JP4973697B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 124
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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Description
そして、半導体素子とコンデンサとはバスバーによって接続されている。
そこで、閉回路の内側の面積を小さくすることによって、上記閉回路におけるインダクタンスを低減する技術が開示されている(特許文献1、2)。
上記複数の半導体モジュールには、上記コンデンサにおける正極側に接続される正極側半導体モジュールと、上記コンデンサにおける負極側に接続される負極側半導体モジュールとが存在し、
上記正極側半導体モジュールは、上記コンデンサに接続される正極端子と、上記負極側半導体モジュールに接続される第1中間端子とを突出形成してなり、
上記負極側半導体モジュールは、上記コンデンサに接続される負極端子と、上記正極側半導体モジュールに接続される第2中間端子とを突出形成してなり、
上記正極端子は上記コンデンサに対して正極バスバーによって接続され、
上記負極端子は上記コンデンサに対して負極バスバーによって接続され、
上記第1中間端子と上記第2中間端子とは、互いに中間バスバーによって接続され、
上記正極側半導体モジュールと、上記負極側半導体モジュールと、上記コンデンサと、上記正極バスバーと、上記負極バスバーと、上記中間バスバーとは、一つの閉回路を構成しており、
上記半導体モジュールの本体部、上記正極バスバー、上記負極バスバー、及び上記中間バスバーは、上記閉回路に閉じた電流が流れたとき、上記本体部、上記正極バスバー、上記負極バスバー、及び上記中間バスバーのそれぞれに流れる電流の方向が、隣同士で逆向きとなるように積層配置されており、
上記正極側半導体モジュールと上記負極側半導体モジュールとは、上記正極端子と上記負極端子が隣り合うように並列配置されており、また、上記コンデンサは、上記負極側半導体モジュールにおける上記正極側半導体モジュールと反対側の位置に配置されており、
上記正極バスバーが、上記コンデンサに近い部位を上記中間バスバーよりも上記負極バスバーに近接させ、上記正極端子に近い部位を上記負極バスバーよりも上記中間バスバーに近接させるように、上記コンデンサ側へ向かうにしたがい上記中間バスバー側から上記負極バスバー側へ屈曲した部位を有すると共に、上記中間バスバーと上記負極バスバーとの間に挟まれた状態で、上記中間バスバー、上記正極バスバー、上記負極バスバーは、この順に、上記半導体モジュールの本体部との距離が小さい状態で並列に配置されていることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
上記閉回路のうちの隣り合う一部の導電部において互いに同じ方向の電流が流れる構成となっていると、上述のごとく、その部分のインダクタンスは大きくなってしまう。逆に、隣り合う導電部における電流の方向を逆向きにすることにより、その部分のインダクタンスを低減することができる。
また、上記正極側半導体モジュールと上記負極側半導体モジュールとは、上記正極端子と上記負極端子が隣り合うように並列配置されており、また、上記コンデンサは、上記負極側半導体モジュールにおける上記正極側半導体モジュールと反対側の位置に配置されており、上記中間バスバー、上記正極バスバー、上記負極バスバーは、この順に、上記半導体モジュールの本体部との距離が小さい状態で配置されている。
これにより、それぞれ互いに隣り合う、半導体モジュールの本体部と中間バスバー、中間バスバーと正極バスバー、正極バスバーと負極バスバーとにおいて、いずれも逆向きの電流が流れることとなる。その結果、上記閉回路のインダクタンスを確実に低減することができる。
本発明の実施例にかかる電力変換装置につき、図1〜図4を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図1、図2に示すごとく、半導体素子を内蔵した複数の半導体モジュール2と、該半導体モジュール2に接続された電圧源となるコンデンサ3とを有する。
上記複数の半導体モジュール2には、コンデンサ3における正極側に接続される正極側半導体モジュール2pと、コンデンサ3における負極側に接続される負極側半導体モジュール2nとが存在する。
負極側半導体モジュール2nは、コンデンサ3に接続される負極端子23と、正極側半導体モジュール2pに接続される第2中間端子222とを突出形成してなる。
負極端子23はコンデンサ3に対して負極バスバー43によって接続されている。
第1中間端子221と第2中間端子222とは、互いに中間バスバー42によって接続されている。
中間バスバー42は、本例の電力変換装置1が駆動する三相交流の回転電機における電極に適宜接続されている(図示略)。
上記電力変換装置1においては、半導体モジュール2の本体部24、正極バスバー41、負極バスバー43、及び中間バスバー42は、閉回路に閉じた電流が流れたとき、本体部24、正極バスバー41、負極バスバー43、及び中間バスバー42のそれぞれに流れる電流iの方向が、隣同士で逆向きとなるように積層配置されている。これにより、閉回路におけるインダクタンスを低減することができる。
この閉回路における電流変化について、以下に具体的に説明する。
下アーム側の半導体素子201がオンのときには、図3(A)に示すごとく、電流経路は、コンデンサ3の正極側からインダクタ11を通り、下アーム側の半導体素子201を通り、コンデンサ3の負極側へ戻る経路となる。
更に、図3(C)に示すごとく、下アーム側の半導体素子201が完全にオフとなった状態では、上アーム側のダイオード202とインダクタ11とを繋ぐ閉回路に電流が流れることとなる。
このような電流の変化が順次生じることにより、回路に高周波電流が流れることとなる。
そして、交流成分IACの変化、すなわち電流変化率di/dtの発生により、インダクタンスの大きい回路にはサージ電圧Vが生じる。
すなわち、サージ電圧をV、インダクタンスをL、電流変化率をdi/dtとしたとき、サージ電圧は、V=−L(di/dt)によって得られるため、インダクタンスLが大きくなるとサージ電圧Vは大きくなる。したがって、インダクタンスLを低減する必要がある。
本例は、図5に示すごとく、コンデンサ3が、正極側半導体モジュール2pにおける負極側半導体モジュール2nと反対側の位置に配置されている例である。
そして、中間バスバー42、負極バスバー43、正極バスバー41は、この順に、半導体モジュール2の本体部24との距離が小さい状態で配置されている。
これにより、正極バスバー41は負極バスバー43よりも半導体モジュール2の本体部24から遠い位置に配されることとなる。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図6に示すごとく、閉回路に閉じた電流が流れたとき、半導体モジュール2の本体部24、正極バスバー41、負極バスバー43、及び中間バスバー42のそれぞれに流れる電流の方向が、隣同士で同一方向となる部分(破線円D内を参照)を有する電力変換装置9の例である。
すなわち、本例においては、中間バスバー42と負極バスバー43とが隣り合うように積層配置され、両者に流れる電流iの方向が同一となる。
その他は、実施例1と同様である。
そのため、上述のごとく、閉回路のインダクタンスを小さくすることができ、半導体素子のスイッチング切替時におけるサージ電圧の発生を抑制することができる。
2 半導体モジュール
2p 正極側半導体モジュール
2n 負極側半導体モジュール
21 正極端子
221 第1中間端子
222 第2中間端子
23 負極端子
24 本体部
3 コンデンサ
41 正極バスバー
42 中間バスバー
43 負極バスバー
Claims (1)
- 半導体素子を内蔵した複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続された電圧源となるコンデンサとを有する電力変換装置であって、
上記複数の半導体モジュールには、上記コンデンサにおける正極側に接続される正極側半導体モジュールと、上記コンデンサにおける負極側に接続される負極側半導体モジュールとが存在し、
上記正極側半導体モジュールは、上記コンデンサに接続される正極端子と、上記負極側半導体モジュールに接続される第1中間端子とを突出形成してなり、
上記負極側半導体モジュールは、上記コンデンサに接続される負極端子と、上記正極側半導体モジュールに接続される第2中間端子とを突出形成してなり、
上記正極端子は上記コンデンサに対して正極バスバーによって接続され、
上記負極端子は上記コンデンサに対して負極バスバーによって接続され、
上記第1中間端子と上記第2中間端子とは、互いに中間バスバーによって接続され、
上記正極側半導体モジュールと、上記負極側半導体モジュールと、上記コンデンサと、上記正極バスバーと、上記負極バスバーと、上記中間バスバーとは、一つの閉回路を構成しており、
上記半導体モジュールの本体部、上記正極バスバー、上記負極バスバー、及び上記中間バスバーは、上記閉回路に閉じた電流が流れたとき、上記本体部、上記正極バスバー、上記負極バスバー、及び上記中間バスバーのそれぞれに流れる電流の方向が、隣同士で逆向きとなるように積層配置されており、
上記正極側半導体モジュールと上記負極側半導体モジュールとは、上記正極端子と上記負極端子が隣り合うように並列配置されており、また、上記コンデンサは、上記負極側半導体モジュールにおける上記正極側半導体モジュールと反対側の位置に配置されており、
上記正極バスバーが、上記コンデンサに近い部位を上記中間バスバーよりも上記負極バスバーに近接させ、上記正極端子に近い部位を上記負極バスバーよりも上記中間バスバーに近接させるように、上記コンデンサ側へ向かうにしたがい上記中間バスバー側から上記負極バスバー側へ屈曲した部位を有すると共に、上記中間バスバーと上記負極バスバーとの間に挟まれた状態で、上記中間バスバー、上記正極バスバー、上記負極バスバーは、この順に、上記半導体モジュールの本体部との距離が小さい状態で並列に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153145A JP4973697B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 電力変換装置 |
US12/824,561 US8410640B2 (en) | 2009-06-29 | 2010-06-28 | Electric power converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153145A JP4973697B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011010496A JP2011010496A (ja) | 2011-01-13 |
JP4973697B2 true JP4973697B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=43380011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009153145A Active JP4973697B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 電力変換装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8410640B2 (ja) |
JP (1) | JP4973697B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
JP5993562B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2016-09-14 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及びその製造方法 |
JP4908657B1 (ja) * | 2011-10-18 | 2012-04-04 | 清 野口 | 三脚に取り付ける交換レンズケース |
JP5768655B2 (ja) * | 2011-10-25 | 2015-08-26 | トヨタ自動車株式会社 | 電力変換装置 |
JP5785119B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-09-24 | トヨタ自動車株式会社 | 電力供給装置 |
JP5747857B2 (ja) | 2012-04-06 | 2015-07-15 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP5488638B2 (ja) | 2012-04-11 | 2014-05-14 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP5734364B2 (ja) * | 2012-11-22 | 2015-06-17 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP5655846B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2015-01-21 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP6171586B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2017-08-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10014794B2 (en) * | 2015-07-28 | 2018-07-03 | Ford Global Technologies, Llc | Power inverter assembly for a vehicle |
US10137798B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-11-27 | Ford Global Technologies, Llc | Busbars for a power module assembly |
JP6206569B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2017-10-04 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
WO2018070110A1 (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社デンソー | 電流センサ装置 |
JP6631562B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-01-15 | 株式会社デンソー | 電流センサ装置 |
JP6631463B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2020-01-15 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP6643972B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2020-02-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | バスバ構造およびそれを用いた電力変換装置 |
JP6950326B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-10-13 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP7003964B2 (ja) * | 2019-04-05 | 2022-01-21 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
CN113437908A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-09-24 | 合肥阳光电动力科技有限公司 | 开关电路及其开关布局结构、电机控制器、变换器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3830669B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2006-10-04 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP3811878B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2006-08-23 | 株式会社日立製作所 | 電力変換器の主回路構造 |
JP4285435B2 (ja) | 2005-04-05 | 2009-06-24 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP2008253055A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Denso Corp | 電力変換装置 |
-
2009
- 2009-06-29 JP JP2009153145A patent/JP4973697B2/ja active Active
-
2010
- 2010-06-28 US US12/824,561 patent/US8410640B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8410640B2 (en) | 2013-04-02 |
JP2011010496A (ja) | 2011-01-13 |
US20100327949A1 (en) | 2010-12-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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