JP7040334B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、一対の直流バスバーとを備える電力変換装置に関する。
従来から、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、一対の直流バスバーとを備える電力変換装置が知られている(下記特許文献1参照)。この電力変換装置では、複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管とを積層して積層体を構成してある。上記半導体モジュールは、IGBT等の半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出した一対の直流端子とを備える。個々の直流端子に、上記直流バスバーを接続してある。この直流バスバーを介して、直流電源から半導体モジュールに直流電力を供給している。上記電力変換装置は、上記半導体素子をスイッチング動作させることにより、供給された上記直流電力を交流電力に変換するよう構成されている。
個々の直流バスバーは、上記直流端子の突出方向において、絶縁部材を介して互いに重ね合わされた重なり部を有する(図12、図13参照)。直流バスバーには、突出方向において上記本体部に近い位置に配された近方バスバーと、該近方バスバーよりも本体部から遠い位置に配された遠方バスバーとがある。また、直流端子には、一対の直流端子の配列方向において、重なり部に近い位置に配された近方端子と、該近方端子よりも重なり部から遠い位置に配された遠方端子とがある。近方バスバーは遠方端子に接続し、遠方バスバーは近方端子に接続している。
また、近方バスバーには貫通穴を形成してあり、この貫通穴に近方端子を挿通させてある。これにより、近方バスバーが近方端子に接触することを抑制している。
特開2011-114193号公報
しかしながら、上記電力変換装置では、近方バスバーに上記貫通穴を形成してあるため、一対の直流バスバーが互いに対向する面積が小さい。そのため、直流バスバーに大きなインダクタンスが寄生しやすい。また、貫通穴を形成すると(図13参照)、積層体の積層方向において2個の貫通穴が繋がらないように、積層方向における、2つの近方端子の間隔(すなわち、半導体モジュールの間隔)を広げる必要がある。そのため、電力変換装置が大型化しやすい。
また、上記電力変換装置では、近方端子が、貫通穴を通って遠方バスバーに接続しているため、近方端子の長さが長い(図12参照)。そのため、近方端子に大きなインダクタンスが寄生しやすい。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、直流端子や直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、半導体素子(20)を内蔵した複数の半導体モジュール(2)と、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管(11)とを積層した積層体(10)と、
直流電源(8)と上記半導体モジュールとの間の電流経路をなす一対の直流バスバー(3)とを備え、
上記半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部(21)と、該本体部から突出しそれぞれ上記直流バスバーに接続した一対の直流端子(22)とを備え、
個々の上記直流バスバーは、上記直流端子の突出方向(Z)において絶縁部材(4)を介して互いに重ね合わされた重なり部(30)を有し、個々の該重なり部は、上記一対の直流端子の配列方向(Y)において上記一対の直流端子の一方側に配されており、
上記直流端子には、上記配列方向において相対的に上記重なり部に近い位置に配された近方端子(22A)と、該近方端子よりも上記重なり部から遠い位置に配された遠方端子(22B)とがあり、
上記直流バスバーには、上記突出方向において上記重なり部が相対的に上記本体部に近い位置に配された近方バスバー(3A)と、該近方バスバーよりも上記重なり部が上記本体部から遠い位置に配された遠方バスバー(3B)とがあり、上記近方バスバーは上記近方端子に接続し、上記遠方バスバーは上記遠方端子に接続しており、
上記遠方バスバーは、
上記重なり部と、
該重なり部に連なり、上記近方端子を上記突出方向から覆うと共に、その厚さ方向が上記突出方向と一致するよう配された平板部(31)と、
該平板部から延出し、上記配列方向における上記遠方端子側に向かうほど、上記突出方向において上記本体部に近づくよう傾斜した傾斜部(32)と、
該傾斜部に連なり上記遠方端子に接続した接続部(33)とを備える、電力変換装置(1)にある。
上記電力変換装置では、近方バスバーは近方端子に接続し、遠方バスバーは遠方端子に接続している。
そのため、直流バスバー(近方バスバー及び遠方バスバー)に、接続していない直流端子を挿通させるための貫通穴を形成する必要がなくなる。したがって、一対の直流バスバーが互いに対向する面積を増やすことができ、直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減できる。
また、従来のように、直流バスバーに貫通穴を形成する場合は、上述したように、積層体の積層方向に隣り合う2つの貫通穴が繋がらないように、個々の貫通穴に挿入される直流端子の、積層方向における間隔を広げる必要がある。そのため、電力変換装置が大型化しやすい。これに対して、上記電力変換装置では、直流バスバーに貫通穴を形成しなくてすむため、個々の直流端子の、積層方向における間隔を狭くすることができる。そのため、電力変換装置を小型化できる。
また、上記電力変換装置では、遠方バスバーに上記傾斜部を形成してある。
このようにすると、傾斜部に連なる上記接続部を、本体部に近い位置に配置することができる。そのため、遠方端子を短くすることが可能になる。したがって、遠方端子に寄生するインダクタンスを低減でき、半導体素子をスイッチング動作させたときに大きなサージが生じることを抑制できる。
以上のごとく、上記態様によれば、直流端子や直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
実施形態1における、電力変換装置の断面図であって、図4のI-I断面図。 図1の要部拡大図。 実施形態1における、電力変換装置の要部拡大斜視図。 図1のIV-IV断面図。 図4から、遠方バスバーを取り除いた図。 図5から、近方バスバーを取り除いた図。 実施形態1における、電力変換装置の要部拡大平面図。 実施形態1における、電力変換装置の回路図。 実施形態2における、電力変換装置の要部拡大断面図。 実施形態3における、電力変換装置の要部拡大断面図。 実施形態4における、電力変換装置の要部拡大断面図。 比較形態における、電力変換装置の断面図。 図12のXIII-XIII断面図。
(実施形態1)
上記電力変換装置に係る実施形態について、図1~図8を参照して説明する。図1、図6に示すごとく、本形態の電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2と冷却管11とを積層した積層体10と、一対の直流バスバー3(3A,3B)とを備える。半導体モジュール2は、半導体素子20(図8参照)を内蔵している。冷却管11は、半導体モジュール2を冷却する。また、一対の直流バスバー3は、直流電源8と半導体モジュール2との間の電流経路をなしている。
図1、図2に示すごとく、半導体モジュール2は、半導体素子20を内蔵した本体部21と、該本体部21から突出しそれぞれ直流バスバー3に接続した一対の直流端子22(22A,22B)とを備える。個々の直流バスバー3は、直流端子22の突出方向(Z方向)において、絶縁部材4を介して互いに重ね合わされた重なり部30を有する。個々の重なり部30は、一対の直流端子22(22A,22B)の配列方向(Y方向)において、一対の直流端子22の一方側に配されている。
直流端子22には、近方端子22Aと遠方端子22Bとがある。近方端子22Aは、Y方向において、相対的に重なり部30に近い位置に配されている。遠方端子22Bは、Y方向において、近方端子22Aよりも重なり部30から遠い位置に配されている。
また、直流バスバー3には、近方バスバー3Aと遠方バスバー3Bとがある。近方バスバー3Aは、重なり部30が、Z方向において相対的に本体部21に近い位置に配されている。遠方バスバー3Bは、重なり部30が、Z方向において近方バスバー3Aよりも本体部21から遠い位置に配されている。近方バスバー3Aは近方端子22Aに接続し、遠方バスバー3Bは遠方端子22Bに接続している。
遠方バスバー3Bは、上記重なり部30と、平板部31と、傾斜部32と、接続部33とを備える。平板部31は、重なり部30に連なり、近方端子22AをZ方向から覆うと共に、その厚さ方向がZ方向と一致するよう配されている。傾斜部32は、平板部31から延出し、Y方向における遠方端子22B側へ向かうほど、Z方向において本体部21に近づくよう傾斜している。また、接続部33は、傾斜部32に連なり、遠方端子22Bに接続している。
本形態の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。図8に示すごとく、本形態の電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を備える。個々の半導体モジュール2は、半導体素子20(IGBT)を内蔵している。これら複数の半導体モジュール2によって、インバータ回路を構成している。上記半導体素子20をスイッチング動作させることにより、直流電源8から供給される直流電力を交流電力に変換している。これにより、三相交流モータ82を駆動し、上記車両を走行させている。
図1に示すごとく、半導体モジュール2は、上記本体部21と直流端子22の他に、交流電力を出力する交流端子23と、制御端子24とを備える。制御端子24は、制御回路部19に接続している。この制御回路部19を用いて、半導体素子20(図8参照)の動作制御を行っている。また、交流端子23には、図示しない交流バスバーが接続する。この交流バスバーを介して、交流電力を上記三相交流モータ82へ供給するよう構成されている。
また、図1に示すごとく、本形態では、電力変換装置1のケース13内に、コンデンサ12を収容してある。このコンデンサ12を用いて、直流電源8(図8参照)の直流電圧を平滑化している。上記一対の直流バスバー3は、それぞれコンデンサ12に接続している。近方バスバー3Aは、コンデンサ12の正電極121に電気接続し、遠方バスバー3Bは、コンデンサ12の負電極122に電気接続している。
また、上述したように、本形態では図6に示すごとく、複数の半導体モジュール2と複数の冷却管11とを積層して積層体10を構成してある。複数の冷却管11のうち、積層体10の積層方向(X方向)における一端に位置する端部冷却管11aには、冷媒17を導入するための導入管14と、冷媒17を導出するための導出管15とが接続している。X方向において互いに隣り合う2本の冷却管11の間には、連結管16が設けられている。連結管16は、冷却管11の、Y方向における両端部に配されている。導入管14から冷媒17を導入すると、冷媒17は連結管16を通って全ての冷却管11を流れ、導出管15から導出される。これにより、個々の半導体モジュール2を冷却している。
また、電力変換装置1のケース13の壁部131と、積層体10との間には、加圧部材18(板ばね)が介在している。この加圧部材18を用いて、積層体10をX方向に加圧している。これにより、半導体モジュール2と冷却管11との接触圧を確保すると共に、積層体10をケース13内に固定している。
図2に示すごとく、遠方バスバー3Bは、上述したように、重なり部30と、平板部31と、傾斜部32と、接続部33とを備える。また、遠方バスバー3Bは、これらの他に、重なり部30と平板部31とを繋ぐ立設部36を備える。立設部36は、重なり部30から立設し、Y方向における近方端子22A側に向かうほど、Z方向において本体部21から遠くなるよう傾斜している。
また、遠方バスバー3Bの重なり部30(30B)と、近方バスバー3Aの重なり部30(30A)との間には、絶縁部材4が介在している。本形態の絶縁部材4は、絶縁紙からなる。絶縁部材4の厚さは、個々の直流バスバー3の厚さよりも薄い。
また、図3、図4、図7に示すごとく、遠方バスバー3Bの傾斜部32には、Z方向に貫通したスリット34が形成されている。スリット34は、傾斜部32から平板部31まで延びている。図2、図7に示すごとく、Z方向から見たときに、スリット34のうち平板部31に形成された部位34Aから、近方端子22Aの、Y方向における遠方端子22B側の角部221を視認できるよう構成してある。
また、図7に示すごとく、遠方バスバー3Bの接続部33には、Z方向に貫通した端子挿通孔35が形成されている。この端子挿通孔35に、遠方端子22Bを挿入してある。そして、溶接部38において、遠方端子22Bを接続部33に溶接してある。
図7に示すごとく、端子挿通孔35とスリット34とは、連結している。また、X方向において、スリット34の長さL1は、端子挿通孔35の長さL2よりも長い。
なお、上記「端子挿通孔35の長さL2」とは、端子挿通孔35のうち最も狭い部分の長さを意味する。「スリット34の長さL1」も同様である。
また、図3、図5に示すごとく、近方バスバー3Aには、Z方向に貫通した近方側端子挿通孔39が形成されている。この近方側端子挿通孔39に近方端子22Aを挿入してある。そして、近方端子22Aを近方バスバー3Aに溶接してある。
また、図2に示すごとく、本形態では、絶縁部材4の一部が、重なり部30(30A,30B)から近方端子22A側へ延出している。これにより、近方バスバー3Aと遠方バスバー3Bとの沿面距離L3を長くし、一対の直流バスバー3A,3B間の絶縁性を確保している。
本形態の作用効果について説明する。図2に示すごとく、本形態では、近方バスバー3Aを近方端子22Aに接続し、遠方バスバー3Bを遠方端子22Bに接続してある。
そのため、個々の直流バスバー3に、接続していない直流端子22を挿通させるための貫通穴を形成する必要がなくなる。したがって、一対の直流バスバー3A,3Bが互いに対向する面積を増やすことができ、直流バスバー3A,3Bに寄生するインダクタンスを低減できる。
図12、図13に示すごとく、従来の電力変換装置1は、近方バスバー3Aを遠方端子22Bに接続し、遠方バスバー3Bを近方端子22Aに接続していた。そのため、近方バスバー3Aが近方端子22Aに接触しないように、近方バスバー3Aに貫通穴9を形成し、この貫通穴9に近方端子22Aを挿入する必要があった。貫通穴9は、近方バスバー3Aと近方端子22Aとの絶縁性を確保するため、十分な大きさを確保する必要がある。そのため、貫通穴9を形成すると、一対の直流バスバー3の、互いに対向する面積が小さくなり、直流バスバー3A,3Bに寄生するインダクタンスが増加しやすい。これに対して、図2に示すごとく、本形態のように、近方バスバー3Aを近方端子22Aに接続し、遠方バスバー3Bを遠方端子22Bに接続すれば、直流バスバー3に、接続していない直流端子22を挿通するための貫通穴9を形成しなくてすむ。そのため、一対の直流バスバー3の対向面積を大きくすることができ、インダクタンスを低減できる。
また、従来のように、直流バスバー3に貫通穴9を形成する場合(図13参照)は、X方向に隣り合う2つの貫通穴9が繋がらないように、個々の貫通穴9に挿入される直流端子22Aの、X方向間隔を広げる必要がある。そのため、電力変換装置1が大型化しやすい。これに対して、本形態では、直流バスバー3に貫通穴9を形成しなくてすむため、個々の直流端子22の、X方向間隔を狭くすることができる。そのため、電力変換装置1を小型化できる。
また、本形態では図2に示すごとく、遠方バスバー3Bに上記傾斜部32を形成してある。
このようにすると、傾斜部32に連なる上記接続部33を、本体部21に近づけることができる。そのため、遠方端子22BのZ方向長さを短くすることが可能になる。したがって、遠方端子22Bに寄生するインダクタンスを低減できる。そのため、半導体素子20をスイッチング動作させたときに大きなサージが生じることを抑制できる。
また、図3に示すごとく、本形態の傾斜部32には、Y方向において個々の近方端子22Aに隣り合う位置に、Z方向に貫通したスリット34が形成されている。
このようにすると、遠方バスバー3Bの剛性を低減することができる。そのため、外部から振動が加わったときに、遠方バスバー3Bを撓ませることができる。したがって、遠方端子22Bと遠方バスバー3Bとの溶接部38に、高い応力が加わることを抑制できる。
また、スリット34を形成すると、傾斜部32と近方端子22Aとの間の最短距離を長くすることができる。すなわち、スリット34を形成すると、傾斜部32のうち、X方向において2つのスリット34の間に存在する部位320から、近方端子22Aまでの距離が、最短距離になる。そのため、傾斜部32から近方端子22Aまでの最短距離を長くすることができ、これらの間の絶縁性を高めることが可能になる。
また、図3、図7に示すごとく、本形態のスリット34は、傾斜部32から平板部31まで延びている。そして、Z方向から見たときに、スリット34のうち平板部31に形成された部位34Aから、近方端子22Aの、Y方向における遠方端子22B側の角部221を視認できるよう構成してある。
このようにすると、角部221から遠方バスバー3Bまでの最短距離を長くすることができる。角部221は、電界強度が高くなりやすい部位であるため、この角部221から遠方バスバー3Bまでの最短距離を長くすると、これらの間の絶縁性を特に高くしやすい。
また、図7に示すごとく、遠方バスバー3Bの接続部33には、Z方向に貫通し遠方端子22Bが挿通された端子挿通孔35が形成されている。端子挿通孔35とスリット34とは連結している。
このようにすると、端子挿通孔35とスリット34とを別々に形成した場合と比べて、遠方バスバー3Bの剛性をより低減することができる。そのため、外部から振動が加わったとき、遠方バスバー3Bが撓みやすくなり、遠方バスバー3Bと遠方端子22Bとの溶接部38に大きな応力が加わることを抑制できる。
また、図7に示すごとく、X方向において、スリット34の長さL1は、端子挿通孔35の長さL2よりも長い。
このようにすると、スリット34のX方向長さL1を十分に長くすることができる。したがって、遠方バスバー3Bの剛性を十分に低減でき、外部から振動が加わったときに、遠方バスバー3Bをより撓ませることができる。そのため、上記溶接部38に大きな応力が加わることを抑制できる。
また、本形態では図2に示すごとく、絶縁部材4の厚さL4は、個々の直流バスバー3の厚さよりも薄い。
そのため、一対の直流バスバー3A,3Bをより接近させることができ、これら一対の直流バスバー3A,3B間に寄生するインダクタンスをより低減できる。
また、図2に示すごとく、本形態では、絶縁部材4の一部が、重なり部30よりも近方端子22A側に延出している。
このようにすると、近方バスバー3Aから遠方バスバー3Bまでの沿面距離L3を長くすることができる。そのため、これら一対の直流バスバー3A,3B間の絶縁性をより高めることができる。
以上のごとく、本形態によれば、直流端子や直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。
以下の実施形態においては、図面に用いた符号のうち、実施形態1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施形態1と同様の構成要素等を表す。
(実施形態2)
本形態は、直流バスバー3の形状を変更した例である。図9に示すごとく、本形態では、遠方バスバー3Bの重なり部30Bと、平板部31との、Z方向における位置が互いに等しい。すなわち、重なり部30Bと平板部31との間で、遠方バスバー3Bが折り曲げられていない。
このようにすると、実施形態1と比べて、遠方バスバー3Bの曲げ回数を低減することができる。そのため、遠方バスバー3Bを容易に製造することができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
(実施形態3)
本形態は、直流端子22(22A,22B)の形状を変更した例である。図10に示すごとく、本形態では、近方端子22Aの角部221をテーパ状にしてある。
このようにすると、角部221の電界集中を抑制できる。そのため、角部221と遠方バスバー3Bとの間の絶縁性をより高めることができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
(実施形態4)
本形態は、直流端子22(22A,22B)の形状を変更した例である。図10に示すごとく、本形態では、近方端子22Aの角部221をアール状にしてある。
このようにすると、実施形態3と同様に、角部221の電界集中を抑制できる。そのため、角部221と遠方バスバー3Bとの間の絶縁性をより高めることができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。
1 電力変換装置
2 半導体モジュール
22A 近方端子
22B 遠方端子
A 近方バスバー
B 遠方バスバー
30 重なり部
31 平板部
32 傾斜部
33 接続部

Claims (5)

  1. 半導体素子(20)を内蔵した複数の半導体モジュール(2)と、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管(11)とを積層した積層体(10)と、
    直流電源(8)と上記半導体モジュールとの間の電流経路をなす一対の直流バスバー(3)とを備え、
    上記半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部(21)と、該本体部から突出しそれぞれ上記直流バスバーに接続した一対の直流端子(22)とを備え、
    個々の上記直流バスバーは、上記直流端子の突出方向(Z)において絶縁部材(4)を介して互いに重ね合わされた重なり部(30)を有し、個々の該重なり部は、上記一対の直流端子の配列方向(Y)において上記一対の直流端子の一方側に配されており、
    上記直流端子には、上記配列方向において相対的に上記重なり部に近い位置に配された近方端子(22A)と、該近方端子よりも上記重なり部から遠い位置に配された遠方端子(22B)とがあり、
    上記直流バスバーには、上記突出方向において上記重なり部が相対的に上記本体部に近い位置に配された近方バスバー(3A)と、該近方バスバーよりも上記重なり部が上記本体部から遠い位置に配された遠方バスバー(3B)とがあり、上記近方バスバーは上記近方端子に接続し、上記遠方バスバーは上記遠方端子に接続しており、
    上記遠方バスバーは、
    上記重なり部と、
    該重なり部に連なり、上記近方端子を上記突出方向から覆うと共に、その厚さ方向が上記突出方向と一致するよう配された平板部(31)と、
    該平板部から延出し、上記配列方向における上記遠方端子側に向かうほど、上記突出方向において上記本体部に近づくよう傾斜した傾斜部(32)と、
    該傾斜部に連なり上記遠方端子に接続した接続部(33)とを備える、電力変換装置(1)。
  2. 上記傾斜部には、上記配列方向において個々の上記近方端子に隣り合う位置に、上記突出方向に貫通したスリット(34)が形成されている、請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 上記スリットは、上記傾斜部から上記平板部まで延びており、上記突出方向から見たときに、上記スリットのうち上記平板部に形成された部位から、上記配列方向における上記近方端子の上記遠方端子側の角部(221)を視認可能に構成されている、請求項2に記載の電力変換装置。
  4. 上記接続部には、上記突出方向に貫通し上記遠方端子が挿通された端子挿通孔(35)が形成され、該端子挿通孔と上記スリットとが連結している、請求項2又は3に記載の電力変換装置。
  5. 上記積層体の積層方向(X)において、上記スリットの長さ(L1)は、上記端子挿通孔の長さ(L2)よりも長い、請求項4に記載の電力変換装置。
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