CN103811668A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层、保护层和封装层，所述封装层包括绝缘层、金属层和平板玻璃，所述绝缘层延所述阳极导电基板上表面边缘环绕设置，所述绝缘层环绕结构围成一凹槽，所述阳极导电基板上表面向凹槽依次延伸设置有所述功能层、发光层、阴极层和保护层，所述绝缘层上表面设置有所述金属层，所述金属层与所述功能层、发光层、阴极层和保护层之间设有间隙，所述绝缘层与所述金属层的高度之和大于功能层、发光层、阴极层和保护层的高度之和，所述金属层上表面设置有平板玻璃；本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法，该方法可有效地减少水汽、氧对器件的侵蚀，显著地提高器件的寿命。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

传统的OLED器件封装是在基板上制备电极和有机薄膜功能层后，在器件上加一个后盖板，环氧树脂在经过紫外固化后将基板和盖板粘接成一个整体，把器件的各个功能层和空气隔开。由于盖板封装技术具有工艺成熟，成本低的优点，因此OLED器件产业多采用此封装技术进行封装。

目前对OLED进行封装所用的盖板通常为玻璃和金属。金属盖板封装既可以有效阻挡水汽、氧气等成分渗透到器件内部而保护OLED，又可以使器件坚固，但其不透光性限制了这种封装方法在有机电致发光器件上的应用。玻璃盖板具有优良的化学稳定性、电绝缘性和致密性，但其散热性差，容易导致器件温度急速上升，器件中的有机材料会产生结晶现象，导致有机电致发光器件寿命缩短。同时，使用密封胶将基板和玻璃盖板粘接时，由于封装不够严密，空气中的水分容易渗透而进入器件内部，产生墨点。因此，在这种封装方法中，一般都会在器件内部加入氧化钙或氧化钡作为干燥剂来吸收水分，但是加入干燥剂使得器件结构复杂、成本提高、制备繁琐。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，且可以提高器件的散热性，可显著地提高OLED器件的寿命，同时提高器件透光率，满足透明有机电致发光器件的封装要求。

一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层、保护层和封装层，所述封装层包括绝缘层、金属层和平板玻璃，所述绝缘层延所述阳极导电基板上表面边缘环绕设置，所述绝缘层环绕结构围成一凹槽，所述阳极导电基板上表面向凹槽依次延伸设置有所述功能层、发光层、阴极层和保护层，所述绝缘层上表面设置有所述金属层，所述金属层与所述功能层、发光层、阴极层和保护层之间设有间隙，所述绝缘层与所述金属层的高度之和大于功能层、发光层、阴极层和保护层的高度之和，所述金属层上表面设置有平板玻璃；

所述金属层自绝缘层表面向上依次包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，第二金属层和第三金属层通过封装胶粘接密封；

所述第一金属层和所述第四金属层材质相同，均为钛（Ti）、锆（Zr）或铪（Hf）；

所述第二金属层和所述第三金属层材质相同，均为铟（In）、锡（Sn）、金（Au）、铝（Al）或银（Ag）；

所述绝缘层材质为二氧化硅（SiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）、氮化铝（AlN）或氧化镁（MgO）。

金属层可以提高器件散热能力，延长器件寿命，同时提高封装结构的坚固性，提高封装效果。

所述第一金属层和第四金属层厚度、径向宽度相同。

优选地，第一金属层和第四金属层厚度为100～200nm，径向宽度为2～3mm。

所述第二金属层和第三金属层厚度、径向宽度相同。

优选地，第二金属层和第三金属层厚度为100～200nm，径向宽度为2～3mm。

第一金属层和第二金属层中的金属为性质不同的金属，第一金属层的金属粗糙度小，在绝缘层表面上蒸镀第一金属层可以形成一层平坦的金属表面，使第二金属层容易在第一金属层表面上进行蒸镀；第二金属层中的金属粘接强度高，第二金属层和第三金属层为相同材质的金属层，两层相同材质的金属层通过封装胶粘接密封后，密封严密，能有效阻挡水、氧对有机电致发光器件内部的侵蚀；同时，第一金属层和第二金属层的组合可以起到良好的散热作用，达到良好的封装效果。

在所述阳极导电基板上表面边缘环绕设置绝缘层，绝缘层可以很好地阻隔水、氧对有机电致发器件的侵蚀。

优选地，所述绝缘层的厚度为200～300nm。

优选地，所述绝缘层的径向宽度为3～4mm。

所述金属层与所述功能层、发光层、阴极层和保护层之间设有间隙，以防止短路现象的发生。

通过真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层，保护层的存在可以保护阴极和功能层。

保护层材料选自有机小分子材料、无机材料或金属材料中的一种，优选自酞菁铜（CuPc）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）、八羟基喹啉铝（Alq₃）、氧化硅（SiO）或氟化镁（MgF₂）。

优选地，保护层的厚度为200～300nm。

在第三金属层上表面涂布封装胶，加热固化，将第二金属层和第三金属层粘接密封，将所述有机电致发光器件封装在所述平板玻璃和基板内。

将第二金属层和第三金属层粘接密封，可以将阴极层、功能层、发光层和保护层封装在封闭空间内，由于金属层之间的粘接是同类材料之间的粘接，密封性要优于传统玻璃盖板封装中玻璃盖板和基板之间粘接的密封性，可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，且可以提高器件的散热性，同时满足透明有机电致发光器件的透光率要求。

优选地，阳极导电基板可以为导电玻璃基板，选自铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。更优选地，导电阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）。

功能层通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发光层设置于空穴传输层和电子传输层之间。优选地，功能层和发光层为通过真空蒸镀的方法设置。

采用真空蒸镀方法制备阴极层。

优选地，阴极层为透明阴极层。

更优选地，阴极层为依次蒸镀ZnS、Ag和ZnS形成的ZnS/Ag/ZnS。

另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电玻璃基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板；通过覆盖掩模板的方式在阳极导电基板上蒸镀功能层、发光层和保护层，再通过磁控溅射的方法在阳极导电基板上设置环绕功能层、发光层和保护层的绝缘层；

（2）通过真空蒸镀的方法在绝缘层表面设置第一金属层，同时采用相同的方法在平板玻璃下表面设置第四金属层，再通过真空蒸镀的方法在第一金属层上表面设置第二金属层，同时采用相同的方法在第四金属层下表面设置第三金属层；所述金属层与所述功能层、发光层、阴极层和保护层之间设有间隙，所述绝缘层与所述金属层的高度之和大于功能层、发光层、阴极层和保护层的高度之和；

（3）在第三金属层上表面涂布封装胶，加热固化后，使第二金属层和第三金属层粘接密封，将所述有机电致发光器件封装在所述平板玻璃和基板内。

优选地，步骤（1）磁控溅射时溅射靶材为二氧化硅（SiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）、氮化铝（AlN）或氧化镁（MgO），本底真空度1×10^-5～1×10^-3Pa，通入氩气（Ar），流量为5～10sccm。

优选地，步骤（2）中所述第一金属层和所述第四金属层真空蒸镀过程的真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸发速度

优选地，步骤（2）中所述第二金属层和所述第三金属层真空蒸镀过程的真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸发速度

优选地，所述步骤（3）加热固化时，固化温度55～65℃，固化时间60～80min。

第一金属层和第二金属层中的金属为性质不同的金属，第一金属层的金属粗糙度小，在绝缘层表面上蒸镀第一金属层可以形成一层平坦的金属表面，使第二金属层容易在第一金属层表面上进行蒸镀；第二金属层中的金属粘接强度高，第二金属层和第三金属层为相同材质的金属层，两层相同材质的金属层通过封装胶粘接密封后，密封严密，能有效阻挡水、氧对有机电致发光器件内部的侵蚀；同时，第一金属层和第二金属层的组合可以起到良好的散热作用，达到良好的封装效果。

步骤（1）通过真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层，保护层的存在可以保护阴极和功能层。

优选地，保护层的材质为CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂；优选地，保护层的厚度为200～300nm。

优选地，保护层真空蒸镀过程的真空度1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸发速度

优选地，阳极导电基板可以为导电玻璃基板，选自铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。更优选地，导电阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）。

功能层通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发光层设置于空穴传输层和电子传输层之间。优选地，功能层和发光层为通过真空蒸镀的方法设置。

采用蒸镀方法制备阴极层。

将第二金属层和第三金属层粘接，可以将阴极层、功能层、发光层和保护层封装在封闭空间内，由于金属层之间的粘接是同类材料之间的粘接，密封性要优于传统玻璃盖板封装中玻璃盖板和基板之间粘接的密封性，可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，且可以提高器件的散热性，同时满足透明有机电致发光器件的透光率要求。

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：

（1）本发明有机电致发光器件可以有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，显著地提高有机电致发光器件的寿命，金属层的存在提高了器件的散热性和坚固性，平板玻璃的覆盖提高了器件的透光性，满足透明有机电致发光器件的封装要求；

（2）本发明有机电致发光器件封装层的防水性能（WVTR）达到10^-6g/m²·day，寿命达10,000小时以上（T701000cd/m²），透光率达到77%；

（3）本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。

附图说明

图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图。

具体实施方式

以下所述是本发明的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和调整，这些改进和调整也视为在本发明的保护范围内。

实施例1：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）阳极导电基板1前处理：阳极导电基板1为铟锡氧化物（ITO）玻璃基板，丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的阳极导电基板1还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；阳极导电基板1厚度为100nm；

（2）功能层及发光层的制备：

空穴注入层2：通过覆盖掩模板的方式在阳极导电基板1表面真空蒸镀空穴注入层2，掩模板延阳极导电基板1上表面边缘环绕设置，在阳极导电基板1上未掩盖掩模板的区域内向上真空蒸镀产生空穴注入层2，移除掩模板，空穴注入层2延径向宽度为4mm，厚度为10nm，空穴注入层2的材质为MoO₃掺杂NPB得到的混合材料，MoO₃的掺杂质量分数为30％，蒸镀均采用高真空镀膜设备进行，蒸镀时真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为

空穴传输层3：采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，在空穴注入层2表面通过真空蒸镀的方式制备与空穴注入层2大小相同的空穴传输层3，蒸镀真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为30nm；

发光层4：在空穴传输层3表面通过真空蒸镀的方式制备与空穴传输层3大小相同的发光层4，发光层4主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)，客体材料质量占主体材料质量的5％，蒸镀真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为20nm；

电子传输层5的制备：在发光层4表面通过真空蒸镀的方式制备与发光层4大小相同的电子传输层5，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），蒸镀真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为

蒸发厚度为10nm；

电子注入层6的制备：在电子传输层5表面通过真空蒸镀的方式制备与电子传输层5大小相同的电子注入层6，电子注入层6材质为CsN₃掺杂Bphen，掺杂质量分数为30%，蒸镀真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为

蒸发厚度为20nm；

（3）阴极层7的制备：在电子注入层6表面通过真空蒸镀的方式制备与电子注入层6大小相同的阴极层7，通过依次蒸镀ZnS、Ag和ZnS形成阴极层ZnS/Ag/ZnS，ZnS厚度30nm，Ag厚度为10nm，蒸镀真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为

（4）保护层8的制备：在阴极层7表面通过真空蒸镀的方式制备与阴极层7大小相同的保护层8，保护层8的材质为CuPc，真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为200nm；

（5）绝缘层91的制备：通过磁控溅射的方法在阳极导电基板1上设置环绕空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极层7和保护层8的绝缘层91，绝缘层91材质为SiO₂，靶材为SiO₂，本底真空度为1×10^-5Pa，通入Ar，流量为10sccm，绝缘层91径向宽度为4mm，厚度为300nm；

（6）第一金属层92和第四金属层95制备：通过真空蒸镀的方法在绝缘层91上表面制备第一金属层92，第一金属层92材质为Ti，真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为

径向宽度为3mm，厚度为200nm；同时在平板玻璃下表面设置第四金属层95，第四金属层95的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第一金属层92相同。

（7）第二金属层93和第三金属层94的制备：通过真空蒸镀的方法在第一金属层92上表面制备第二金属层93，第二金属层93材质为In，真空度为1×10^-5Pa，蒸发速度为

径向宽度为3mm，厚度为200nm；同时在第四金属层95下表面制备第三金属层94，第三金94属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第二金属层相同。

（8）平板玻璃96的覆盖：在第三金属层94下表面涂布封装胶，加热固化，固化温度为65℃，固化时间为60min，将第二金属层93和第三金属层94粘接，将有机电致发光器件封装在平板玻璃96及基板1内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为5.6×10^-6，有机电致发光器件的寿命为10,515h（T701000cd/m²），透光率为85%。

图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的化学结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，包括阳极导电基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极层7、保护层8和封装层9，封装层9包括绝缘层91、第一金属层92、第二金属层93、第三金属层94、第四金属层95和平板玻璃96，在第三金属层94下表面表面涂布封装胶，将第二金属层93和第三金属层94粘接，将空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极层7、保护层8容置在封闭空间内。

实施例2：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：在阴极层表面通过真空蒸镀的方式制备与阴极层大小相同的保护层，保护层的材质为NPB，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

厚度300nm；

（5）绝缘层的制备：通过磁控溅射的方法在阳极导电基板上设置环绕空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和保护层的绝缘层，绝缘层材质为Al₂O₃，靶材为Al₂O₃，本底真空度为5×10^-5Pa，通入Ar，流量为5sccm，绝缘层径向宽度为3mm，厚度为200nm；

（6）第一金属层和第四金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在绝缘层上表面制备第一金属层，材质为Zr，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为径向宽度为2.5mm，厚度为150nm；同时在平板玻璃下表面制备第四金属层，第四金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第一金属层相同。

（7）第二金属层和第三金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在第一金属层上表面制备第二金属层，材质为Sn，真空度5×10^-5Pa，蒸发速度

径向宽度为2mm，厚度为100nm；同时在第四金属层下表面制备第三金属层，第三金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第二金属层相同。

（8）平板玻璃的覆盖：在第三金属层下表面涂布封装胶，加热固化，固化温度为55℃，固化时间为80min，将第二金属层和第三金属层粘接，将有机电致发光器件封装在平板玻璃及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为5.9×10^-6，有机电致发光器件的寿命为10,314h（T701000cd/m²），透光率为83%。

实施例3：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：在阴极层表面通过真空蒸镀的方式制备与阴极层大小相同的保护层，保护层的材质为Alq₃，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

厚度为250nm；

（5）绝缘层的制备：通过磁控溅射的方法在阳极导电基板上设置环绕空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和保护层的绝缘层，绝缘层材质为Si₃N₄，靶材为Si₃N₄，本底真空度为5×10^-5Pa，通入Ar，流量为5sccm，绝缘层径向宽度为4mm，厚度为200nm；

（6）第一金属层和第四金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在绝缘层上表面制备第一金属层，第一金属层材质为Hf，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

径向宽度为3mm，厚度为150nm；同时在平板玻璃下表面制备第四金属层，第四金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第一金属层相同。

（7）第二金属层和第三金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在第一金属层上表面制备第二金属层，第二金属层材质为Au，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

径向宽度为2.5mm，厚度为150nm；同时在第四金属层下表面制备第三金属层，第三金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第二金属层相同。

（8）平板玻璃的覆盖：在第三金属层下表面涂布封装胶，加热固化，固化温度为60℃，固化时间为70min，将第二金属层和第三金属层粘接，将有机电致发光器件封装在平板玻璃及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为6.1×10^-6，有机电致发光器件的寿命为10,206h（T701000cd/m²），透光率为77%。

实施例4：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：在阴极层表面通过真空蒸镀的方式制备与阴极层大小相同的保护层，保护层的材质为SiO，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

厚度为200nm；

（5）绝缘层的制备：通过磁控溅射的方法在阳极导电基板上设置环绕空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和保护层的绝缘层，绝缘层材质为AlN，靶材为AlN，本底真空度为5×10^-5Pa，通入Ar，流量为7sccm，绝缘层径向宽度为3.5mm，厚度为250nm；

（6）第一金属层和第四金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在绝缘层上表面制备第一金属层，第一金属层材质为Ti，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

径向宽度为2mm，厚度为100nm；同时在平板玻璃下表面制备第四金属层，第四金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第一金属层相同。

（7）第二金属层和第三金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在第一金属层上表面制备第二金属层，第二金属层材质为Al，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为径向宽度为2mm，厚度为150nm；同时在第四金属层下表面制备第三金属层，第三金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第二金属层相同。

（8）平板玻璃的覆盖：在第三金属层下表面涂布封装胶，加热固化，固化温度为60℃，固化时间为70min，将第二金属层和第三金属层粘接，将有机电致发光器件封装在平板玻璃及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为6.7×10^-6，有机电致发光器件的寿命为10,118h（T701000cd/m²），透光率为80%。

实施例5：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：在阴极层表面通过真空蒸镀的方式制备与阴极层大小相同的保护层，保护层的材质为MgF₂，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

厚度为300nm；

（5）绝缘层的制备：通过磁控溅射的方法在阳极导电基板上设置环绕空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和保护层的绝缘层，绝缘层材质为MgO，靶材为MgO，本底真空度为1×10^-3Pa，通入Ar，流量为7sccm，绝缘层径向宽度为3mm，厚度为250nm；

（6）第一金属层和第四金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在绝缘层上表面制备第一金属层，第一金属层材质为Zr，真空度为1×10^-3Pa，蒸发速度为

径向宽度为3mm，厚度为160nm；同时在后盖平板玻璃下表面制备第四金属层，第四金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第一金属层相同。

（7）第二金属层和第三金属层的制备：通过真空蒸镀的方法在第一金属层上表面制备第二金属层，第二金属层材质为Ag，真空度为1×10^-3Pa，蒸发速度为

径向宽度为2mm，厚度为150nm；同时在第四金属层下表面制备第三金属层，第三金属层的制备方法、材质、径向宽度和厚度和第二金属层相同。

（8）平板玻璃的覆盖：在第三金属层下表面涂布封装胶，加热固化，固化温度为60℃，固化时间为70min，将第二金属层和第三金属层粘接，将有机电致发光器件封装在平板玻璃及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为7.2×10^-6，有机电致发光器件的寿命为10,021h（T701000cd/m²），透光率为79%。

效果实施例

为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果，提供相关实验数据如下。

表1.实施例1~5有机电致发光器件水氧渗透率

	实施例1	实施例2	实施例3	实施例4	实施例5
						WVTR(g/m2/day)	5.6×10-6	5.9×10-6	6.1×10-6	6.7×10-6	7.2×10-6

表2.实施例1~5有机电致发光器件寿命情况

表3.实施例1~5有机电致发光器件透光率

	实施例1	实施例2	实施例3	实施例4	实施例5
						透光率	85%	83%	77%	80%	79%

表1是实施例1~5有机电致发光器件水氧渗透率，表2是实施例1~5有机电致发光器件寿命情况，表3是实施例1~5有机电致发光器件透光率情况。

从表1可以看出，本发明有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR）达到10^-6g/m²·day，从表2可以看出，本发明有机电致发光器件的寿命达10,000小时以上（T701000cd/m²），从表3可以看出有机电致发光器件的透光率达到77%。

综上，本发明提供的有机电致发光器件可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，满足封装的密封性的要求，可显著地提高OLED器件的寿命。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层、保护层和封装层，其特征在于，所述封装层包括绝缘层、金属层和平板玻璃，所述绝缘层延所述阳极导电基板上表面边缘环绕设置，所述绝缘层环绕结构围成一凹槽，所述阳极导电基板上表面向凹槽依次延伸设置有所述功能层、发光层、阴极层和保护层，所述绝缘层上表面设置有所述金属层，所述金属层与所述功能层、发光层、阴极层和保护层之间设有间隙，所述绝缘层与所述金属层的高度之和大于功能层、发光层、阴极层和保护层的高度之和，所述金属层上表面设置有平板玻璃；

所述金属层自绝缘层表面向上依次包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，第二金属层和第三金属层通过封装胶粘接密封；

所述第一金属层和所述第四金属层材质相同，均为钛、锆或铪；

所述第二金属层和所述第三金属层材质相同，均为铟、锡、金、铝或银；

所述绝缘层材质为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝或氧化镁。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为200～300nm，径向宽度为3～4mm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一金属层和第四金属层厚度、径向宽度相同，厚度为100～200nm，径向宽度为2～3mm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二金属层和第三金属层厚度、径向宽度相同，厚度为100～200nm，径向宽度为2～3mm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅或氟化镁，保护层的厚度为200～300nm。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电玻璃基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板；通过覆盖掩模板的方式在阳极导电基板上蒸镀功能层、发光层和保护层，再通过磁控溅射的方法在阳极导电基板上设置环绕功能层、发光层和保护层的绝缘层；

（2）通过真空蒸镀的方法在绝缘层表面设置第一金属层，同时采用相同的方法在平板玻璃下表面设置第四金属层，再通过真空蒸镀的方法在第一金属层上表面设置第二金属层，同时采用相同的方法在第四金属层下表面设置第三金属层；所述金属层与所述功能层、发光层、阴极层和保护层之间设有间隙，所述绝缘层与所述金属层的高度之和大于功能层、发光层、阴极层和保护层的高度之和；

（3）在第三金属层上表面涂布封装胶，加热固化后，使第二金属层和第三金属层粘接密封，将所述有机电致发光器件封装在所述平板玻璃和基板内。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）磁控溅射时溅射靶材为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝或氧化镁，本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，通入氩气，流量为5～10sccm。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述第一金属层和所述第四金属层真空蒸镀过程的真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸发速度为

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述第二金属层和所述第三金属层真空蒸镀过程的真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa，蒸发速度为

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）加热固化时，固化温度为55～65℃，固化时间为60～80min。

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