JP2008034641A - 抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008034641A JP2008034641A JP2006206677A JP2006206677A JP2008034641A JP 2008034641 A JP2008034641 A JP 2008034641A JP 2006206677 A JP2006206677 A JP 2006206677A JP 2006206677 A JP2006206677 A JP 2006206677A JP 2008034641 A JP2008034641 A JP 2008034641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- voltage
- nonvolatile memory
- junction
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N19/00—Methods or arrangements for coding, decoding, compressing or decompressing digital video signals
- H04N19/46—Embedding additional information in the video signal during the compression process
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B27/00—Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
- G11B27/002—Programmed access in sequence to a plurality of record carriers or indexed parts, e.g. tracks, thereof, e.g. for editing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B27/00—Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
- G11B27/02—Editing, e.g. varying the order of information signals recorded on, or reproduced from, record carriers
- G11B27/031—Electronic editing of digitised analogue information signals, e.g. audio or video signals
- G11B27/034—Electronic editing of digitised analogue information signals, e.g. audio or video signals on discs
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N19/00—Methods or arrangements for coding, decoding, compressing or decompressing digital video signals
- H04N19/60—Methods or arrangements for coding, decoding, compressing or decompressing digital video signals using transform coding
- H04N19/61—Methods or arrangements for coding, decoding, compressing or decompressing digital video signals using transform coding in combination with predictive coding
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/76—Television signal recording
- H04N5/765—Interface circuits between an apparatus for recording and another apparatus
- H04N5/77—Interface circuits between an apparatus for recording and another apparatus between a recording apparatus and a television camera
- H04N5/772—Interface circuits between an apparatus for recording and another apparatus between a recording apparatus and a television camera the recording apparatus and the television camera being placed in the same enclosure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/40—Combinations of multiple record carriers
- G11B2220/41—Flat as opposed to hierarchical combination, e.g. library of tapes or discs, CD changer, or groups of record carriers that together store one title
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/76—Television signal recording
- H04N5/765—Interface circuits between an apparatus for recording and another apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/76—Television signal recording
- H04N5/907—Television signal recording using static stores, e.g. storage tubes or semiconductor memories
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N9/00—Details of colour television systems
- H04N9/79—Processing of colour television signals in connection with recording
- H04N9/80—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback
- H04N9/804—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback involving pulse code modulation of the colour picture signal components
- H04N9/8042—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback involving pulse code modulation of the colour picture signal components involving data reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N9/00—Details of colour television systems
- H04N9/79—Processing of colour television signals in connection with recording
- H04N9/80—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback
- H04N9/82—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback the individual colour picture signal components being recorded simultaneously only
- H04N9/8205—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback the individual colour picture signal components being recorded simultaneously only involving the multiplexing of an additional signal and the colour video signal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Television Signal Processing For Recording (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
Abstract
【解決手段】 電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、基板1上に形成された電極2と、電極2上に形成された酸化物pn接合を少なくとも備えてなる。酸化物pn接合を形成する酸化物3,4がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極2がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施形態では、図1〜図8、及び、図12〜図17に基づいて本発明素子について説明する。先ず、従来報告されてきたTiを上部電極に用いた整流性の発現にフォーミングプロセスを要する従来の抵抗変化型不揮発メモリ素子(適宜、「従来素子」と称す。)での問題点を整理するために、フォーミングプロセス後の整流性を伴うメモリ特性とそのメカニズムを比較例として説明し、上記従来素子構造が如何に信頼性を損なうかという具体例として、室温での抵抗値の保持特性の劣化状況を示す(図12〜図17参照)。次いで、本発明素子として作製した酸化物pn接合界面での整流性、メモリ特性を示すとともに、高い信頼性を実現した技術について、図1〜図8を参照して、詳細に説明する。
先ず、従来素子構造を簡単に説明する。素子構造の作製プロセス等については、本発明素子の実施形態において詳細に説明する。SrTiO3(100)単結晶基板上に下部電極としてSrRuO3膜を作製し、その上にPr1−xCaxMnO3(x=0.3及び0.5)を作製した。上部電極としてTi膜(第1上部電極)を形成し連続してAu膜(第2上部電極)を形成した。測定した素子の接合サイズは10μm角である。尚、Pr1−xCaxMnO3膜のキャリアに関しては酸素欠損が導入されるため等価的にxが少ない状態となり、x=0.5においてもp型であることが知られている。
図15は、第1上部電極(Ti膜)とPr0.7Ca0.3MnO3薄膜からなる接合界面でのメモリ特性を示す電流−電圧特性のグラフである。上記素子と異なる点は、Pr1−xCaxMnO3のCa濃度(組成比またはモル分率)をx=0.3とした点であるが、その振舞いはx=0.5とした素子と同様である。測定した素子の接合サイズは10μm角である。図12及び図14と同様に、図15の縦軸は電流値の絶対値を対数表示しており、横軸の符号は下部電極を基準に上部電極側に印加した電圧の極性に対応している。先ず、逆方向バイアス側に電圧を印加して高抵抗状態にし(図示せず)、高抵抗状態の読み出しを0V→+3V→0Vで行い、次いで、0V→−3Vと順方向バイアス側に電圧を印加することで低抵抗側へとスイッチングし、−3V→0Vにかけてヒステリシスが得られることで低抵抗側へのスイッチングを確認した。
上記のような従来素子の抵抗変化メカニズムの考察及びその検証実験を行なった結果、本願の発明者等は、このような低い信頼性は金属と酸化物界面からなることにその一因があると結論付けた。即ち、フォーミングプロセスによって発現する整流性を伴うメモリ効果は実際のメモリ素子としては使用できないということである。発明者等は、本来、整流性及びメモリ効果は個別のものであるという考えに立脚し、安定した整流性及びメモリ特性を得るには酸化物pn接合が有効であることを見出した。以下にその詳細を説明する。
次に、本発明素子をメモリセルとして使用した不揮発性半導体記憶装置(本発明装置)の一構成例について説明する。
2: 電極(Sr1−xCaxRuO3薄膜;x=0または0.5)、下部電極
3: p型酸化物薄膜(Pr1−xCaxMnO3薄膜;x=0.3または0.5)
4: n型酸化物薄膜(Sr1−xLaxTiO3薄膜;x=0.0047)
51: 第1の密着層(Ti薄膜)
52: 第2の密着層(Ti薄膜)
53: 反応層(TiOx)(従来の抵抗変化型不揮発メモリ素子内)
61: 第1の上部電極(Au膜)
62: 第2の上部電極(Au膜)
63: 第1上部電極(Ti膜)(従来の抵抗変化型不揮発メモリ素子内)
64: 第2上部電極(Au膜)(従来の抵抗変化型不揮発メモリ素子内)
7: 層間絶縁膜(SiO2膜)
81: p型酸化物半導体の伝導帯
82: p型酸化物半導体の価電子帯
91: n型酸化物半導体の伝導帯
92: n型酸化物半導体の価電子帯
10: 擬フェルミレベル
11: トラップ
12: メモリセル
13: メモリセルアレイ
14: ビット線デコーダ
15: ワード線デコーダ
16: 制御回路
17: 電圧スイッチ回路
18: 読み出し回路
19: 電圧発生回路
20: アドレス線
21: データ線
22: 制御信号線
BL,BL1〜BLm: ビット線
WL,WL1〜WLn: ワード線
Vcc: 電源電圧
Vss: 接地電圧
Vpp: 書き込み用電圧
Vee: 消去用電圧
Vrd: 読み出し電圧
Claims (9)
- 電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、
基板上に形成された電極と、前記電極上に形成された酸化物pn接合を少なくとも備えてなることを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ素子。 - 前記酸化物pn接合を形成する酸化物がペロブスカイト型酸化物薄膜からなることを特徴とする請求項1に記載の抵抗変化型不揮発メモリ素子。
- 前記電極がペロブスカイト型酸化物薄膜からなることを特徴とする請求項2に記載の抵抗変化型不揮発メモリ素子。
- 前記電極が、ストロンチウム(Sr)とカルシウム(Ca)の内の少なくとも何れか一方を含むペロブスカイト型ルテニウム(Ru)酸化物薄膜からなることを特徴とする請求項3に記載の抵抗変化型不揮発メモリ素子。
- 前記酸化物pn接合が、前記電極上にp型のペロブスカイト型酸化物薄膜を、次いでn型のペロブスカイト型酸化物薄膜を順番に形成してなることを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の抵抗変化型不揮発メモリ素子。
- 前記p型のペロブスカイト型酸化物薄膜が、少なくともプラセオジム(Pr)とカルシウム(Ca)を含むペロブスカイト型マンガン(Mn)酸化物薄膜からなり、
前記n型のペロブスカイト型酸化物薄膜が、少なくともランタン(La)とストロンチウム(Sr)を含むペロブスカイト型チタン(Ti)酸化物薄膜からなることを特徴とする請求項5に記載の抵抗変化型不揮発メモリ素子。 - 前記酸化物pn接合を形成するp型とn型の酸化物薄膜の内の上層側の酸化物薄膜上に前記上層側の酸化物薄膜とオーミック接触する上部電極が形成されていることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の抵抗変化型不揮発性メモリ素子。
- 請求項1〜7の何れか1項に記載の抵抗変化型不揮発性メモリ素子と、
前記抵抗変化型不揮発性メモリ素子に前記電気的ストレスを印加して電気抵抗を変化させて情報の書き込み及び消去を行う情報書き換え手段と、
前記抵抗変化型不揮発性メモリ素子の両端に電圧を印加して前記抵抗変化型不揮発性メモリ素子を流れる電流量から電気抵抗状態を検知して記憶された情報を読み出す情報読み出し手段と、
を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記情報書き換え手段が、書き込み動作時と消去動作時で、前記電気的ストレスとして、前記酸化物pn接合に対する順方向バイアス電圧と逆方向バイアス電圧を切り換えて前記抵抗変化型不揮発性メモリ素子に印加することを特徴とする請求項8に記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006206677A JP4868513B2 (ja) | 2006-07-28 | 2006-07-28 | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
US11/897,546 US20080089657A1 (en) | 2006-07-28 | 2007-08-30 | Recording apparatus, recording method, reproduction apparatus, reproduction method, recording and reproduction apparatus, recording and reproduction method, image capturing and recording apparatus, and image capturing and recording method. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006206677A JP4868513B2 (ja) | 2006-07-28 | 2006-07-28 | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008034641A true JP2008034641A (ja) | 2008-02-14 |
JP4868513B2 JP4868513B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=39123753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006206677A Expired - Fee Related JP4868513B2 (ja) | 2006-07-28 | 2006-07-28 | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080089657A1 (ja) |
JP (1) | JP4868513B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008159760A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Sharp Corp | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法及び不揮発性半導体記憶装置 |
JP2010522424A (ja) * | 2006-11-08 | 2010-07-01 | シメトリックス・コーポレーション | 相関電子メモリ |
JP2012015211A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8274815B2 (en) | 2010-03-02 | 2012-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP2013219332A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-10-24 | Tdk Corp | ヘテロエピタキシャルpn接合酸化物薄膜を有する積層薄膜 |
US8901683B2 (en) | 2012-09-27 | 2014-12-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Micro electro mechanical system (MEMS) microphone and fabrication method thereof |
JP5999768B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2016-09-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
GB2545264A (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-14 | Advanced Risc Mach Ltd | A storage array |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4596044B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 情報処理システム、情報処理方法 |
JP4600521B2 (ja) | 2008-06-03 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、プログラム |
JP4596043B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、プログラム |
US8503862B2 (en) * | 2008-06-12 | 2013-08-06 | Cyberlink Corp. | Systems and methods for identifying scenes in a video to be edited and for performing playback |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123361A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Sony Corp | 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法 |
JP2006190376A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2006101152A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 不揮発性メモリ素子 |
JP2007235142A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ素子及びそれを備えるメモリアレイ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6243766A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | 共用資源の状態管理方式 |
US7519268B2 (en) * | 1998-04-14 | 2009-04-14 | Nikon Corporation | Image recording apparatus, dynamic image processing apparatus, dynamic image reproduction apparatus, dynamic image recording apparatus, information recording / reproduction apparatus and methods employed therein, recording medium with computer program stored therein |
AU6734200A (en) * | 1999-08-30 | 2001-03-26 | Fujitsu Limited | Recording device |
JP2003032612A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Canon Inc | 動画再生記述方法、動画再生記録装置、記録媒体および制御プログラム |
US7306143B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-12-11 | Cubic Corporation | Dynamic smart card/media imaging |
US20050286377A1 (en) * | 2002-11-07 | 2005-12-29 | Koninkleijke Philips Electronics, N.V. | Record carrier having a main file system area and a virtual file system area |
US20040184775A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Recording/reproducing apparatus, recording/reproducing method, computer program providing medium, and recording medium |
JP3719516B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2005-11-24 | ソニー株式会社 | 情報処理装置および方法、プログラム、並びに記録媒体 |
EP1542231A1 (en) * | 2003-12-08 | 2005-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording apparatus and recording method capable of recording series of content data on different recording media |
US7206973B2 (en) * | 2003-12-11 | 2007-04-17 | Lsi Logic Corporation | PCI validation |
JP4306525B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2009-08-05 | ソニー株式会社 | 情報処理装置および方法、並びにプログラム |
JP4301185B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2009-07-22 | ソニー株式会社 | ファイル管理装置、ファイル管理方法およびプログラム |
-
2006
- 2006-07-28 JP JP2006206677A patent/JP4868513B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-30 US US11/897,546 patent/US20080089657A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123361A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Sony Corp | 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法 |
JP2006190376A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2006101152A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 不揮発性メモリ素子 |
JP2007235142A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ素子及びそれを備えるメモリアレイ |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010522424A (ja) * | 2006-11-08 | 2010-07-01 | シメトリックス・コーポレーション | 相関電子メモリ |
JP2008159760A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Sharp Corp | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法及び不揮発性半導体記憶装置 |
US8988925B2 (en) | 2010-03-02 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device in which polarities of voltages in forming operation and set operation are different from each other |
US8274815B2 (en) | 2010-03-02 | 2012-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP5999768B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2016-09-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8432720B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP2012015211A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2013219332A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-10-24 | Tdk Corp | ヘテロエピタキシャルpn接合酸化物薄膜を有する積層薄膜 |
US9257524B2 (en) * | 2012-03-14 | 2016-02-09 | Tdk Corporation | Layered film including heteroepitaxial PN junction oxide thin film |
US8901683B2 (en) | 2012-09-27 | 2014-12-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Micro electro mechanical system (MEMS) microphone and fabrication method thereof |
GB2545264A (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-14 | Advanced Risc Mach Ltd | A storage array |
GB2545264B (en) * | 2015-12-11 | 2020-01-15 | Advanced Risc Mach Ltd | A storage array |
US10777273B2 (en) | 2015-12-11 | 2020-09-15 | Arm Ltd | Cross-point storage array including correlated electron switches |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4868513B2 (ja) | 2012-02-01 |
US20080089657A1 (en) | 2008-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4868513B2 (ja) | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 | |
CN102655210B (zh) | 可变电阻元件及其制造方法以及具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置 | |
US7894239B2 (en) | Variable resistance element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor storage device | |
JP4868518B2 (ja) | 抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法及び不揮発性半導体記憶装置 | |
US7020006B2 (en) | Discharge of conductive array lines in fast memory | |
JP5156060B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US7786459B2 (en) | Memory element and memory device comprising memory layer positioned between first and second electrodes | |
JP4698630B2 (ja) | 下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子 | |
US7935953B2 (en) | Nonvolatile memory device, array of nonvolatile memory devices, and methods of making the same | |
EP1914806B1 (en) | Variable resistor element and production method therefor and storage device provided with it | |
JP5154138B2 (ja) | n+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 | |
JP4385778B2 (ja) | 記憶装置 | |
US20130193396A1 (en) | Variable resistive element, and non-volatile semiconductor memory device | |
JP4774109B2 (ja) | 不揮発性可変抵抗素子のフォーミング処理の制御回路、並びにフォーミング処理の制御方法 | |
JP2007180202A (ja) | 可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置 | |
WO2004084306A1 (ja) | 記憶素子及びこれを用いた記憶装置 | |
JP2013004655A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2007180174A (ja) | 抵抗変化型記憶素子 | |
KR20070092503A (ko) | 금속 도핑된 산화 아연 박막을 이용한 저항성 메모리 소자 | |
JP5680927B2 (ja) | 可変抵抗素子、及び、不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5120967B2 (ja) | 可変抵抗素子 | |
TWI545816B (zh) | 儲存裝置及儲存單元 | |
JP2007180176A (ja) | 抵抗変化型記憶素子 | |
Lee et al. | Effect of TiO x-based tunnel barrier on non-linearity and switching reliability of resistive random access memory | |
JP2009212245A (ja) | 可変抵抗素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |