CN103904239A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层、散热层。本发明采用的封装材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备，WVTR达到10^－5g/m²·day；利用本发明有机电致发光器件制备得到的OLED发光器件，寿命达到10,000小时以上。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电子器件相关的技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短，因此封装的好坏直接影响器件的寿命。本发明的主要目的在于提供一种有机电致发光器件的制备方法，该技术工艺简单，防水氧能力（WVTR）强，对柔性OLED器件的寿命有显著的提高。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种有机电致发光器件。

具体的技术方案如下：

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

在其中一些实施例中，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉，厚度为200-300nm。

在其中一些实施例中，所述硅化物层的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂，厚度为100nm～150nm。

在其中一些实施例中，所述湿气吸收层的材质为CaO、BaO、SrO或MgO，厚度为100nm～200nm。

在其中一些实施例中，所述散热层的材质为铝、银、铜中的一种或几种，厚度为200～500nm。

在其中一些实施例中，所述阳极基底为ITO玻璃基板，所述阳极基底的厚度为100nm；所述空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，所述空穴注入层厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层厚度为20nm；所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm；所述阴极层为Al，所述阴极层的厚度为100nm。

在其中一些实施例中，所述有机电致发光器件还封装有金属箔片；所述有机电致发光器件封装于所述金属箔片和所述阳极基底内。

本发明的还提供上述有机电致发光器件的制备方法。

具体的技术方案如下：

上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

（2）采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉；

（3）采用磁控溅射的方法在有机阻挡层上制备硅化物层，所述硅化物层的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂；

（4）采用磁控溅射的方法在硅化物层上制备湿气吸收层，所述湿气吸收层的材质为CaO、BaO、SrO或MgO；

（5）采用真空蒸镀的方法在湿气吸收层上制备散热层，所述散热层的材质为铝、银、铜中的一种或几种；

经过上述步骤制备得到所述有机电致发光器件。

在其中一些实施例中，所述步骤（2）中真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为

所述步骤（3）中磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；所述步骤（4）中磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；所述步骤（5）中真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为

在其中一些实施例中，所述有机电致发光器件还封装有金属箔片；在所述金属箔片边缘涂布封装胶，用光波长365nm的UV光进行固化，UV光强15～25mW/cm²，曝光时间300～400s；将所述有机电致发光器件封装在所述金属箔片和阳极基底内。

本发明的有益效果是：

本发明提出了一种有机电致发光器件的制备方法，旨在解决柔性OLED封装面临的问题，促进柔性OLED产品的发展。本发明提出的OLED器件封装技术适用于以玻璃基底制备的OLED器件以及塑料或金属为基底制备的柔性OLED器件，该技术特别适用于柔性OLED器件的应用。

本发明的有机电致发光器件包括括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层、散热层和金属箔片。具有如下特点：

1）有机阻挡层可真空蒸镀制作；

2）采用硅化物层作为无机阻挡层，致密性高，防水氧能力强；

3）采用湿气吸收层吸收湿气，降低湿气对器件产生的破坏；

4）采用金属层作为散热层，提高器件散热能力，延长器件寿命；

5）采用金属箔片作为封装盖，提高器件散热能力，将封装对光效的影响降到最低。

本发明的一种有机电致发光器件的制备方法，该方法采用的封装材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备，WVTR达到10^－5g/m²·day；利用本发明有机电致发光器件制备的OLED发光器件，寿命达到10,000小时以上（T701000cd/m²）。

附图说明

图1为本发明有机电致发光器件的结构图。

附图标记说明：

101、阳极基底；102、空穴注入层；103、空穴传输层；104、发光层；105、电子传输层；106、电子注入层；107、阴极层；108、有机阻挡层；109、硅化物层；110、湿气吸收层；111、散热层；112、金属箔片。

具体实施方式

以下通过实施例对本发明做进一步阐述。

参考图1，本发明有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底101（衬底和阳极导电作用）、空穴注入层102（注入空穴，有利于空穴从阳极注入到传输材料中）、空穴传输层103（传输空穴，有利于空穴传输到发光材料中）、发光层104（电子和空穴在此层中复合，然后将能量转移给发光分子发光）、电子传输层105（传输电子，有利于电子传输到发光材料中）、电子注入层106（注入电子，有利于电子从阳极注入到传输材料中）和阴极层107（电源为器件提供电子），在所述阴极层107上依次层叠有机阻挡层108（采用有机物作为阻挡层）、硅化物层109（采用硅化物作为阻挡层）、湿气吸收层110（吸收水汽层）和散热层111（散发器件产生的热量）。

（1）阳极基底101为导电玻璃基板或导电有机薄膜（优选为ITO玻璃基板），厚度为100nm；

（2）空穴注入层102的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，厚度为10nm；

（3）空穴传输层103的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度为30nm；

（4）发光层104的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度为20nm；

（5）电子传输层105的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，厚度为10nm；

（6）电子注入层106的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为20nm；

（7）阴极层107的材质为Al，厚度为100nm；

（8）有机阻挡层108的材质为CuPc（酞菁铜）、NPB（N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺）、Alq3（8-羟基喹啉铝）、m-MTDATA（4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺）或BCP（4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉），厚度为200-300nm；

（9）硅化物层109的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂，厚度为100nm～150nm；

（10）湿气吸收层110的材质为CaO、BaO、SrO或MgO，厚度为100nm～200nm；

（11）散热层111的材质为铝、银、铜中的一种或几种，厚度为200～500nm。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

（2）采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉；

真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为

（3）采用磁控溅射的方法在有机阻挡层上制备硅化物层，所述硅化物层的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂；

磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；

（4）采用磁控溅射的方法在硅化物层上制备湿气吸收层，所述湿气吸收层的材质为CaO、BaO、SrO或MgO；

磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；

（5）采用真空蒸镀的方法在湿气吸收层上制备散热层，所述散热层的材质为铝、银、铜中的一种或几种；

真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为

经过上述步骤制备得到所述有机电致发光器件。

（6）金属箔片的覆盖：在金属箔片边缘涂布封装胶，用UV光（光波长λ=365nm）进行固化，光强15～25mW/cm²，曝光时间300～400s，将步骤（5）制备得到的有机电致发光器件封装于金属箔片及阳极基底内。

上述阳极基底的基底一般为玻璃，其上的阳极层，也就是导电层的材质一般为ITO、IZO、AZO、FTO等，优选ITO；在玻璃表面制备有ITO、IZO、AZO、FTO层的，简称ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。

实施例1：

本实施例所述的有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106和阴极层107，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层108、硅化物层109、湿气吸收层110和散热层111。

（1）阳极基底101为ITO玻璃基板，厚度为100nm；

（2）空穴注入层102的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，厚度为10nm；

（3）空穴传输层103的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度为30nm；

（4）发光层104的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度为20nm；

（5）电子传输层105的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，厚度为10nm；

（6）电子注入层106的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为20nm；

（7）阴极层107的材质为Al，厚度为100nm；

（8）有机阻挡层108的材质为CuPc（酞菁铜），厚度300nm；

（9）硅化物层109的材质为CrSi₂，厚度为100nm；

（10）湿气吸收层110的材质为CaO，厚度为100nm；

（11）散热层111的材质为铝，厚度为200nm。

本实施例所述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层：

a、阳极基底101的制备：ITO玻璃基板前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO厚度为100nm；

b、采用真空蒸镀的方法在阳极基底的阳极层表面上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层：

空穴注入层102的制备：将MoO₃掺杂入NPB中，掺杂浓度30wt%，厚度10nm，真空度3×10^-5Pa，蒸镀速度

空穴传输层103的制备：采用4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度3×10^-5Pa，蒸镀速度

蒸镀厚度30nm；

发光层104的制备：主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)，掺杂浓度5wt%，真空度3×10^-5Pa，蒸镀速度蒸镀厚度20nm；

电子传输层105的制备：蒸镀一层作为电子传输材料，真空度3×10^-5Pa，蒸镀速度

蒸镀厚度10nm；

电子注入层106的制备：将CsN₃掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中，掺杂浓度30wt%，真空度3×10^-5Pa，蒸镀速度蒸镀厚度20nm；

c、阴极层107的制备：采用蒸镀的方法在电子注入层上制备阴极层Al，厚度为100nm，真空度为3×10^-5Pa，蒸镀速度为

（2）有机阻挡层108的制备：；采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备一层CuPc（酞菁铜），即得有机阻挡层，真空蒸镀的真空度1×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度300nm；

（3）硅化物层109的制备：在有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备一层CrSi₂，即得硅化物层，本底真空度1×10^-4Pa，厚度100nm；

（4）湿气吸收层110的制备：在硅化物层上采用磁控溅射的方法制备一层CaO，即得湿气吸收层，磁控溅射本底的真空度为1×10^-4Pa，溅射厚度100nm；

（5）散热层111的制备：在湿气吸收层上采用真空蒸镀的方法制备一层铝，真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度为200nm，即得散热层，经过上述步骤制备得到本实施例所述有机电致发光器件；

（6）金属箔片112的覆盖：在金属箔片边缘涂布封装胶，用UV光（光波长λ=365nm）进行固化，光强20mW/cm²，曝光时间350s，将步骤（5）制备得到的有机电致发光器件封装于金属箔片和阳极基底内。

实施例2：

本实施例所述的有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

（1）阳极基底为ITO玻璃基板，厚度为100nm；

（2）空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，厚度为10nm；

（3）空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度为30nm；

（4）发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度为20nm；

（5）电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，厚度为10nm；

（6）电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为20nm；

（7）阴极层的材质为Al，厚度为100nm；

（8）有机阻挡层的材质为NPB（N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺），厚度为250nm；

（9）硅化物层的材质为TaSi₂，厚度为120nm；

（10）湿气吸收层的材质为BaO，厚度为200nm；

（11）散热层的材质为银，厚度为500nm。

本实施例所述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层：

阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层的制备方法同实施例1步骤（1）；

（2）有机阻挡层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备一层NPB（N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺），即得有机阻挡层，真空蒸镀的真空度5×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度250nm；

（3）硅化物层的制备：在有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备一层TaSi₂，即得硅化物层，本底真空度5×10^-4Pa，厚度120nm；

（4）湿气吸收层的制备：在硅化物层上采用磁控溅射的方法制备一层BaO，即得湿气吸收层，磁控溅射本底的真空度为5×10^-4Pa，溅射厚度200nm；

（5）散热层的制备：在湿气吸收层上采用真空蒸镀的方法制备一层银，真空蒸镀的真空度为5×10^-5Pa，蒸镀速度厚度为500nm，即得散热层，经过上述步骤制备得到有机电致发光器件；

（6）金属箔片的覆盖：在金属箔片边缘涂布封装胶，用UV光（光波长λ=365nm）进行固化，光强25mW/cm²，曝光时间400s，将步骤（5）制备得到的有机电致发光器件封装于金属箔片和阳极基底内。

实施例3：

本实施例所述的有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

（1）阳极基底为ITO玻璃基板，厚度为100nm；

（2）空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，厚度为10nm；

（3）空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度为30nm；

（4）发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度为20nm；

（5）电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，厚度为10nm；

（6）电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为20nm；

（7）阴极层的材质为Al，厚度为100nm；

（8）有机阻挡层的材质为Alq3（8-羟基喹啉铝），厚度为200nm；

（9）硅化物层的材质为HfSi₂，厚度为150nm；

（10）湿气吸收层的材质为SrO，厚度为150nm；

（11）散热层的材质为铜，厚度为300nm。

本实施例所述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层：

阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层的制备方法同实施例1步骤（1）；

（2）有机阻挡层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备一层Alq3（8-羟基喹啉铝），即得有机阻挡层，真空蒸镀的真空度5×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度200nm；

（3）硅化物层的制备：在有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备一层HfSi₂，即得硅化物层，本底真空度5×10^-4Pa，厚度150nm；

（4）湿气吸收层的制备：在硅化物层上采用磁控溅射的方法制备一层SrO，即得湿气吸收层，磁控溅射本底的真空度为5×10^-4Pa，溅射厚度150nm；

（5）散热层的制备：在湿气吸收层上采用真空蒸镀的方法制备一层铜，真空蒸镀的真空度为5×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度为300nm，即得散热层，经过上述步骤制备得到有机电致发光器件；

（6）金属箔片的覆盖：在金属箔片边缘涂布封装胶，用UV光（光波长λ＝365nm）进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间300s，将步骤（5）制备得到的有机电致发光器件封装于金属箔片和阳极基底内。

实施例4：

本实施例所述的有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

（1）阳极基底为ITO玻璃基板，厚度为100nm；

（2）空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，厚度为10nm；

（3）空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度为30nm；

（4）发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度为20nm；

（5）电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，厚度为10nm；

（6）电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为20nm；

（7）阴极层的材质为Al，厚度为100nm；

（8）有机阻挡层的材质为m-MTDATA（4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺），厚度为250nm；

（9）硅化物层的材质为TiSi₂，厚度为100nm；

（10）湿气吸收层的材质为MgO，厚度为100nm；

（11）散热层的材质为铜铝合金，铜铝比例为3:1，厚度为500nm。

本实施例所述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层：

阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层的制备方法同实施例1步骤（1）；

（2）有机阻挡层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备一层m-MTDATA（4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺），即得有机阻挡层，真空蒸镀的真空度5×10^-5Pa，蒸镀速度厚度250nm；

（3）硅化物层的制备：在有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备一层TiSi₂，即得硅化物层，本底真空度2×10^-4Pa，厚度100nm；

（4）湿气吸收层的制备：在硅化物层上采用磁控溅射的方法制备一层MgO，即得湿气吸收层，磁控溅射本底的真空度为5×10^-4Pa，溅射厚度100nm；

（5）散热层的制备：在湿气吸收层上采用真空蒸镀的方法制备一层铜铝合金，铜铝比例为3:1，真空蒸镀的真空度为5×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度为500nm，即得散热层，经过上述步骤制备得到有机电致发光器件；

（6）金属箔片的覆盖：在金属箔片边缘涂布封装胶，用UV光（光波长λ=365nm）进行固化，光强20mW/cm²，曝光时间350s，将步骤（5）制备得到的有机电致发光器件封装于金属箔片和阳极基底内。

实施例5：

本实施例所述的有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

（1）阳极基底为ITO玻璃基板，厚度为100nm；

（2）空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，厚度为10nm；

（3）空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度为30nm；

（4）发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度为20nm；

（5）电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，厚度为10nm；

（6）电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为20nm；

（7）阴极层的材质为Al，厚度为100nm；

（8）有机阻挡层的材质为BCP（4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉），厚度为250nm；

（9）硅化物层的材质为MoSi₂，厚度为150nm；

（10）湿气吸收层的材质为CaO，厚度为200nm；

（11）散热层的材质为铝，厚度为300nm。

本实施例所述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层：

阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层的制备方法同实施例1步骤（1）；

（2）有机阻挡层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备一层BCP（4，7-二苯基-1，10-邻菲罗啉），即得有机阻挡层，真空蒸镀的真空度5×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度250nm；

（3）硅化物层的制备：在有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备一层MoSi₂，即得硅化物层，本底真空度5×10^-4Pa，厚度150nm；

（4）湿气吸收层的制备：在硅化物层上采用磁控溅射的方法制备一层CaO，即得湿气吸收层，磁控溅射本底的真空度为5×10^-4Pa，溅射厚度200nm；

（5）散热层的制备：在湿气吸收层上采用真空蒸镀的方法制备一层铝，真空蒸镀的真空度为5×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度为300nm，即得散热层，经过上述步骤制备得到有机电致发光器件；

（6）金属箔片的覆盖：在金属箔片边缘涂布封装胶，用UV光（光波长λ=365nm）进行固化，光强20mW/cm²，曝光时间340s，将步骤（5）制备得到的有机电致发光器件封装于金属箔片和阳极基底内。

实施例6：

本实施例所述的有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

（1）阳极基底为ITO玻璃基板，厚度为100nm；

（2）空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，厚度为10nm；

（3）空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度为30nm；

（4）发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度为20nm；

（5）电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，厚度为10nm；

（6）电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为20nm；

（7）阴极层的材质为Al，厚度为100nm；

（8）有机阻挡层的材质为CuPc（酞菁铜），厚度为250nm；

（9）硅化物层的材质为WSi₂，厚度为120nm；

（10）湿气吸收层的材质为BaO，厚度为150nm；

（11）散热层的材质为银，厚度为300nm。

本实施例所述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层：

阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层的制备方法同实施例1步骤（1）；

（2）有机阻挡层的制备：采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备一层CuPc（酞菁铜），即得有机阻挡层，真空蒸镀的真空度1×10^-3Pa，蒸镀速度厚度250nm；

（3）硅化物层的制备：在有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备一层WSi₂，即得硅化物层，本底真空度1×10^-3Pa，厚度120nm；

（4）湿气吸收层的制备：在硅化物层上采用磁控溅射的方法制备一层BaO，即得湿气吸收层，磁控溅射本底的真空度为1×10^-3Pa，溅射厚度150nm；

（5）散热层的制备：在湿气吸收层上采用真空蒸镀的方法制备一层银，真空蒸镀的真空度为5×10^-5Pa，蒸镀速度

厚度为300nm，即得散热层，经过上述步骤制备得到有机电致发光器件；

（6）金属箔片的覆盖：在金属箔片边缘涂布封装胶，用UV光（光波长λ=365nm）进行固化，光强18mW/cm²，曝光时间360s，将步骤（5）制备得到的有机电致发光器件封装于金属箔片和阳极基底内。

实施例7

实施例1-6制备得到有机电致发光器件的应用实验数据如下表所示：

由上表数据可以看出，本实施例1-6的透明有机电致发光器件的水蒸气透过率(WVTR)最低达4.3×10^－5g/m²·day，完全满足柔性有机电致发光器件的使用要求，使用寿命达10000小时以上。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉，厚度为200-300nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述硅化物层的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂，厚度为100nm～150nm。

4.根据权利要求1所述的透明有机电致发光器件，其特征在于，所述湿气吸收层的材质为CaO、BaO、SrO或MgO，厚度为100nm～200nm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述散热层的材质为铝、银、铜中的一种或几种，厚度为200～500nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基底为ITO玻璃基板，所述阳极基底的厚度为100nm；所述空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，所述空穴注入层厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层厚度为20nm；所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm；所述阴极层的材质为Al，所述阴极层的厚度为100nm。

7.根据权利要求1-5任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还封装有金属箔片；所述有机电致发光器件封装于所述金属箔片和所述阳极基底内。

8.一种权利要求1-7任一项所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

（2）采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉；

（3）采用磁控溅射的方法在有机阻挡层上制备硅化物层，所述硅化物层的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂；

（4）采用磁控溅射的方法在硅化物层上制备湿气吸收层，所述湿气吸收层的材质为CaO、BaO、SrO或MgO；

（5）采用真空蒸镀的方法在湿气吸收层上制备散热层，所述散热层的材质为铝、银、铜中的一种或几种；

经过上述步骤即得所述有机电致发光器件。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为

所述步骤（3）中磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；所述步骤（4）中磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；所述步骤（5）中真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为

10.根据权利要求8或9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机电致发光器件还封装有金属箔片；在所述金属箔片边缘涂布封装胶，用光波长为365nm的UV光进行固化，UV光强15～25mW/cm²，曝光时间300～400s,将所述有机电致发光器件封装于所述金属箔片和阳极基底内。

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