JP2005085840A - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 素子101〜104のエミッタ電極E及びコレクタ電極Cは、バスバー351のバス電極361〜364にそれぞれ接続される。ここで、バスバー351は、4層の絶縁層(図示しない)と、それらの間に介在する3層の導電層(図示している)とからなる7層構成をとるものとする。即ち、バス電極361〜364は、正電極P、負電極N、及び中間電極Lのいずれかに対応する導電層に接続される。バス電極361には、素子103,104のコレクタ電極Cが重ねて接続される。バス電極362には、素子103,104のエミッタ電極Eが重ねて接続される。バス電極363には、素子101,102のコレクタ電極Cが重ねて接続される。バス電極364には、素子101,102のエミッタ電極Eが重ねて接続される。
【選択図】図4
Description
実施の形態1に係る電力用半導体装置(電力変換装置)は、バスバーの片側に4つのパワーモジュール素子を並べるのではなく、バスバーの両側にパワーモジュール素子を2つずつ並べることにより、バスバーの長さおよび実装面積を小さくすることを特徴とする。即ち、2つずつ並べられた素子は、バスバーを挟んで対向する。
実施の形態1に係る電力変換装置1は、図2に示すような同一の構造を有する素子101〜104から構成されているので、2つの冷却フィン601,602を用いる必要がある。しかし、素子102,104に代えて、図6に示すような構造を有する素子を用いることにより、冷却フィンの数を1つにすることができる。図6は、図2の構造において、制御ピン群PGを逆方向(−z方向)に延在させたものであり、図2と同一の電気的特性を有するものとする。
実施の形態1,2においては、図2,6に示すように、素子本体からx方向にコレクタ電極C及びエミッタ電極Eが延在する構造の素子を用いているが、図8に示すような構造の素子101a,103a及び図9に示すような構造の素子202a,204aを用いてもよい。図8は、図2の構造において、コレクタ電極C及びエミッタ電極Eを素子本体からz方向に延在させたものであり、図2と同一の電気的特性を有するものとする。また、図9は、図6の構造において、コレクタ電極C及びエミッタ電極Eを素子本体から−z方向に延在させたものであり、図6と同一の電気的特性を有するものとする。
Claims (5)
- 第1ゲート電極、第1エミッタ電極および第1コレクタ電極を有する第1の樹脂封止型スイッチング素子と、
第2ゲート電極、第2エミッタ電極および第2コレクタ電極を有する第2の樹脂封止型スイッチング素子と、
第3ゲート電極、第3エミッタ電極および第3コレクタ電極を有する第3の樹脂封止型スイッチング素子と、
第4ゲート電極、第4エミッタ電極および第4コレクタ電極を有する第4の樹脂封止型スイッチング素子と、
第1乃至第4バス電極をこの順に設けられたバスバーと
を備え、
前記バスバーを間に置いて前記第1及び第2の樹脂封止型スイッチング素子と前記第3及び第4の樹脂封止型スイッチング素子とは対向して配置されており、
前記第1コレクタ電極と前記第2コレクタ電極とは重ねて前記第1バス電極に接続され、
前記第1エミッタ電極と前記第2エミッタ電極とは重ねて前記第2バス電極に接続され、
前記第3コレクタ電極と前記第4コレクタ電極とは重ねて前記第3バス電極に接続され、
前記第3エミッタ電極と前記第4エミッタ電極とは重ねて前記第4バス電極に接続される
電力用半導体装置。 - 請求項1に記載の電力用半導体装置であって、
前記第1乃至第4の樹脂封止型スイッチング素子は単一の冷却フィン表面上に配置され、
前記第1乃至第4ゲート電極は前記冷却フィン表面に対し垂直に起立している
電力用半導体装置。 - 請求項2に記載の電力用半導体装置であって、
前記第1乃至第4エミッタ電極および前記第1乃至第4コレクタ電極は前記冷却フィン表面に垂直な方向に前記冷却フィン表面に対し垂直に起立している
電力用半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電力用半導体装置であって、
前記第2バス電極は負電極に接続され、
前記第3バス電極は正電極に接続され、
前記第1バス電極及び前記第4バス電極は前記負電極の電位と前記正電極の電位との中間の電位を入出力するための中間電極に接続される
電力用半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電力用半導体装置をまとめて樹脂封止した
電力用半導体装置。
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