JP2000308364A - 半導体電力変換回路 - Google Patents
半導体電力変換回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体電力変換回路としてのブリッジ結線回路
を一体化したモジュールの端子配置を統一して、この半
導体電力変換回路の組み立て作業の標準化し、製作変更
を容易にする。 【解決手段】例えば、インバータ装置を構成する三相ブ
リッジ結線のコンバータ１０と三相ブリッジ結線のイン
バータ２０とにおいて、コンバータ１０の上面の下辺部
に交流側端子（Ｒ，Ｓ，Ｔ）を配置し、コンバータ１０
の上面の左辺部および右辺部の双方に直流側端子（Ｐ，
Ｎ）を配置し、インバータ２０の上面の下辺部に交流側
端子（Ｕ，Ｖ，Ｗ）を配置し、インバータ２０の上面の
左辺部および右辺部の双方に直流側端子（Ｐ，Ｎ）を配
置し、コンバータ１０の一方のＰ，Ｎ端子それぞれと、
インバータ２０の一方のＰ，Ｎ端子それぞれとの間の接
続を接続導体５４で行うようにする。
を一体化したモジュールの端子配置を統一して、この半
導体電力変換回路の組み立て作業の標準化し、製作変更
を容易にする。 【解決手段】例えば、インバータ装置を構成する三相ブ
リッジ結線のコンバータ１０と三相ブリッジ結線のイン
バータ２０とにおいて、コンバータ１０の上面の下辺部
に交流側端子（Ｒ，Ｓ，Ｔ）を配置し、コンバータ１０
の上面の左辺部および右辺部の双方に直流側端子（Ｐ，
Ｎ）を配置し、インバータ２０の上面の下辺部に交流側
端子（Ｕ，Ｖ，Ｗ）を配置し、インバータ２０の上面の
左辺部および右辺部の双方に直流側端子（Ｐ，Ｎ）を配
置し、コンバータ１０の一方のＰ，Ｎ端子それぞれと、
インバータ２０の一方のＰ，Ｎ端子それぞれとの間の接
続を接続導体５４で行うようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はインバータ装置，
直流電源装置，ＡＣ−ＡＣ変換装置などに使用される半
導体電力変換回路に関する。
直流電源装置，ＡＣ−ＡＣ変換装置などに使用される半
導体電力変換回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、この種の半導体電力変換回路を
使用したインバータ装置の主回路構成図であり、図９は
図８とは半導体電力変換回路の構成が異なったインバー
タ装置の主回路構成図である。
使用したインバータ装置の主回路構成図であり、図９は
図８とは半導体電力変換回路の構成が異なったインバー
タ装置の主回路構成図である。
【０００３】すなわち図８，９において、１０は半導体
スイッチ素子としてのダイオード１１〜１６の６個を三
相ブリッジ結線した半導体電力変換回路としてのコンバ
ータ、２０は自己消弧形素子としてのトランジスタとダ
イオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路２
１〜２６の６個（前記ｋ＝３）を三相ブリッジ結線した
半導体電力変換回路としてのインバータ、３０は自己消
弧形素子としてのトランジスタとダイオードとを逆並列
接続してなる半導体スイッチ回路３１〜３６の６個を三
相ブリッジ結線した半導体電力変換回路としての回生機
能を有するコンバータ、４０はコンバータ１０またはコ
ンバータ３０の整流電圧を平滑するコンデンサ、図示の
交流側端子Ｒ，Ｓ，Ｔそれぞれは商用電源などの交流電
源に接続され、図示の交流側端子Ｕ，Ｖ，Ｗそれぞれは
このインバータ装置の出力として負荷に接続される。な
お、図９に示したコンバータ３０とインバータ２０とは
同一回路構成，同一定格のものでよく、実際にはいずれ
か一方の半導体電力変換回路を２組用いることにより、
このインバータ装置は構成できる。
スイッチ素子としてのダイオード１１〜１６の６個を三
相ブリッジ結線した半導体電力変換回路としてのコンバ
ータ、２０は自己消弧形素子としてのトランジスタとダ
イオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路２
１〜２６の６個（前記ｋ＝３）を三相ブリッジ結線した
半導体電力変換回路としてのインバータ、３０は自己消
弧形素子としてのトランジスタとダイオードとを逆並列
接続してなる半導体スイッチ回路３１〜３６の６個を三
相ブリッジ結線した半導体電力変換回路としての回生機
能を有するコンバータ、４０はコンバータ１０またはコ
ンバータ３０の整流電圧を平滑するコンデンサ、図示の
交流側端子Ｒ，Ｓ，Ｔそれぞれは商用電源などの交流電
源に接続され、図示の交流側端子Ｕ，Ｖ，Ｗそれぞれは
このインバータ装置の出力として負荷に接続される。な
お、図９に示したコンバータ３０とインバータ２０とは
同一回路構成，同一定格のものでよく、実際にはいずれ
か一方の半導体電力変換回路を２組用いることにより、
このインバータ装置は構成できる。
【０００４】図８に示したインバータ装置において、コ
ンバータ１０は６個のダイオードを一体化したモジュー
ルを使用し、従来の系列化して市販されている該モジュ
ールは、例えば図１０の模式図に示す如く、モジュール
化したコンバータ１０の上面の左辺部に交流側端子Ｒ，
Ｓ，Ｔが配列され、該コンバータ１０の前記上面の右辺
部に直流側端子Ｐ，Ｎが配列された構造になっており、
また、インバータ２０はトランジスタとダイオードとを
逆並列接続してなる半導体スイッチ回路２個を一体化し
たモジュールを使用し、このモジュールをブリッジ結線
の上，下アームとしたもの３組使用し、従来の系列化し
て市販されている該モジュールは、例えば図１０の模式
図に示す如く、それぞれのモジュールの上面の上辺部に
直流側端子Ｐが配列され、該モジュールの前記上面の下
辺部に直流側端子Ｎが配列され、該モジュールの前記上
面の中央部に交流側端子（Ｕ，Ｖ，Ｗのいずれか）が配
置された構造になっている。このとき、コンバータ１０
およびインバータ２０の下面は放熱のために図示しない
同一冷却体に固着され、コンデンサ４０は前記直流側端
子Ｐ，直流側端子Ｎのいずれか一端側に接続される。
ンバータ１０は６個のダイオードを一体化したモジュー
ルを使用し、従来の系列化して市販されている該モジュ
ールは、例えば図１０の模式図に示す如く、モジュール
化したコンバータ１０の上面の左辺部に交流側端子Ｒ，
Ｓ，Ｔが配列され、該コンバータ１０の前記上面の右辺
部に直流側端子Ｐ，Ｎが配列された構造になっており、
また、インバータ２０はトランジスタとダイオードとを
逆並列接続してなる半導体スイッチ回路２個を一体化し
たモジュールを使用し、このモジュールをブリッジ結線
の上，下アームとしたもの３組使用し、従来の系列化し
て市販されている該モジュールは、例えば図１０の模式
図に示す如く、それぞれのモジュールの上面の上辺部に
直流側端子Ｐが配列され、該モジュールの前記上面の下
辺部に直流側端子Ｎが配列され、該モジュールの前記上
面の中央部に交流側端子（Ｕ，Ｖ，Ｗのいずれか）が配
置された構造になっている。このとき、コンバータ１０
およびインバータ２０の下面は放熱のために図示しない
同一冷却体に固着され、コンデンサ４０は前記直流側端
子Ｐ，直流側端子Ｎのいずれか一端側に接続される。
【０００５】また図９に示したインバータ装置におい
て、コンバータ３０およびインバータ２０はトランジス
タとダイオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ
回路２個を一体化したモジュールをブリッジ結線回路の
上，下アームとしたものを６組使用し、従来の系列化し
て市販されている該モジュールは、例えば図１１の模式
図に示す如く、それぞれのモジュールの上面の上辺部に
直流側端子Ｐが配列され、該モジュールの前記上面の下
辺部に直流側端子Ｎが配列され、該モジュールの前記上
面の中央部に交流側端子（Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗのい
ずれか）が配置された構造になっている。このとき、コ
ンバータ３０およびインバータ２０の下面は放熱のため
に図示しない同一冷却体に固着され、コンデンサ４０は
前記直流側端子Ｐ，直流側端子Ｎのいずれか一端側に接
続される。
て、コンバータ３０およびインバータ２０はトランジス
タとダイオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ
回路２個を一体化したモジュールをブリッジ結線回路の
上，下アームとしたものを６組使用し、従来の系列化し
て市販されている該モジュールは、例えば図１１の模式
図に示す如く、それぞれのモジュールの上面の上辺部に
直流側端子Ｐが配列され、該モジュールの前記上面の下
辺部に直流側端子Ｎが配列され、該モジュールの前記上
面の中央部に交流側端子（Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗのい
ずれか）が配置された構造になっている。このとき、コ
ンバータ３０およびインバータ２０の下面は放熱のため
に図示しない同一冷却体に固着され、コンデンサ４０は
前記直流側端子Ｐ，直流側端子Ｎのいずれか一端側に接
続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１０，１１の模式図
に示した構成の従来のインバータ装置においては、各モ
ジュールのＰ端子およびＮ端子間を接続する接続導体５
１〜５３それぞれは、互いにその形状が異なり、例えば
図８に示した回路構成のインバータ装置から図９に示し
た回路構成のインバータ装置に製作変更する際には、上
述の接続導体や冷却体の形状，冷却体への取り付け位置
を変更する必要があり、その結果、構成部品の種類の増
大を招き、これらのインバータ装置の組み立て作業およ
び形状の標準化，コストダウンを阻害する要因となって
いる。この発明の目的は上記問題点を解決し、構成部品
の標準化が計れる半導体電力変換回路を提供することに
ある。
に示した構成の従来のインバータ装置においては、各モ
ジュールのＰ端子およびＮ端子間を接続する接続導体５
１〜５３それぞれは、互いにその形状が異なり、例えば
図８に示した回路構成のインバータ装置から図９に示し
た回路構成のインバータ装置に製作変更する際には、上
述の接続導体や冷却体の形状，冷却体への取り付け位置
を変更する必要があり、その結果、構成部品の種類の増
大を招き、これらのインバータ装置の組み立て作業およ
び形状の標準化，コストダウンを阻害する要因となって
いる。この発明の目的は上記問題点を解決し、構成部品
の標準化が計れる半導体電力変換回路を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この第１の発明は、半導
体スイッチ素子を２ｍ（ｍ＝１、２、３、・・・）個用
い、これらの半導体スイッチ素子でブリッジ結線回路を
構成し、該ブリッジ結線回路を一体化したモジュールに
形成する際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端子を前
記モジュールの一面の上辺部または下辺部のいずれか一
方に配置し、前記ブリッジ結線回路の直流側端子を前記
モジュールの前記一面の左辺部および右辺部の双方に配
置したことを特徴とした半導体電力変換回路にする。
体スイッチ素子を２ｍ（ｍ＝１、２、３、・・・）個用
い、これらの半導体スイッチ素子でブリッジ結線回路を
構成し、該ブリッジ結線回路を一体化したモジュールに
形成する際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端子を前
記モジュールの一面の上辺部または下辺部のいずれか一
方に配置し、前記ブリッジ結線回路の直流側端子を前記
モジュールの前記一面の左辺部および右辺部の双方に配
置したことを特徴とした半導体電力変換回路にする。
【０００８】第２の発明は、自己消弧形素子とダイオー
ドとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路を２ｋ
（ｋ＝１、２、３、・・・）個用い、これらの半導体ス
イッチ回路でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結
線回路を一体化したモジュールに形成する際に、前記ブ
リッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの一面の
上辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、前記ブリ
ッジ結線回路の直流側端子を前記モジュールの前記一面
の左辺部および右辺部の双方に配置したことを特徴とし
た半導体電力変換回路にする。
ドとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路を２ｋ
（ｋ＝１、２、３、・・・）個用い、これらの半導体ス
イッチ回路でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結
線回路を一体化したモジュールに形成する際に、前記ブ
リッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの一面の
上辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、前記ブリ
ッジ結線回路の直流側端子を前記モジュールの前記一面
の左辺部および右辺部の双方に配置したことを特徴とし
た半導体電力変換回路にする。
【０００９】第３の発明は前記第１又は第２の発明の半
導体電力変換回路において、前記モジュールに形成して
なる同一形状の半導体電力変換回路を複数組備え、該複
数組の前記半導体電力変換回路それぞれの前記直流端子
側を近接するように配置し、隣接する一方の前記半導体
電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子とこの
隣接した他方の前記半導体電力変換回路の右辺部または
左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続することにより、
新たな半導体電力変換回路を形成したことを特徴とす
る。
導体電力変換回路において、前記モジュールに形成して
なる同一形状の半導体電力変換回路を複数組備え、該複
数組の前記半導体電力変換回路それぞれの前記直流端子
側を近接するように配置し、隣接する一方の前記半導体
電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子とこの
隣接した他方の前記半導体電力変換回路の右辺部または
左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続することにより、
新たな半導体電力変換回路を形成したことを特徴とす
る。
【００１０】第４の発明は、半導体スイッチ素子を２ｍ
（ｍ＝１、２、３、・・・）個用い、これらの半導体ス
イッチ素子でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結
線回路を一体化したモジュールに形成する際に、該ブリ
ッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの一面の上
辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ
結線回路の直流側端子を該モジュールの前記一面の左辺
部および右辺部の双方に配置した第１の半導体電力変換
回路と、自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続し
てなる半導体スイッチ回路を２ｋ（ｋ＝１、２、３、・
・・）個用い、これらの半導体スイッチ回路でブリッジ
結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化したモ
ジュールに形成する際に、該ブリッジ結線回路の交流側
端子を前記モジュール構造の一面の上辺部または下辺部
のいずれか一方に配置し、該ブリッジ結線回路の直流側
端子を該モジュール構造の前記一面の左辺部および右辺
部の双方に配置した第２の半導体電力変換回路とを備
え、前記モジュールに形成した第１の半導体電力変換回
路と前記モジュールに形成した第２の半導体電力変換回
路とを同一形状にし、前記第１の半導体電力変換回路の
前記直流側端子と前記第２の半導体電力変換回路の前記
直流端子側とを近接するように配置し、該第１の半導体
電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子と該第
２の半導体電力変換回路の右辺部または左辺部の直流側
端子とをそれぞれ接続したことにより、新たな半導体電
力変換回路を形成したことを特徴とする。
（ｍ＝１、２、３、・・・）個用い、これらの半導体ス
イッチ素子でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結
線回路を一体化したモジュールに形成する際に、該ブリ
ッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの一面の上
辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ
結線回路の直流側端子を該モジュールの前記一面の左辺
部および右辺部の双方に配置した第１の半導体電力変換
回路と、自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続し
てなる半導体スイッチ回路を２ｋ（ｋ＝１、２、３、・
・・）個用い、これらの半導体スイッチ回路でブリッジ
結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化したモ
ジュールに形成する際に、該ブリッジ結線回路の交流側
端子を前記モジュール構造の一面の上辺部または下辺部
のいずれか一方に配置し、該ブリッジ結線回路の直流側
端子を該モジュール構造の前記一面の左辺部および右辺
部の双方に配置した第２の半導体電力変換回路とを備
え、前記モジュールに形成した第１の半導体電力変換回
路と前記モジュールに形成した第２の半導体電力変換回
路とを同一形状にし、前記第１の半導体電力変換回路の
前記直流側端子と前記第２の半導体電力変換回路の前記
直流端子側とを近接するように配置し、該第１の半導体
電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子と該第
２の半導体電力変換回路の右辺部または左辺部の直流側
端子とをそれぞれ接続したことにより、新たな半導体電
力変換回路を形成したことを特徴とする。
【００１１】第５の発明は、半導体スイッチ素子を２ｍ
（ｍ＝１、２、３、・・・）個用い、これらの半導体ス
イッチ素子でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結
線回路を一体化したモジュールに形成する際に、該ブリ
ッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの一面の上
辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ
結線回路の直流側端子を該モジュールの前記一面の左辺
部および右辺部の双方に配置した第１の半導体電力変換
回路を複数組と、自己消弧形素子とダイオードとを逆並
列接続してなる半導体スイッチ回路を２ｋ（ｋ＝１、
２、３、・・・）個用い、これらの半導体スイッチ回路
でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一
体化したモジュールに形成する際に、該ブリッジ結線回
路の交流側端子を前記モジュール構造の一面の上辺部ま
たは下辺部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ結線回
路の直流側端子を該モジュール構造の前記一面の左辺部
および右辺部の双方に配置した第２の半導体電力変換回
路を複数組とを備え、前記モジュールに形成した第１の
半導体電力変換回路それぞれと前記モジュールに形成し
た第２の半導体電力変換回路それぞれとを同一形状に
し、前記第１の半導体電力変換回路それぞれの前記直流
端子側を近接するように配置し、隣接する一方の第１の
半導体電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子
とこの隣接した他方の第１の半導体電力変換回路の右辺
部または左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続し、前記
第２の半導体電力変換回路それぞれの前記直流端子側を
近接するように配置し、隣接する一方の第２の半導体電
力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子とこの隣
接した他方の第２の半導体電力変換回路の右辺部または
左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続し、前記第１の半
導体電力変換回路の前記直流側端子と前記第２の半導体
電力変換回路の前記直流端子側とを近接するように配置
し、該第１の半導体電力変換回路の左辺部または右辺部
の直流側端子と該第２の半導体電力変換回路の右辺部ま
たは左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続したことによ
り、新たな半導体電力変換回路を形成したことを特徴と
する。
（ｍ＝１、２、３、・・・）個用い、これらの半導体ス
イッチ素子でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結
線回路を一体化したモジュールに形成する際に、該ブリ
ッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの一面の上
辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ
結線回路の直流側端子を該モジュールの前記一面の左辺
部および右辺部の双方に配置した第１の半導体電力変換
回路を複数組と、自己消弧形素子とダイオードとを逆並
列接続してなる半導体スイッチ回路を２ｋ（ｋ＝１、
２、３、・・・）個用い、これらの半導体スイッチ回路
でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一
体化したモジュールに形成する際に、該ブリッジ結線回
路の交流側端子を前記モジュール構造の一面の上辺部ま
たは下辺部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ結線回
路の直流側端子を該モジュール構造の前記一面の左辺部
および右辺部の双方に配置した第２の半導体電力変換回
路を複数組とを備え、前記モジュールに形成した第１の
半導体電力変換回路それぞれと前記モジュールに形成し
た第２の半導体電力変換回路それぞれとを同一形状に
し、前記第１の半導体電力変換回路それぞれの前記直流
端子側を近接するように配置し、隣接する一方の第１の
半導体電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子
とこの隣接した他方の第１の半導体電力変換回路の右辺
部または左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続し、前記
第２の半導体電力変換回路それぞれの前記直流端子側を
近接するように配置し、隣接する一方の第２の半導体電
力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子とこの隣
接した他方の第２の半導体電力変換回路の右辺部または
左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続し、前記第１の半
導体電力変換回路の前記直流側端子と前記第２の半導体
電力変換回路の前記直流端子側とを近接するように配置
し、該第１の半導体電力変換回路の左辺部または右辺部
の直流側端子と該第２の半導体電力変換回路の右辺部ま
たは左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続したことによ
り、新たな半導体電力変換回路を形成したことを特徴と
する。
【００１２】この発明によれば、半導体電力変換回路と
してのハーフブリッジ結線回路，フルブリッジ結線回
路，三相ブリッジ結線回路などを一体化したモジュール
に形成する際に、上述の如き端子配列にすることによ
り、これらのブリッジ結線回路間の接続導体を標準化で
き、さらに同一形状で構成部品が異なる半導体電力変換
回路間の接続導体も標準化できる。
してのハーフブリッジ結線回路，フルブリッジ結線回
路，三相ブリッジ結線回路などを一体化したモジュール
に形成する際に、上述の如き端子配列にすることによ
り、これらのブリッジ結線回路間の接続導体を標準化で
き、さらに同一形状で構成部品が異なる半導体電力変換
回路間の接続導体も標準化できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施例
を示す半導体電力変換回路の模式図であり、図８に示し
たインバータ装置の主回路に適用されるものである。す
なわち図１において、半導体スイッチ素子としてのダイ
オードを６（前記ｍ＝３）個用い、これらの半導体スイ
ッチ素子で三相ブリッジ結線回路のコンバータ１０を構
成し、このコンバータ１０を一体化したモジュールに形
成する際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，
Ｓ，Ｔ）を前記モジュールの上面の下辺部に配置し、前
記ブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジ
ュールの前記上面の左辺部および右辺部の双方に配置し
ている。また、自己消弧形素子としてのトランジスタと
ダイオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路
を６（前記ｋ＝３）個用い、これらの半導体スイッチ回
路で三相ブリッジ結線回路のインバータ２０を構成し、
このインバータ２０を一体化したモジュールに形成する
際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端子（Ｕ，Ｖ，
Ｗ）を前記モジュールの上面の下辺部に配置し、前記ブ
リッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジュー
ルの前記上面の左辺部および右辺部の双方に配置してい
る。さらにコンバータ１０の直流側端子（Ｐ，Ｎ）とイ
ンバータ２０の直流側端子（Ｐ，Ｎ）との間の接続は接
続導体５４により行っている。このとき、コンバータ１
０およびインバータ２０の下面は放熱のために図示しな
い同一冷却体に固着され、図８に示したコンデンサ４０
はコンバータ１０の他方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間、ま
たはインバータ２０の他方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間に
接続される。
を示す半導体電力変換回路の模式図であり、図８に示し
たインバータ装置の主回路に適用されるものである。す
なわち図１において、半導体スイッチ素子としてのダイ
オードを６（前記ｍ＝３）個用い、これらの半導体スイ
ッチ素子で三相ブリッジ結線回路のコンバータ１０を構
成し、このコンバータ１０を一体化したモジュールに形
成する際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，
Ｓ，Ｔ）を前記モジュールの上面の下辺部に配置し、前
記ブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジ
ュールの前記上面の左辺部および右辺部の双方に配置し
ている。また、自己消弧形素子としてのトランジスタと
ダイオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路
を６（前記ｋ＝３）個用い、これらの半導体スイッチ回
路で三相ブリッジ結線回路のインバータ２０を構成し、
このインバータ２０を一体化したモジュールに形成する
際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端子（Ｕ，Ｖ，
Ｗ）を前記モジュールの上面の下辺部に配置し、前記ブ
リッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジュー
ルの前記上面の左辺部および右辺部の双方に配置してい
る。さらにコンバータ１０の直流側端子（Ｐ，Ｎ）とイ
ンバータ２０の直流側端子（Ｐ，Ｎ）との間の接続は接
続導体５４により行っている。このとき、コンバータ１
０およびインバータ２０の下面は放熱のために図示しな
い同一冷却体に固着され、図８に示したコンデンサ４０
はコンバータ１０の他方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間、ま
たはインバータ２０の他方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間に
接続される。
【００１４】図２は、この発明の第２の実施例を示す半
導体電力変換回路の模式図であり、図９に示したインバ
ータ装置の主回路に適用されるものである。すなわち図
２において、自己消弧形素子としてのトランジスタとダ
イオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路を
６（前記ｋ＝３）個用い、これらの半導体スイッチ回路
で三相ブリッジ結線回路のインバータ２０および回生機
能付きのコンバータ３０を構成し、このインバータ２０
および前記コンバータ３０それぞれを一体化したモジュ
ールに形成する際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端
子（Ｒ，Ｓ，ＴまたはＵ，Ｖ，Ｗ）を前記モジュールの
上面の下辺部に配置し、前記ブリッジ結線回路の直流側
端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジュールの前記上面の左辺部お
よび右辺部の双方に配置している。さらにコンバータ３
０の直流側端子（Ｐ，Ｎ）とインバータ２０の直流側端
子（Ｐ，Ｎ）との間の接続は接続導体５４により行って
いる。このとき、コンバータ３０およびインバータ２０
の下面は放熱のために図示しない同一冷却体に固着さ
れ、図９に示したコンデンサ４０はコンバータ３０の他
方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間、またはインバータ２０の
他方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間に接続される。
導体電力変換回路の模式図であり、図９に示したインバ
ータ装置の主回路に適用されるものである。すなわち図
２において、自己消弧形素子としてのトランジスタとダ
イオードとを逆並列接続してなる半導体スイッチ回路を
６（前記ｋ＝３）個用い、これらの半導体スイッチ回路
で三相ブリッジ結線回路のインバータ２０および回生機
能付きのコンバータ３０を構成し、このインバータ２０
および前記コンバータ３０それぞれを一体化したモジュ
ールに形成する際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端
子（Ｒ，Ｓ，ＴまたはＵ，Ｖ，Ｗ）を前記モジュールの
上面の下辺部に配置し、前記ブリッジ結線回路の直流側
端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジュールの前記上面の左辺部お
よび右辺部の双方に配置している。さらにコンバータ３
０の直流側端子（Ｐ，Ｎ）とインバータ２０の直流側端
子（Ｐ，Ｎ）との間の接続は接続導体５４により行って
いる。このとき、コンバータ３０およびインバータ２０
の下面は放熱のために図示しない同一冷却体に固着さ
れ、図９に示したコンデンサ４０はコンバータ３０の他
方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間、またはインバータ２０の
他方の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間に接続される。
【００１５】図１，図２に示した模式図から明らかなよ
うに、前記コンバータとインバータとの配置を入れ換え
てもよく、さらに、コンバータ１０とコンバータ３０と
を同一形状に製作できることから、図８に示した回路構
成のインバータ装置から図９に示した回路構成のインバ
ータ装置に製作変更することは容易である。
うに、前記コンバータとインバータとの配置を入れ換え
てもよく、さらに、コンバータ１０とコンバータ３０と
を同一形状に製作できることから、図８に示した回路構
成のインバータ装置から図９に示した回路構成のインバ
ータ装置に製作変更することは容易である。
【００１６】図３は、この発明の第３の実施例を示す半
導体電力変換回路の模式図であり、図８に示したインバ
ータ装置の主回路に適用されるものである。すなわち図
３において、半導体スイッチ素子としてのダイオードを
２（前記ｍ＝１）個用い、これらの半導体スイッチ素子
でハーフブリッジ結線回路を形成し、このハーフブリッ
ジ結線回路を３組でコンバータ１０を構成し、このハー
フブリッジ結線回路を一体化したモジュールに形成する
際に、前記ハーフブリッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，
Ｓ，Ｔのいずれか）を前記モジュールの上面の下辺部に
配置し、前記ハーフブリッジ結線回路の直流側端子
（Ｐ，Ｎ）を前記モジュールの前記上面の左辺部および
右辺部の双方に配置している。また、自己消弧形素子と
してのトランジスタとダイオードとを逆並列接続してな
る半導体スイッチ回路を２（前記ｋ＝１）個用い、これ
らの半導体スイッチ回路でハーフブリッジ結線回路を形
成し、ハーフブリッジ結線回路を３組でインバータ２０
を構成し、このハーフブリッジ結線回路を一体化したモ
ジュールに形成する際に、前記ハーフブリッジ結線回路
の交流側端子（Ｕ，Ｖ，Ｗのいずれか）を前記モジュー
ルの上面の下辺部に配置し、前記ハーフブリッジ結線回
路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジュールの前記上面
の左辺部および右辺部の双方に配置している。さらにコ
ンバータ１０およびインバータ２０を構成するそれぞれ
のハーフブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間の
接続は接続導体５４により行っている。このとき、コン
バータ１０およびインバータ２０の下面は放熱のために
図示しない同一冷却体に固着され、図９に示したコンデ
ンサ４０はコンバータ３０の紙面左端の直流側端子
（Ｐ，Ｎ）間、またはインバータ２０の紙面右端の直流
側端子（Ｐ，Ｎ）間に接続される。
導体電力変換回路の模式図であり、図８に示したインバ
ータ装置の主回路に適用されるものである。すなわち図
３において、半導体スイッチ素子としてのダイオードを
２（前記ｍ＝１）個用い、これらの半導体スイッチ素子
でハーフブリッジ結線回路を形成し、このハーフブリッ
ジ結線回路を３組でコンバータ１０を構成し、このハー
フブリッジ結線回路を一体化したモジュールに形成する
際に、前記ハーフブリッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，
Ｓ，Ｔのいずれか）を前記モジュールの上面の下辺部に
配置し、前記ハーフブリッジ結線回路の直流側端子
（Ｐ，Ｎ）を前記モジュールの前記上面の左辺部および
右辺部の双方に配置している。また、自己消弧形素子と
してのトランジスタとダイオードとを逆並列接続してな
る半導体スイッチ回路を２（前記ｋ＝１）個用い、これ
らの半導体スイッチ回路でハーフブリッジ結線回路を形
成し、ハーフブリッジ結線回路を３組でインバータ２０
を構成し、このハーフブリッジ結線回路を一体化したモ
ジュールに形成する際に、前記ハーフブリッジ結線回路
の交流側端子（Ｕ，Ｖ，Ｗのいずれか）を前記モジュー
ルの上面の下辺部に配置し、前記ハーフブリッジ結線回
路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モジュールの前記上面
の左辺部および右辺部の双方に配置している。さらにコ
ンバータ１０およびインバータ２０を構成するそれぞれ
のハーフブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間の
接続は接続導体５４により行っている。このとき、コン
バータ１０およびインバータ２０の下面は放熱のために
図示しない同一冷却体に固着され、図９に示したコンデ
ンサ４０はコンバータ３０の紙面左端の直流側端子
（Ｐ，Ｎ）間、またはインバータ２０の紙面右端の直流
側端子（Ｐ，Ｎ）間に接続される。
【００１７】図３に示した模式図から明らかなように、
前記コンバータとインバータとの配置を入れ換えてもよ
く、さらに、前記インバータを２組用いることにより、
図８に示した回路構成のインバータ装置から図９に示し
た回路構成のインバータ装置に製作変更することは容易
である。
前記コンバータとインバータとの配置を入れ換えてもよ
く、さらに、前記インバータを２組用いることにより、
図８に示した回路構成のインバータ装置から図９に示し
た回路構成のインバータ装置に製作変更することは容易
である。
【００１８】図４は、この発明の第４の実施例を示す半
導体電力変換回路の模式図であり、図５に示した整流装
置の主回路に適用されるものである。すなわち図４にお
いて、半導体スイッチ素子としてのダイオードを２（前
記ｍ＝１）個用い、これらの半導体スイッチ素子でハー
フブリッジ結線回路を形成し、このハーフブリッジ結線
回路を３組でコンバータ６０を構成し、このハーフブリ
ッジ結線回路を一体化したモジュールに形成する際に、
前記ハーフブリッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，Ｓ，Ｔ
のいずれか）を前記モジュールの上面の下辺部に配置
し、前記ハーフブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，
Ｎ）を前記モジュールの前記上面の左辺部および右辺部
の双方に配置している。さらにコンバータ６０を構成す
るそれぞれのハーフブリッジ結線回路の直流側端子
（Ｐ，Ｎ）間の接続は接続導体５４により行っている。
このとき、コンバータ６０の下面は放熱のために図示し
ない同一冷却体に固着される。
導体電力変換回路の模式図であり、図５に示した整流装
置の主回路に適用されるものである。すなわち図４にお
いて、半導体スイッチ素子としてのダイオードを２（前
記ｍ＝１）個用い、これらの半導体スイッチ素子でハー
フブリッジ結線回路を形成し、このハーフブリッジ結線
回路を３組でコンバータ６０を構成し、このハーフブリ
ッジ結線回路を一体化したモジュールに形成する際に、
前記ハーフブリッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，Ｓ，Ｔ
のいずれか）を前記モジュールの上面の下辺部に配置
し、前記ハーフブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，
Ｎ）を前記モジュールの前記上面の左辺部および右辺部
の双方に配置している。さらにコンバータ６０を構成す
るそれぞれのハーフブリッジ結線回路の直流側端子
（Ｐ，Ｎ）間の接続は接続導体５４により行っている。
このとき、コンバータ６０の下面は放熱のために図示し
ない同一冷却体に固着される。
【００１９】図６は、この発明の第５の実施例を示す半
導体電力変換回路の模式図であり、図７に示したＡＣ−
ＡＣ変換装置の主回路に適用されるものである。すなわ
ち図６において、半導体スイッチ素子としてのダイオー
ドを２（前記ｍ＝１）個用い、これらの半導体スイッチ
素子でハーフブリッジ結線回路を形成し、このハーフブ
リッジ結線回路を２組で全波整流回路７０を構成し、さ
らに、このハーフブリッジ結線回路を１組で交流スイッ
チ回路８０を構成し、これらのハーフブリッジ結線回路
を一体化したモジュールに形成する際に、前記ハーフブ
リッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，Ｓ，ＡＣのいずれ
か）を前記モジュールの上面の下辺部に配置し、前記ハ
ーフブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モ
ジュールの前記上面の左辺部および右辺部の双方に配置
している。また、全波整流回路７０および交流スイッチ
回路８０を構成するそれぞれのハーフブリッジ結線回路
の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間の接続は接続導体５４により
行っている。このとき、全波整流７０および交流スイッ
チ回路８０の下面は放熱のために図示しない同一冷却体
に固着される。
導体電力変換回路の模式図であり、図７に示したＡＣ−
ＡＣ変換装置の主回路に適用されるものである。すなわ
ち図６において、半導体スイッチ素子としてのダイオー
ドを２（前記ｍ＝１）個用い、これらの半導体スイッチ
素子でハーフブリッジ結線回路を形成し、このハーフブ
リッジ結線回路を２組で全波整流回路７０を構成し、さ
らに、このハーフブリッジ結線回路を１組で交流スイッ
チ回路８０を構成し、これらのハーフブリッジ結線回路
を一体化したモジュールに形成する際に、前記ハーフブ
リッジ結線回路の交流側端子（Ｒ，Ｓ，ＡＣのいずれ
か）を前記モジュールの上面の下辺部に配置し、前記ハ
ーフブリッジ結線回路の直流側端子（Ｐ，Ｎ）を前記モ
ジュールの前記上面の左辺部および右辺部の双方に配置
している。また、全波整流回路７０および交流スイッチ
回路８０を構成するそれぞれのハーフブリッジ結線回路
の直流側端子（Ｐ，Ｎ）間の接続は接続導体５４により
行っている。このとき、全波整流７０および交流スイッ
チ回路８０の下面は放熱のために図示しない同一冷却体
に固着される。
【００２０】図６に示した模式図により構成される図７
に示したＡＣ−ＡＣ変換装置は、交流端子Ｒ，Ｓ間に接
続される単相交流電源の周波数と同一周波数でその振幅
が調整された単相交流電圧を端子ＡＣ，Ｓ間に出力する
ことができる。
に示したＡＣ−ＡＣ変換装置は、交流端子Ｒ，Ｓ間に接
続される単相交流電源の周波数と同一周波数でその振幅
が調整された単相交流電圧を端子ＡＣ，Ｓ間に出力する
ことができる。
【００２１】
【発明の効果】この発明によれば、半導体電力変換回路
としてのハーフブリッジ結線回路，フルブリッジ結線回
路，三相ブリッジ結線回路などを一体化したモジュール
に形成する際に、上述の如き端子配列にすることによ
り、これらのブリッジ結線回路間の接続導体を標準化で
き、さらに同一形状で構成部品が異なる半導体電力変換
回路間の接続導体も標準化できる。その結果、構成部品
の種類の少なくでき、これらの半導体電力変換回路の組
み立て作業および形状の標準化，コストダウンが計れ
る。
としてのハーフブリッジ結線回路，フルブリッジ結線回
路，三相ブリッジ結線回路などを一体化したモジュール
に形成する際に、上述の如き端子配列にすることによ
り、これらのブリッジ結線回路間の接続導体を標準化で
き、さらに同一形状で構成部品が異なる半導体電力変換
回路間の接続導体も標準化できる。その結果、構成部品
の種類の少なくでき、これらの半導体電力変換回路の組
み立て作業および形状の標準化，コストダウンが計れ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例を示す半導体電力変換
回路の模式図
回路の模式図
【図２】この発明の第２の実施例を示す半導体電力変換
回路の模式図
回路の模式図
【図３】この発明の第３の実施例を示す半導体電力変換
回路の模式図
回路の模式図
【図４】この発明の第４の実施例を示す半導体電力変換
回路の模式図
回路の模式図
【図５】図４に示した半導体電力変換回路の回路構成図
【図６】この発明の第５の実施例を示す半導体電力変換
回路の模式図
回路の模式図
【図７】図６に示した半導体電力変換回路の回路構成図
【図８】インバータ装置の回路構成図
【図９】インバータ装置の回路構成図
【図１０】従来例を示す半導体電力変換回路の模式図
【図１１】従来例を示す半導体電力変換回路の模式図
１０…コンバータ、１１〜１６…ダイオード、２０…イ
ンバータ、２１〜２６…半導体スイッチ回路、３０…コ
ンバータ、３１〜３６…半導体スイッチ回路、４０…コ
ンデンサ、５１〜５４…接続導体、６０…コンバータ、
７０…全波整流回路、８０…交流スイッチ回路。
ンバータ、２１〜２６…半導体スイッチ回路、３０…コ
ンバータ、３１〜３６…半導体スイッチ回路、４０…コ
ンデンサ、５１〜５４…接続導体、６０…コンバータ、
７０…全波整流回路、８０…交流スイッチ回路。
Claims (5)
- 【請求項１】半導体スイッチ素子を２ｍ（ｍ＝１、２、
３、・・・）個用い、これらの半導体スイッチ素子でブ
リッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化
したモジュールに形成する際に、 前記ブリッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの
一面の上辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、 前記ブリッジ結線回路の直流側端子を前記モジュールの
前記一面の左辺部および右辺部の双方に配置したことを
特徴とする半導体電力変換回路。 - 【請求項２】自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接
続してなる半導体スイッチ回路を２ｋ（ｋ＝１、２、
３、・・・）個用い、これらの半導体スイッチ回路でブ
リッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化
したモジュールに形成する際に、 前記ブリッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの
一面の上辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、 前記ブリッジ結線回路の直流側端子を前記モジュールの
前記一面の左辺部および右辺部の双方に配置したことを
特徴とする半導体電力変換回路。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の半導体電力
変換回路において、 前記モジュールに形成してなる同一形状の半導体電力変
換回路を複数組備え、 該複数組の前記半導体電力変換回路それぞれの前記直流
端子側を近接するように配置し、隣接する一方の前記半
導体電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子と
この隣接した他方の前記半導体電力変換回路の右辺部ま
たは左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続することによ
り、新たな半導体電力変換回路を形成したことを特徴と
する半導体電力変換回路。 - 【請求項４】半導体スイッチ素子を２ｍ（ｍ＝１、２、
３、・・・）個用い、これらの半導体スイッチ素子でブ
リッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化
したモジュールに形成する際に、該ブリッジ結線回路の
交流側端子を前記モジュールの一面の上辺部または下辺
部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ結線回路の直流
側端子を該モジュールの前記一面の左辺部および右辺部
の双方に配置した第１の半導体電力変換回路と、 自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続してなる半
導体スイッチ回路を２ｋ（ｋ＝１、２、３、・・・）個
用い、これらの半導体スイッチ回路でブリッジ結線回路
を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化したモジュール
に形成する際に、該ブリッジ結線回路の交流側端子を前
記モジュール構造の一面の上辺部または下辺部のいずれ
か一方に配置し、該ブリッジ結線回路の直流側端子を該
モジュール構造の前記一面の左辺部および右辺部の双方
に配置した第２の半導体電力変換回路とを備え、 前記モジュールに形成した第１の半導体電力変換回路と
前記モジュールに形成した第２の半導体電力変換回路と
を同一形状にし、 前記第１の半導体電力変換回路の前記直流側端子と前記
第２の半導体電力変換回路の前記直流端子側とを近接す
るように配置し、該第１の半導体電力変換回路の左辺部
または右辺部の直流側端子と該第２の半導体電力変換回
路の右辺部または左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続
したことにより、新たな半導体電力変換回路を形成した
ことを特徴とする半導体電力変換回路。 - 【請求項５】半導体スイッチ素子を２ｍ（ｍ＝１、２、
３、・・・）個用い、これらの半導体スイッチ素子でブ
リッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化
したモジュールに形成する際に、該ブリッジ結線回路の
交流側端子を前記モジュールの一面の上辺部または下辺
部のいずれか一方に配置し、該ブリッジ結線回路の直流
側端子を該モジュールの前記一面の左辺部および右辺部
の双方に配置した第１の半導体電力変換回路を複数組
と、 自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続してなる半
導体スイッチ回路を２ｋ（ｋ＝１、２、３、・・・）個
用い、これらの半導体スイッチ回路でブリッジ結線回路
を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化したモジュール
に形成する際に、該ブリッジ結線回路の交流側端子を前
記モジュール構造の一面の上辺部または下辺部のいずれ
か一方に配置し、該ブリッジ結線回路の直流側端子を該
モジュール構造の前記一面の左辺部および右辺部の双方
に配置した第２の半導体電力変換回路を複数組とを備
え、 前記モジュールに形成した第１の半導体電力変換回路そ
れぞれと前記モジュールに形成した第２の半導体電力変
換回路それぞれとを同一形状にし、 前記第１の半導体電力変換回路それぞれの前記直流端子
側を近接するように配置し、隣接する一方の第１の半導
体電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子とこ
の隣接した他方の第１の半導体電力変換回路の右辺部ま
たは左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続し、 前記第２の半導体電力変換回路それぞれの前記直流端子
側を近接するように配置し、隣接する一方の第２の半導
体電力変換回路の左辺部または右辺部の直流側端子とこ
の隣接した他方の第２の半導体電力変換回路の右辺部ま
たは左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続し、 前記第１の半導体電力変換回路の前記直流側端子と前記
第２の半導体電力変換回路の前記直流端子側とを近接す
るように配置し、該第１の半導体電力変換回路の左辺部
または右辺部の直流側端子と該第２の半導体電力変換回
路の右辺部または左辺部の直流側端子とをそれぞれ接続
したことにより、新たな半導体電力変換回路を形成した
ことを特徴とする半導体電力変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11114490A JP2000308364A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 半導体電力変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11114490A JP2000308364A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 半導体電力変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000308364A true JP2000308364A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14639069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11114490A Withdrawn JP2000308364A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 半導体電力変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000308364A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007089257A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Aisin Aw Co Ltd | インバータ装置 |
| JP2007110870A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2012190833A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| WO2014083964A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | インバータ装置およびモータ一体型インバータ装置 |
| JP2017220627A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0522939A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH1074889A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH1198815A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 電力変換装置並びに多層積層導体と電気部品接続体 |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11114490A patent/JP2000308364A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0522939A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH1074889A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH1198815A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 電力変換装置並びに多層積層導体と電気部品接続体 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007089257A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Aisin Aw Co Ltd | インバータ装置 |
| JP4702611B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-06-15 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | インバータ装置 |
| JP2007110870A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP4567570B2 (ja) * | 2005-10-17 | 2010-10-20 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2012190833A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| WO2014083964A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | インバータ装置およびモータ一体型インバータ装置 |
| EP2928059A4 (en) * | 2012-11-28 | 2016-08-03 | Hitachi Automotive Systems Ltd | INVERTER DEVICE AND INVERTER DEVICE INTEGRATED INTO A MOTOR |
| JP2017220627A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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