JP5785119B2 - 電力供給装置 - Google Patents
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Description
図10の端子41,51,61は正極端子であり、44,54,64は負極端子であり、45,55,65は中間端子であり、76,77,78はバスバである。また、端子12,13,22,23,32,33,42,43,52,53,62,63は、対応するスイッチング素子のオン・オフを切換えるゲート電圧を接続する端子である。
中間端子15a,15b,25a,25b,35a,35b,45a,45b,55a,55b,65a,65bは低く、図9のAで示す高さ範囲にのみ存在する。負極端子14,24,34,44,54,64は高く、図9のA〜Cで示す高さ範囲に存在する。正極端子11,21,31,41,51,61は中間高さにまで伸びており、図9のA〜Bで示す高さ範囲に存在する。
図10に示したように、特許文献1のモジュールは1相分の回路を構成するが、各モジュールが、図9の添え字a,bで示す一対の中間端子を備えている。
正極端子11,21,31,41,51,61には正極バスバ70が接続される。正極バスバ70には、負極端子14,24,34,44,54,64が通過する穴が形成されており、正極バスバ70と負極端子14,24,34,44,54,64は絶縁される。負極端子14,24,34,44,54,64には、負極バスバ72が接続される。なお図10の端子12,13,22,23,32,33,42,43,52,53,62,63等は、モジュールの下面から下方に伸びており、各々が図9では図示しない制御線に接続される。
回路のインダクタンスが大きいと、スイッチング素子のスイッチング動作にともなってスイッチング素子に大きなサージ電圧が印加される。サージ電圧が大きいと、スイッチング素子に必要とされる耐圧能力が厳しいものとなってしまう。あるいは、スイッチング素子に印加されるサージ電圧を抑えるためにスイッチング速度を遅くする必要がある。その場合にはスイッチング損失が大きくなってしまう。
上記事情から、スイッチング素子のスイッチング動作にともなって電流値が変化する回路のインダクタンスを低く抑えることが要求されている。すなわち、正極バスバと正極端子と負極端子とモジュールによって取り囲まれる閉ループの面積S1を小さくしてインダクタンスの増大を防止する技術が必要とされている。負極バスバ72がモジュール60側に配置されている場合には、負極バスバと正極端子と負極端子とモジュールによって取り囲まれる閉ループの面積を小さくしてインダクタンスの増大を防止する技術が必要とされている。
この場合、対向する正極端子側凸部と負極端子側凸部に誘起される電流方向が逆になって、ループを通過する磁束を低減する。またループを通過する磁束に及ぼす影響についてみると、正極端子側凸部と負極端子側凸部の間に実質的な隙間がないと評価することができ、インダクタンスを増大させる閉ループ面積が極小化される。
この場合、バスバを流れる電流によって生じる磁束を打ち消す電流が延長部に誘起される。インダクタンスを低減することができる。
特徴1:インバータの1相分に相当する一対のスイッチング素子と一対のダイオードがモジュール化されている。モジュール内において一対のスイッチング素子は直列に接続されている。モジュールから、正極端子と負極端子と中間端子が露出している。正極端子は一対のスイッチング素子の直列回路の一端に接続されており、負極端子はその直列回路の他端に接続されており、中間端子はスイッチング素子とスイッチング素子を接続する配線に接続されている。
特徴2:インバータの1相分の半分に相当するスイッチング素子とダイオードがモジュール化されており、2個のモジュールを接続して1相分が完成する。一方のモジュールは、正極端子と、中間端子と、その間に挿入されているスイッチング素子を備えている。他方のモジュールは、中間端子と、負極端子と、その間に挿入されているスイッチング素子を備えている。一方のモジュールの中間端子と他方のモジュールの中間端子を接続して用いる。
特徴3:モジュールの同一面から、正極端子と負極端子と中間端子が伸びている。
特徴4:中間端子から伸びているバスバがモジュールに近い位置を伸びており、正極端子から伸びているバスバと負極端子から伸びているバスバがモジュールから遠い位置を伸びている。
特徴5:正極バスバとモジュールの間、あるいは負極バスバとモジュールの間に距離があり、その距離内に、正極端子側凸部、及び/又は、負極端子側凸部が存在する。
特徴6:一方の端子に隣接する位置を通過して他方の端子に接続されているバスバに沿って、一方の端子から他方の端子に向けて伸びている延長部が形成されている。例えば、直流電源と負極端子と正極端子の順で配置されている場合、正極バスバは負極端子に隣接する位置を通過して正極端子に接続されている。その場合、負極端子から正極端子に向けて正極バスバに沿って伸びている延長部が形成されていることが有用である。延長部を形成すると、バスバを流れる電流によって生じる磁束を打ち消す電流が延長部に誘起されるので、インダクタンスを低減することができる。この技術は、正極端子側凸部及び/又は負極端子側凸部と組み合わせて用いてもいし、単独で用いてもよい。
図2は図1の端子形状を改善してインダクタンスを低減した実施例1を示している。実施例1では、Aに示す高さ範囲内において、正極端子61から負極端子64に向けて伸びている正極端子側凸部61a、及び、負極端子64から正極端子61に向けて伸びている負極端子側凸部64aが形成されている。これによって、図1に示した閉ループの面積S1が減少し、閉ループの存在によってインダクタンスが増大する現象を抑制している。正極端子側凸部61a、及び、負極端子側凸部64aには、閉ループを通過する磁束を打ち消す電流が誘起される。
高さ範囲Aは、中間バスバを配置するために、正極バスバを配置することができない高さである。正極端子側凸部61aと負極端子側凸部64aは、正極端子61と正極バスバ70の接続箇所70aとモジュール60の間に位置する高さ範囲に形成されている。すなわち、正極バスバ70とモジュール60の間隙に、正極端子側凸部61aと負極端子側凸部64aが形成されている。
図2において、左下がりハッチ範囲70a,72aは、端子とバスバが接続されている範囲を示し、右下がりハッチ範囲70bは端子に隣接する位置をバスバが通過している範囲を示している。正極バスバ70は、負極端子64に隣接する位置を通過しており、負極端子64に接触していない。図1(a)に示すように、両者間には間隙Gが設けられている。間隙Gによって、正極バスバ70と負極端子64が絶縁されている。
図2では、正極バスバ70がモジュール60に近く、負極バスバ72がモジュール60から遠い。逆に、負極バスバ72がモジュール60に近く、正極バスバ70がモジュール60から遠い場合もある。この場合は、負極バスバ72とモジュール60の間隙に、正極端子側凸部61aと負極端子側凸部64aを形成する。
図2では、正極端子側凸部61aと負極端子側凸部64aの双方を形成している。これに代えて、正極端子側凸部61aのみを設けてもよいし、負極端子側凸部64aのみを設けてもよい。正極端子側凸部61aのみを設けてもループ面積S1を減少することができる。負極端子側凸部64aのみを設けてもループ面積S1を減少することができる。正極端子側凸部61aのみを設ける場合には、負極端子64に十分に接近する長さとすることが好ましい。同様に、負極端子側凸部64aのみを設ける場合には、正極端子61に十分に接近する長さとすることが好ましい。
図3に示す実施例2では、正極端子側凸部61bと負極端子側凸部64bが、x方向にずれており、x方向から見ると重複している実施例を示す。この実施例では、正極端子側凸部61bを形成する板状部と、負極端子側凸部64bを形成する板状部が、x方向に距離を隔てて対向している。正極端子側凸部61bと負極端子側凸部64bは、空間距離によって絶縁されている。
この実施例の場合、重複する正極端子側凸部61bと負極端子側凸部64bに誘起される電流方向が逆になって、ループを通過する磁束を低減する。またループを通過する磁束に及ぼす影響についてみると、正極端子側凸部61bと負極端子側凸部64bの間に実質的な隙間がないと評価することができ、インダクタンスを増大させる閉ループ面積が極小化される。なお、先に説明した実施例と同じ事象については重複説明を省略する。
図4に示す実施例3では、実施例1に加えて、負極端子64から正極端子61に向けて正極バスバ70に沿って伸びる延長部64cが形成されている。延長部64cと正極バスバ70の間は絶縁されている。すなわち、図1(a)に示すようにして、延長部64cと正極バスバ70の間に距離がおかれている。
この実施例では、正極バスバ70を流れる電流によって生じる磁束を打ち消す電流が延長部64cに誘起される。インダクタンスを実施例1よりもさらに低減することができる。
正極端子側凸部61bと負極端子側凸部64bを設ける代わりに、図5に示すように、負極端子側凸部64eのみを設けてもよい。負極端子側凸部64eを正極端子61に近づくまで突出させれば、正極端子側凸部61bと負極端子側凸部64bの両者を設けるのと同等の作用効果を得ることができる。図示はしないが、逆に、正極端子側凸部のみを設けてもよい。
また、延長部64dを正極端子61に十分に近づくまで延長させてもよい。
図6に示すように、正極バスバ70に沿って伸びる庇状の延長部64fを付加してもよい。
実施例1から5では、正極バスバとモジュールの間に凸部を形成している。あるいは、負極バスバとモジュールの間に凸部を形成している。延長部のみを形成し、凸部を用いない技術も有用である。
図7と図8では、正極バスバ70とモジュール60が接近しており、正極バスバ70とモジュール60の間に、凸部を形成する必要がない場合を示している。インバータの1相分に相当する一対のスイッチング素子と一対のダイオードがモジュール化されており、それぞれが1個の正極端子と負極端子と中間端子が露出しているモジュールを用いる場合には、中間バスバとの干渉を避けながら、正極バスバと負極バスバをモジュールに近づけることができる。
そのよう場合でも、図7に示すように、延長部64dを設けることが有用であり、インダクタンスを低減することができる。図8に示すように、庇状の延長部64fを設けることもインダクタンスの低減に有用である。
上記実施例では、モジュール60について説明した。モジュール10から50についても同様である。各々のモジュールは、特許文献2に示されているように、上段用と下段用に分割されていてもよいし、特許文献1に示されているように、上段用と下段用が一つのモジュールに集約されていてもよい。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
4:昇圧回路
6:コンデンサ
10,20,30,40,50,60:モジュール
11,21,31,41,51,61:正極端子
61a,61b:正極側凸部
12,13,22,23,32,33,42,43,52,53,62,63:制御端子
14,24,34,44,54,64:負極端子
64a,64b,64e;負極側凸部
64c,64d,:64f:延長部
15a,15b,25a,25b,35a,35b,45a,45b,55a,55b,65a,65b:中間端子
70:正極バスバ
72:負極バスバ
Claims (3)
- スイッチング素子を内蔵しているとともに正極端子と負極端子が露出しているモジュールと、
前記正極端子に接続されている正極バスバと、
前記負極端子に接続されている負極バスバを備えており、
前記正極端子と前記負極端子の間を前記正極バスバと前記負極バスバの一方が延びており、
前記一方のバスバと前記モジュールの間隙を前記正極端子から前記負極端子に向けて伸びている正極端子側凸部、及び/又は、前記間隙を前記負極端子から前記正極端子に向けて伸びている負極端子側凸部が形成されており、
前記正極端子側凸部、及び/又は、前記負極端子側凸部の存在によって、前記正極端子側凸部と前記負極端子側凸部が形成されていなければ前記一方のバスバと前記正極端子と前記負極端子と前記モジュールの間に形成される閉ループの面積が減少していることを特徴とする電力供給装置。 - 前記正極端子側凸部と前記負極端子側凸部の両者を備えており、
前記正極端子側凸部を形成する板状部と前記負極端子側凸部を形成する板状部が間隙を隔てて対向する位置関係にあることを特徴とする請求項1の電力供給装置。 - 前記正極端子と前記負極端子の一方の端子に隣接する位置を通過して他方の端子に接続されている前記一方のバスバに沿って、前記一方の端子から前記他方の端子に向けて伸びている延長部が形成されていることを特徴とする請求項1または2の電力供給装置。
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