JP2021185742A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
複数のバスバー(4)と、
モジュール本体部(20)からパワー端子(21)を突出してなる複数の半導体モジュール(2)と、を有し、
上記バスバーとして、上記正極配線を構成する正極バスバー(4P)と、上記負極配線を構成する負極バスバー(4N)と、を有し、
上記半導体モジュールとして、上記上アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記正極バスバーに接続される上記パワー端子である正極端子(21P)を備えた複数の第1半導体モジュール(2P)と、上記下アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記負極バスバーに接続される上記パワー端子である負極端子(21N)を備えた複数の第2半導体モジュール(2N)と、を有し、
上記第1半導体モジュールと上記第2半導体モジュールとは、上記正極端子と上記負極端子とを突出方向に直交する積層方向(X)に対向させた状態で、交互に積層配置されており、
上記正極バスバー及び上記負極バスバーは、それぞれ、上記パワー端子の突出方向(Z)に互いに重なるように配置された本体板部(42)と、該本体板部から上記突出方向と上記積層方向との双方に直交する方向(Y)へ延びる複数の分岐部(43)とを有し、
上記正極バスバー及び上記負極バスバーは、上記分岐部の一部に、上記突出方向から見たとき、共に上記正極端子と上記負極端子との間に配される共存配置部(41P、41N)をそれぞれ有し、
上記共存配置部の少なくとも一部は、上記正極端子と上記負極端子との間の空間に配されており、
出力配線を構成する出力バスバー(4O)を有し、上記半導体モジュールは、上記パワー端子の一つとして、上記出力バスバーに接続される出力端子(21O)を有し、上記第1半導体モジュールと上記第2半導体モジュールとは、互いの上記出力端子同士を対向配置させてなり、上記出力バスバーは、対向配置された上記出力端子同士の間の空間に配される出力介在部(41O)を有し、該出力介在部に、上記第1半導体モジュールの上記出力端子と上記第2半導体モジュールの上記出力端子との双方が接続されており、
上記積層方向に隣り合う上記半導体モジュールの間の複数の空間として、上記突出方向から見て、上記正極バスバー、上記負極バスバー及び上記出力バスバーのすべてが重なる空間と、上記正極バスバー、上記負極バスバー及び上記出力バスバーのいずれもが重ならない空間とが、交互に並んでいる、電力変換装置にある。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
電力変換装置に係る実施形態について、図1〜図8を参照して説明する。
本実施形態の電力変換装置1は、図2に示すごとく、正極配線に接続される複数の上アームスイッチング素子20uと、負極配線に接続される複数の下アームスイッチング素子20dとを有するスイッチング回路部101を備えたものである。
電力変換装置1は、バスバー4として、正極配線を構成する正極バスバー4Pと、負極配線を構成する負極バスバー4Nと、を有する。
電力変換装置1は、半導体モジュール2として、第1半導体モジュール2Pと、第2半導体モジュール2Nと、を有する。
正極バスバー4P及び負極バスバー4Nは、図1に示すごとく、パワー端子21の突出方向から見たとき、共に正極端子21Pと負極端子21Nとの間に配される共存配置部41P、41Nをそれぞれ有する。
共存配置部41P、41Nの少なくとも一部は、正極端子21Pと負極端子21Nとの間の空間に配されている。特に、本実施形態においては、共存配置部41P、41Nは、その全体が、正極端子21Pと負極端子21Nとの間の空間に配されている。
各半導体モジュール2は、2本のパワー端子21を有する。図5に示すごとく、第1半導体モジュール2Pは、パワー端子21として、正極端子21Pと出力端子21Oとを有する。図6に示すごとく、第2半導体モジュール2Nは、パワー端子21として、負極端子21Nと出力端子21Oとを有する。
上記電力変換装置1においては、図1、図3、図4に示すごとく、正極バスバー4Pと負極バスバー4Nとが、それぞれ共存配置部41P、41Nを有する。そして、共存配置部41P、41Nの少なくとも一部が、互いに対向配置された正極端子21Pと負極端子21Nとの間の空間に共存するように配置されている。かかる構成により、正極バスバー4Pと負極バスバー4Nとが、共存配置部41P、41Nにおいて近接配置されることとなる。その結果、バスバー4におけるインダクタンスを低減することができる。
また、共存配置部41P、41Nは、対向部として、突出対向部44zを有する。これにより、共存配置部41P、41N同士を、広い面積にわたり近接配置しやすくなる。それゆえ、インダクタンスの低減をより図りやすくなる。
本実施形態は、図9に示すごとく、一対の共存配置部41P、41Nのうちの一方について、接続部よりもモジュール本体部20から遠い位置に突出対向部44zを配置した形態である。
共存配置部41Nは、並び対向部44xを、突出対向部44zよりもモジュール本体部20に近い側に配置している。
なお、実施形態2以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態においては、図10に示すごとく、一対の共存配置部41P、41Nの双方について、接続部11P、11Nよりもモジュール本体部20から遠い位置に突出対向部44zを配置した形態である。
そして、一対の突出対向部44zは、Z方向において、近接して対向配置されている。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図11に示すごとく、共存配置部41Pにおける正極バスバー4Pと正極端子21Pとの接続部11Pと、共存配置部41Nにおける負極バスバー4Nと負極端子21Nとの接続部11Nとは、Z方向における位置が互いに異なる形態である。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
本実施形態は、図12に示すごとく、第1半導体モジュール2P及び第2半導体モジュール2Nが、互いに並列接続された複数のスイッチング素子を内蔵してなる形態である。
すなわち、第1半導体モジュール2Pは、互いに並列接続された複数の上アームスイッチング素子20uを内蔵している。また、第2半導体モジュール2Nは、互いに並列接続された複数の下アームスイッチング素子20dを内蔵している。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
また、上述の実施形態においては、正極バスバーの共存配置部を、負極バスバーの共存配置部よりも、モジュール本体部に近い側に配した形態を示したが、この位置関係は特に限定されるものではない。すなわち、負極バスバーの共存配置部を、正極バスバーの共存配置部よりも、モジュール本体部に近い側に配した形態とすることもできる。また、一対の共存配置部を、モジュール本体部からの距離が同じになるように配してもよい。
2 半導体モジュール
2P 第1半導体モジュール
2N 第2半導体モジュール
21 パワー端子
21P 正極端子
21N 負極端子
4P 正極バスバー
4N 負極バスバー
41P、41N 共存配置部
Claims (1)
- 正極配線に接続される複数の上アームスイッチング素子(20u)と、負極配線に接続される複数の下アームスイッチング素子(20d)とを有するスイッチング回路部(101)を備えた電力変換装置(1)であって、
複数のバスバー(4)と、
モジュール本体部(20)からパワー端子(21)を突出してなる複数の半導体モジュール(2)と、を有し、
上記バスバーとして、上記正極配線を構成する正極バスバー(4P)と、上記負極配線を構成する負極バスバー(4N)と、を有し、
上記半導体モジュールとして、上記上アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記正極バスバーに接続される上記パワー端子である正極端子(21P)を備えた複数の第1半導体モジュール(2P)と、上記下アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記負極バスバーに接続される上記パワー端子である負極端子(21N)を備えた複数の第2半導体モジュール(2N)と、を有し、
上記第1半導体モジュールと上記第2半導体モジュールとは、上記正極端子と上記負極端子とを突出方向に直交する積層方向(X)に対向させた状態で、交互に積層配置されており、
上記正極バスバー及び上記負極バスバーは、それぞれ、上記パワー端子の突出方向(Z)に互いに重なるように配置された本体板部(42)と、該本体板部から上記突出方向と上記積層方向との双方に直交する方向(Y)へ延びる複数の分岐部(43)とを有し、
上記正極バスバー及び上記負極バスバーは、上記分岐部の一部に、上記突出方向から見たとき、共に上記正極端子と上記負極端子との間に配される共存配置部(41P、41N)をそれぞれ有し、
上記共存配置部の少なくとも一部は、上記正極端子と上記負極端子との間の空間に配されており、
出力配線を構成する出力バスバー(4O)を有し、上記半導体モジュールは、上記パワー端子の一つとして、上記出力バスバーに接続される出力端子(21O)を有し、上記第1半導体モジュールと上記第2半導体モジュールとは、互いの上記出力端子同士を対向配置させてなり、上記出力バスバーは、対向配置された上記出力端子同士の間の空間に配される出力介在部(41O)を有し、該出力介在部に、上記第1半導体モジュールの上記出力端子と上記第2半導体モジュールの上記出力端子との双方が接続されており、
上記積層方向に隣り合う上記半導体モジュールの間の複数の空間として、上記突出方向から見て、上記正極バスバー、上記負極バスバー及び上記出力バスバーのすべてが重なる空間と、上記正極バスバー、上記負極バスバー及び上記出力バスバーのいずれもが重ならない空間とが、交互に並んでいる、電力変換装置。
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