JP2005101618A - 同一レベルに位置するヒューズとキャパシタを有する半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 106
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 88
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 42
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 28
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 32
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0805—Capacitors only
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】 ヒューズとMIMキャパシタを備え、写真及びエッチング工程を最小化しながらヒューズとキャパシタを備える半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体素子は、ヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板を含む。前記ヒューズ領域上にはヒューズが配置され、前記キャパシタ領域上には前記ヒューズと同一の平面上に位置する下部プレートが配置される。前記下部プレート上部に上部プレートが位置し、前記下部プレートと前記上部プレートとの間にキャッピング層が介在する。
【選択図】 図8
【解決手段】 半導体素子は、ヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板を含む。前記ヒューズ領域上にはヒューズが配置され、前記キャパシタ領域上には前記ヒューズと同一の平面上に位置する下部プレートが配置される。前記下部プレート上部に上部プレートが位置し、前記下部プレートと前記上部プレートとの間にキャッピング層が介在する。
【選択図】 図8
Description
本発明は、半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に同一レベルに位置するヒューズとキャパシタを有する半導体素子及びその製造方法に関する。
システムオンチップ(system on chip;SOC)のような統合メモリロジック素子(merged memomry and logic device)は、一つの半導体素子内に記憶素子とロジック素子を共に有する。前記ロジック素子はアナログキャパシタで採択することができる。
ヒューズは、記憶素子でリダンダンシ(redundancy)を供給するために広く使用されている。前記ヒューズを使用することによって記憶素子の収率を高めることができる。一方、半導体素子が高集積化されるにつれて、半導体素子の高さが増加する。これにより、ヒューズの切断(fusing)を容易にするために前記ヒューズを半導体素子の上層部に形成する方法が広く使用されている。
一方、MIMキャパシタは、キャパシタンス(capacitance)を制御し易くポリ−インシュレーター−ポリ(poly Si−insulator−poly Si;PIP)キャパシタに比べて電圧効率(voltage coefficient of capacitance)特性が良好でアナログキャパシタとして広く使用されている。
従って、統合メモリロジック素子は、一般的にヒューズとMIMキャパシタを共に備える。
図1は、従来のMIMキャパシタ及びその製造方法を説明するための断面図である。
図1に示されるとおり、前記MIMキャパシタは、半導体基板11上に配置された下部プレート15b、前記下部プレート上部に位置する上部プレート19及び前記下部プレート15bと前記上部プレート19との間に介在されたキャッピング層17を備える。前記下部プレート15bは、下部配線15aと同一の平面上に位置する。
一方、前記下部配線15aは、ビアプラグを通して前記下部配線15aの上部を通る上部配線23aと電気的に接続する。そして、前記上部プレート19は、ビアプラグを通して前記上部プレート19上部を通る他の上部配線23bと電気的に接続する。前記上部配線23aと前記他の上部配線23bは、同一の平面上に配置される。
また、前記キャッピング層17は、前記下部配線15a及び前記下部プレート15bの上部を覆うことができる。しかし、前記キャッピング層17は、前記下部配線15aが前記上部配線23aと電気的に接続するように前記下部配線15aの所定領域を露出させる開口部を有する。
以下では、前記従来のMIMキャパシタの製造方法を説明する。
図1に示されるとおり、半導体基板11を備え、前記半導体基板上にはトランジスタのような単位素子及び配線が形成されうる。前記半導体基板11上に下部絶縁膜13を形成する。
前記下部絶縁膜13を写真及びエッチング工程を使用してパターニングして配線トレンチ及び下部プレートトレンチを形成する。
前記トレンチが形成された半導体基板の全面上に下部導電膜を形成する。前記下部導電膜は、銅(Cu)膜で形成しうる。銅(Cu)膜で前記下部導電膜を形成する場合、銅膜を形成する前に通常銅拡散防止膜及びシード膜(seed layer)を形成する。
前記下部導電膜を形成した後、前記下部導電膜を前記下部絶縁膜13の上部面が露出されるまで平坦化させて前記配線トレンチを充填する下部配線15a及び前記下部プレートトレンチ15bを充填する下部プレート15bを形成する。
前記下部配線15a及び前記下部プレート15bが形成された半導体基板上にキャッピング層17及びプレート導電膜を順に形成する。前記下部導電膜を銅膜で形成した場合、前記キャッピング層17は銅拡散を防ぐことのできる誘電膜で形成する。
前記プレート導電膜を写真及びエッチング工程でパターニングして前記下部プレート15bの上部に上部プレート19を形成する。
前記上部プレート19が形成された半導体基板の全面上に上部絶縁膜21を形成する。前記上部絶縁膜21及び前記キャッピング層17を写真及びエッチング工程でパターニングして前記下部配線15a及び前記上部プレート19を露出させるビアホールを形成する。
前記ビアホールが形成された半導体基板の全面上に上部導電膜を形成し、前記上部導電膜を写真及びエッチング工程でパターニングする。その結果、前記下部配線15aと電気的に接続される上部配線23aが形成され、前記上部プレート19と電気的に接続する他の上部配線23bが形成される。
前記上部配線23a及び23bは、ダマシーン工程、またはデュアルダマシーン工程を用いて形成されうる。
前記従来のMIMキャパシタは、前記下部配線15aと前記下部プレート15bを単一のパターニング工程を用いて形成することができ、前記上部配線23aと前記他の上部配線23b、または単一のパターニング工程を用いて形成しうるメリットがある。
しかし、前記従来のMIMキャパシタは、前記上部プレート19を形成するために追加的な写真及びエッチング工程を必要とする。また、前記下部配線15a及び前記下部プレート15bを銅(Cu)ダマシーン工程を用いて形成する場合、前記上部プレート19を前記下部プレート15bの上部に整列させるためにアラインキー(align key)が必要である。従って、アラインキー形成のための写真及びエッチング工程がさらに必要である。
結局、前記従来のMIMキャパシタを形成するためには、アラインキーを形成するための写真及びエッチング工程と上部プレートを形成するための写真及びエッチング工程が追加的に要求される。
前記追加的な写真及びエッチング工程を除去する方法が特許文献1に「キャパシタとヒューズを同時に形成するための方法(method for simultaneous formation of intergrated capacitor and fuse)」と題する発明でチェン(Cheng)などによって開示されている。
特許文献1に開示された方法は、ヒューズと上部プレートを単一の写真及びエッチング工程を用いて形成する。従って、前記追加的な写真及びエッチング工程を除去できる。
しかし、前記特許文献1に開示された方法は、配線形成工程とは別の工程を用いてヒューズを形成する。従って、下部プレートと前記下部プレートとの間に介在されるキャッピング層を写真及びエッチング工程を用いてパターニングしなければならないうえ、前記ヒューズ及び前記上部プレート形成のための写真及びエッチング工程を必要とする。
結果的に、写真及びエッチング工程を最小化しながらヒューズ及びキャパシタを形成することができる半導体素子及びその製造方法が要求される。
米国特許第6,495,426号明細書
本発明は、ヒューズとMIMキャパシタを備えると共に、写真及びエッチング工程を最小化できる半導体素子を提供する。
また、本発明は、写真及びエッチング工程を最小化しながらヒューズとキャパシタを備える半導体素子を製造する方法を提供する。
本発明は、同一レベルに位置するヒューズとキャパシタを有する半導体素子を提供する。前記半導体素子はヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板を含む。前記ヒューズ領域上にはヒューズが配置され、前記キャパシタ領域上には前記ヒューズと同一の平面上に位置する下部プレートが配置される。また、前記下部プレートの上部に上部プレートが位置し、前記下部プレートと前記上部プレートとの間にキャッピング層が介在される。従って、前記ヒューズと前記下部プレートを同一なパターニング工程を用いて形成するいことができる。
好ましくは、前記ヒューズと前記下部プレートはCu膜でもある。また、前記上部プレートはタンタル(Ta)、タンタルナイトライド(TaN)、チタニウム(Ti)、チタニウムナイトライド(TiN)及びアルミニウム(Al)膜からなっている一群から選択された少なくとも一つの導電膜であることでもあり、Ta/TaN、Ti/TiN、TaN/Al、Ta/Al、Ta/TaN/Al、TaN/Al/TiN、TiN/Al及びTi/TiN/Al膜からなっている一群から選択された一つの多層膜でもある。
前記ヒューズと前記下部プレートがCu膜である場合、前記キャッピン層はCu拡散を防ぐことのできる誘電膜であることが好ましい。前記Cu拡散を防ぐことのできる誘電膜は、前記下部プレートから前記上部プレートへにCu原子が拡散することを防ぎ、Cu原子に因る前記キャッピング層の誘電特性劣化を防ぐことができる。好ましくは、前記キャッピング層はシリコン窒化膜SiN及びシリコン炭化膜SiCからなっている一群から選択された少なくとも一つの膜でもあり、更に好ましくはSiN膜でもある。
好ましくは、前記キャッピン層は延長されて前記ヒューズの上部面を覆うことができる。前記ヒューズの上部面を覆うキャッピン層は前記ヒューズの汚染を防ぐ役割をする。
好ましくは、前記半導体素子は前記キャッピン層上に前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域を覆う保護膜をさらに備える。前記保護膜は前記ヒューズを横切るヒューズ窓及び前記上部プレートと前記下部プレートとの間に介在されたキャッピング層を露出させるキャパシタホールを有する。従って、前記保護膜を単一の写真及びエッチング工程を使用してパターニングしてヒューズ窓及びキャパシタホールを形成することができる。
好ましくは、前記半導体基板は、パッド領域をさらに有することができる。この時、前記ヒューズと同一の平面上に位置する金属パッドが前記パッド領域上に配置されうる。前記金属パッド上には、前記金属パッドと電気的に接続するボンディングパッドが配置される。前記金属パッドは、前記ヒューズと同一な物質膜であり前記ボンディングパッドは前記上部プレートと同一な物質膜でもある。従って、前記ヒューズ、前記下部プレート及び前記金属パッドを、同一の工程を使用して形成することができ、前記ボンディングパッドと前記上部プレートを同一の写真及びエッチング工程を用いて形成することができる。
一方、前記保護膜は、前記パッド領域をさらに覆うことができる。但し、前記保護膜は前記金属パッドを露出させるパッドホールをさらに備える。
本発明の一形態は同一レベルに位置するヒューズとキャパシタを有する半導体素子の製造方法を提供する。この方法はヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板を備えることを含む。前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれ層間絶縁膜によって離隔されたヒューズ及び下部プレートを形成する。前記ヒューズ及び前記下部プレートが形成された半導体基板の全面上にキャッピング層及び保護膜を順に形成する。前記保護膜をパターニングして前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれ前記キャッピング層を露出させるヒューズ窓及び前記キャッピング層を露出させるキャパシタホールを形成する。この時、前記ヒューズ窓は、前記ヒューズ上部を横切り前記キャパシタホールは前記下部プレート上部に位置するように形成される。前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールが形成された半導体基板の全面上に上部導電膜を形成する。前記上部導電膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記下部プレート上部に位置する上部プレートを形成すると共に前記ヒューズ窓内に形成された前記上部導電膜を除去する。この方法は、前記ヒューズと前記下部プレートを同一の工程を用いて形成することができ、前記ヒューズ窓と前記キャパシタホールを同一の写真及びエッチング工程を用いて形成することができる。
好ましくは、前記層間絶縁膜によって離隔されたヒューズ及び下部プレートを形成することは、前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成することを含む。前記層間絶縁膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれヒューズトレンチ及び下部プレートトレンチを形成する。この時、前記ヒューズトレンチ及び前記下部プレートトレンチは相互離隔される。前記ヒューズトレンチ及び前記下部プレートトレンチが形成された半導体基板の全面上に下部導電膜を形成する。前記下部導電膜を前記層間絶縁膜が露出されるまで平坦化させる。その結果、前記層間絶縁膜によって離隔されたヒューズ及び下部プレートが形成される。
好ましくは、前記下部導電膜はCu膜でもある。Cu膜は化学気相蒸着法、または鍍金法のような通常的な方法を用いて形成することができ、金属拡散防止膜及びシード膜を含むことができる。前記下部導電膜がCu膜である場合、前記キャッピン層はCu拡散を防ぐことのできる誘電膜として形成することが好ましい。
前記キャッピン層は、SiN及びSiC膜からなっている一群から選択された少なくとも一つの膜で形成することが好ましく、さらに好ましくはSiN膜で形成することができる。また、前記キャッピング層は200Åないし1000Åの厚みで形成されることが好ましい。
前記保護膜は、酸化膜及び窒化膜からなっている一群から選択された少なくとも一つの絶縁膜で形成することが好ましく、2000Åないし20000Åの厚みで形成されることができる。
好ましくは、前記上部導電膜はTa、TaN、Ti、TiN及びAl膜からなっている一群から選択された少なくとも一つの導電膜でもあり、より好ましくは、Ta/TaN、Ti/TiN、TaN/Al、Ta/Al、Ta/TaN/Al、TaN/Al/TiN、TiN/Al及びTi/TiN/Al膜からなっている一群から選択された一つの多層膜でもある。前記上部導電膜は、500Åないし10000Åの厚みで形成されることが好ましい。
本発明の他の形態は、同一レベルに位置するヒューズとキャパシタを有する半導体素子の製造方法を提供する。この方法はパッド領域、ヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板を備えることを含む。前記パッド領域、前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれ層間絶縁膜によって離隔された金属パッド、ヒューズ及び下部プレートを形成する。前記金属パッド、前記ヒューズ及び前記下部プレートが形成された半導体基板の全面上にキャッピン層及び保護膜を順に形成する。前記保護膜及び前記キャッピング層をパターニングして前記金属パッドを露出させるパッドホールと共に前記ヒューズ上の前記キャッピング層及び前記下部プレート上の前記キャッピング層をそれぞれ露出させるヒューズ窓とキャパシタホールを形成する。この時、前記ヒューズ窓は、前記ヒューズ上部を横切るように形成される。前記パッドホール、前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールが形成された半導体基板の全面上に上部導電膜を形成する。前記上部導電膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記パッドホールを通して前記金属パッドと電気的に接続するボンディングパッド及び前記下部プレートの上部に位置する上部プレートを形成すると共に前記ヒューズ窓に形成された前記上部導電膜を除去する。この方法は、前記金属パッド、前記ヒューズ及び前記下部プレートを同一の工程を用いて形成することができ、前記ヒューズ窓と前記キャパシタホールを同一な写真及びエッチング工程を用いて形成することができる。また、前記ボンディングパッドと前記上部プレートを同一な写真及びエッチング工程を用いて形成することができる。従って、ヒューズ及びボンディングパッドを形成するためのパターニング工程を用いて、追加の写真及びエッチング工程なしでキャパシタを形成することができる。
好ましくは、前記層間絶縁膜によって離隔された金属パッド、ヒューズ及び下部プレートを形成することは前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成することを含む。前記層間絶縁膜をパターニングして前記パッド領域、前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれパッドトレンチ、ヒューズトレンチ及び下部プレートトレンチを形成する。この時、前記パッドトレンチ、前記ヒューズトレンチ及び前記下部プレートトレンチは相互離隔される。前記パッドトレンチ、前記ヒューズトレンチ及び前記下部プレートトレンチが形成された半導体基板の全面上に下部導電膜を形成する。前記下部導電膜を前記層間絶縁膜が露出されるまで平坦化させる。その結果、前記層間絶縁膜によって離隔された金属パッド、ヒューズ及び下部プレートが形成される。
好ましくは、前記パッドホール、前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールを形成することは前記保護膜を写真及び部分エッチング工程を用いてパターニングして予備ヒューズ窓及び予備キャパシタホールを形成することを含む。この時、前記予備ヒューズ窓は、前記ヒューズ上部を横切り、前記予備キャパシタホールは前記下部プレートの上部に位置し、前記予備ヒューズ窓の下部及び前記予備キャパシタホールの下部には前記保護膜が残存する。前記保護膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記金属パッド上部のキャッピング層を露出させる予備パッドホールを形成する。前記予備パッドホール、前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールが形成された半導体基板を全面エッチングして前記金属パッド上部の露出されたキャッピング層を除去すると共に前記予備ヒューズ窓の下部及び前記予備キャパシタホールの下部に残存する保護膜を除去する。
前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールは、前記予備パッドホールが形成された後に形成されうる。
本発明によると、ヒューズとMIMキャパシタを備えながら、写真及びエッチング工程を最小化することができる半導体素子を提供できる。前記半導体素子は、ヒューズと下部プレート及び金属パッドを同一のパターニング工程を用いて形成することができ、ヒューズ窓とキャパシタホールを同一の写真及びエッチング工程を用いて形成することができる。また、上部導電膜を同一の写真及びエッチング工程を用いてパターニングしてボンディングパッドと上部プレートとを同時に形成することができる。従って、ヒューズを形成する工程及びボンディングパッドを形成する工程を用いて追加の写真及びエッチング工程なしでMIMキャパシタを製造することができる。一方、前記ヒューズは上部配線を形成する工程を用いて形成することができる。結果的に、写真及びエッチング工程を最小化してヒューズとMIMキャパシタを備える半導体素子を製造することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。
図2は、本発明の好ましい実施形態による半導体素子の平面図であり、図8は図2の切断線I−Iに沿って示された断面図である。
まず、図2及び図8を参照して本発明の好ましい実施形態による半導体素子を説明する。
図2及び図8に示されるとおり、半導体基板51はヒューズ領域B及びキャパシタ領域Cを有する。前記半導体基板51はメモリセル及び配線を有する。前記ヒューズ領域B及び前記キャパシタ領域Cは層間絶縁膜53で被覆されることができる。
前記ヒューズ領域B上に、図2に示されるように、ヒューズ55bが配置された。前記ヒューズ55bの両端は、ビアプラグ53aを通して下部配線51aに電気的に接続されることができる。
前記キャパシタ領域C上に下部プレート55cが配置される。前記下部プレート55cは、前記ヒューズ55bと同一の平面上に位置するように配置される。前記下部プレート55cは、前記ヒューズ55bと同一の平面上に位置する上部配線55eに電気的に接続されることができ、ビアプラグを通して下部配線に電気的に接続されることができる。
上部プレート65bが前記下部プレート55c上部に位置するように配置され、前記下部プレート55cと前記上部プレート65bとの間にキャッピング層57が介在される。前記上部プレート65bは、ビアプラグを通して、また他の下部配線(図示せず)に電気的に接続されることができる。結局、前記下部プレート55c、前記上部プレート65b及び前記キャッピング層57からなるキャパシタが前記ヒューズ55bと同一の平面上に位置する。
前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cが前記半導体基板上の同一の平面上に位置するので、同一のパターニング工程を用いてこれらを形成することができ、上部配線と共に形成することができる。
好ましくは、前記ヒューズ55bと前記下部プレート55cはCu膜でもあり、Cu膜下部に順に積層された拡散防止膜及びシード膜をさらに含むことができる。また、前記上部プレートはTa、TaN、Ti、TiN及びAl膜からなる一群から選択された少なくとも一つの導電膜であり、Ta/TaN、Ti/TiN、TaN/Al、Ta/Al、Ta/TaN/Al、TaN/Al/TiN、TiN/Al及びTi/TiN/Al膜からなる一群から選択された一つの多層膜でもある。
前記ヒューズ55bと前記下部プレート55cがCu膜である場合、前記キャッピング層57は、Cu拡散を防ぐことのできる誘電膜であることが好ましい。前記Cu拡散を防ぐことができる誘電膜は、前記下部プレート55cから前記上部プレート65bにCu原子が拡散することを防ぎ、Cu原子に因る前記キャッピング層57の誘電特性劣化を防ぐことができる。好ましくは、前記キャッピング層57は、SiN及びSiC膜からなる一群から選択された少なくとも一つの膜でもあり、より好ましくはSiN膜でもある。
好ましくは、前記キャッピン層57は延長されて前記ヒューズ55bの上部面を覆うことができる。前記ヒューズ55bの上部面を覆うキャッピング層57は前記ヒューズ55bの汚染を防ぐ役割をする。
好ましくは、前記半導体素子は、前記キャッピン層57上に前記ヒューズ領域B及び前記キャパシタ領域Cを覆う保護膜59をさらに備える。前記保護膜59は、単一膜または多層膜でもある。前記保護膜59は、前記ヒューズ55bを横切るヒューズ窓63a及び前記上部プレート65bと前記下部プレート55cとの間に介在された前記キャッピング層57を露出させるキャパシタホール63bを有する。従って、前記保護膜59を単一の写真及びエッチング工程を用いてパターニングしてヒューズ窓63a及びキャパシタホールを形成することができる。
好ましくは、前記半導体基板51は、図2及び図8に示されるように、パッド領域Aをさらに有することができる。前記パッド領域Aも前記層間絶縁膜53で覆われる。前記パッド領域A上には、金属パッド55aが配置される。前記金属パッド55aは、前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cと同一の平面上に位置するように配置される。前記金属パッド55aは、他の上部配線55dに電気的に接続される。
前記金属パッド55a上には前記金属パッド55aと電気的に接続されるボンディングパッド65aが配置される。前記金属パッド55aは、前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cと同一の物質膜であり、前記ボンディングパッド65aは前記上部プレート65bと同一の物質膜でもある。従って、前記金属パッド55a、前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cを同一の工程を用いて形成することができ、前記ボンディングパッド65aと前記上部プレート65bを同一な写真及びエッチング工程を用いて形成することができる。
一方、前記保護膜59は、前記パッド領域Aをさらに被覆することができる。この時、前記保護膜59は、前記金属パッド55aを露出させるパッドホール63cをさらに有する。
結果的に、前記金属パッド55a、前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cが同一の平面上に位置し、同一の物質膜でもある。従って、前記金属パッド55a、前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cを同一のパターニング工程を用いて形成することができる。また、前記キャッピング層57は、前記保護膜59が有する前記ヒューズ窓63a及び前記キャパシタホール63bを通して露出される。従って、前記保護膜59を単一の写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記ヒューズ窓63a及び前記キャパシタホール63bを同時に形成することができる。さらに、前記ボンディングパッド65aと前記上部プレート65bは、同一の物質膜で形成することができ、同一の平面上に位置して同一の写真及びエッチング工程を用いて形成することができる。
以下では、前記本発明の好ましい実施形態による半導体素子の製造方法を詳しく説明する。
図3ないし図8は、本発明の好ましい実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図2の切断線I−Iに沿って示された断面図である。
図2及び図3に示されるとおり、ヒューズ領域B及びキャパシタ領域Cを有する半導体基板51を備える。前記半導体基板51はパッド領域Aをさらに有することができる。また、前記半導体基板51上には、下部配線(51aのように)が形成されていることもある。
前記半導体基板51上に層間絶縁膜53を形成する。前記層間絶縁膜53は前記ヒューズ領域B及び前記キャパシタ領域Cを覆い、また前記パッド領域Aを覆う。
前記層間絶縁膜53をパターニングして前記ヒューズ領域B及び前記キャパシタ領域C上にそれぞれヒューズトレンチ及び下部プレートトレンチを形成する。この時、前記パッド領域A上にパッドトレンチが形成されることもある。また、前記半導体基板51上部に上部配線を形成するための配線用トレンチが形成されることもある。
前記トレンチが形成された半導体基板の全面上に前記トレンチを充填するように下部導電膜を形成する。前記下部導電膜はCu膜で形成しうる。Cu膜は化学気相蒸着法、または鍍金法のような通常的な方法を使用して形成することができる。この時、前記Cu膜を形成する前に拡散防止金属膜及びシード膜を形成することができる。
前記下部導電膜を前記層間絶縁膜53の上部面が露出されるまで平坦化させて前記パッドトレンチ、前記ヒューズトレンチ及び前記下部プレートトレンチをそれぞれ充填する金属パッド55a、ヒューズ55b及び下部プレート55cを形成する。この時、配線用トレンチを充填する上部配線(55d及び55eのように)も共に形成される。前記金属パッド55aは、前記上部配線55dに電気的に接続され、前記ヒューズ55bはビアプラグ53aを通して前記下部配線51aに電気的に接続されることが可能である。また、前記下部プレート55cは前記上部配線55eに電気的に接続されることができる。
図2及び図4に示されるとおり、前記金属パッド55a、前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cが形成された半導体基板の全面上にキャッピング層57及び保護膜59を順に形成する。
前記金属パッド55a、前記ヒューズ55b及び前記下部プレート55cがCu膜で形成された場合、前記キャッピング層57はCu原子の拡散を防ぐことのできる誘電膜で形成することが好ましい。好ましくは、前記キャッピング層57は、SiN及びSiC膜からなる一群から選択された少なくとも一つの膜で形成することができ、より好ましくはSiN膜で形成することができる。また、前記キャッピング層57は、200Åないし1000Åの厚みで形成することが好ましい。
前記保護膜59は、酸化膜及び窒化膜からなる一群から選択された少なくとも一つの絶縁膜で形成できる。前記保護膜59は、図4に示されるように、通常的に二層膜59a及び59bで形成できる。前記保護膜59は2000Åないし20000Åの厚みで形成されることが好ましい。
図2及び図5に示されるとおり、前記保護膜59を写真及び部分エッチング工程を用いてパターニングして予備ヒューズ窓61a及び予備キャパシタホール61bを形成する。前記予備ヒューズ窓61aは前記ヒューズ55b上部を横切り、前記予備キャパシタホール61bは前記下部プレート55cの上部に位置するように形成される。前記予備ヒューズ窓61aの下部及び前記予備キャパシタホール61bの下部には前記保護膜59が残存する。この時、前記予備ヒューズ窓61a及び前記予備キャパシタホール61bの下部に残存する保護膜59は前記キャッピング層57をエッチングする間に除去できる厚みを有することが好ましい。
図2及び図6に示されるとおり、前記予備ヒューズ窓61a及び予備キャパシタホール61bが形成された保護膜を再び写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記金属パッド55aの上部の前記キャッピング層57を露出させる予備パッドホール61cを形成する。
前記予備パッドホール61cは、前記予備ヒューズ窓61a及び前記予備キャパシタホール61bを形成する前に形成できる。すなわち、前記予備パッドホール61cをパターニングする工程と前記予備ヒューズ窓61a及び前記予備キャパシタホール61bをパターニングする工程順序を変えることができる。
図2及び図7に示されるとおり、前記予備ヒューズ窓61a、前記予備キャパシタホール61b及び前記予備パッドホール61cが形成された半導体基板を全面エッチングしてヒューズ窓63a、キャパシタホール63b及びパッドホール63cを形成する。前記予備パッドホール61cの底に露出されたキャッピング層が除去される間に前記予備ヒューズ窓61a及び前記予備キャパシタホール61bの下部に残存する保護膜が除去される。その結果、前記ヒューズ窓63a及び前記キャパシタホール63bの底には前記キャッピング層57が露出され、前記パッドホール63cの底には前記金属パッド55aが露出される。
前記ヒューズ窓63aは、図2に示されるように、前記ヒューズ55bの上部を横切り、前記キャパシタホール63bは前記下部プレート55cの上部に位置するように形成される。一方、前記パッドホールは前記金属パッド55a上に位置するように形成される。
図5ないし図7を参照して、部分エッチングおよび前面エッチング工程を用いて前記パッドホール、前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールを形成する方法を説明した。しかしながら、前記パッドホール、前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールは、以外と多様な方法で形成できる。
例えば、図4のように保護膜59を形成した後、前記保護膜59を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記キャッピング層57を露出させるヒューズ窓63a及びキャパシタホール63bを、直接、形成できる。その後、前記ヒューズ窓63a及び前記キャパシタホール63bが形成された保護膜及びキャッピング層57を、再び写真及びエッチング工程を用いて前記金属パッド55aを露出させるパッドホール63cを形成することができる。また、前記パッドホール63cを前記ヒューズ窓63a及び前記キャパシタホール63bを形成する前に形成することもできる。
図2及び図8に示されるとおり、前記ヒューズ窓63a、前記キャパシタホール63b及び前記パッドホール63cが形成された半導体基板上に上部導電膜を形成する。前記上部導電膜は前記ヒューズ窓63a、前記キャパシタホール63b及び前記パッドホール63cを充填し、前記保護膜59を覆う。
前記上部導電膜はTa、TaN、Ti、TiN及びAl膜からなる一群から選択された少なくとも一つの導電膜で形成できる。好ましくは、前記上部導電膜はTa/TaN、Ti/TiN、TaN/Al、Ta/Al、Ta/TaN/Al、TaN/Al/TiN、TiN/Al及びTi/TiN/Al膜からなる一群から選択された一つの多層膜で形成されることができる。また、前記上部導電膜は500Åないし10000Åの厚みで形成されることが好ましい。
前記上部導電膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記パッドホール63cの底を覆うボンディングパッド65a及び前記キャパシタホール63bの底を覆う上部プレート65bを形成する。前記ボンディングパッド65aは前記金属パッド55aに電気的に接続し、前記上部プレート65bは前記下部プレート55c上部の前記キャッピング層57に位置する。一方、前記ヒューズ窓63aを充填する前記上部導電膜はエッチング工程の間に除去され、前記ヒューズ窓63aを通して前記ヒューズ55bの上部の前記キャッピング層57が露出される。
本発明は、前記実施形態に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。むしろ、前記実施形態は開示された内容が徹底で完全になるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達できるようにするために提供されたものである。添付された図面において、層及び領域の厚みは明確性に期するため誇張されたものである。
B…ヒューズ領域
C…キャパシタ領域
51…半導体基板
55a…金属パッド
55b…ヒューズ
55c…下部プレート
57…キャッピング層
59…保護膜
63a…ヒューズ窓
63b…キャパシタホール
63c…パッドホール
C…キャパシタ領域
51…半導体基板
55a…金属パッド
55b…ヒューズ
55c…下部プレート
57…キャッピング層
59…保護膜
63a…ヒューズ窓
63b…キャパシタホール
63c…パッドホール
Claims (37)
- ヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板と、
前記ヒューズ領域上に配置されたヒューズと、
前記キャパシタ領域上に配置され、前記ヒューズと同一の平面上に位置する下部プレートと、
前記下部プレート上部に位置する上部プレートと、
前記下部プレートと前記上部プレートとの間に介在されたキャピング層と、
を含む半導体素子。 - 前記ヒューズ及び前記下部プレートは、Cu膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記上部プレートは、Ta、TaN、Ti、TiN及びAl膜からなる一群から選択された少なくとも一つの導電膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記上部プレートは、Ta/TaN、Ti/TiN、TaN/Al、Ta/Al、Ta/TaN/Al、TaN/Al/TiN、TiN/Al及びTi/TiN/Al膜からなる一群から選択された一つの多層膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記キャピング層は、Cu拡散を防ぐことができる誘電膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記キャピング層は、SiN及びSiC膜からなる一群から選択された少なくともひとつの膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記キャピング層は、延長されて前記ヒューズの上部面を覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記キャピング層上に前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域を覆う保護膜をさらに含み、前記保護膜は前記ヒューズを横切るヒューズ窓及び前記上部プレートと前記下部プレートとの間に介在されたキャピング層を露出させるキャパシタホールを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体素子。
- 前記半導体基板は、パッド領域をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記パッド領域上に配置され、前記ヒューズと同一の平面上に位置する金属パッドと、
前記金属パッド上に前記金属パッドと電気的に接続されるボンディングパッドをさらに含み、前記金属パッドは前記ヒューズと同一の物質膜で形成され、前記ボンディングパッドは前記上部プレートと同一の物質膜で形成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。 - 前記キャピング層は、延長されて前記ヒューズの上部面を覆うことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子。
- 前記キャピング層上に前記パッド領域、前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域を覆う保護膜をさらに含み、前記保護膜は前記金属パッドを露出させるパッドホール、前記ヒューズを横切るヒューズ窓及び前記上部プレートと前記下部プレートとの間に介在されたキャピング層を露出させるキャパシタホールを有することを特徴とする請求項11に記載の半導体素子。
- ヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板を準備し、
前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれ層間絶縁膜により離隔されたヒューズ及び下部プレートを形成し、
前記ヒューズ及び前記下部プレートが形成された半導体基板の全面上にキャピング層及び保護膜を順に形成し、
前記保護膜をパターニングして前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれキャピング層を露出させるヒューズ窓及び前記キャピング層を露出させるキャパシタホールを形成し、前記ヒューズ窓は前記ヒューズ上部を横切り、前記キャパシタホールは前記下部プレート上部に位置し、
前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールに充填する上部導電膜を前記保護膜上に形成し、
前記上部導電膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記下部プレート上部に位置する上部プレートを形成すると共に前記ヒューズ窓内に形成された前記上部導電膜を除去することを含む半導体素子製造方法。 - 前記層間絶縁膜により離隔されたヒューズ及び下部プレートを形成することは、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を写真及びエッチング工程でパターニングして前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれヒューズトレンチ及び下部プレートトレンチを形成すると共に、前記ヒューズトレンチ及び下部プレートトレンチを離隔し、
前記ヒューズトレンチ及び下部プレートトレンチが形成された半導体基板の全面上に下部導電膜を形成し、
前記下部導電膜を前記層間絶縁膜が露出されるように平坦化させることを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。 - 前記下部導電膜は、Cu膜であることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子製造方法。
- 前記キャッピング層は、Cu拡散を防ぐことができる誘電膜であることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子製造方法。
- 前記キャッピング層は、SiN及びSiC膜からなる一群から選択された少なくとも一つの膜であることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。
- 前記キャッピング層は、200Å乃至1000Åの厚みから形成されることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。
- 前記保護膜は、酸化膜及び窒化膜からなる一群から選択された少なくとも一つの絶縁膜であることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。
- 前記保護膜は、2000Å乃至20000Åの厚みから形成されることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。
- 前記上部導電膜は、Ta、TaN、Ti、TiN及びAl膜からなる一群から選択された少なくとも一つの絶縁膜であることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。
- 前記上部導電膜は、Ta/TaN、Ti/TiN、TaN/Al、Ta/Al、Ta/TaN/Al、TaN/Al/TiN、TiN/Al及びTi/TiN/Al膜からなる一群から選択された一つの多層膜であることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。
- 前記上部導電膜は、500Å乃至10000Åの厚みから形成されることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。
- 前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールを形成することは、
前記保護膜を写真及び部分エッチング工程を用いてパターニングして予備ヒューズ窓及び予備キャパシタホールを形成し、前記予備ヒューズ窓は前記ヒューズ上部を横切り、前記予備キャパシタホールは前記下部プレート上部に位置し、前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールの底には前記保護膜が残存し、
前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールが形成された半導体基板を全面エッチングして前記キャッピング層が露出されるように前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールの底に残存する保護膜を除去することを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子製造方法。 - パッド領域、ヒューズ領域及びキャパシタ領域を有する半導体基板を備え、
前記パッド領域、前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれ層間絶縁膜により離隔された金属パッド、ヒューズ及び下部プレートを形成し、
前記金属パッド、前記ヒューズ及び前記下部プレートが形成された半導体基板の全面上にキャッピング層及び保護膜を順に形成し、
前記保護膜及び前記キャッピング層をパターニングして前記金属パッドを露出させるパッドホールとともに前記ヒューズ上の前記キャッピン層及び前記下部プレート上の前記キャッピング層をそれぞれ露出させるヒューズ窓とキャパシタホールを形成し、前記ヒューズ窓は前記ヒューズ上部を横切り、
前記パッドホール、前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールが形成された半導体基板の全面上に上部導電膜を形成し、
前記上部導電膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記パッドホールを通して前記金属パッドと電気的に接続するボンディングパッド及び前記下部プレートの上部に位置する上部プレートを形成すると共に前記ヒューズ窓内に形成された前記上部導電膜を除去することを含む半導体素子製造方法。 - 前記層間絶縁膜により離隔された金属パッド、ヒューズ及び下部プレートを形成することは、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜をパターニングして前記パッド領域、前記ヒューズ領域及び前記キャパシタ領域上にそれぞれパッドトレンチ,ヒューズトレンチ及び下部プレートトレンチを形成し、前記パッドトレンチ、前記ヒューズトレンチ及び前記下部プレートトレンチを相互離隔し、
前記パッドトレンチ,前記ヒューズトレンチ及び前記下部プレートトレンチが形成された半導体基板の全面上に下部導電膜を形成し、
前記下部導電膜を前記層間絶縁膜が露出されるまで平坦化させることを含むことを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。 - 前記下部導電膜は、Cu膜であることを特徴とする請求項26に記載の半導体素子製造方法。
- 前記キャッピング層は、Cu拡散を防ぐことができる誘電膜であることを特徴とする請求項27に記載の半導体素子製造方法。
- 前記キャッピング層は、SiN及びSiC膜からなる一群から選択された少なくとも一つの膜であることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。
- 前記キャッピング層は、200Å乃至1000Åの厚みで形成されることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。
- 前記保護膜は、酸化膜及び窒化膜からなる一群から選択された少なくとも一つの絶縁膜であることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。
- 前記保護膜は、2000Å乃至20000Åの厚みで形成されることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。
- 前記上部導電膜は、Ta、TaN、Ti、TiN及びAl膜からなる一群から選択された少なくとも一つの絶縁膜であることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。
- 前記上部導電膜は、Ta/TaN、Ti/TiN、TaN/Al、Ta/Al、Ta/TaN/Al、TaN/Al/TiN、TiN/Al及びTi/TiN/Al膜からなる一群から選択された一つの多層膜であることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。
- 前記上部導電膜は、500Å乃至10000Åの厚みで形成されることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。
- 前記パッドホール、前記ヒューズ窓及び前記キャパシタホールを形成することは、
前記保護膜を写真及び部分エッチング工程を用いてパターニングして予備ヒューズ窓及び予備キャパシタホールを形成し、前記予備ヒューズ窓は前記ヒューズ上部を横切り、前記予備キャパシタホールは前記下部プレート上部に位置し、前記予備ヒューズ窓の下部及び前記予備キャパシタホールの下部には前記保護膜が残存し、
前記保護膜を写真及びエッチング工程を用いてパターニングして前記金属パッド上部のキャッピング層を露出させる予備パッドホールを形成し、
前記予備パッドホール、前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールが形成された半導体基板を全面エッチングして前記金属パッド上部の露出されたキャッピング層を除去すると共に前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールの底に残存する保護膜を除去することを含むことを特徴とする請求項25に記載の半導体素子製造方法。 - 前記予備ヒューズ窓及び前記予備キャパシタホールは、前記予備パッドホールが形成された後に形成されることを特徴とする請求項36に記載の半導体素子製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030066650A KR100548998B1 (ko) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 동일레벨에 퓨즈와 커패시터를 갖는 반도체소자 및 그것을제조하는 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005101618A true JP2005101618A (ja) | 2005-04-14 |
Family
ID=34374179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004278476A Pending JP2005101618A (ja) | 2003-09-25 | 2004-09-24 | 同一レベルに位置するヒューズとキャパシタを有する半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7239004B2 (ja) |
JP (1) | JP2005101618A (ja) |
KR (1) | KR100548998B1 (ja) |
CN (1) | CN1323437C (ja) |
TW (1) | TWI276214B (ja) |
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2003
- 2003-09-25 KR KR1020030066650A patent/KR100548998B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-09-17 TW TW093128165A patent/TWI276214B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-22 US US10/946,343 patent/US7239004B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-24 JP JP2004278476A patent/JP2005101618A/ja active Pending
- 2004-09-27 CN CNB200410095154XA patent/CN1323437C/zh not_active Expired - Fee Related
-
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Also Published As
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---|---|
CN1617341A (zh) | 2005-05-18 |
US7239004B2 (en) | 2007-07-03 |
US20070224771A1 (en) | 2007-09-27 |
US7517763B2 (en) | 2009-04-14 |
CN1323437C (zh) | 2007-06-27 |
KR20050030705A (ko) | 2005-03-31 |
TW200512925A (en) | 2005-04-01 |
KR100548998B1 (ko) | 2006-02-02 |
US20050067671A1 (en) | 2005-03-31 |
TWI276214B (en) | 2007-03-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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