JP2007243183A - 抵抗性メモリ素子 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
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- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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Abstract
【課題】抵抗性メモリ素子を提供する。
【解決手段】第１電極２１と、第１電極２１上に形成され、２つの抵抗状態を利用して情報を保存する第１酸化物層２２と、第１酸化物層上に形成される第２酸化物材料からなる電流制御層２３と、電流制御層２３上に形成される第２電極２４と、を備える。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】第１電極２１と、第１電極２１上に形成され、２つの抵抗状態を利用して情報を保存する第１酸化物層２２と、第１酸化物層上に形成される第２酸化物材料からなる電流制御層２３と、電流制御層２３上に形成される第２電極２４と、を備える。
【選択図】図２Ａ
Description
本発明は、抵抗性メモリ素子に係り、さらに詳細には、低電力駆動可能な抵抗性ランダムアクセスメモリ素子に関する。
抵抗性ランダムアクセスメモリ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ
Ｍｅｍｏｒｙ：以下、ＲＲＡＭと称する）は、主に遷移金属酸化物の電圧によって抵抗値が変化する特性（抵抗変化特性）を利用したものであって、中央の酸化物層及び上下電極を備えた構造を有する。
Ｍｅｍｏｒｙ：以下、ＲＲＡＭと称する）は、主に遷移金属酸化物の電圧によって抵抗値が変化する特性（抵抗変化特性）を利用したものであって、中央の酸化物層及び上下電極を備えた構造を有する。
図１Ａに示すように、メモリ素子１０は、下部電極１１、酸化物層１２、及び上部電極１３が順次に積層された構造を有する。酸化物層１２は、メモリノードとして作用するものであって、通常、抵抗変化（可変抵抗）特性を有する遷移金属酸化物、例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、またはＮｉＯｘなどから形成される。
ＮｉＯｘ、ＺｒＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ｘなどを利用したＲＲＡＭは、優れたスイッチング特性及び保持特性などを備えた不揮発性メモリとして多くの長所を有し、このための多様な物質が研究されている。図１Ｂは、メモリノードとしてＮｉＯｘを利用する従来の抵抗性メモリ素子の電流−電圧特性を示すグラフである。図１Ｂに示すように、抵抗性メモリの作動のためには、３ｍＡ以上の電流が要求されるということが分かる。すなわち、メモリ素子は、所定値以上の電圧及び電流で作動するが、望ましくは、電流を下げることが必要である。電流を下げれば、メモリ素子が消費する電力量が減少する。
したがって、その他のメモリ素子と同様に、抵抗性メモリ素子の低電力化についての研究が要求される。
特開２０００−３５７８２９号公報
特開２００４−０２２９０４号公報
特開２００４−０５５９６９号公報
本発明の目的は、低消費電力の抵抗性メモリ素子を提供することである。
本発明に係る抵抗性メモリ素子は、第１電極と、前記第１電極上に形成され、２つの抵抗状態を利用して情報を保存する第１酸化物層と、前記第１酸化物層上に形成される第２酸化物材料からなる電流制御層と、前記電流制御層上に形成される第２電極と、を備えることを特徴とする。
本発明の一実施形態によれば、前記第１酸化物層は、ＮｉＯｘ、ＺｒＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ｘ、ＨｆＯ、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣｏＯ、ＣｕＯ２、及びＴｉＯ２からなる群から選択された何れか１つから形成されうる。
本発明の他の実施形態によれば、前記電流制御層は、遷移金属がドーピングされたＺｎＯｘまたはＲｕＯｘから形成されうる。
本発明のさらに他の実施形態によれば、前記電流制御層は、ＡｌもしくはＩｎがドーピ
ングされたＺｎＯｘもしくはＲｕＯｘ、または、金属がドーピングされたＳｉＯ２もしくはＺｒリッチのＺｒＯ２から形成されうる。
ングされたＺｎＯｘもしくはＲｕＯｘ、または、金属がドーピングされたＳｉＯ２もしくはＺｒリッチのＺｒＯ２から形成されうる。
本発明の具体的な実施形態によれば、前記電流制御層は、１０Ω〜１０ｋΩの範囲の抵抗を有しうる。
本発明によれば、電流制御のためのドーピングされた酸化物層をＲＲＡＭ物質上に形成することにより、低消費電力の抵抗性メモリ素子を具現することができる。
以下、添付された図面を参照して、本発明の一実施形態に係る抵抗性メモリ素子について詳細に説明する。ここで、図面に示す各層の厚さ及び幅は、説明の便宜のために多少誇張されて表現されている。
図２Ａは、本発明の一実施形態に係る抵抗性メモリ素子２０を示す断面図である。
図２Ａに示すように、本発明に係る抵抗性メモリ素子２０は、下部電極（第１電極）２１、第１酸化物層２２、電流制御層２３、及び上部電極（第２電極）２４を備える。
第１酸化物層２２は、下部電極２１上に形成され、基本的に可変抵抗特性を有する。第１酸化物層２２は、２つの抵抗状態を有する遷移金属酸化物によるメモリノードであり、その材料としては、ＮｉＯｘ、ＺｒＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ｘ、ＨｆＯ、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣｏＯ、ＣｕＯ２、またはＴｉＯ２などがある。したがって、本発明は、第１酸化物層２２の材料として、ＮｉＯｘ、ＺｒＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ｘ、ＨｆＯ、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣｏＯ、ＣｕＯ２、及びＴｉＯ２のうち何れか一つを利用する。
このような第１酸化物層２２上には、本発明の特徴として、第２酸化物質からなる電流制御層２３が形成される。電流制御層２３は、金属酸化物から形成されうる。本発明の一実施形態によれば、電流制御層２３は、Ｉｎ、Ａｌ、もしくは遷移金属がドーピングされたＺｎＯｘ、または、Ｉｎ、Ａｌ、もしくは遷移金属がドーピングされたＲｕＯｘなどの物質から形成されうる。本発明の他の実施形態によれば、電流制御層２３は、金属がドーピングされたＳｉＯ２、または、金属がドーピングされたＺｒリッチ（Ｚｒ−ｒｉｃｈ）のＺｒＯ２から形成されうる。ここで、電流制御層２３は、１０Ω〜１０ｋΩの範囲の抵抗を有することが望ましい。電流制御層２３上には、上部電極２４が形成される。
下部電極２１および上部電極２４の少なくとも一方は、電気伝導性を有する金属または金属酸化物から形成され、具体的には、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｔ、またはこれらの酸化物から形成される。
電流制御層２３の抵抗は、１０Ω〜１０ｋΩの範囲の値を有し、したがって、本発明に係る抵抗性メモリ素子２０は、図２Ｂに示すような等価回路を有する。図２ＢでＲＴＥは、上部電極２４の抵抗、ＲＲは、電流制御層２３の抵抗、ＲＮｉＯは、第１酸化物層２２の抵抗、そして、ＲＢＥは、下部電極２１の抵抗を表す。抵抗成分ＲＴＥ、ＲＲ、ＲＮｉＯ、ＲＢＥは、直列に連結され、第１酸化物層２２の抵抗ＲＮｉＯ状態にしたがって１ビットの情報を保存する。
図２Ｃは、本発明に係る抵抗性メモリ素子において、第１酸化物層は、ＮｉＯから形成され、電流制御層は、ＡｌがドーピングされたＺｎＯから形成された場合、電流制御層の抵抗変化１、１０、５６、１２０、２２０、３００（Ω：ｏｈｍ）による電流−電圧特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
図２Ｃに示すように、抵抗の低い状態では、電流制御層の抵抗が大きくなるほど、電流が減少するということが分かり、そして、抵抗の高い状態では、抵抗に関係なく電流が流れないということが分かる。
図３は、ＡｌがドーピングされたＺｎＯ膜を１５ｎｍの厚さにＮｉＯ物質層上に蒸着した後、スイッチング挙動を測定した結果を示すグラフであって、本発明に係る抵抗性メモリ素子の電流−電圧特性を示す。このような図３を通じて、ピーク電流が１００μＡ以下でもスイッチングが発生するということが分かる。このような電流は、工程の最適化を通じて調節が可能である。
図４は、本発明に係る抵抗性メモリ素子及び従来の抵抗性メモリ素子の高抵抗状態（Ｈｉｇｈ Ｒ）及び低抵抗状態（Ｌｏｗ Ｒ）での抵抗変化を示す抵抗−スイッチングサイクル特性グラフである。
図４に示すように、既存のＮｉＯ ＲＲＡＭ物質のオン／オフ時の抵抗値と、電流制御用のＡｌがドーピングされたＺｎＯ薄膜をＮｉＯ上に蒸着した場合の抵抗値とを比較すれば、オン電流を１００倍以上減らしうるということが分かる。
以上のとおり、説明した実施形態によれば、新たなメモリ技術として注目されているＲＲＡＭにおいて、２つの抵抗状態の具現のためのＮｉＯ、ＺｒＯｘ、またはＮｂ２Ｏ５−ｘのような薄膜における高いオン電流（ピーク電流＞３ｍＡ）を、例えば、１００μＡに大きく下げて、従来の抵抗性メモリ素子が有する高電力消費の問題を解決する低消費電力の抵抗性メモリ素子を具現することができる。これは、比抵抗が酸化物と絶縁膜との間の値を有するドーピングされた酸化物薄膜によるものであって、ＮｉＯ、ＺｒＯｘ、またはＮｂ２Ｏ５−ｘのようなＲＲＡＭ薄膜が有している従来のメモリ素子の高いオン電流値を少なくとも１００倍減らし、実際のオン電流を数百μＡに下げることによって、従来に比べて画期的な低電力メモリ素子の具現が可能である。
本発明に係る抵抗性メモリ素子の製造工程は、従来の一般的なＤＲＡＭの製造工程などの周知の半導体工程をそのまま利用しうる。
以上のとおり、既存のＮｉＯｘ、ＺｒＯｘ、またはＮｂ２Ｏ５−ｘなどの抵抗変化素子（ＲＲＡＭ）は、優れたスイッチング特性及び保持特性、動作電圧などを有しているにもかかわらず、高いオン電流のため（ピーク電流＞３ｍＡ）、実際の低電力素子の具現に難しさがあった。しかし、本発明によれば、電流制御のためのドーピングされた酸化物層をＲＲＡＭ物質上に形成することで優れた低消費電力の抵抗性メモリ素子の具現が可能である。
以上のとおり、このような本願発明の理解を助けるために、いくつかのの模範的な実施形態が説明され、かつ添付された図面に示されたが、このような実施形態は、単に広い発明を例示し、これを制限しないという点と、本発明は、図示及び説明された構造及び配列に限定されないという点とが理解されねばならない。それは、当業者ならば、これらの多様な他の修正が可能であるためである。
本発明は、抵抗性メモリ素子に関連した技術分野に好適に適用されうる。
２０ 抵抗性メモリ素子、
２１ 下部電極、
２２ 第１酸化物層、
２３ 電流制御層、
２４ 上部電極。
２１ 下部電極、
２２ 第１酸化物層、
２３ 電流制御層、
２４ 上部電極。
Claims (7)
- 第１電極と、
前記第１電極上に形成され、２つの抵抗状態を利用して情報を保存する第１酸化物層と、
前記第１酸化物層上に形成される第２酸化物材料からなる電流制御層と、
前記電流制御層上に形成される第２電極と、を備えることを特徴とする抵抗性メモリ素子。 - 前記第１酸化物層は、ＮｉＯｘ、ＺｒＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ｘ、ＨｆＯ、ＺｎＯ、ＷＯ３、ＣｏＯ、ＣｕＯ２、及びＴｉＯ２からなる群から選択された何れか１つから形成されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記電流制御層は、遷移金属がドーピングされたＺｎＯｘまたはＲｕＯｘから形成されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記電流制御層は、遷移金属酸化物から形成されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記電流制御層は、ＡｌまたはＩｎがドーピングされたＺｎＯｘまたはＲｕＯｘから形成されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記電流制御層は、金属がドーピングされたＳｉＯ２またはＺｒリッチのＺｒＯ２から形成されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記電流制御層は、１０Ω〜１０ｋΩの範囲の抵抗を有することを特徴とする請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の抵抗性メモリ素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060022728A KR101176543B1 (ko) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 저항성 메모리소자 |
| KR10-2006-0022728 | 2006-03-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007243183A true JP2007243183A (ja) | 2007-09-20 |
| JP5230955B2 JP5230955B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=38516928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007050627A Active JP5230955B2 (ja) | 2006-03-10 | 2007-02-28 | 抵抗性メモリ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8009454B2 (ja) |
| JP (1) | JP5230955B2 (ja) |
| KR (1) | KR101176543B1 (ja) |
| CN (1) | CN101034732B (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110322 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120314 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120322 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120601 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5230955 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |