JP2005164893A - トランジスタ回路、画素回路、表示装置及びこれらの駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 トランジスタ回路は、基板に形成された複数の薄膜トランジスタTr1〜Tr3と、所定の動作を行なう様に各トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とを含む。動作中、薄膜トランジスタTr2には、配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる。動作の妨げとならないタイミングでトランジスタTr2のゲートとソースの間に逆バイアスを印加してその閾電圧の変動を抑制する。具体的には、トランジスタTr2に並列接続した追加トランジスタTr3を補完的に駆動して上記した動作の妨げとならないタイミングを作り出し、該作り出されたタイミングでトランジスタTr2に逆バイアスを印加する。
【選択図】図3
Description
Ids=(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2
ここでVgsはソースを基準としたゲート電圧を表わし、Vthは閾電圧を表わし、Coxはゲート容量を表わし、Wはチャネル幅を表わし、Lはチャネル長を表わし、μは半導体薄膜の移動度を表わしている。このトランジスタ特性式から明らかな様に、薄膜トランジスタはゲート電圧Vgsが閾電圧Vthを超えると、ドレイン電流Idsを流す構造となっている。
Claims (24)
- 基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、所定の動作を行なう様に各薄膜トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とを含むトランジスタ回路であって、
動作中少くとも1個配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる薄膜トランジスタを含むとともに、
該動作の妨げとならないタイミングで当該薄膜トランジスタのゲートとソースの間に逆バイアスを印加して当該薄膜トランジスタの閾電圧の変動を抑制する逆バイアス印加手段を備えたことを特徴とするトランジスタ回路。 - 当該薄膜トランジスタに並列接続した追加薄膜トランジスタと、該追加薄膜トランジスタを当該薄膜トランジスタに対して補完的に駆動して上記した動作の妨げとならないタイミングを作り出す補完手段とを備え、
前記逆バイアス印加手段は、該作り出されたタイミングで当該薄膜トランジスタに逆バイアスを印加することを特徴とする請求項1記載のトランジスタ回路。 - 当該薄膜トランジスタはNチャネル型又はPチャネル型であり、前記追加薄膜トランジスタも同じNチャネル型又はPチャネル型であり、前記補完手段は、当該薄膜トランジスタのゲートに印加されるパルスと逆相の関係になるパルスを前記追加薄膜トランジスタのゲートに印加することを特徴とする請求項2記載のトランジスタ回路。
- 当該薄膜トランジスタはNチャネル型又はPチャネル型であり、前記追加薄膜トランジスタは反対のPチャネル型又はNチャネル型であり、前記補完手段は、当該薄膜トランジスタのゲートに印加されるパルスと同相の関係になるパルスを前記追加薄膜トランジスタに印加することを特徴とする請求項2記載のトランジスタ回路。
- 行状の走査線と列状の走査線との各交差部に配され、該走査線によって選択された時該信号線から信号をサンプリングし且つサンプリングした信号に応じて負荷素子を駆動する画素回路であって、
基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とからなり、
負荷素子の駆動中少くとも1個配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる薄膜トランジスタを含むとともに、
負荷素子の駆動の妨げとならないタイミングで当該薄膜トランジスタのゲートとソースの間に逆バイアスを印加して当該薄膜トランジスタの閾電圧の変動を抑制する逆バイアス印加手段を備えたことを特徴とする画素回路。 - 当該薄膜トランジスタに並列接続した追加薄膜トランジスタと、該追加薄膜トランジスタを当該薄膜トランジスタに対して補完的に動作して上記した負荷素子の駆動の妨げとならないタイミングを作り出す補完手段とを備え、
前記逆バイアス印加手段は、該作り出されたタイミングで当該薄膜トランジスタに逆バイアスを印加することを特徴とする請求項5記載の画素回路。 - 当該薄膜トランジスタはNチャネル型又はPチャネル型であり、前記追加薄膜トランジスタも同じNチャネル型又はPチャネル型であり、前記補完手段は、当該薄膜トランジスタのゲートに印加されるパルスと逆相の関係になるパルスを前記追加薄膜トランジスタのゲートに印加することを特徴とする請求項6記載の画素回路。
- 当該薄膜トランジスタはNチャネル型又はPチャネル型であり、前記追加薄膜トランジスタは反対のPチャネル型又はNチャネル型であり、前記補完手段は、当該薄膜トランジスタのゲートに印加されるパルスと同相の関係になるパルスを前記追加薄膜トランジスタに印加することを特徴とする請求項6記載の画素回路。
- 前記複数の薄膜トランジスタは、該走査線によって選択された時導通し該信号線から信号をサンプリングして保持容量に保持するサンプリング用薄膜トランジスタと、該保持容量に保持された信号電位に応じて該負荷素子に対する通電量を制御するドライブ用薄膜トランジスタと、該負荷素子に対する通電をオン/オフ制御するスイッチング用薄膜トランジスタとを含み、前記逆バイアス印加手段は、該ドライブ用薄膜トランジスタ及び該スイッチング用薄膜トランジスタの少くとも一方に逆バイアスをかけることを特徴とする請求項5記載の画素回路。
- 該ドライブ用薄膜トランジスタの閾電圧の変動をキャンセルする様に、該ドライブ用薄膜トランジスタのゲートに印加される信号電位のレベルを調整する閾電圧キャンセル手段を含むことを特徴とする請求項9記載の画素回路。
- 該負荷素子の特性変動を吸収する様に、該ドライブ用薄膜トランジスタのゲートに印加される信号電位のレベルを自動的に制御するブートストラップ手段を含むことを特徴とする請求項9記載の画素回路。
- 行状の走査線と、列状の走査線と、これらが交差する部分に配された画素回路とからなる表示装置であって、
該画素回路は、該走査線によって選択された時該信号線から映像信号をサンプリングし且つサンプリングした映像信号に応じて発光素子を駆動し、
該画素回路は、基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とからなり、
発光素子の駆動中少くとも1個配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる薄膜トランジスタを含むとともに、
発光素子の駆動の妨げとならないタイミングで当該薄膜トランジスタのゲートとソースの間に逆バイアスを印加して当該薄膜トランジスタの閾電圧の変動を抑制する逆バイアス印加手段を備えたことを特徴とする表示装置。 - 当該薄膜トランジスタに並列接続した追加薄膜トランジスタと、該追加薄膜トランジスタを当該薄膜トランジスタに対して補完的に動作して該発光素子の駆動の妨げとならないタイミングを作り出す補完手段とを備え、
前記逆バイアス印加手段は、該作り出されたタイミングで当該薄膜トランジスタに逆バイアスを印加することを特徴とする請求項12記載の表示装置。 - 当該薄膜トランジスタはNチャネル型又はPチャネル型であり、前記追加薄膜トランジスタも同じNチャネル型又はPチャネル型であり、前記補完手段は、当該薄膜トランジスタのゲートに印加されるパルスと逆相の関係になるパルスを前記追加薄膜トランジスタのゲートに印加することを特徴とする請求項13記載の表示装置。
- 当該薄膜トランジスタはNチャネル型又はPチャネル型であり、前記追加薄膜トランジスタは反対のPチャネル型又はNチャネル型であり、前記補完手段は、当該薄膜トランジスタのゲートに印加されるパルスと同相の関係になるパルスを前記追加薄膜トランジスタに印加することを特徴とする請求項13記載の表示装置。
- 前記複数の薄膜トランジスタは、該走査線によって選択された時導通し該信号線から映像信号をサンプリングして保持容量に保持するサンプリング用薄膜トランジスタと、該保持容量に保持された信号電位に応じて該発光素子に対する通電量を制御するドライブ用薄膜トランジスタと、該発光素子に対する通電をオン/オフ制御するスイッチング用薄膜トランジスタとを含み、前記逆バイアス印加手段は、該ドライブ用薄膜トランジスタ及び該スイッチング用薄膜トランジスタの少くとも一方に逆バイアスをかけることを特徴とする請求項12記載の表示装置。
- 該ドライブ用薄膜トランジスタの閾電圧の変動をキャンセルする様に、該ドライブ用薄膜トランジスタのゲートに印加される信号電位のレベルを調整する閾電圧キャンセル手段を含むことを特徴とする請求項16記載の表示装置。
- 該負荷素子の特性変動を吸収する様に、該ドライブ用薄膜トランジスタのゲートに印加される信号電位のレベルを自動的に制御するブートストラップ手段を含むことを特徴とする請求項16記載の表示装置。
- 基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、所定の動作を行なう様に各薄膜トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とを含むトランジスタ回路の駆動方法であって、
動作中少くとも1個の薄膜トランジスタに対し配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスをかける順バイアス印加手順と、
該動作の妨げとならないタイミングで当該薄膜トランジスタのゲートとソースの間に逆バイアスを印加して当該薄膜トランジスタの閾電圧の変動を抑制する逆バイアス印加手順とを行なうことを特徴とするトランジスタ回路の駆動方法。 - 当該薄膜トランジスタに並列接続した追加薄膜トランジスタを、当該薄膜トランジスタに対して補完的に駆動して、上記した動作の妨げとならないタイミングを作り出す補完手順を含み、
前記逆バイアス印加手順は、該作り出されたタイミングで当該薄膜トランジスタに逆バイアスを印加することを特徴とする請求項19記載のトランジスタ回路の駆動方法。 - 行状の走査線と列状の走査線との各交差部に配され、該走査線によって選択された時該信号線から信号をサンプリングし且つサンプリングした信号に応じて負荷素子を駆動するために、基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とからなる画素回路の駆動方法であって、
負荷素子の駆動中少くとも1個の薄膜トランジスタに対して、配線を介しゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスをかける順バイアス印加手順と、
負荷素子の駆動の妨げとならないタイミングで当該薄膜トランジスタのゲートとソースの間に逆バイアスを印加して当該薄膜トランジスタの閾電圧の変動を抑制する逆バイアス印加手順とを行なうことを特徴とする画素回路の駆動方法。 - 当該薄膜トランジスタに並列接続した追加薄膜トランジスタを、当該薄膜トランジスタに対して補完的に動作して、上記した負荷素子の駆動の妨げとならないタイミングを作り出す補完手順を含み、
前記逆バイアス印加手順は、該作り出されたタイミングで当該薄膜トランジスタに逆バイアスを印加することを特徴とする請求項21記載の画素回路の駆動方法。 - 行状の走査線と、列状の走査線と、これらが交差する部分に配された画素回路とからなり、該画素回路は、該走査線によって選択された時該信号線から映像信号をサンプリングし且つサンプリングした映像信号に応じて発光素子を駆動し、該画素回路は、基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とからなる表示装置の駆動方法であって、
発光素子の駆動中少くとも1個の薄膜トランジスタに対して、配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスをかける順バイアス印加手順と、
発光素子の駆動の妨げとならないタイミングで当該薄膜トランジスタのゲートとソースの間に逆バイアスを印加して当該薄膜トランジスタの閾電圧の変動を抑制する逆バイアス印加手順とを行なうことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 当該薄膜トランジスタに並列接続した追加薄膜トランジスタを、当該薄膜トランジスタに対して補完的に動作して、該発光素子の駆動の妨げとならないタイミングを作り出す補完手順を含み、
前記逆バイアス印加手順は、該作り出されたタイミングで当該薄膜トランジスタに逆バイアスを印加することを特徴とする請求項23記載の表示装置の駆動方法。
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