JP6409891B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
該半導体素子のスイッチング動作を制御する制御回路部(3)とを備え、
上記半導体素子には、上アーム側に配された上アーム半導体素子(2H)と、下アーム側に配された下アーム半導体素子(2L)とがあり、上記制御回路部によって、互いに並列に接続された複数の上記上アーム半導体素子を同時にスイッチング動作すると共に、互いに並列に接続された複数の上記下アーム半導体素子を同時にスイッチング動作するよう構成され、
上記制御回路部は、同時にスイッチング動作する複数の上記半導体素子にそれぞれ電気接続した駆動回路(30)と、上記半導体素子の制御電極(21G)と上記駆動回路とを繋ぐ制御配線(4G)と、上記半導体素子の基準電極(21KE)と上記駆動回路とを繋ぐ基準配線(4KE)とを備え、
該基準配線に寄生したインダクタンス(LKE)を、上記制御配線に寄生したインダクタンス(LG)よりも小さくしてある、電力変換装置(1)にある。
そのため、個々の半導体素子の制御電極に加わる電圧のばらつきを低減することができる。すなわち、上述したように、互いに並列に接続された複数の半導体素子を同時にスイッチング動作させると、個々の半導体素子の基準電位がばらつきやすくなる。その結果、基準電位が高い半導体素子から基準電位が低い半導体素子へ、基準配線を介して電流が流れることがある。しかしながら、本形態では、基準配線に寄生したインダクタンスを小さくしてあるため、電流が流れたときに基準配線に発生する誘導起電力ΔVを小さくすることができる。上述したように、基準電位が低い半導体素子は、制御電極にVG+ΔVが加わり、基準電位が高い半導体素子にはVG−ΔVが加わるが、本形態ではΔVを小さくすることができるため、各半導体素子の制御電極に加わる電圧のばらつきを抑制できる。そのため、基準電位が低い半導体素子の制御電極に高い電圧が加わりすぎて、この半導体素子が劣化したり、基準電位が高い半導体素子の制御電極に低い電圧しか加わらず、充分にオンしなかったりする不具合を抑制できる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
上記電力変換装置に係る実施形態について、図1〜図7を用いて説明する。図4に示すごとく、本形態の電力変換装置1は、複数の半導体素子2と、制御回路部3とを備える。半導体素子2には、上アーム側に配された上アーム半導体素子2Hと、下アーム側に配された下アーム半導体素子2Lとがある。互いに並列に接続された複数の上アーム半導体素子2Hを、制御回路部3によって、同時にスイッチング動作させている。また、互いに並列に接続された複数の下アーム半導体素子2Lを、制御回路部3によって、同時にスイッチング動作させている。
基準配線4KEに寄生したインダクタンスLKEを、制御配線4Gに寄生したインダクタンスLGよりも小さくしてある。
そのため、個々の半導体素子2の制御電極21Gに加わる電圧のばらつきを低減できる。すなわち、上述したように、並列接続された複数の半導体素子2を同時にスイッチング動作させると、個々の半導体素子2の基準電位がばらつきやすくなる。その結果、基準電位が高い半導体素子2から基準電位が低い半導体素子2へ、基準配線4KEを介して電流i流れることがある。しかしながら、本形態では、基準配線4KEに寄生したインダクタンスLKEを小さくしてあるため、基準配線4KEに発生する誘導起電力ΔVを小さくすることができる。基準電位が低い半導体素子2は、制御電極21GにVG+ΔVが加わり、基準電位が高い半導体素子2にはVG−ΔVが加わるが、本形態ではΔVを小さくすることができるため、各半導体素子2の制御電極21Gに加わる電圧のばらつきを抑制できる。そのため、基準電位が低い半導体素子2の制御電極21Gに高い電圧が加わりすぎて、この半導体素子2が劣化したり、基準電位が高い半導体素子2の制御電極21に低い電圧しか加わらず、充分にオンしなかったりする不具合を抑制できる。
そのため、基準配線4KEに寄生するインダクタンスLKEを、確実に、制御配線4Gに寄生するインダクタンスLGよりも小さくすることができる。
そのため、駆動回路30と基準用接続部5KEとを繋ぐ基準配線4KEの長さを短くすることができ、基準配線4KEに寄生するインダクタンスLKEを小さくすることができる。
そのため、基準配線4KEの長さをより短くすることができ、基準配線4KEのインダクタンスを効果的に低減させることができる。
そのため、本発明の効果を特に顕著に発揮させることができる。すなわち、図12に示すごとく、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを、それぞれ別の半導体モジュール20に内蔵させることも可能であるが、この場合、上アーム半導体素子2Hの制御電極21Gに加わる電圧は、大きくばらつきにくい。つまり、この場合、2個の上アーム半導体素子2Hは、それぞれ下アーム半導体素子2Lに個別に接続されておらず、共通の交流バスバー7Aのみを介して、下アーム半導体素子2Lに電気接続される。したがって、一方のフリーホイールダイオード28aのみがリカバリーし、他方のフリーホイールダイオード28bがリカバリーしない場合、2つの上アーム半導体素子2Hをそれぞれ流れた電流Iは、両方とも、交流バスバー7Aを通って、一方のフリーホイールダイオード28aへ流れることになる。したがって、両方の電流Iとも、交流バスバー7Aを通るため、電流経路に寄生するインダクタンスの大きさが殆ど同じになり、このインダクタンスによって発生する誘導起電力は殆ど同じ大きさになる。したがって、2個の上アーム半導体素子2Ha,2Hbの基準電極21KEの電位は、殆ど等しくなる。そのため、基準配線4KEに大きな電流iは流れず、基準配線4KEに誘導起電力ΔVは殆ど発生しない。したがって、2個の上アーム半導体素子2Ha,2Hbの制御電極21Gに加わる電圧は、殆ど等しくなる。
これに対して、図1に示すごとく、本形態のように、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとが同一の半導体モジュール20に内蔵されている場合は、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとが半導体モジュール20内において個別に接続される。そのため、一方のフリーホイールダイオード28aのみリカバリーした場合、一方の上アーム半導体素子2Haの電流Iは交流バスバー7Aを通らず、他方の上アーム半導体素子2Hbの電流Iだけ、交流バスバー7Aを通ることになる。そのため、電流経路に寄生するインダクタンスに大きな差が生じ、この差が原因となって、2個の上アーム半導体素子2Ha,2Hbの基準電位が大きく異なってしまう。したがって、基準配線4KEに電流iが流れ、基準配線4KEに誘導起電力ΔVが発生しやすい。そのため、本形態のように、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを同一の半導体モジュール20に内蔵した場合は、基準配線4KEに寄生するインダクタンスLKEを小さくすることにより、上アーム半導体素子2Hの制御電極21Gに加わる電圧のばらつきを抑制できる効果を、特に顕著に発揮させることができる。
本形態は、制御回路部5の構成を変更した例である。図8に示すごとく、本形態では、基準配線4KEの幅を、制御配線4Gの幅よりも太くしてある。これにより、基準配線4KEに寄生するインダクタンスLKEを、制御配線4Gに寄生するインダクタンスLGよりも小さくしている。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、制御回路部3の構成を変更した例である。図9に示すごとく、本形態では、上アーム接続部群50Hと下アーム接続部群50Lとの間に、2個の駆動回路30H,30Lを形成してある。個々の駆動回路30H,30Lは、Y方向において接続部群50と隣り合う位置に形成されている。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、制御回路部3の構成を変更した例である。図10に示すごとく、本形態では、個々の駆動回路30H,30Lを、Y方向における、接続部群50の一方側に配置してある。すなわち、上アーム駆動回路30Hを、Y方向における上アーム接続部群50Hの一方側に配置してあると共に、下アーム駆動回路30Lを、Y方向における下アーム接続部群50Lの一方側に配置してある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、制御回路部3の構成を変更した例である。図11に示すごとく、本形態では、上アーム接続部群50Hと下アーム接続部群50LとをX方向に交互に配置してある。駆動回路30H,30Lは、Y方向における接続部群50H,50Lの一方側に配されている。また、本形態では、実施形態1と同様に、基準配線4KEを制御配線4Gよりも短くしてある。これにより、基準配線4KEに寄生するインダクタンスLKEを、制御配線4Gに寄生するインダクタンスLGよりも小さくしている。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図12、図13に示すごとく、本形態では、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとは、それぞれ別の半導体モジュール20に内蔵されている。この場合、上述したように、複数の上アーム半導体素子2Hの基準電極21KEの電位には差が生じにくい(図12参照)が、下アーム半導体素子2Lの基準電極21KEの電位には差が生じることがある。すなわち、下アーム半導体素子2Lの基準電極21KEには負極端子24Nが接続しており、この負極端子24NのインダクタンスLNがばらつくことがある。例えば、一方の下アーム半導体素子2LaのインダクタンスLNaよりも、他方の下アーム半導体素子2LbのインダクタンスLNbの方が大きいことがある。この場合、2個の下アーム半導体素子2La,2Lbを同時にオンすると、インダクタンスLNa,LNbの違いによって、一方の下アーム半導体素子2Laよりも他方の下アーム半導体素子2Lbの方が、基準電極21KEの電位が高くなる。そのため、他方の下アーム半導体素子2Lbから一方の下アーム半導体素子2Laへ、基準配線4KEを通って電流iが流れ、基準配線4KEに誘導起電力ΔVが発生する。しかしながら、本形態では、基準配線4KEに寄生するインダクタンスLKEを小さくしてあるため、ΔVを小さくすることができる。そのため、各半導体素子2La,2Lbに加わる電圧がばらつくことを抑制できる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、制御回路部30の配置位置等を変更した例である。図14に示すごとく、本形態では、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを、それぞれ別の半導体モジュール20(20H,20L)に設けてある。また、図14、図16に示すごとく、本形態の上アーム半導体モジュール20Hは、互いに並列接続され同時にスイッチング動作する複数の上アーム半導体素子2H(2Ha,2Hb)を内蔵している。同様に、下アーム半導体モジュール20Lは、互いに並列接続され同時にスイッチング動作する複数の下アーム半導体素子2L(2La,2Lb)を内蔵している。
そのため、上アーム側と下アーム側それぞれについて、基準用接続部5KEを制御回路30に近づけつつ、上アーム接続部群50Hおよび下アーム接続部群50Lを左右対称にすることができる。したがって、制御回路基板3の構成を簡素にすることができ、設計を容易にすることができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、駆動回路30の配置位置を変更した例である。図17、図18に示すごとく、本形態では、実施形態7と同様に、基準用接続部5KEを、制御用接続部5Gよりも、これらに接続した駆動回路30に近い位置に形成してある。これにより、基準配線4KEを制御配線4Gよりも短くし、基準配線4KEのインダクタンスLKEを小さくしている。
そのため、制御回路部3を、上アーム側と下アーム側とで対称にすることができ、制御回路部3の回路構成を簡素にすることができる。そのため、制御回路部3の設計を容易に行うことができる。
又、上記構成にすると、制御回路部3をより小型化することが可能になる。すなわち、図15に示すごとく、2つの接続部群50H,50Lの間に駆動回路30H,30Lを設けることも可能であるが、この場合、接続部群50と低圧配線89との間に絶縁領域SIを確保する必要が生じる。これに対して、本形態のように、Y方向において接続部群50の外側に駆動回路30を配置すれば、接続部群50と低圧配線89との間に駆動回路30が介在するため、低圧配線89を接続部群50から遠ざけることができる。したがって、実施形態7(図15参照)のように、接続部群50と低圧配線89との間を絶縁するための専用の絶縁領域SI’を形成する必要がなくなり、制御回路部3の面積をより小さくすることができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構造、及び駆動回路30の配置位置を変更した例である。図21に示すごとく、本形態では、互いに並列に接続された複数の上アーム半導体素子2H(2Ha,2Hb)と、互いに並列に接続された複数の下アーム半導体素子2L(2La,2Lb)とを、同一の半導体モジュール20内に設けてある。
そのため、半導体モジュール20の個数を低減することができる。したがって、電力変換装置1の部品点数を減らすことができ、製造コストを低減することができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体素子2の構造を変更した例である。図22に示すごとく、本形態の半導体素子2は、制御回路部3に電気接続するための複数のパッド26を備える。これら複数のパッド26は、Y方向に配列している。複数のパッド26のうち2個のパッド26は、半導体素子2の基準電極21KEを制御回路部3に電気接続するための基準用パッド26KE(26KEa,26KEb)である。図23、図24に示すごとく、複数の基準用パッド26KE(26KEa,26KEb)のうち、Y方向において駆動回路30に近い位置に配された基準用パッド26KEを、制御回路部3に電気接続してある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図25に示すごとく、本形態では実施形態1と同様に、Y方向において、基準用接続部5KEを、制御用接続部5Gよりも、これらが接続される駆動回路30に近い位置に配置してある。これにより、基準配線4KEの長さを短くし、基準配線4KEのインダクタンスLKEを低減させている。
このようにすると、同一種類の半導体モジュール20を、上アーム半導体モジュール20H及び下アーム半導体モジュール20Lとして用いることができる。そのため、使用する半導体モジュール20の種類を少なくすることができ、電力変換装置1の製造コストを低減することができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール2の種類を変更した例である。図27に示すごとく、本形態では、互いに並列に接続された2個の上アーム半導体素子2Hを、一つの上アーム半導体モジュール20Hに設けてある。また、互いに並列に接続された2個の下アーム半導体素子2Lを、一つの下アーム半導体モジュール20Lに設けてある。これらの半導体モジュール20H,20Lは、2個のコレクタ端子24C(24Ca,24Cb)と、一個のエミッタ端子24Eとを備える。このようにコレクタ端子24Cを2個設けることにより、半導体素子2のコレクタ電極21Cに寄生するインダクタンスを均等化している。図26に示すごとく、エミッタ端子24Eは、2個のコレクタ端子24Cの間に配されている。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、駆動回路30及び電源回路31の配置位置を変更した例である。図28に示すごとく、本形態では、駆動回路30及び電源回路31を、制御回路部3の、半導体モジュール20側の面S1に配置してある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図29に示すごとく、本形態では、互いに並列に接続された2個の上アーム半導体素子2H(2Ha,2Hb)と、互いに並列に接続された2個の下アーム半導体素子2L(2La,2Lb)とを、一つの半導体モジュール20に設けてある。半導体モジュール20の出力端子24Oは、本体部200から制御回路部3とは反対側に突出した第1部分241と、該第1部分241からY方向に延出した第2部分242と、該第2部分242からZ方向における制御回路部3側に突出した第3部分243とを備える。制御回路部3には、貫通孔37が形成されている。この貫通孔37に第3部分243を挿入してある。第3部分243には、出力電流を測定するための電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構造を変更した例である。図30に示すごとく、本形態では、実施形態14と同様に、互いに並列に接続された2個の上アーム半導体素子2Hと、互いに並列に接続された2個の下アーム半導体素子2Lとを、一つの半導体モジュール20に設けてある。出力端子24Oは、本体部200から、Z方向における制御回路部3側に突出している。制御回路部3には貫通孔37が形成されており、この貫通孔37に、出力端子24Oを挿入してある。また、出力端子24Oには、出力電流を測定するための電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図31に示すごとく、本形態の出力端子24Oは、本体部200の側面209から突出し、屈曲形成されている。この出力端子24Oの先端を、制御回路部3の貫通孔37に挿入してある。また、出力端子24Oには、電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図32に示すごとく、本形態では、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを、それぞれ別の半導体モジュール20に設けてある。上アーム半導体モジュール20Hのエミッタ端子24Eと、下アーム半導体モジュール20Lのコレクタ端子24Cとを、交流バスバー7Aによって互いに接続してある。上アーム半導体モジュールのエミッタ端子24Eは屈曲形成され、制御回路部3の貫通孔37に挿入されている。このエミッタ端子24Eに、出力電流を測定するための電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図33に示すごとく、本形態では、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを、それぞれ別の半導体モジュール20に設けてある。上アーム半導体モジュール20Hは、第1エミッタ端子24Eaと第2ミッタ端子24Ebとの、2個のエミッタ端子24Eを備える。上記第1エミッタ端子24Eaと、下アーム半導体モジュール20Lのコレクタ端子24Cとを、交流バスバー7Aによって接続してある。第2エミッタ端子24Ebは、上アーム半導体モジュール20Hの本体部200から、Z方向における制御回路部3側に突出している。第2エミッタ端子24Ebは、制御回路部3の貫通孔37に挿入されている。第2エミッタ端子24Ebに、電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図34に示すごとく、本形態では、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを、それぞれ別の半導体モジュール20に設けてある。上アーム半導体モジュール20Hの第1エミッタ端子24Eaと、下アーム半導体モジュール20Lのコレクタ端子24Cとを、交流バスバー7Aによって接続してある。上アーム半導体モジュール20Hの本体部200の側面209から、第2エミッタ端子24Ebが突出している。第2エミッタ端子24Ebは屈曲しており、制御回路部3の貫通孔37に挿入されている。第2エミッタ端子24Ebに電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である図35に示すごとく、本形態では、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを、それぞれ別の半導体モジュール20に設けてある。下アーム半導体素子2Lのコレクタ端子24Cは、本体部200から突出しており、屈曲している。このコレクタ端子24Cを、制御回路部3の貫通孔37に挿入してある。コレクタ端子24に電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図36に示すごとく、本形態では、上アーム半導体素子2Hと下アーム半導体素子2Lとを、それぞれ別の半導体モジュール20に設けてある。下アーム半導体モジュール2Lは、第1コレクタ端子24Caと第2コレクタ端子24Cbとの、2個のコレクタ端子24Cを備える。上アーム半導体モジュール20Hのエミッタ端子24Eと、下アーム半導体モジュール20Lの第1コレクタ端子24Caとを、交流バスバー7Aによって接続してある。下アーム半導体モジュール20Lの第2コレクタ端子24Cbは、本体部200から制御回路部3側へ突出しており、貫通孔37に挿入されている。第2コレクタ端子24Cbに電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、半導体モジュール20の構成を変更した例である。図37に示すごとく、本形態の下アーム半導体モジュール20Lは、第1コレクタ端子24Caと第2コレクタ端子24Cbとの、2個のコレクタ端子24Cを備える。第1コレクタ端子24Caは、上アーム半導体モジュール20Hのエミッタ端子24Eに接続されている。第2コレクタ端子24Cbは、本体部200の側面209から突出しており、屈曲形成されている。この第2コレクタ端子24Cbを、制御回路部3の貫通孔37に挿入してある。第2コレクタ端子24Cbに、電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、交流バスバー7Aの構成を変更した例である。図38に示すごとく、本形態の交流バスバー7Aは、上アーム半導体モジュール20Hのエミッタ端子24Eと、下アーム半導体モジュール20Lのコレクタ端子24Cとを接続している。交流バスバー7Aは屈曲形成され、制御回路部3の貫通孔37に挿入されている。交流バスバー7Aに、電流センサ88を取り付けてある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
2 半導体素子
2H 上アーム半導体素子
2L 下アーム半導体素子
21G 制御電極
21KE 基準電極
3 制御回路部
30 駆動回路
4G 制御配線
4KE 基準配線
Claims (13)
- 複数の半導体素子(2)と、
該半導体素子のスイッチング動作を制御する制御回路部(3)とを備え、
上記半導体素子には、上アーム側に配された上アーム半導体素子(2H)と、下アーム側に配された下アーム半導体素子(2L)とがあり、上記制御回路部によって、互いに並列に接続された複数の上記上アーム半導体素子を同時にスイッチング動作すると共に、互いに並列に接続された複数の上記下アーム半導体素子を同時にスイッチング動作するよう構成され、
上記制御回路部は、同時にスイッチング動作する複数の上記半導体素子にそれぞれ電気接続した駆動回路(30)と、上記半導体素子の制御電極(21G)と上記駆動回路とを繋ぐ制御配線(4G)と、上記半導体素子の基準電極(21KE)と上記駆動回路とを繋ぐ基準配線(4KE)とを備え、
該基準配線に寄生したインダクタンス(LKE)を、上記制御配線に寄生したインダクタンス(LG)よりも小さくしてある、電力変換装置(1)。 - 上記基準配線の配線長を、上記制御配線の配線長よりも短くしてある、請求項1に記載の電力変換装置。
- 上記基準配線の幅を、上記制御配線の幅よりも太くしてある、請求項1又は2に記載の電力変換装置。
- 上記制御回路部には、該制御回路部を上記半導体素子に電気接続するための複数の接続部(5)が形成され、上記駆動回路は、複数の上記接続部の配列方向において、該複数の接続部からなる接続部群(50)に隣り合う位置に形成され、上記接続部として、上記半導体素子の上記基準電極に電気接続するための基準用接続部(5KE)と、上記制御電極に電気接続するための制御用接続部(5G)とを備え、上記基準用接続部と上記駆動回路とを上記基準配線によって接続してあると共に、上記制御用接続部と上記駆動回路とを上記制御配線によって接続してあり、上記配列方向において、上記基準用接続部は、上記制御用接続部よりも、これらに接続した上記駆動回路に近い位置に形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電力変換装置。
- 上記複数の接続部のうち上記配列方向において上記駆動回路に最も近い位置に形成された上記接続部を、上記基準用接続部としてある、請求項4に記載の電力変換装置。
- 上記接続部群として、上記上アーム半導体素子に接続するための上アーム接続部群(50H)と、上記下アーム半導体素子に接続するための下アーム接続部群(50L)とを備え、上記駆動回路として、上記上アーム半導体素子に接続した上アーム駆動回路(30H)と、上記下アーム半導体素子に接続した下アーム駆動回路(30L)とを備え、上記配列方向において、上記上アーム接続部群と上記下アーム接続部群との間に、上記上アーム駆動回路および上記下アーム駆動回路が配されている、請求項4又は5に記載の電力変換装置。
- 上記接続部群として、上記上アーム半導体素子に接続するための上アーム接続部群と、上記下アーム半導体素子に接続するための下アーム接続部群とを備え、上記駆動回路として、上記上アーム半導体素子に接続した上アーム駆動回路と、上記下アーム半導体素子に接続した下アーム駆動回路とを備え、上記配列方向において、上記上アーム駆動回路と、上記上アーム接続部群と、上記下アーム接続部群と、上記下アーム駆動回路とが、この順に配されている、請求項4又は5に記載の電力変換装置。
- 上記接続部群を構成する複数の上記接続部は、上記半導体素子の、互いに異なる電極にそれぞれ電気接続しており、上記配列方向の一方側から他方側へ向かったときにおける、上記上アーム接続部群を構成する個々の上記接続部の、上記電極への接続順と、上記下アーム接続部群を構成する個々の上記接続部の、上記電極への接続順とは、互いに逆にされている、請求項6又は7に記載の電力変換装置。
- 上記半導体素子は、上記制御回路部に電気接続するための、上記配列方向に並べられた複数のパッド(26)を備え、該複数のパッドのうち少なくとも2個の上記パッドは、上記基準電極を上記制御回路部に電気接続するための基準用パッド(26KE)であり、複数の該基準用パッドのうち、上記配列方向において上記駆動回路に近い位置に配された上記基準用パッドを、上記制御回路部に電気接続してある、請求項4〜8のいずれか一項に記載の電力変換装置。
- 上記複数のパッドのうち、上記配列方向における両端に位置する上記パッドを、それぞれ上記基準用パッドとしてある、請求項9に記載の電力変換装置。
- 上記上アーム半導体素子と上記下アーム半導体素子とが同一の半導体モジュール(20)に内蔵されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の電力変換装置。
- 互いに並列に接続され同時にスイッチング動作する複数の上記半導体素子が、同一の半導体モジュールに内蔵されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載の電力変換装置。
- 上記上アーム半導体素子を内蔵した上アーム半導体モジュール(20H)と、上記下アーム半導体素子を内蔵した下アーム半導体モジュール(20L)との、2種類の半導体モジュールを備え、個々の該半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部(200)と、該本体部から突出し上記接続部に接続される複数の制御端子(25)とを備え、上記上アーム半導体モジュールと上記下アーム半導体モジュールとは上記配列方向に並べられ、これら2個の上記半導体モジュールの間に存在し上記制御端子の突出方向(Z)に平行な回転軸(A)を中心に上記上アーム半導体モジュールを180°反転させた姿勢で、上記下アーム半導体モジュールを上記制御回路部に接続してある、請求項4〜8のいずれか一項に記載の電力変換装置。
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