JP2005123361A - 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法 - Google Patents
抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板等の基板11上に密着層12を介してPt等からなる金属電極13を形成し、その上に導電性酸化物層14を介して抵抗変化層15を形成し、その上にAu等からなる金属電極16を形成することにより抵抗変化型不揮発性メモリを構成する。抵抗変化層15の材料としては例えばCrを0.01〜10モル%ドープしたSrTiO3 またはSrZrO3 を用い、導電性酸化物層14の材料としては例えばLaドープSrTiO3 を用いる。導電性酸化物層14および抵抗変化層15は有機金属分解法によって形成する。
【選択図】 図1
Description
最近、これらの従来の不揮発性メモリと異なる抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM;resistance RAM)が提案されている(非特許文献1)。この抵抗変化型不揮発性メモリは、電圧パルスの印加によってメモリセルの抵抗変化層の抵抗値を設定することにより情報を書き込むことができ、かつ情報の非破壊読み出しを行うことができる不揮発性メモリであり、セル面積が小さく、かつ多値化が可能なことから、既存の不揮発性メモリを凌ぐ可能性を有する。抵抗変化型不揮発性メモリについては他の提案もなされている(非特許文献2、特許文献1)。
W.W.Zhuang et.al., 2002 IEDM, 論文番号7.5, Dec2002 A.Beck et.al., Applied Physics Letters, vol.77, 2000, 139
(1)SrTiO3 等の酸化物単結晶基板はシリコン基板と比較すると高価であり、
結晶の大口径化も進んでいない
(2)レーザーアブレーション法は、組成制御性に優れるが、一般的に成膜面積が
狭く、大面積成膜に向いていない
ことが挙げられる。
この発明が解決しようとする他の課題は、材料選択の幅が広い等の点で有利な抵抗変化層を低コストで形成することができる抵抗変化層の形成方法を提供することにある。
基板上の第1の電極と、
第1の電極上の導電性酸化物層と、
導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の電極とを有する
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリである。
基板上の第1の電極と、
第1の電極上の第1の導電性酸化物層と、
第1の導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の導電性酸化物層と、
第2の導電性酸化物層上の第2の電極とを有する
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリである。
抵抗変化層と、
抵抗変化層の一端と電気的に接続された第1の電極と、
抵抗変化層の他端と電気的に接続された第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリにおいて、
抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とするものである。
基板上の第1の電極と、
第1の電極上の導電性酸化物層と、
導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリであって、
抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とするものである。
基板上の第1の電極と、
第1の電極上の第1の導電性酸化物層と、
第1の導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の導電性酸化物層と、
第2の導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリであって、
抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とするものである。
導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
導電性酸化物基板の一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリにおいて、
抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とするものである。
導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
導電性酸化物基板の一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の導電性酸化物層と、
導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリであって、
抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とするものである。
抵抗変化層と、
抵抗変化層の一端と電気的に接続された第1の電極と、
抵抗変化層の他端と電気的に接続された第2の電極とを有し、
第1の電極と抵抗変化層との間および第2の電極と抵抗変化層との間の少なくとも一方に導電性酸化物層が設けられている抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とするものである。
基板上の第1の電極と、
第1の電極上の導電性酸化物層と、
導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とするものである。
基板上の第1の電極と、
第1の電極上の第1の導電性酸化物層と、
第1の導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の導電性酸化物層と、
第2の導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とするものである。
導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
導電性酸化物基板の一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とするものである。
導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
導電性酸化物基板の一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
抵抗変化層上の導電性酸化物層と、
導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とするものである。
遷移金属を0.01〜10モル%ドープした化学式ABO3 またはBO2 で表される物質であって、AがMg、Ca、SrおよびBaからなる群より選ばれた少なくとも一種からなり、BがTi、ZrおよびHfからなる群より選ばれた少なくとも一種からなる抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とする抵抗変化層の形成方法である。
抵抗変化層の厚さは、特に限定していない限り、どのような厚さでもよいが、典型的には10〜250nmあるいは20〜250nmあるいは50〜250nm、特に、例えば10〜120nmあるいは10〜100nmあるいは20〜120nmあるいは20〜100nm、さらには50〜120nmあるいは50〜100nmである。
さらに、抵抗変化層を有機金属分解法によって形成することにより、大面積の成膜を簡便に行うことができる。
また、有機金属分解法という大量生産に適した簡便な方法で抵抗変化層を形成することにより、抵抗変化型不揮発性メモリを低コストで製造することができる。
さらに、化学式ABO3 またはBO2 で表される物質からなる抵抗変化層は、材料選択の幅が広いため、抵抗変化型不揮発性メモリの設計自由度が高く、所望の特性の抵抗変化型不揮発性メモリを得る上で有利である。
図1はこの発明の第1の実施形態による抵抗変化型不揮発性メモリを示す。
図1に示すように、この抵抗変化型不揮発性メモリにおいては、基板11上に密着層12を介して下部電極としての金属電極13が設けられ、その上に導電性酸化物層14および抵抗変化層15が順次積層され、その上に上部電極としての金属電極16が設けられている。
まず、基板11上にCVD法、スパッタリング法等により密着層12を形成した後、その上にスパッタリング法、真空蒸着法等により金属電極13を形成する。次に、この金属電極13上に導電性酸化物層14および抵抗変化層15を順次形成する。これらの導電性酸化物層14および抵抗変化層15の形成方法としては、MOD法、CVD法、スパッタリング法等が用いられるが、その中でも、MOD法は組成制御性に優れ、最も簡便で、大面積基板への展開にも有利な成膜手法である。この後、抵抗変化層15上にスパッタリング法、真空蒸着法等により金属電極16を形成する。
MOD法では、金属カルボン酸塩、金属アルコキシド、金属アセチルアセトナート等の金属錯体を適当な溶媒と組み合わせて使用する例が多い。例えば、CrをドープしたSrTiO3 やLaをドープしたSrTiO3 を成膜する場合、Sr成分の原料としてはカルボン酸ストロンチウム、Ti成分の原料としてはチタンアルコキシド、Cr成分の原料としてはカルボン酸クロム、La成分の原料としてはカルボン酸ランタンをそれぞれ用いることができる。カルボン酸ストロンチウム、カルボン酸クロム、カルボン酸ランタンの一般式はそれぞれSr(Cn H2n-1COO)2 、Cr(Cn H2n-1COO)3 、La(Cn H2n-1COO)3 で表され、具体的には下記のカルボン酸のSr塩、Cr塩、La塩が挙げられる。すなわち、これらのカルボン酸は、2−エチルへキシル酸、酢酸、n−酪酸、n−カプロン酸、2−メチルブタン、2−エチル酪酸、2,2−ジメチルブタン、イソ吉草酸、3,3−ジメチル酪酸、2,3−ジメチル酪酸、4−メチルペンタン酸、n−吉草酸、2−メチル吉草酸、3−メチル吉草酸、n−ヘキサン酸、n−カプリル酸、2−エチルヘキシル酸、5−メチルカプロン酸、イソカプリル酸、乳酸、α−オキシ酪酸、β−オキシ酪酸、α−オキソイソ酪酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸等である。
MOD法では、このMOD溶液を金属電極13上に塗布し、乾燥、仮焼、本焼成を行うことにより所望の組成を有する薄膜を形成する。
図2に示すように、この抵抗変化型不揮発性メモリにおいては、基板11上に密着層12を介して下部電極としての金属電極13が設けられ、その上に導電性酸化物層14、抵抗変化層15および導電性酸化物層17が順次積層され、その上に上部電極としての金属電極16が設けられている。すなわち、この抵抗変化型不揮発性メモリにおいては、金属電極13と抵抗変化層15との間に導電性酸化物層14が設けられているだけでなく、金属電極16と抵抗変化層15との間にも導電性酸化物層17が設けられており、物質的に見ると抵抗変化層15に関して上下層が対称な構造となっている。ここで、導電性酸化物層17の結晶構造、結晶方位、組成および厚さは、必ずしも導電性酸化物層14の結晶構造、結晶方位、組成および厚さと同一でなくてもよいが、導電性酸化物層14の結晶構造、結晶方位、組成および厚さと同一にすることにより、抵抗変化層15に関して上下層を完全に対称な構造とすることができる。
上記以外のことは第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
図3に示すように、この抵抗変化型不揮発性メモリにおいては、導電性酸化物基板21の一主面の第1の部位に金属電極22が設けられ、導電性酸化物基板21の一主面の第2の部位に抵抗変化層23が積層され、その上に金属電極24が設けられている。抵抗変化層22の厚さは、一般的には10〜250nm、好適には50〜120nmである。導電性酸化物基板21に用いる導電性酸化物としては、好適には、その上にある抵抗変化層22に用いる抵抗変化材料と似通った結晶構造および組成を有するものを用いることができる。例えば、抵抗変化層23に用いる抵抗変化材料としてCrをドープしたSrTiO3 を選択した場合、導電性酸化物基板21に用いる導電性酸化物としてはLaをドープしたSrTiO3 あるいはNbをドープしたSrTiO3 が適している。導電性酸化物基板21に用いる導電性酸化物の体積抵抗率は室温で1Ωcm以下であることが望ましい。金属電極22、24としては、第1の実施形態と同様なものを用いることができる。
まず、導電性酸化物基板21上に抵抗変化層23を形成する。この抵抗変化層23の形成方法としては、MOD法、CVD法、スパッタリング法等が用いられるが、その中でもMOD法が好ましい。次に、この抵抗変化層23上にリソグラフィーにより所定形状のレジストパターン(図示せず)を形成した後、このレジストパターンをマスクとして抵抗変化層23をエッチングすることにより所定形状にパターニングするとともに、導電性酸化物基板21の表面を部分的に露出させる。この後、この露出した部分の導電性酸化物基板21の表面に金属電極22を形成するとともに、抵抗変化層23上に金属電極24を形成する。
実施例1に基づいて製造した抵抗変化型不揮発性メモリの構造を図4に示す。
この抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法は次のとおりである。
基板11としてSi(001)基板を用い、その上にSiO2 膜およびTiO2 膜を順次形成して密着層12を形成し、さらにその上に厚さ約100nmのPt膜を形成して金属電極13を形成した。
実施例2に基づいて製造した抵抗変化型不揮発性メモリの構造を図6に示す。
この抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法は次のとおりである。
基板11としてSi(001)基板を用い、その上に実施例1と同様にして密着層12および金属電極13を形成した。
次に、導電性酸化物層14上に実施例1と同様にしてMOD法によりCrドープSrTiO3 (001)からなる抵抗変化層15を形成した。
この抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法は次のとおりである。
導電性酸化物基板21としてLaを0.5原子%ドープしたSrTiO3 (001)基板を用いた。
導電性酸化物基板21上に実施例1と同様にしてMOD法によりCrドープSrTiO3 (001)からなる抵抗変化層23を形成した。
図8にこの抵抗変化型不揮発性メモリのIV特性を示す。各測定点ではステップ電圧を印加後、10秒待ってから電流値を測定した。図8より、明確なヒステリシスが得られており、抵抗値が可逆的に変化していることが分かった。
比較例は、実施例1において導電性酸化物層14を用いない抵抗変化型不揮発性メモリである。
この抵抗変化型不揮発性メモリの構造を図9に示す。
この抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法は、導電性酸化物層14を形成しないことを除いて、実施例1と同様である。
この抵抗変化型不揮発性メモリのIV特性を図10に示す。図10から分かるように、電流値が安定せず、ブレークダウンを引き起こしやすい特徴があり、安定したヒステリシスは得られなかった。図10を図5と比較すると、金属電極13と抵抗変化層15との間に導電性酸化物層14を設けることによる特性向上が明らかである。
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値、構造、材料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、材料、プロセスなどを用いてもよい。
Claims (22)
- 基板上の第1の電極と、
上記第1の電極上の導電性酸化物層と、
上記導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の電極とを有する
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。 - 上記抵抗変化層が、遷移金属を0.01〜10モル%ドープした化学式ABO3 またはBO2 で表される物質であって、AがMg、Ca、SrおよびBaからなる群より選ばれた少なくとも一種からなり、BがTi、ZrおよびHfからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるものからなることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化型不揮発性メモリ。
- 上記遷移金属が、Cr、Mn、V、Fe、Co、NiおよびCuからなる群より選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とする請求項2記載の抵抗変化型不揮発性メモリ。
- 少なくとも上記第1の電極が金属電極であることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化型不揮発性メモリ。
- 少なくとも上記第1の電極が、Ir、Pt、Ru、Rh、Pd、Au、Cr、Ni、CuおよびAlからなる群より選ばれた少なくとも一種からなる単層構造または多層構造を有することを特徴とする請求項1記載の抵抗変化型不揮発性メモリ。
- 上記導電性酸化物層が、LaドープSrTiO3 、NbドープSrTiO3 、SrRuO3 、Sr2 RuO4 、SrCrO3 、LaTiO3 、(La,Sr)Cu2 O4 、(Nd,Ce)Cu2 O4 およびYBa2 Cu3 O7-x からなる群より選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化型不揮発性メモリ。
- 上記抵抗変化層が、Crを0.01〜10モル%ドープしたSrTiO3 またはSrZrO3 からなり、上記導電性酸化物層がLaドープSrTiO3 からなることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化型不揮発性メモリ。
- 上記基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化型不揮発性メモリ。
- 基板上の第1の電極と、
上記第1の電極上の第1の導電性酸化物層と、
上記第1の導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の導電性酸化物層と、
上記第2の導電性酸化物層上の第2の電極とを有する
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。 - 抵抗変化層と、
上記抵抗変化層の一端と電気的に接続された第1の電極と、
上記抵抗変化層の他端と電気的に接続された第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリにおいて、
上記抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。 - 基板上の第1の電極と、
上記第1の電極上の導電性酸化物層と、
上記導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリであって、
上記抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。 - 基板上の第1の電極と、
上記第1の電極上の第1の導電性酸化物層と、
上記第1の導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の導電性酸化物層と、
上記第2の導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリであって、
上記抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。 - 導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
上記導電性酸化物基板の上記一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリにおいて、
上記抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。 - 導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
上記導電性酸化物基板の上記一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の導電性酸化物層と、
上記導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリであって、
上記抵抗変化層の厚さが10〜250nmである
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。 - 抵抗変化層と、
上記抵抗変化層の一端と電気的に接続された第1の電極と、
上記抵抗変化層の他端と電気的に接続された第2の電極とを有し、
上記第1の電極と上記抵抗変化層との間および上記第2の電極と上記抵抗変化層との間の少なくとも一方に導電性酸化物層が設けられている抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
上記抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法。 - 上記抵抗変化層および上記導電性酸化物層を有機金属分解法によって形成するようにしたことを特徴とする請求項15記載の抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法。
- 上記抵抗変化層の厚さが10〜250nmであることを特徴とする請求項15記載の抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法。
- 基板上の第1の電極と、
上記第1の電極上の導電性酸化物層と、
上記導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
上記抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法。 - 基板上の第1の電極と、
上記第1の電極上の第1の導電性酸化物層と、
上記第1の導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の導電性酸化物層と、
上記第2の導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
上記抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法。 - 導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
上記導電性酸化物基板の上記一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
上記抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法。 - 導電性酸化物基板の一主面の第1の部位の上の第1の電極と、
上記導電性酸化物基板の上記一主面の第2の部位の上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の導電性酸化物層と、
上記導電性酸化物層上の第2の電極とを有する抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法であって、
上記抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法。 - 遷移金属を0.01〜10モル%ドープした化学式ABO3 またはBO2 で表される物質であって、AがMg、Ca、SrおよびBaからなる群より選ばれた少なくとも一種からなり、BがTi、ZrおよびHfからなる群より選ばれた少なくとも一種からなる抵抗変化層を有機金属分解法によって形成するようにした
ことを特徴とする抵抗変化層の形成方法。
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Country Status (1)
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100644869B1 (ko) | 2005-06-24 | 2006-11-14 | 광주과학기술원 | 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 |
WO2007010746A1 (ja) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | 可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置 |
WO2007013174A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Fujitsu Limited | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
WO2007055071A1 (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2007227922A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子 |
JP2007235139A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子 |
JP2007243183A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 抵抗性メモリ素子 |
JP2008034641A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sharp Corp | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
KR100824294B1 (ko) | 2006-08-01 | 2008-04-22 | 한국화학연구원 | 화학 증착법에 의한 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물박막의 제조 방법 |
JP2008205191A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ素子および不揮発性半導体メモリ装置 |
WO2009025037A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Fujitsu Limited | 抵抗変化型素子 |
WO2009038032A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Nec Corporation | 抵抗変化素子および半導体記憶装置 |
US7759765B2 (en) | 2006-07-07 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device mounted with fuse memory |
US7764160B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-07-27 | Fujitsu Limited | Variable-resistance element |
US8188466B2 (en) | 2006-10-16 | 2012-05-29 | Fujitsu Limited | Resistance variable element |
KR101206036B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | 전이 금속 고용체를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그제조 방법 |
TWI399830B (zh) * | 2010-09-09 | 2013-06-21 | Winbond Electronics Corp | 電阻式非揮發性記憶體 |
US8525142B2 (en) | 2006-05-04 | 2013-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile variable resistance memory device and method of fabricating the same |
US8614125B2 (en) | 2007-02-16 | 2013-12-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices and methods of forming the same |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227980A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH09252091A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 誘電体薄膜素子 |
JPH11145391A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-28 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
JP2000058792A (ja) * | 1998-07-20 | 2000-02-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超薄膜キャパシタおよびdram |
JP2001080996A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜構造体 |
JP2001189437A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002537627A (ja) * | 1999-02-17 | 2002-11-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法 |
JP2003282838A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法、メモリセルアレイ、誘電体キャパシタの製造方法、ならびに、メモリ装置 |
-
2003
- 2003-10-16 JP JP2003355896A patent/JP2005123361A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227980A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH09252091A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 誘電体薄膜素子 |
JPH11145391A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-28 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
JP2000058792A (ja) * | 1998-07-20 | 2000-02-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超薄膜キャパシタおよびdram |
JP2002537627A (ja) * | 1999-02-17 | 2002-11-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法 |
JP2001080996A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜構造体 |
JP2001189437A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003282838A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法、メモリセルアレイ、誘電体キャパシタの製造方法、ならびに、メモリ装置 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100644869B1 (ko) | 2005-06-24 | 2006-11-14 | 광주과학기술원 | 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 |
WO2007010746A1 (ja) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | 可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置 |
JP2007027537A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置 |
WO2007013174A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Fujitsu Limited | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
JP4894757B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2012-03-14 | 富士通株式会社 | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
US7668002B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-02-23 | Fujitsu Limited | Resistance memory element and nonvolatile semiconductor memory |
WO2007055071A1 (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2007227922A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子 |
JP2007235139A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子 |
JP2007243183A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 抵抗性メモリ素子 |
KR101176543B1 (ko) | 2006-03-10 | 2012-08-28 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리소자 |
US8525142B2 (en) | 2006-05-04 | 2013-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile variable resistance memory device and method of fabricating the same |
US7759765B2 (en) | 2006-07-07 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device mounted with fuse memory |
US8110893B2 (en) | 2006-07-07 | 2012-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device mounted with fuse memory |
JP2008034641A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sharp Corp | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
KR100824294B1 (ko) | 2006-08-01 | 2008-04-22 | 한국화학연구원 | 화학 증착법에 의한 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물박막의 제조 방법 |
US7764160B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-07-27 | Fujitsu Limited | Variable-resistance element |
US8188466B2 (en) | 2006-10-16 | 2012-05-29 | Fujitsu Limited | Resistance variable element |
KR101206036B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | 전이 금속 고용체를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그제조 방법 |
US8350247B2 (en) | 2006-11-16 | 2013-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resistive random access memory having a solid solution layer and method of manufacturing the same |
US8614125B2 (en) | 2007-02-16 | 2013-12-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices and methods of forming the same |
US9159914B2 (en) | 2007-02-16 | 2015-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices and methods of forming the same |
JP2008205191A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ素子および不揮発性半導体メモリ装置 |
WO2009025037A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Fujitsu Limited | 抵抗変化型素子 |
WO2009038032A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Nec Corporation | 抵抗変化素子および半導体記憶装置 |
JP5407864B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2014-02-05 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子および半導体記憶装置 |
TWI399830B (zh) * | 2010-09-09 | 2013-06-21 | Winbond Electronics Corp | 電阻式非揮發性記憶體 |
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