜及导电基板内。

实施例4：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/SiO/(SiOC/Au/SiON)₃/SiO/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）第一保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层SiO，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度200nm。

e）阻挡层的制备：

SiOC膜的制备：采用PECVD的方法，以HMDSO为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中，在第一保护层上制备一层厚度450nm为SiOC层，其中，HMDSO的流量为21sccm、N₂O与Ar混合气体的流量为30sccm，N₂O占N₂O与Ar混合气体的体积比为R，R为5%。

隔离层的制备：采用真空蒸镀的方法制备，在SiOC层上蒸镀一层为Au层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度100nm。

SiON膜的制备：采用PECVD法，在HMDS、NH₃、O₂及Ar的气体氛围中，在Au层上制备厚度为420nm的SiON层，其中，HMDS流量为6sccm，Ar流量65sccm，NH₃与O₂混合气体的流量为15sccm，NH₃与O₂比值为R，R为60%。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）第二保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在最上层的阻挡层上制备一层SiO膜层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度100nm。

g）封装：在含铝PET封装膜的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强12mW/cm²，曝光时间340s，将上述功能层、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层、第二保护层封装在PET封装膜及导电基板内。

实施例5：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/MgF₂/(SiOC/Ag/SiON)₃/SiO/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）第一保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层MgF₂，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度300nm。

e）阻挡层的制备：

SiOC膜的制备：采用PECVD的方法，以TMS为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中，在第一保护层上制备一层厚度460nm为SiOC层，其中，TMS的流量为22sccm、N₂O与Ar混合气体的流量为33sccm，N₂O占N₂O与Ar混合气体的体积比为R，R为50%。

隔离层的制备：采用真空蒸镀的方法制备，在SiOC层上蒸镀一层为Ag层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度150nm。

SiON膜的制备：采用PECVD法，在HMDS、NH₃、O₂及Ar的气体氛围中，在Ag层上制备厚度为490nm的SiON层，其中，HMDS流量为7sccm，Ar流量70sccm，NH₃与O₂混合气体的流量为21sccm，NH₃与O₂比值为R，R为60%。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）第二保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在最上层的阻挡层上制备一层SiO膜层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度150nm。

g）封装：在含铝PET封装膜的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强13mW/cm²，曝光时间330s，将上述功能层、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层、第二保护层封装在PET封装膜及导电基板内。

实施例6：

制备结构为：ITO/NPB：MoO₃/TCTA/TPBI：Ir(ppy)₃/Bphen/Bphen：CsN₃/Al/ZnS/(SiOC/Al/SiON)₃/SiO/封装膜的有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

a）、b）、c）同实施例1；

d）第一保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层ZnS，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度250nm。

e）阻挡层的制备：

SiOC膜的制备：采用PECVD的方法，以TEOS为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中，在第一保护层上制备一层厚度480nm为SiOC层，其中，TEOS的流量为22sccm、N₂O与Ar混合气体的流量为40sccm，N₂O占N₂O与Ar混合气体的体积比为R，R为60%。

隔离层的制备：采用真空蒸镀的方法制备，在SiOC层上蒸镀一层为Al层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度厚度120nm。

SiON膜的制备：采用PECVD法，在HMDS、NH₃、O₂及Ar的气体氛围中，在Al层上制备厚度为560nm的SiON层，其中，HMDS流量为11sccm，Ar流量80sccm，NH₃与O₂混合气体的流量为25sccm，NH₃与O₂比值为R，R为50%。

重复上述阻挡层的制备步骤，共制备三层阻挡层。

f）第二保护层的制备：采用真空蒸镀的方式在最上层的阻挡层上制备一层SiO膜层，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度130nm。

g）封装：在含铝PET封装膜的边缘涂布封装胶，用λ=365nm的UV光进行固化，光强14mW/cm²，曝光时间310s，将上述功能层、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层、第二保护层封装在PET封装膜及导电基板内。

表1为实施例1-6中制得的有机电致发光器件的防水性能测试结果，表2为实施例1-6制得的有机电致发光器件的使用寿命测试结果。

表1

实施例1

实施例2

实施例3

实施例4

实施例5

实施例6

WVTR(g/m2·day)

7.3E-6

6.1E-6

5.0E-6

4.3E-6

7.0E-6

6.2E-6

表2

由表1和表2的数据可以看出采用本实施方式结构的有机电致发光器件防水的能力强，器件寿命较长。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层，所述有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜将所述发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层封装于所述导电基底上，其中，所述第一保护层的材料为CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，所述阻挡层包括层叠设置的SiOC层、隔离层及SiON层，所述第二保护层的材料为SiO。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一保护层的厚度为200~300nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述SiOC层的厚度为400~600nm。

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述隔离层的材质为WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al，厚度为100~150nm。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述SiON层的厚度为400~600nm。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层的数量至少为3个。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二保护层的厚度为100~150nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括在所述导电基板与所述发光层之间依次设置的空穴注入层和空穴传输层，以及在所述发光层与所述阴极之间依次设置的电子传输层和电子注入层。

9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在导电基板上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

使用真空蒸发的方式在所述阴极上蒸镀CuPc层、NPB层、Alq₃层、SiO层、MgF₂层或ZnS层作为第一保护层，其中，蒸发速度为

使用等离子体增强化学气相沉积法，采用六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷或四乙氧基硅烷为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中在所述第一保护层上沉积SiOC层，其中，六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷或四乙氧基硅烷的流量为20~25sccm，所述N₂O和Ar的混合气体的流量为20~50sccm，N₂O占所述混合气体的体积比为5~80%；

采用真空蒸镀的方法，在所述SiOC层上蒸镀WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al作为隔离层，其中，蒸发速度为

使用等离子体增强化学气相沉积法，在含有六甲基二硅胺、NH₃、O₂及Ar的氛围中，在所述隔离层上制备SiON层，其中，六甲基二硅烷的流量为5~15sccm，Ar流量为60~80sccm，NH₃与O₂的流量为15~30sccm，NH₃占NH₃与O₂混合气体的体积比为10~90%；

采用真空蒸镀的方式在所述SiON层上制备SiO层作为第二保护层，其中，蒸发速度为

采用封装膜配合所述导电基板对所述发光层、所述阴极、所述第一保护层、所述阻挡层及所述第二保护层封装进行封装处理，得到所述有机电致发光器件。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括在制备发光层之前采用真空蒸镀的方法在所述导电基板上依次制备空穴注入层及空穴传输层的步骤；

以及在制备阴极之前，采用真空蒸镀的方法在所述发光层上制备电子传输层及电子注入层的步骤。

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