JP5464159B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールの平面図である。パワーモジュール10は75A以上の大電流をスイッチングするものである。パワーモジュール10は、第1半導体装置12、及びそれと同一構成の第2半導体装置14を備えている。また、第1半導体装置12及び第2半導体装置14の他にも、これらと同一構成の半導体装置を4つ備えている。パワーモジュール10は第3半導体装置16、及びそれと同一構成の第4半導体装置18を備えている。また、第3半導体装置16及び第4半導体装置18の他にも、これらと同一構成の半導体装置を4つ備えている。さらにこれらの半導体装置よりも大きい半導体装置20、及び半導体装置22を備えている。上述の全ての半導体装置はケース24に搭載されている。ケース24には固定部分26が形成されており、パワーモジュール10を外部機器等に固定できるようになっている。
図9は本発明の実施の形態2に係るパワーモジュールの平面図である。パワーモジュール200は第1半導体装置202、第2半導体装置204、及び第3半導体装置206を備えている。上述の全ての半導体装置はケース208に搭載されている。ケース208には固定部分26が形成されておりパワーモジュール200を外部機器等に固定できるようになっている。
図13は本発明の実施の形態3に係る半導体装置の平面図である。本発明の実施の形態3に係る半導体装置300は3相インバータ回路を構成するものである。そして、各相(各アーム)の中点端子300a、300b、及び300cは、モールド樹脂202a内の各相(各アーム)の中点の直上からモールド樹脂202aの最も大きな面の外部に伸びている。図14は半導体装置300の斜視図である。中点端子300a、300b、及び300cはモールド樹脂202aの中央、かつ両側延在端子が伸びる面とは別の面に対して垂直に外部に伸びている。なお、半導体装置300は中点端子300a、300b、及び300c以外は実施の形態2で図10を参照して説明した半導体装置202と同様である。よって、半導体装置202と同様の部分はこれと同様の符号を付して説明を省略する。
図15は本発明の実施の形態4に係る半導体装置の平面図である。本発明の実施の形態4に係る半導体装置400は1つの相(アーム)を有するインバータ回路を構成するものである。そして、コレクタ端子400bと400c、エミッタ端子400dと400e、中点端子400fと400g、及びゲートエミッタ中継端子400hはモールド樹脂400aから外部に伸びている。この半導体装置400は、コレクタ端子400bと400c、及びエミッタ端子400dと400eに加えて、中点端子400fと400gも両側延在端子になっていることが特徴である。
Claims (1)
- モールド樹脂から外部に伸びるコレクタ端子と、前記モールド樹脂から外部に伸びるエミッタ端子とを有し、前記コレクタ端子と前記エミッタ端子のうち少なくとも一方が前記モールド樹脂の相対する2つの面から外部に伸びる両側延在端子である第1半導体装置と、
前記第1半導体装置と同様の構成である第2半導体装置と、を備え、
前記第1半導体装置の前記両側延在端子と前記第2半導体装置の両側延在端子とが接続され、
前記第1半導体装置は、2つのパワー半導体素子が直列接続されたアームを備え、
前記アームの中点端子は、前記モールド樹脂内の前記アームの中点の直上から外部に伸びることを特徴とするパワーモジュール。
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