JP6544021B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
上記直流端子に接続した直流バスバーとを備え、
該直流バスバーは、その板厚方向が上記直流端子の突出方向と一致するように配されており、
上記直流バスバーには、上記突出方向に貫通した貫通部が形成され、上記直流バスバーと上記直流端子とは、上記突出方向から見たときに上記貫通部の内面と重なる位置において互いに接続しており、
上記貫通部は孔状に形成されており、
複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管とを、上記直流端子のうち上記本体部から突出した端子本体部の厚さ方向に積層して積層体を構成してあり、
個々の上記直流端子は、上記端子本体部と、該端子本体部よりも先端側の部位を上記厚さ方向における一方側に折り曲げて形成された折曲部とを備え、上記折曲部を上記直流バスバーに溶接してあることを特徴とする電力変換装置にある。
本発明の他の態様は、半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出し直流電圧が加わる直流端子とを有する半導体モジュールと、
上記直流端子に接続した直流バスバーとを備え、
該直流バスバーは、その板厚方向が上記直流端子の突出方向と一致するように配されており、
上記直流バスバーには、上記突出方向に貫通した貫通部が形成され、上記直流バスバーと上記直流端子とは、上記突出方向から見たときに上記貫通部の内面と重なる位置において互いに接続しており、
上記貫通部は孔状に形成されており、
複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管とを、上記直流端子のうち上記本体部から突出した端子本体部の厚さ方向に積層して積層体を構成してあり、
上記貫通部は、上記突出方向から見たときに、1つの上記貫通部から、上記厚さ方向に配列した複数の上記直流端子を視認できる形状に形成されており、上記突出方向と上記厚さ方向との双方に直交する幅方向において、上記貫通部の長さは、上記直流端子の長さよりも短いことを特徴とする電力変換装置にある。
このようにすると、直流端子のうち直流バスバーと接続する部位が、直流バスバーを構成する金属材料によって、周囲を取り囲まれることになる。そのため、上記部位の周辺において電流が制限を受けにくくなり、直流バスバー内を流れる電流の経路の数を増やすことができる。したがって、直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減できる。
つまり、個々の電流経路にはインダクタンスが寄生しており、これらのインダクタンスは、一つの直流端子に対して並列に接続している。したがって、電流経路の数が増えると、個々の電流経路に寄生し、互いに並列接続されたインダクタンスの数が増える。その結果、これら複数のインダクタンスの合成インダクタンスは低減する。そのため、半導体素子をスイッチング動作させたときに、上記合成インダクタンスが原因となって大きなサージが発生することを抑制できる。
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図17を用いて説明する。図1、図4に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体モジュール2と、直流バスバー3(3p,3n)とを備える。半導体モジュール2は、半導体素子20(図16参照)を内蔵した本体部21と、該本体部21から突出し直流電圧が加わる直流端子22(22p,22n)とを有する。この直流端子22に、直流バスバー3が接続している。
図2に示すごとく、直流バスバー3には、Z方向に貫通した貫通部30が形成されている。図2、図9に示すごとく、直流バスバー3と直流端子22とは、Z方向から見たときに貫通部30の内面31と重なる位置において、互いに接続している。本例では、直流端子22及び直流バスバー3にレーザビームLを照射することにより、これらを溶接してある。
貫通部30は孔状に形成されている。
このようにすると、直流端子22のうち直流バスバー3と接続する部位が、直流バスバー3を構成する金属材料によって、周囲を取り囲まれることになる。そのため、上記部位の周辺において電流Iが制限を受けにくくなり、直流バスバー3内を流れる電流Iの経路の数を増やすことができる。したがって、直流バスバー3に寄生するインダクタンスを低減できる。
つまり、個々の電流経路にはインダクタンスが寄生しており、これらのインダクタンスは、一つの直流端子22に対して並列に接続している。したがって、電流経路の数が増えると、個々の電流経路に寄生し、互いに並列接続されたインダクタンスの数が増える。その結果、これら複数のインダクタンスの合成インダクタンスが低減する。そのため、半導体素子20をスイッチング動作させたときに、上記合成インダクタンスが原因となって大きなサージが発生することを抑制できる。
これに対して、図2に示すごとく、本例のように貫通部30を孔状に形成すれば、直流端子22に対してY方向における両側に、電流Iを流すことができる。したがって、電流Iが流れる経路を増やすことができ、直流バスバー3に寄生するインダクタンスを低減できる。また、上記構成にすると、直流バスバー3内を電流Iが流れる経路を増やすことができるため、直流バスバー3の電気抵抗を低減できる。そのため、直流バスバー3から発生する抵抗熱を低減できる。また、直流バスバー3の面積を広げることができるため、直流バスバー3を冷却しやすくなる。
そのため、半導体モジュール2をX方向における両側から冷却管4によって冷却することができ、半導体モジュール2の冷却効率を高めることができる。
折曲部24は、直流端子22を折り曲げて形成してあるため、折曲部24のX方向長さは、端子本体部23のX方向長さよりも長い。そのため、貫通部30のX方向長さが短く、かつ、半導体モジュール2がX方向に大きく位置ずれした場合でも、貫通部30の内面31と、折曲部24とを、Z方向に重ならせることができる。したがって、この場合でも、直流端子22を直流バスバー3に溶接することができる。
また、図25に示すごとく、折曲部24を形成せず、直流端子22を貫通部30に挿入して、直流端子22を直流バスバー3に溶接することも可能であるが、このようにすると、半導体モジュール2がX方向に位置ずれした場合でも溶接できるように、直流端子22のZ方向長さを長くして、直流端子22をX方向に変形できるようにする必要が生じる。そのため、本体部21と直流バスバー3とのZ方向間隔が広がり、電力変換装置1が大型化しやすくなる。これに対して、本例のように折曲部24を形成し、Z方向から見たときに貫通部30の内面31と重なる位置において、折曲部24を直流バスバー3に溶接すれば、直流端子22をX方向に変形できるようにする必要はなくなる。そのため、直流端子22のX方向長さを短くすることができる。したがって、直流バスバー3と本体部21とのZ方向間隔を狭くすることができ、電力変換装置1を小型化できる。
このようにすると、先端面248の近傍にレーザビームL等が照射されて、この照射された部位が溶け落ちる不具合を抑制できる。
このようにすると、折曲部24と直流バスバー3とを溶接する作業を行いやすくなる。すなわち、図24に示すごとく、折曲部24に第2部分242を形成せず、第1部分241のみ形成することも可能であるが、この場合、折曲部24の先端2480が直流バスバー3に当接することになる。そのため、折曲部24のうち直流バスバー3に当接する部位(先端2480)と、被溶接部247との間に非溶接領域A1が存在してしまい、先端2480から被溶接部247までのX方向長さが長くなってしまう。したがって、被溶接部247と直流バスバー3との間のZ方向間隔dが広くなり、溶接作業を行いにくくなる可能性がある。特に、半導体モジュール2がX方向における図の右側に位置ずれした場合に、上記間隔dが広くなり、溶接作業を行いにくくなる。
これに対して、図11に示すごとく、本例の構成を採用すれば、折曲部24のうち直流バスバー3と当接する部位(交差部246)と、被溶接部247との間に非溶接領域A1が配されなくなる。そのため、直流バスバー3に当接する部位(交差部246)から、被溶接部247までの、X方向長さを短くすることができる。したがって、被溶接部247と直流バスバー3とのZ方向間隔を狭くすることができ、溶接作業を容易に行うことが可能になる。図11に示すごとく、半導体モジュール2がX方向における図の右側に位置ずれした場合であっても、上記間隔を充分狭くすることができ、容易に溶接作業を行うことができる。
このようにすると、X方向に隣り合う2つの貫通部30の間に、介在部390が形成される。介在部390は、Z方向において折曲部24に隣り合う位置に存在する。また、図2に示すごとく、電流Iは折曲部24を、貫通部30に向かって回り込むように流れる。そのため、図9に示すごとく、一部の電流Iが介在部390を、折曲部24に流れる電流Iの向きとは逆向きに流れる。したがって、介在部390を流れた電流Iによって発生した磁界と、折曲部24を流れた電流Iによって発生した磁界とが打ち消し合い、直流端子22に寄生するインダクタンスを低減することができる。
そのため、上記介在部390のX方向長さを長くすることができる。そのため、介在部390を流れる電流Iの量を増やすことができ、直流端子22に寄生するインダクタンスをより低減できる。
以下の実施例においては、図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
本例は、貫通部30及び直流端子22の形状を変更した例である。図21に示すごとく、本例では実施例2と同様に、貫通部30を細長い形状にし、Z方向から見たときに、一つの貫通部30から複数の直流端子22を視認できるようにしてある。また、図21〜図23に示すごとく、本例は実施例1と異なり、直流端子22に折曲部24を形成していない。貫通部30のY方向長さは、直流端子22のY方向長さよりも短い。本例では、直流端子22の先端面248にレーザビームLを照射して、直流端子22と直流バスバー3とを溶接してある。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
本例は、直流端子22の形状を変更した例である。図24に示すごとく、本例の直流端子22は、端子本体部23と、該端子本体部23の先端側の部位を折り曲げ形成した折曲部24とを備える。実施例1と異なり、本例の折曲部24には、第1部分241しか形成されておらず、第2部分242(図9参照)は形成されていない。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
本例は、直流端子22の形状を変更した例である。図25に示すごとく、本例では、直流端子22に折曲部24を形成していない。本例では、直流端子22を貫通部30に挿入し、貫通部30の内面31に直流端子22を接触させている。この状態で、直流端子22を直流バスバー3に溶接してある。直流端子22と直流バスバー3とは、Z方向から見たときに貫通部30の内面31と重なる位置において、互いに溶接されている。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
本例は、直流バスバー3及び直流端子22の形状を変更した例である。図26、図27に示すごとく、本例の直流バスバー3は、Z方向に突出する突部36を備える。実施例1と異なり、本例の直流端子22には、折曲部24は形成されていない。直流端子22は、貫通部30に挿入されており、その内面31に接触している。そして、突部36の先端面と直流端子22の先端面とにレーザビームLを照射することにより、突部36と直流端子22とを溶接してある。直流端子22と直流バスバー3とは、Z方向から見たときに、貫通部30の内面31と重なる位置において、互いに溶接されている。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
2 半導体モジュール
20 半導体素子
21 本体部
22 直流端子
3 直流バスバー
30 貫通部
Claims (7)
- 半導体素子(20)を内蔵した本体部(21)と、該本体部(21)から突出し直流電圧が加わる直流端子(22)とを有する半導体モジュール(2)と、
上記直流端子(22)に接続した直流バスバー(3)とを備え、
該直流バスバー(3)は、その板厚方向が上記直流端子(22)の突出方向と一致するように配されており、
上記直流バスバー(3)には、上記突出方向に貫通した貫通部(30)が形成され、上記直流バスバー(3)と上記直流端子(22)とは、上記突出方向から見たときに上記貫通部(30)の内面(31)と重なる位置において互いに接続しており、
上記貫通部(30)は孔状に形成されており、
複数の上記半導体モジュール(2)と、該半導体モジュール(2)を冷却する複数の冷却管(4)とを、上記直流端子(22)のうち上記本体部(21)から突出した端子本体部(23)の厚さ方向に積層して積層体(10)を構成してあり、
個々の上記直流端子(22)は、上記端子本体部(23)と、該端子本体部(23)よりも先端側の部位を上記厚さ方向における一方側に折り曲げて形成された折曲部(24)とを備え、上記折曲部(24)を上記直流バスバー(3)に溶接してあることを特徴とする電力変換装置(1)。 - 上記折曲部(24)のうち、該折曲部(24)の先端面(248)から上記厚さ方向において所定距離(W)以内に存在する領域は、上記直流バスバー(3)に溶接されない非溶接領域(A1)となっており、該非溶接領域(A1)は上記直流バスバー(3)と上記突出方向に重なっており、上記貫通部(30)の上記内面(31)のうち上記厚さ方向において上記非溶接領域(A1)に最も近い位置に存在する近接内面(31a)と、上記突出方向に重なる位置において、上記折曲部(24)を上記直流バスバー(3)に溶接してあることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置(1)。
- 上記折曲部(24)は、上記端子本体部(23)の先端に連なる第1部分(241)と、該第1部分(241)よりも先端側の部位を折り曲げて形成された第2部分(242)とを備え、上記第2部分(242)に上記非溶接領域(A1)が形成されており、上記第1部分(241)と上記第2部分(242)とが交差する交差部(246)が、少なくとも上記直流バスバー(3)に当接するよう構成されていることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置(1)。
- 上記直流バスバー(3)は、複数の上記直流端子(22)にそれぞれ対応する位置に形成された、複数の上記貫通部(30)を備えることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の電力変換装置(1)。
- 上記貫通部(30)の上記厚さ方向における長さは、上記直流端子(22)の上記厚さ方向における長さよりも短いことを特徴とする請求項4に記載の電力変換装置(1)。
- 上記貫通部(30)は、上記突出方向から見たときに、1つの上記貫通部(30)から、上記厚さ方向に配列した複数の上記直流端子(22)を視認できる形状に形成されており、上記突出方向と上記厚さ方向との双方に直交する幅方向において、上記貫通部(30)の長さは、上記直流端子(22)の長さよりも短いことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置(1)。
- 半導体素子(20)を内蔵した本体部(21)と、該本体部(21)から突出し直流電圧が加わる直流端子(22)とを有する半導体モジュール(2)と、
上記直流端子(22)に接続した直流バスバー(3)とを備え、
該直流バスバー(3)は、その板厚方向が上記直流端子(22)の突出方向と一致するように配されており、
上記直流バスバー(3)には、上記突出方向に貫通した貫通部(30)が形成され、上記直流バスバー(3)と上記直流端子(22)とは、上記突出方向から見たときに上記貫通部(30)の内面(31)と重なる位置において互いに接続しており、
上記貫通部(30)は孔状に形成されており、
複数の上記半導体モジュール(2)と、該半導体モジュール(2)を冷却する複数の冷却管(4)とを、上記直流端子(22)のうち上記本体部(21)から突出した端子本体部(23)の厚さ方向に積層して積層体(10)を構成してあり、
上記貫通部(30)は、上記突出方向から見たときに、1つの上記貫通部(30)から、上記厚さ方向に配列した複数の上記直流端子(22)を視認できる形状に形成されており、上記突出方向と上記厚さ方向との双方に直交する幅方向において、上記貫通部(30)の長さは、上記直流端子(22)の長さよりも短いことを特徴とする電力変換装置(1)。
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