JP6591673B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
近年、電力変換装置の一層の小型化を図り、パワー半導体モジュールを、放熱性を有する金属製部材により保持する構造が検討されている。このような構造では、パワー半導体モジュールの入出力端子は、金属製部材に設けた開口を挿通されて、外部に突出される。
図1は、本発明の電力変換装置の一実施の形態を示す分解斜視図であり、図2は、図1に図示された電力変換装置の中間組立体の分解斜視図である。
電力変換装置10は、筐体本体11と上部カバー15とにより構成される筐体を備えている。筐体本体11は、例えば、アルミニウム合金等の金属の鋳造により形成され、上部に開口部11aが形成されたボックス状の部材である。上部カバー15は、筐体本体11の開口部11aを封口する。筐体本体11の側部には、側部カバー16が取付けられる。
筐体本体11は、冷却流路形成体であり、底部には、冷却水などの冷媒を導入する冷媒導入口12および冷媒導出口13が形成されている。冷媒導入口12および冷媒導出口13は、底部の下面に開口部を有している。
半導体モジュール30は、多数の放熱フィン31a(図5等参照)が形成された本体部31(図5等参照)、フランジ部32および端子部33を有する。6つのパワー半導体モジュール30は、例えば、モータやモータ/ジェネレータを駆動するためのU相、V相、W相用の上下アーム回路を内蔵し、三相の交流電力を出力する。
IGBT110のエミッタとIGBT120のコレクタとが接続される。この接続点にはダイオード130のアノードとダイオード140のカソードの接続点とが接続され、また、交流出力端子102が接続される。IGBT110のコレクタおよびダイオード130のカソードは直流正極性の入力端子101に接続される。IGBT120のエミッタおよびダイオード140のアノードは直流負極性の入力端子103に接続される。また、IGBT110、120のゲートは、それぞれ、信号端子であるゲート端子111、121に接続され、IGBT110、120のエミッタは、それぞれ、信号端子であるエミッタ端子112、122に接続される。
なお、図3(B)におけるTは、IGBTを示し、Dはダイオードを示す。
半導体モジュール30における多数の放熱フィン31aが形成された本体部31およびフランジ部32は、筐体本体11の収容部17内に収容される。フランジ部32の上方に金属製部材40が配置され、金属製部材40は、ねじ等の締結部材91により筐体本体11の上面に密着して固定される(図11も参照)。従って、フランジ部32と金属製部材40とは、熱結合されており、半導体モジュール30から発生される熱が金属製部材40に熱伝導されて、放熱される。
なお、図5、6においては、半導体モジュール30の放熱フィン31aは、表面および裏面において、異なる形状およびサイズに形成された構造として例示されている。
各半導体モジュール30の直流正・負極性の入力端子101、103、交流出力端子102、信号端子111〜113、121〜125は、金属製部材40の開口41を挿通されて外部に突出されている。
なお、以下の説明では、直流正・負極性の入力端子101、103、交流出力端子102を代表して入出力端子101等、信号端子111〜113、121〜125を代表して信号端子111等ということがある。
図6に図示されるように、モールドバスバー50のバスバー51の接続端子51aは、上方に向けて、すなわち、半導体モジュール30側とは反対側に向けて屈曲されている。モールドバスバー50には、半導体モジュール30の入出力端子101等および信号端子111等を挿通する開口部53が設けられている。モールドバスバー50のバスバー51の接続端子51aは、金属製部材40の開口41およびモールドバスバー50の開口部53を挿通された半導体モジュール30の入出力端子101等に密着され、該入出力端子101等に溶接等により接合される。なお、バスバー51は、直流正極性の入力端子101に接続される正極用バスバーと、直流負極性の入力端子103に接続される負極用バスバーと、交流出力端子102に接続される交流バスバーとを含む。
第1の延材部55は、断面矩形形状を有し、金属製部材40の開口41の幅方向の一方の縁41a(図5、図6参照)と、接続端子51aが接続された入出力端子101等の一面との間の空間に延在されている。第2の延材部56は、先細りの先端を有する断面三角形状を有し、金属製部材40の開口41の幅方向の他方の縁41b(図5、図6参照)と、入出力端子101等の他面、すなわち、接続端子51aが接続された一面と反対側の面との間の空間に延在されている。第1、第2の延材部55、56は、入出力端子101等の配列方向に沿って、該入出力端子101等の全長に亘る長さに形成されている。
また、第1、第2の延材部55、56は、上下方向において、金属部材40の開口部41を厚さ方向に貫通する長さとされている。
従って、金属製部材40の開口41の一方の縁41aと接続端子51aが接続された入出力端子101等の一面との間の空間距離および沿面距離は、第1、第2の延材部55、56により大きくされている。このため、金属製部材40と半導体モジュール30の入出力端子101等との絶縁性を確保することができる。
絶縁部材60は、3つの端子挿入部61と、3つの固定用弾性部62と、2つの突起部63とを有する樹脂モールド部材である。端子挿入部61間に形成された複数の凹部65は、モールド成形の際の引け防止用である。
各端子挿入部61内には、複数の仕切り片64が配列されている。
絶縁部材60は、半導体モジュール30の入出力端子101等にモールドバスバー50の接続端子51aが接合された後、モールドバスバー50に取付けられる。絶縁部材60は、各固定用弾性部62を、モールドバスバー50の固定用開口54に係合することによりモールドバスバー50に取付けられる。固定用弾性部62は、波型に延在された変形部62aと係止部62bを有している。係止部62bの下面は、先端側に向けて上昇する傾斜面とされている。絶縁部材60の各係止部62bを、モールドバスバー50の固定用開口54に位置合わせして、モールドバスバー50側に押し下げると、係止部62bの下面が固定用開口54の縁に押圧され、変形部62aが圧縮される。この状態で、絶縁部材60の各係止部62bが固定用開口54を貫通すると、変形部62aは、その復元力によりモールドバスバー50の下方で拡張する。これにより、絶縁部材60の各係止部62bは、モールドバスバー50の固定用開口54の周縁部に係合する。このように、絶縁部材60をモールドバスバー50側に押し付けるだけの簡単な作業で絶縁部材60をモールドバスバー50に固定することができ、作業の能率がよい。
絶縁部材60の両端側の端子挿入部61の上面には、それぞれ、突起部63が設けられている。突起部63の上面63aと制御回路基板70の下面70aとの隙間cは、絶縁部材60が、半導体モジュール30の入出力端子101等から離脱されるのを規制可能な寸法とされている。
(1)金属製部材40の開口41から突出された半導体モジュール30の入出力用の端子101等にモールドバスバー50のバスバー51が接続された電力変換装置10において、モールドバスバー50は、バスバー51と、金属製部材40の開口41との間の空間に延在される絶縁性の延材部55、56を有している。このため、金属製部材40と半導体モジュール30の入出力端子101等との絶縁性を確保することができ、入出力端子101等に強電圧が印加されても入出力端子101等と金属製部材40との短絡を防止することができる。
11 筐体本体(冷却流路形成体)
20 中間組立体
30 パワー半導体モジュール
40 金属製部材
41 開口
41a 一方の縁
41b 他方の縁
50 モールドバスバー(接続用部材)
51 バスバー(接続導体)
52 樹脂部
55 第1の延材部
56 第2の延材部
60 絶縁部材
64 仕切り片(仕切り部)
70 制御回路基板(規制部材、回路基板)
101、103 入力端子
102 交流出力端子
Claims (7)
- 入力用または出力用の端子を有する半導体モジュールと、
樹脂部と、前記端子に接続される接続導体が一体的に設けられた接続用部材と、
前記端子が突出される開口を備え、前記半導体モジュールを支持する金属製部材とを備え、
前記接続用部材は、前記端子と、前記金属製部材の前記開口との間の空間に延在される絶縁性の延材部を有する、電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、
前記接続用部材の前記接続導体は、前記端子の一面に接続され、
前記延材部は、前記端子の一面と前記金属製部材の前記開口の一方の縁との間の空間に延在される第1の延材部と、前記端子の前記一面に対向する他面と前記金属製部材の前記開口の他方の縁との間の空間に延在される第2の延材部とを有する、電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、
前記金属製部材と前記半導体モジュールとは熱結合されている、電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、
前記半導体モジュールを冷却する冷却流路を有する冷却流路形成体を備え、
前記金属製部材は、前記冷却流路形成体の一面を形成している、電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、
前記半導体モジュールは、複数の前記端子を有し、
さらに、前記端子の間に配置される仕切り部を有し、前記接続用部材に固定される絶縁部材を備える、電力変換装置。 - 請求項5に記載の電力変換装置において、
さらに、前記絶縁部材の前記端子からの離脱を規制する規制部材を備える、電力変換装置。 - 請求項6に記載の電力変換装置において、
前記半導体モジュールは、さらに信号端子を有し、
前記規制部材は、前記信号端子が接続される接続部を有する回路基板である、電力変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016135759 | 2016-07-08 | ||
JP2016135759 | 2016-07-08 | ||
PCT/JP2017/022451 WO2018008371A1 (ja) | 2016-07-08 | 2017-06-19 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018008371A1 JPWO2018008371A1 (ja) | 2019-02-14 |
JP6591673B2 true JP6591673B2 (ja) | 2019-10-16 |
Family
ID=60912126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018526000A Active JP6591673B2 (ja) | 2016-07-08 | 2017-06-19 | 電力変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10506744B2 (ja) |
JP (1) | JP6591673B2 (ja) |
CN (1) | CN109463033B (ja) |
DE (1) | DE112017002446T5 (ja) |
WO (1) | WO2018008371A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP7187992B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-12-13 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび車両 |
CN111315182B (zh) * | 2018-12-12 | 2022-02-08 | 台达电子工业股份有限公司 | 整合式电子装置 |
JP7133762B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2022-09-09 | 株式会社デンソー | 電力変換装置とその製造方法 |
DE102022206599A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
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EP1217638A1 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-26 | ABB Schweiz AG | Kondensator für ein Leistungshalbleitermodul |
JP4269535B2 (ja) | 2001-04-20 | 2009-05-27 | 株式会社デンソー | パワーモジュール型インバータ装置 |
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JP6409891B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2018-10-24 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
US10763190B2 (en) * | 2016-05-11 | 2020-09-01 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Power semiconductor module, power conversion device using same, and method for manufacturing power conversion device |
WO2018142864A1 (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-09 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、電気自動車およびパワーコントロールユニット |
-
2017
- 2017-06-19 WO PCT/JP2017/022451 patent/WO2018008371A1/ja active Application Filing
- 2017-06-19 JP JP2018526000A patent/JP6591673B2/ja active Active
- 2017-06-19 DE DE112017002446.3T patent/DE112017002446T5/de active Pending
- 2017-06-19 CN CN201780039642.4A patent/CN109463033B/zh active Active
- 2017-06-19 US US16/313,940 patent/US10506744B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109463033A (zh) | 2019-03-12 |
WO2018008371A1 (ja) | 2018-01-11 |
US20190230813A1 (en) | 2019-07-25 |
US10506744B2 (en) | 2019-12-10 |
JPWO2018008371A1 (ja) | 2019-02-14 |
DE112017002446T5 (de) | 2019-02-28 |
CN109463033B (zh) | 2020-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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