CN111341940A - 一种oled器件封装结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED器件封装结构及其制备方法。所述封装结构包括：OLED器件、薄膜封装层、散热层、隔热阻水氧层以及金属箔；所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层上；所述隔热阻水氧层的下表面包覆在所述散热层的上表面；所述金属箔位于所述隔热阻水氧层上方；所述散热层的材料为石墨片。本发明通过在OLED器件封装层中加入了一层石墨片，使整个OLED器件的散热能力大大提高，从而显著提升了OLED器件的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及OLED封装技术领域，特别是涉及一种OLED器件封装结构及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件的封装需要考虑到OLED器件的工作环境和OLED自身特点的影响，因为OLED器件对氧气和水比较敏感，并且长时间工作的OLED器件会因为温度过高很快退化甚至无法工作，所以OLED器件的封装技术需要有良好的散热能力以及隔绝水氧的能力，使OLED器件能够及时散热，延长使用寿命。
中国现有的OLED器件封装技术受到韩国三星公司专利限制，使用三星的封装技术需要支付大量的专利费用，这无疑会增加OLED器件的制备成本，降低OLED的市场竞争力。现有的封装技术是在水、氧含量低于1ppm浓度(parts per million)的手套箱中完成的，首先将封装盖由调整好程序的自动点胶机完成UV胶(UVglue，无影胶)的涂覆，然后再将封装盖传至手套箱内完成干燥剂贴敷工作，但这种封装无法达到OLED实际使用时的散热要求，器件长时间工作而不能及时散热会导致OLED器件无法正常工作。
发明内容
本发明的目的是提供一种OLED器件封装结构及其制备方法，以解决采用现有封装技术封装的OLED器件散热能力差、使用寿命短的问题。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种OLED器件封装结构，包括：OLED器件、薄膜封装层、散热层、隔热阻水氧层以及金属箔；所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层上；所述隔热阻水氧层的下表面包覆在所述散热层的上表面；所述金属箔位于所述隔热阻水氧层上方；所述散热层的材料为石墨片。
可选的，所述散热层的厚度范围为10nm-100um。
可选的，所述隔热阻水氧层包括胶水以及大同贴片；所述散热层的上表面从内向外依次包覆所述胶水以及所述大同贴片；所述隔热阻水氧层厚度范围为100nm-100um。
可选的，所述金属箔采用铝、铜、金、银或镁；所述金属箔的厚度范围为50nm-100um。
可选的，所述OLED器件封装结构边缘采用胶水封装，用于防止水或氧进入所述OLED器件。
一种OLED器件封装结构的制备方法，所述制备方法包括：
准备OLED器件；
在所述OLED器件上表面蒸镀薄膜封装层；所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在所述OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层；
将下表面带有胶水的石墨片粘接在所述薄膜封装层的金属层，形成散热层；所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层；
在所述散热层的上表面包覆所述隔热阻水氧层；
采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面，形成所述OLED器件封装结构。
可选的，所述在所述散热层的上表面包覆所述隔热阻水氧层，具体包括：
将胶水喷涂在所述石墨片的上表面并用紫外灯烤预设时间，然后将大同贴片贴合在所述胶水上，形成所述隔热阻水氧层；所述隔热阻水氧层的厚度范围为100nm-100um。
可选的，在所述采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面，形成所述OLED器件封装结构之后，还包括：
采用胶水对所述OLED器件封装结构边缘进行封装，防止水或氧从侧面进入所述OLED器件。
可选的，所述散热层的厚度范围为10nm-100um；所述金属箔采用铝、铜、金、银或镁；所述金属箔的厚度范围为50nm-100um。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明公开了一种OLED器件封装结构及其制备方法，所述封装结构包括：OLED器件、薄膜封装层、散热层、隔热阻水氧层以及金属箔；所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层上；所述隔热阻水氧层的下表面包覆在所述散热层的上表面；所述金属箔位于所述隔热阻水氧层上方；所述散热层的材料为石墨片。本发明通过在OLED器件封装层中加入了一层石墨片，使整个OLED器件的散热能力大大提高，从而显著提升了OLED器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的OLED器件封装结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种OLED器件封装结构及其制备方法，以解决采用现有封装技术封装的OLED器件散热能力差、使用寿命短的问题。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明提供的OLED器件封装结构示意图。如图1所示，一种OLED器件封装结构，包括：OLED器件、薄膜封装层1、散热层2、隔热阻水氧层3以及金属箔4。所述薄膜封装层1包括从内向外依次包覆在所述OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层。所述散热层2的下表面包覆在所述薄膜封装层1的金属层上；所述隔热阻水氧层3的下表面包覆在所述散热层2的上表面；所述金属箔4位于所述隔热阻水氧层3上方。
优选的，所述散热层2的材料为石墨片。所述石墨片也可以替换为银、铜铝合金等其他不具破坏性且具有良好散热性能的材料。所述散热层2的厚度范围为10nm-100um。
所述隔热阻水氧层3包括胶水以及大同贴片；所述散热层2的上表面从内向外依次包覆所述胶水以及所述大同贴片；所述隔热阻水氧层厚度范围为100nm-100um。
所述金属箔4采用铝、铜、金、银或镁；所述金属箔4的厚度范围为50nm-100um。
所述OLED器件封装结构边缘采用胶水5封装，用于防止水或氧进入所述OLED器件。
本发明进一步提供一种OLED器件封装结构的制备方法，所述制备方法包括：
步骤1：准备OLED器件。
本发明所述OLED器件的制备过程同一般OLED器件的制备过程类似。在真空腔体内，对ITO玻璃基板进行蒸镀，按设计好的OLED器件结构进行蒸镀即可。所述OLED器件的制备过程包括：
1.首先是通过常规真空沉积有机层和阴极，在低于2.0×10-5mbar(毫巴)的基础压力下，通过溅射在玻璃基板上镀上一层ITO(150nm)，然后刻蚀出相应发光图案的ITO玻璃基板；
2.清洗ITO。在盛有ITO的罐子内加入洗涤剂、去污粉、去离子水，放入超声机中清洗3～4次，每次90分钟。更换罐内溶液为去离子水、丙酮和异丙醇并重复清洗ITO。
3.取出清洗干净的ITO基板放入培养皿中烤干，并进行UV(紫外线)照射15～20分钟；
4.将所需蒸镀的药品放入蒸镀舱的各个舟源或坩埚源上，最后将处理完成的ITO基板放入蒸镀舱中，关闭舱门并抽真空。
5.当蒸镀舱内压力低于10-5mbar时开始蒸镀。在开始蒸镀前需要对相应舟源或坩埚源进行一定的预热，并在控制仪器上选择对应药名的材料名称，通过控制有机物源的电流使得它的蒸发速率在
蒸完有机层后，更换材料选择Al(铝)，并控制Al的蒸发速率在
本发明主要是在OLED器件预封装基础上进行的进一步拓展研究。所述OLED器件的基本结构是由一薄而透明且具半导体特性的铟锡氧化物(ITO)，与电源正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴注入层(HIL，HIL，HoleInjection Layer)、空穴传输层(HTL，Hole Tranport Layer)、发光层(EL，Emissionlayer)与电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)以及电子注入层(EIL，Electroninjection layer)。当电源电压加至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依OLED器件的配方不同，OLED器件可产生红、绿和蓝三基色。本发明采用现有的薄膜封装方式完成所述OLED器件的预封装。
步骤2：在所述OLED器件上表面蒸镀薄膜封装层1；所述薄膜封装层1包括从内向外依次包覆在所述OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述薄膜封装层1的有机物层包覆在所述OLED器件的上表面。
步骤3：将下表面带有胶水的石墨片粘接在所述薄膜封装层的金属层，形成散热层；所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层上。
具体的，本发明使用的所述石墨片是本身带有胶水的，可直接贴在器件表面不需要外加胶水粘合，具有操作简单、成本低等优点。所述石墨片厚度范围为10nm—100um。因为石墨片具有独特的晶粒取向，其热传导率高达150-1500W/(m·K)，所以石墨片具有超高的导热性能。石墨片可以沿两个方向均匀导热，使OLED器件产生的热量沿横向散发出去。所述石墨片为所述OLED器件的第一层贴片。本发明的石墨片也可以替换为银、铜铝合金等其他不具破坏性且具有良好散热性能的材料。
步骤4：在所述散热层的上表面包覆所述隔热阻水氧层。
具体的，将胶水喷涂在所述石墨片的上表面并用紫外灯烤预设时间，然后将大同贴片贴合在所述胶水上，形成所述隔热阻水氧层3；所述隔热阻水氧层的厚度范围为100nm-100um。
在本发明实施例中，所述隔热阻水氧层3使用的所述胶水优选为UV胶；将UV胶喷涂在石墨片上并用紫外灯烤预设时间，然后在所述UV胶上面贴一层大同贴片，进一步起到隔绝外部水氧以及防止外部高温影响器件的作用，所述大同贴片为所述OLED器件的第二层贴片。
步骤5：采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面，形成所述OLED器件封装结构。
在所述步骤5采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面，形成所述OLED器件封装结构之后，还包括：采用胶水5对所述OLED器件封装结构边缘进行封装，防止水或氧从侧面进入所述OLED器件。
具体的，本发明采用的胶水5优选为环氧树脂AB胶。环氧树脂AB胶是双组份的环氧树脂胶。环氧树脂AB胶不仅具有高粘接强度、高抗化学性的特点，还具有干固适中、安全环保等优点。所述环氧树脂AB胶中的A组分是丙烯酸改性环氧或环氧树脂，或含有催化剂及其他助剂，B组分是改性胺或其他硬化剂，或含有催化剂及其他助剂。将A组分和B组分按不同的比例混合，可以控制胶水的固化时间以及性能(如粘度、钢性、柔性、粘合性等)。
本发明采用的UV胶、AB胶也可以替换为其他具有高粘接强度、高抗化学性、干固适中、安全环保等优点的胶水。
本发明采用石墨片作为OLED器件封装结构的散热层，可以将OLED器件产生的热量横向散发出去，而且石墨片的片层状结构可很好地适应OLED器件表面，石墨片不仅有利于器件散热，而且还可以屏蔽外界热源，防止外界高温对器件造成不利影响。此外本发明采用的贴片式石墨片，使OLED器件封装结构的加工制造具有简单操作、成本低的特点。
本发明提供的一种OLED器件封装结构及其制备方法，能够大规模提高OLED器件的散热程度和隔绝水氧的能力，有效提高OLED的寿命，而且本发明采用的材料均是环境友好型材料，制备方法简单，能更好的运用到实际生活中，有效促进OLED的发展，使OLED器件以更快、更大的规模进入市场。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (9)
1.一种OLED器件封装结构，其特征在于，包括：OLED器件、薄膜封装层、散热层、隔热阻水氧层以及金属箔；所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层上；所述隔热阻水氧层的下表面包覆在所述散热层的上表面；所述金属箔位于所述隔热阻水氧层上方；所述散热层的材料为石墨片。
2.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构，其特征在于，所述散热层的厚度范围为10nm-100um。
3.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构，其特征在于，所述隔热阻水氧层包括胶水以及大同贴片；所述散热层的上表面从内向外依次包覆所述胶水以及所述大同贴片；所述隔热阻水氧层厚度范围为100nm-100um。
4.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构，其特征在于，所述金属箔采用铝、铜、金、银或镁；所述金属箔的厚度范围为50nm-100um。
5.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构，其特征在于，所述OLED器件封装结构边缘采用胶水封装，用于防止水或氧进入所述OLED器件。
6.一种OLED器件封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
准备OLED器件；
在所述OLED器件上表面蒸镀薄膜封装层；所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在所述OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层；
将下表面带有胶水的石墨片粘接在所述薄膜封装层的金属层，形成散热层；所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层；
在所述散热层的上表面包覆所述隔热阻水氧层；
采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面，形成所述OLED器件封装结构。
7.根据权利要求6所述的装制备方法，其特征在于，所述在所述散热层的上表面包覆所述隔热阻水氧层，具体包括：
将胶水喷涂在所述石墨片的上表面并用紫外灯烤预设时间，然后将大同贴片贴合在所述胶水上，形成所述隔热阻水氧层；所述隔热阻水氧层的厚度范围为100nm-100um。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面，形成所述OLED器件封装结构之后，还包括：
采用胶水对所述OLED器件封装结构边缘进行封装，防止水或氧从侧面进入所述OLED器件。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述散热层的厚度范围为10nm-100um；所述金属箔采用铝、铜、金、银或镁；所述金属箔的厚度范围为50nm-100um。
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