WO2018070110A1 - 電流センサ装置 - Google Patents

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WO2018070110A1
WO2018070110A1 PCT/JP2017/030225 JP2017030225W WO2018070110A1 WO 2018070110 A1 WO2018070110 A1 WO 2018070110A1 JP 2017030225 W JP2017030225 W JP 2017030225W WO 2018070110 A1 WO2018070110 A1 WO 2018070110A1
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WO
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bus bar
current sensor
wall surface
sensor device
terminal
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/030225
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English (en)
French (fr)
Inventor
江介 野村
亮輔 酒井
卓馬 江坂
達明 杉戸
Original Assignee
株式会社デンソー
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Publication date
Priority claimed from JP2017042063A external-priority patent/JP6631562B2/ja
Application filed by 株式会社デンソー filed Critical 株式会社デンソー
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Priority to US16/376,131 priority Critical patent/US10962573B2/en

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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode

Definitions

  • the present disclosure relates to a current sensor device.
  • Patent Document 1 discloses a current sensor device (bus bar module) that is arranged with respect to a semiconductor device including a switching element and a plate-like terminal.
  • the current sensor device includes a bus bar having one end connected to a terminal of a semiconductor device (power card) and the other end connected to a power cable that supplies power to the motor, a current sensor that detects a current flowing through the bus bar, and a bus bar And a resin portion that integrally holds the current sensor.
  • the terminal and bus bar are connected (for example, welded) in the thickness direction of the terminal.
  • the terminal and the bus bar are connected so that the thickness direction of the terminal and the plate thickness direction of the bus bar are in the same direction.
  • the position of the terminal varies in the thickness direction of the terminal. For this reason, one end of the bus bar of the current sensor device and the terminal of the semiconductor device must be pressed using a positioning member such as a clamp and connected in this positioned state.
  • the bus bar is formed by pressing (punching) a metal plate, burrs are generated on one surface side in the plate thickness direction. Therefore, when connecting one end of the bus bar and the terminal of the semiconductor device, the terminal must be connected to the surface on the side where no burr is generated.
  • the conventional current sensor device has low assemblability with the plate-like terminal.
  • This disclosure is intended to provide a current sensor device that is excellent in assembling with a plate-like terminal in a semiconductor device.
  • a current sensor device is a current sensor device that is disposed with respect to a semiconductor device that includes a switching element and a plate-like terminal electrically connected to the switching element. And a bus bar connected to the terminal in the thickness direction of the terminal, a magnetoelectric conversion element that detects a current flowing through the bus bar, and a resin portion that integrally holds the magnetoelectric conversion element and the bus bar.
  • the bus bar is partitioned by a wall surface at one end protruding from the resin portion, and has a through portion that penetrates the bus bar in the thickness direction of the bus bar, and a pair of opposed wall surfaces facing each other as a wall surface, and a pair of opposed wall surfaces At least one of is connected to the terminal.
  • the through portion is formed in the bus bar, and even if the position of the terminal varies in the thickness direction of the terminal, the terminal can be brought into contact with at least one of the pair of opposing wall surfaces that define the through portion. it can. Therefore, the bus bar can be positioned with respect to the terminal of the semiconductor device without using a positioning member such as a clamp.
  • the wall surface (opposite wall surface) of the penetrating portion is used as a connection surface with the terminal, even if a burr is generated on the bus bar, it can be connected without being affected by the burr.
  • this current sensor device is excellent in assembling with a plate-like terminal in a semiconductor device.
  • the bus bar extends from one end to the other end opposite to the one end with the same plate thickness direction.
  • the bus bar is not provided with a bent portion in the thickness direction. For this reason, the dispersion
  • FIG. 1 shows schematic structure of the power converter device with which the current sensor apparatus which concerns on 1st Embodiment is applied. It is the top view seen from the Z direction which shows the connection structure of a semiconductor device and a current sensor apparatus. It is the top view seen from the Y direction which shows the connection structure of a semiconductor device and a current sensor apparatus. It is a perspective view which shows an electric current sensor apparatus. It is sectional drawing which follows the VV line of FIG. It is a top view which shows the current sensor apparatus which concerns on 2nd Embodiment. It is a top view which shows the current sensor apparatus which concerns on 3rd Embodiment.
  • the thickness direction at one end of the bus bar is defined as the Z direction, orthogonal to the Z direction, and the arrangement direction of the plurality of bus bars is defined as the X direction.
  • a direction perpendicular to both the Z direction and the X direction is defined as a Y direction.
  • Power conversion device 10 converts DC power of battery 2 (high voltage battery) into AC power suitable for driving motors MG1 and MG2. In addition, power conversion device 10 converts AC power generated by motors MG 1 and MG 2 into DC power that can charge battery 2.
  • battery 2 high voltage battery
  • power conversion device 10 converts AC power generated by motors MG 1 and MG 2 into DC power that can charge battery 2.
  • the motor MG1 functions as a drive source for the hybrid vehicle together with an engine (not shown). That is, it functions mainly as an electric motor.
  • the motor MG1 functions as a generator during deceleration or braking, for example.
  • the motor MG2 mainly functions as a generator.
  • the motor MG2 functions as an electric motor, for example, when AC power is supplied when the engine is started.
  • the power conversion device 10 can perform bidirectional power conversion.
  • the power converter 10 includes a boost converter 11 and inverters 12 and 13.
  • the input terminal of the boost converter 11 is connected to the low voltage system power line 3 on the battery 2 side, and the output terminal of the boost converter 11 is connected to the high voltage system power line 4 on the inverters 12 and 13 side.
  • the low voltage system power line 3 is a power line that electrically connects the battery 2 and the boost converter 11, and the high voltage system power line 4 electrically connects the boost converter 11 and the inverters 12 and 13. It is a power line.
  • a smoothing capacitor 5 is connected between the high potential side (positive electrode side) and the low potential side (negative electrode side) of the low voltage system power line 3.
  • a smoothing capacitor 6 is connected between the high potential side (positive electrode side) and the low potential side (negative electrode side) of the high voltage system power line 4.
  • a system main relay (SMR) (not shown) is provided between the connection point of the capacitor 5 and the battery 2 in the low voltage system power line 3.
  • Boost converter 11 boosts the output voltage of battery 2 to a voltage suitable for driving the motor. That is, the boost converter 11 boosts the power of the low voltage system power line 3 and supplies it to the high voltage system power line 4. Boost converter 11 steps down DC power converted by inverters 12 and 13 to power that can charge battery 2. That is, the boost converter 11 steps down the power of the high voltage system power line 4 and supplies it to the low voltage system power line 3.
  • the output voltage of battery 2 is, for example, about 300 volts, and the output of boost converter 11 is, for example, about 600 volts.
  • the step-up converter 11 of this embodiment includes a reactor L, two switching elements T11 and T12, and two diodes D11 and D12.
  • the switching elements T11 and T12 are connected in series between the high potential side and the low potential side of the high voltage system power line 4 with the switching element T11 as the high potential side.
  • an IGBT, a power MOSFET, or the like can be employed as the switching elements T11 and T12.
  • an n-channel IGBT is employed.
  • the diodes D11 and D12 are connected in antiparallel to the corresponding switching elements T11 and T12.
  • the anodes of the diodes D11 and D12 are connected to the emitter electrodes of the corresponding switching elements T11 and T12.
  • One end of the reactor L is connected to the high potential side of the low voltage system power line 3, that is, the positive electrode side terminal of the capacitor 5.
  • the other end of the reactor L is connected to the connection point of the switching elements T11 and T12.
  • the inverters 12 and 13 convert the input DC power into three-phase AC with a predetermined frequency and output it to the corresponding motors MG1 and MG2. Inverters 12 and 13 convert electric power (AC power) generated by corresponding motors MG1 and MG2 into DC power. The electric power generated by the motor MG2 is selectively used according to the traveling state of the hybrid vehicle and the SOC (State Of Charge) of the battery 2.
  • the electric power generated by the motor MG2 becomes the electric power for driving the motor MG1 as it is.
  • the electric power generated by motor MG2 is converted from AC to DC by inverter 13 and then the voltage is adjusted by boost converter 11 to Accumulated in.
  • the electric power generated by the motor MG 1 is converted from alternating current to direct current by the inverter 12, and then the voltage is adjusted by the boost converter 11 and stored in the battery 2.
  • the inverter 12 is connected to the high voltage system power line 4.
  • the inverter 12 includes six switching elements T21 to T26 and six diodes D21 to D26.
  • the switching elements T21 and T22 are connected in series between the high potential side and the low potential side of the high voltage system power line 4 with the switching element T21 as a high potential side, and constitute a U-phase upper and lower arm.
  • a connection point between the switching elements T21 and T22 is electrically connected to a U-phase coil (not shown) of the motor MG1.
  • the switching elements T23 and T24 are connected in series between the high potential side and the low potential side of the high voltage system power line 4 with the switching element T23 as a high potential side, and constitute a V-phase upper and lower arm.
  • a connection point between the switching elements T23 and T24 is electrically connected to a V-phase coil (not shown) of the motor MG1.
  • the switching elements T25 and T26 are connected in series between the high potential side and the low potential side of the high voltage system power line 4 with the switching element T25 as a high potential side, and constitute a W-phase upper and lower arm.
  • a connection point between the switching elements T25 and T26 is electrically connected to a W-phase coil (not shown) of the motor MG1.
  • an IGBT As the switching elements T21 to T26, an IGBT, a power MOSFET, or the like can be employed. In this embodiment, an n-channel IGBT is employed.
  • the diodes D21 to D26 are connected in antiparallel to the corresponding switching elements T21 to T26.
  • the anodes of the diodes D21 to D26 are connected to the emitter electrodes of the corresponding switching elements T21 to T26.
  • the inverter 13 has the same configuration as the inverter 12.
  • the inverter 13 has six switching elements T31 to T36 and six diodes D31 to D36 connected in antiparallel to the corresponding switching elements T31 to T36.
  • the switching elements T31 and T32 are connected in series between the high potential side and the low potential side of the high voltage power line 4 with the switching element T31 as the high potential side, and the connection point is a U phase (not shown) of the motor MG2. It is electrically connected to the coil.
  • the switching elements T33 and T34 are connected in series between the high potential side and the low potential side of the high voltage system power line 4 with the switching element T33 as a high potential side, and the connection point is a V phase (not shown) of the motor MG2.
  • the switching elements T35 and T36 are connected in series between the high potential side and the low potential side of the high voltage system power line 4 with the switching element T35 as a high potential side, and the connection point is a W phase (not shown) of the motor MG2. It is electrically connected to the coil.
  • the power conversion device 10 further includes a plurality of magnetoelectric conversion elements 14.
  • the magnetoelectric conversion element 14 is provided to detect currents flowing through the connection line 11 a of the boost converter 11 and the connection lines 12 a and 13 a of the inverters 12 and 13.
  • the connection line 11a electrically connects the reactor L and the connection points of the switching elements T11 and T12.
  • the connection line 12a is a connection line for connecting the connection point of the upper and lower arms of each phase of the inverter 12 to the coil of the corresponding phase of the motor MG1.
  • Connection line 13a is a connection line for connecting the connection point of the upper and lower arms of each phase of inverter 13 to the coil of the corresponding phase of motor MG2.
  • FIGS. 2 and 3 indicate phases of the three-phase inverter.
  • the main terminals 23 and 24 are omitted for convenience.
  • the semiconductor module 20 shown in FIGS. 2 and 3 constitutes the boost converter 11 and the inverters 12 and 13 described above.
  • the semiconductor module 20 includes seven semiconductor devices 21, and each semiconductor device 21 is provided with upper and lower arms.
  • the step-up converter 11 is composed of one semiconductor device 21.
  • the inverters 12 and 13 are each composed of three semiconductor devices 21.
  • the seven semiconductor devices 21 are arranged side by side with a predetermined pitch (interval) in the X direction.
  • the semiconductor device 21 is also referred to as a power card.
  • the semiconductor module 20 includes a plurality of coolers (not shown) in addition to the plurality of semiconductor devices 21 described above.
  • the cooler and the semiconductor device 21 are alternately stacked in the X direction to constitute the semiconductor module 20.
  • the configuration disclosed in the previous application by the present applicant for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-212776 is incorporated. can do.
  • the semiconductor device 21 constituting the boost converter 11 has switching elements T11 and T12 and diodes D11 and D12.
  • the U-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 12 includes switching elements T21 and T22 and diodes D21 and D22.
  • the V-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 12 includes switching elements T23 and T24 and diodes D23 and D24.
  • the W-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 12 includes switching elements T25 and T26 and diodes D25 and D26.
  • the U-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 13 includes switching elements T31 and T32 and diodes D31 and D32.
  • the V-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 13 includes switching elements T33 and T34 and diodes D33 and D34. have.
  • the W-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 12 includes switching elements T35 and T36 and diodes D35 and D36.
  • the corresponding switching element and diode are formed on the same semiconductor chip as the RC-IGBT.
  • Each semiconductor device 21 has a well-known double-sided heat dissipation structure.
  • the semiconductor chip in which the switching element T21 and the diode D21 are formed, and the semiconductor chip in which the switching element T22 and the diode D22 are formed are in the thickness direction of the chip. They are arranged side by side in the Y direction while keeping the X direction.
  • a heat sink is disposed on each side of each semiconductor chip in the X direction, and the heat sink is electrically and thermally connected to the corresponding semiconductor chip.
  • These semiconductor chip and heat sink are sealed with a mold resin 22. Although not shown, the surface of each heat sink opposite to the semiconductor chip is exposed from the mold resin 22.
  • the semiconductor device 21 other than the U-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 13 has the same configuration.
  • the semiconductor device 21 has main terminals 23 to 25 and a signal terminal 26 as terminals for external connection.
  • the main terminal 23 is electrically connected to the collector electrode of the switching element T21 via a heat sink. Since the main terminal 23 is connected to the high potential side (positive electrode side) of the high voltage system power line 4, it is also referred to as a high potential power supply terminal or a P terminal.
  • the main terminal 24 is electrically connected to the emitter electrode of the switching element T22 via a heat sink. Since the main terminal 24 is connected to the low potential side (negative electrode side) of the high voltage system power line 4, it is also referred to as a low potential power supply terminal or N terminal.
  • the main terminal 25 is electrically connected to the connection point of the switching elements T21 and T22 via a heat sink. The main terminal 25 constitutes a part of the connection line 12a.
  • the main terminal 25 is also referred to as an output terminal or an O terminal.
  • the main terminal 25 corresponds to a terminal to which a bus bar 31 described later is connected.
  • the main terminals 23 to 25 are flat plates formed using a metal material such as copper.
  • the main terminals 23 to 25 are formed by pressing (punching) a metal plate such as copper in the thickness direction.
  • the flat main terminals 23 to 25 all extend in the Z direction with the thickness direction being the X direction.
  • Main terminals 23 to 25 of the same semiconductor device 21 are arranged side by side in the Y direction.
  • the main terminals 23 and 24 are located next to each other, and the main terminal 25 is disposed at one end in the Y direction, which is the arrangement direction.
  • the main terminal 25 (O terminal), the main terminal 24 (N terminal), and the main terminal 23 (P terminal) are arranged in this order from the current sensor device 30 side in the Y direction.
  • the main terminals 23 to 25 protrude to the outside from the same side surface among the four side surfaces of the mold resin 22 having a substantially rectangular planar shape.
  • the signal terminal 26 is electrically connected to a pad of the semiconductor chip on which the switching element T21 and the diode D21 are formed and to a pad of the semiconductor chip on which the switching element T22 and the diode D22 are formed via a bonding wire (not shown). Has been.
  • the signal terminal 26 extends in the Y direction, and protrudes outside from the side surface of the mold resin 22 opposite to the side surface from which the main terminals 23 to 25 protrude.
  • the semiconductor device 21 other than the U-phase semiconductor device 21 constituting the inverter 13 has the same configuration.
  • the main terminals 23, the main terminals 24, and the main terminals 25 are arranged in the X direction.
  • the main terminals 23, the main terminals 24, and the main terminals 25 are arranged so as to overlap each other in the projection view from the X direction.
  • the current sensor device 30 includes a bus bar 31, a resin portion 32, and a current sensor 33.
  • the current sensor device 30 is a current sensor 33 with a bus bar 31.
  • the current sensor device 30 is a bus bar unit including a current sensor 33. This current sensor device 30 corresponds to the boost converter 11 and the inverters 12 and 13.
  • the bus bar 31 is formed using a conductive member so as to function as a conductive path.
  • the bus bar 31 is formed by pressing (punching) a metal plate such as copper in the thickness direction. In the present embodiment, the plate thickness is substantially equal over the entire length.
  • One bus bar 31 is provided for one main terminal 24.
  • the current sensor device 30 has seven bus bars 31. Specifically, one bus bar 31 is provided corresponding to boost converter 11, three bus bars 31 are provided corresponding to each phase of inverter 12, and three bus bars are provided corresponding to each phase of inverter 13.
  • the bus bar 31 electrically relays the connection point between the switching elements T11 and T12 and the reactor L. That is, it constitutes a part of the connection line 11a.
  • inverter 12 for example, U-phase bus bar 31 electrically relays the connection point of switching elements T21 and T22 and the U-phase coil of motor MG1. That is, it constitutes a part of the connection line 12a.
  • inverter 13 for example, U-phase bus bar 31 electrically relays the connection point of switching elements T31 and T32 and the U-phase coil of motor MG2. That is, it constitutes a part of the connection line 13a.
  • each bus bar 31 has the same thickness direction (Z direction) from the one end 310 to the other end 311 opposite to the one end 310 in the entire length in the extending direction. That is, there is no bent portion in the thickness direction between the one end 310 and the other end 311.
  • each bus bar 31 extends in the Y direction, and an intermediate portion in the extending direction is covered with the resin portion 32.
  • One end 310 and the other end 311 are exposed from the resin portion 32.
  • the main terminal 25 is connected to one end 310 of the bus bar 31.
  • the other end 311 is connected to the corresponding motor MG1, MG2 or the terminal of the connection line on the reactor L side.
  • a through hole 312 is formed in the other end 311 as shown in FIGS.
  • the one end 310 and the other end 311 indicate not only the end portion (edge portion) of the bus bar 31 but also a predetermined region including the edge portion.
  • One end 310 indicates a region on one end side including one end portion
  • the other end 311 indicates a region on the other end side including the other end portion.
  • the resin part 32 integrally holds the bus bar 31 and the current sensor 33 (magnetoelectric conversion element 14).
  • the resin portion 32 integrally holds a plurality of bus bars 31 and current sensors (magnetoelectric conversion elements 14) corresponding to the boost converter 11 and the inverters 12 and 13.
  • the resin part 32 holds each bus bar 31 so that a plurality of bus bars 31 are arranged at a predetermined pitch in the X direction, which is the width direction, with the plate thickness direction being the Z direction.
  • the resin part 32 has cases 320 and 321 as shown in FIG. That is, the resin part 32 has a two-part structure in the Z direction. And the magnetoelectric conversion element 14 etc. are arrange
  • a mold resin can be adopted as the resin portion 32.
  • the resin part 32 has the accommodating part 322 and the support part 323, as shown in FIG.
  • the accommodating portion 322 accommodates the magnetoelectric conversion element 14 constituting the current sensor 33 and the like.
  • the accommodating portion 322 is configured by cases 320 and 321.
  • the support part 323 is configured by a case 321.
  • each bus bar 31 is supported by a support portion 323. That is, the other end 311 is disposed on the surface of the support portion 323. A concave portion is formed in the support portion 323 corresponding to the through hole 312 formed in the other end 311. A through hole may be formed instead of the recess.
  • the current sensor 33 detects a current flowing through the corresponding bus bar 31, and outputs a detection signal to a control circuit that controls driving of the switching elements T11, T12, T21 to T26, and T31 to T36.
  • the current sensor 33 includes a sensor chip 330 on which the magnetoelectric conversion element 14 is formed. As shown in FIG. 5, the current sensor 33 of this embodiment includes a ceramic package 331, a processing circuit chip 332, a bonding wire 333, a bias magnet 334, a spacer 335, a circuit board 336, solder 337, and magnetic shields 338 and 339. In addition.
  • the current sensor 33 is a coreless current sensor that does not require a core.
  • the magnetoelectric conversion element 14 corresponding to the inverter 12 is formed.
  • the magnetoelectric conversion element 14 detects the magnetic flux density of the magnetic field generated when a current flows through the corresponding bus bar 31 and converts it into an electrical signal.
  • the sensor chip 330 (magnetoelectric conversion element 14) is disposed on the bus bar 31 in the Z direction, which is the thickness direction of the bus bar 31, respectively.
  • a giant magnetoresistive effect element (GMR), an anisotropic magnetoresistive effect element (AMR), a tunnel magnetoresistive effect element (TMR), a Hall element, or the like can be adopted.
  • the sensor chip 330 is formed with the magnetoelectric conversion element 14 whose electric signal changes depending on the direction of a magnetic vector such as GMR or TMR.
  • the ceramic package 331 is a container that provides a space for housing the sensor chip 330.
  • the ceramic package 331 is formed by laminating a plurality of ceramic plates.
  • the ceramic package 331 has a side wall provided in an annular shape and a bottom that closes one of the openings in the side wall.
  • wiring (not shown) is formed.
  • the ceramic package 331 is fixed to the bus bar 31 on the surface opposite to the inner surface 331a at the bottom (hereinafter referred to as the bottom inner surface 331a).
  • the ceramic package 331 is disposed on the bus bar 31 in the Z direction.
  • the processing circuit chip 332 executes a predetermined calculation process using the signal input from the sensor chip 330 and outputs the calculation result to the circuit board 336.
  • the processing circuit chip 332 is also disposed in the accommodation space of the ceramic package.
  • a sensor chip 330 is mounted on the processing circuit chip 332 via an adhesive or the like.
  • the processing circuit chip 332 is fixed to the bottom inner surface 331a of the ceramic package 331.
  • the sensor chip 330 is fixed to the bottom inner surface 331a via the processing circuit chip 332.
  • the sensor chip 330 is electrically connected to the processing circuit chip 332 via the bonding wire 333.
  • the processing circuit chip 332 is electrically connected to the wiring of the ceramic package 331 via the bonding wire 333.
  • the bias magnet 334 gives a magnetic vector serving as a reference of an electric signal to the sensor chip 330.
  • the bias magnet 334 may be a permanent magnet or an electromagnet.
  • the bias magnet 334 is disposed on the side opposite to the bus bar 31 with respect to the sensor chip 330 so as to overlap the sensor chip 330 (magnetoelectric conversion element 14) in the projection view from the Z direction. That is, the sensor chip 330 is located between the bias magnet 334 and the bus bar 31 in the Z direction.
  • a part of the bias magnet 334 is disposed in the accommodation space of the ceramic package 331, and the remaining part protrudes outside from the accommodation space.
  • Bias magnet 334 is fixed to spacer 335 via an adhesive or the like.
  • the spacer 335 is located between the sensor chip 330 and the bias magnet 334 in the Z direction.
  • the spacer 335 is a member for ensuring a predetermined interval between the sensor chip 330 and the bias magnet 334.
  • the spacer 335 is formed using, for example, a resin material.
  • the ceramic package 331 has a step portion 331c provided between the bottom inner surface 331a and the upper opening end 331b in the Z direction on the accommodation space side.
  • the step portion 331c has an annular shape.
  • the spacer 335 is fixed to the step portion 331c through an adhesive material or the like.
  • the circuit board 336 is electrically connected to the processing circuit chip 332 through the bonding wires 333 and the ceramic package 331.
  • the wiring (not shown) of the circuit board 336 is electrically connected to the wiring of the ceramic package 331 through the solder 337.
  • the circuit board 336 is common to the plurality of bus bars 31, in other words, the plurality of current sensors 33.
  • the circuit board 336 is disposed so as to straddle the plurality of bus bars 31 in the X direction.
  • the circuit board 336 is disposed on the upper opening end 331b of the ceramic package 331.
  • the circuit board 336 is disposed so as to close the upper opening of the ceramic package 331.
  • a through hole 336a is formed in the circuit board 336, and a part of the bias magnet 334 is disposed in the through hole 336a.
  • a recess non-through hole that opens only on the surface of the circuit board 336 on the sensor chip 330 side may be employed.
  • the magnetic shields 338 and 339 are formed using a magnetic material.
  • the magnetic shields 338 and 339 prevent the external magnetic field for the current sensor device 30 from being transmitted through the magnetoelectric conversion element 14. That is, the magnetic shields 338 and 339 shield the external magnetic field with respect to the magnetoelectric conversion element 14.
  • the magnetic shields 338 and 339 are provided in common to the magnetoelectric conversion element 14 (sensor chip 330) disposed in each bus bar 31.
  • the magnetic shields 338 and 339 are common to the plurality of bus bars 31 like the circuit board 336. As illustrated in FIG. 2, the magnetic shields 338 and 339 are disposed so as to straddle the plurality of bus bars 31 in the X direction.
  • the magnetic shields 338 and 339 are plate-like members.
  • the magnetic shields 338 and 339 are arranged so that the thickness direction is the Z direction.
  • the magnetic shields 338 and 339 are opposed to each other with a gap in the Z direction.
  • the magnetic shields 338 and 339 are opposed to each other so as to sandwich the bus bar 31, the sensor chip 330 (the magnetoelectric conversion element 14), and the bias magnet 334 in the Z direction.
  • the bus bar 31, the sensor chip 330 (magnetoelectric conversion element 14) constituting the current sensor 33, the ceramic package 331, the processing circuit chip 332, the bias magnet 334, and the spacer 335 are included in the seven power converters 10. It is provided for each upper and lower arm.
  • the resin substrate 32, the circuit board 336 constituting the current sensor 33, and the magnetic shields 338 and 339 are common to the seven upper and lower arms.
  • the protruding portion of the main terminal 25 has a substantially rectangular parallelepiped shape. As shown in FIG. 2, the main terminal 25 has surfaces 25 a and 25 b in the thickness direction (X direction) of the main terminal 25, and the width direction (Y direction) perpendicular to the extending direction (Z direction) and the thickness direction. ) Has side surfaces 25c and 25d.
  • the bus bar 31 has a notch 313 at one end 310 as shown in FIGS.
  • the notch 313 penetrates the bus bar 31 in the Z direction, which is the thickness direction.
  • the bus bar 31 has, as a surface, one surface in the Z direction that is the plate thickness direction, a back surface opposite to the one surface, and an outer peripheral surface 314 (outer surface).
  • the notch 313 opens in the outer peripheral surface 314.
  • the notch 313 is open on the end surface in the Y direction, which is the extending direction, of the outer peripheral surface 314.
  • the notch 313 extends in the Y direction that is the width direction of the main terminal 25 while penetrating the bus bar 31 in the Z direction.
  • the notch 313 corresponds to the through portion.
  • the notch 313 is partitioned by a wall surface 315 that is the inner surface of the bus bar 31.
  • the wall surface 315 includes a first wall surface 315a and a second wall surface 315b that face each other in the X direction, and a third wall surface 315c that is positioned opposite to the opening of the notch 313 in the Y direction and forms the bottom.
  • one end of the first wall surface 315a and the second wall surface 315b is connected to the outer peripheral surface 314, and the other end is connected to the third wall surface 315c.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b correspond to a pair of opposing wall surfaces.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b have portions parallel to each other.
  • the facing distance between the first wall surface 315a and the second wall surface 315b is set so that the main terminal 25 is accommodated in the notch 313 in consideration of variation in the position of the main terminal 25 in the thickness direction.
  • the depth of the notch 313 is not particularly limited. In order to increase the connection area between the main terminal 25 and the bus bar 31, it is preferable that the depth is deeper, and it is preferable that the depth be equal to or greater than the width of the main terminal 25.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are substantially parallel over the entire surface. That is, the width of the notch 313 is substantially constant in the depth direction (Y direction).
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are surfaces orthogonal to the X direction. Further, the depth of the notch 313 is longer than the width of the main terminal 25.
  • the surface 25 a of each main terminal 25 is in contact with the first wall surface 315 a of the corresponding bus bar 31.
  • the side surface 25 c of each main terminal 25 is in contact with the corresponding third wall surface 315 c of the bus bar 31. In this positioning state, the main terminal 25 and the bus bar 31 are welded.
  • the main terminal When connecting the semiconductor device and the current sensor device, the main terminal is connected to the bus bar in the thickness direction of the main terminal due to factors on the semiconductor device side, such as manufacturing variations of the semiconductor device and assembly variations between the semiconductor device and the cooler. It is also possible to incline in a direction away. That is, the position of the connection portion of the main terminal with the bus bar varies in the thickness direction. For this reason, the main terminal and the bus bar must be pressed using a positioning member such as a clamp and welded in this positioning state.
  • the bus bar 31 is formed with a notch 313 as a penetrating portion. Further, as the wall surface 315 that partitions the notch 313, a first wall surface 315a and a second wall surface 315b that face each other are provided. Accordingly, at least one of the first wall surface 315a and the second wall surface 315b even if the position of the main terminal 25, specifically, the connection position with the bus bar 31 varies in the thickness direction of the main terminal 25 due to factors on the semiconductor device 21 side. The main terminal 25 can be brought into contact with. Thus, the bus bar 31 can be positioned with respect to the main terminal 25 without using a positioning member. That is, the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected (welded) without using a positioning member.
  • the wall surface 315 of the notch 313, that is, the shearing surface by pressing of the bus bar 31 is a connection surface with the main terminal 25.
  • the burr caused by the press is generated on one surface of the bus bar 31 in the plate thickness direction, and is not generated on the sheared surface. The burr extends in the Z direction. Therefore, even if the bus bar 31 has burrs, the main terminals 25 and the bus bars 31 can be connected without being affected by the burrs.
  • the current sensor device 30 of this embodiment is excellent in assembling property with the plate-like main terminal 25 provided in the semiconductor device 21.
  • the thickness direction of the bus bar 31 is the same from one end 310 to the other end 311 of the bus bar 31. That is, the bus bar 31 does not have a bent portion in the thickness direction. Therefore, variations in the position of the one end 310 due to bending can be suppressed. Thereby, the assembling property with the plate-like main terminal 25 can be further improved.
  • a notch 313 that opens to the outer peripheral surface 314 of the bus bar 31 is employed as the penetrating portion. For this reason, even if variation occurs in the position of the main terminal 25 in the width direction (Y direction) of the main terminal 25, the main terminal 25 is easily brought into contact with at least one of the first wall surface 315a and the second wall surface 315b. Moreover, it is easy to position the bus bars 31 corresponding to the plurality of main terminals 25 arranged side by side. Furthermore, since the main terminal 25 can be brought into contact with the third wall surface 315c, the connection area between the main terminal 25 and the bus bar 31 can be increased.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b facing the surfaces 25a and 25b of the main terminal 25 have portions parallel to each other, and contact the main terminal 25 at portions parallel to each other.
  • the connection area between the main terminal 25 and the bus bar 31 can be increased.
  • the depth of the notch 313 is longer than the width of the main terminal 25, and the first wall surface 315a and the main terminal 25 are in contact with each other over the entire length of the first wall surface 315a in the Y direction. .
  • the connection area between the main terminal 25 and the bus bar 31 can be increased.
  • This embodiment can refer to the preceding embodiment. For this reason, the description about the part which is common in the power converter device 10, the semiconductor module 20 (semiconductor device 21), and the current sensor device 30 shown in the preceding embodiment is omitted.
  • the notch 313 includes a narrow portion 313a in which the width between the first wall surface 315a and the second wall surface 315b is narrowed, and a wider width wider than the narrow portion 313a.
  • Part 313b the notch 313 includes a narrow portion 313a having a predetermined width between the first wall surface 315a and the second wall surface 315b, and a widened portion 313b wider than the predetermined width of the narrow portion 313a.
  • the width of the notch 313 is the length in the direction (X direction) orthogonal to the Y direction which is the depth direction.
  • the main terminal 25 is connected to, for example, the first wall surface 315a at the narrow portion 313a.
  • the widened portion 313 b is provided at an end portion on the opening side to the outer peripheral surface 314 in the depth direction of the notch 313.
  • the widened portion 313b continues to the narrow portion 313a on the opening side to the outer peripheral surface 314.
  • a narrow portion 313 a is provided on the bottom side of the notch 313.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b in the widened portion 313b are tapered. Specifically, the closer to the outer peripheral surface 314 (the end surface in the Y direction), the longer the first wall surface 315a and the second wall surface 315b in the widened portion 313b, the longer the opposing distance between the first wall surface 315a and the second wall surface 315b. Has a tapered shape.
  • the main terminal 25 can be guided to the bottom side of the notch 313 along the tapered portion.
  • the main terminal 25 can be easily arranged in the notch 313. That is, the main terminal 25 can be easily brought into contact with at least one of the first wall surface 315a and the second wall surface 315b.
  • the position variations of the plurality of main terminals 25 arranged in parallel are different, positioning with respect to the corresponding bus bars 31 is easy.
  • flash of the main terminal 25 by a press arises in one surface of the main terminal 25 in the thickness direction.
  • the burrs extend in the X direction, which is the thickness direction.
  • the notch 313 has a narrow portion 313a and a wide portion 313b, and the main terminal 25 contacts at least one of the first wall surface 315a and the second wall surface 315b in the narrow portion 313a. Even if the main terminal 25 has a burr formed by pressing at the opening side end of the notch 313, the burr is accommodated in the widened portion 313b and does not contact the wall surface 315. Therefore, the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected without being affected by the burr of the main terminal 25. That is, the assembling property between the main terminal 25 and the bus bar 31 can be further improved.
  • both the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are tapered in the widened portion 313b
  • the present invention is not limited to this.
  • the widened portion 313b at least one of the first wall surface 315a and the second wall surface 315b is tapered so that the facing distance between the first wall surface 315a and the second wall surface 315b becomes longer as the outer peripheral surface 314 (the end surface in the Y direction) is closer. It only needs to have a shape.
  • the first wall surface 315a may have a tapered portion, and the entire surface of the second wall surface 315b may be a surface substantially orthogonal to the X direction.
  • only a predetermined range from the outer peripheral surface 314 may be tapered, and the bottom portion of the notch 313 may have a constant width.
  • the bus bar 31 has a through hole 316 as a through portion.
  • the through hole 316 does not open to the outer peripheral surface 314 but is surrounded by a wall surface 315 to form a closed space.
  • the shape of the through-hole 316 along the XY plane has a substantially rectangular shape corresponding to the main terminal 25.
  • the bus bar 31 has a fourth wall surface 315d as the wall surface 315 in addition to the first wall surface 315a, the second wall surface 315b, and the third wall surface 315c described above.
  • the third wall surface 315c and the fourth wall surface 315d oppose each other in the Y direction, which is the width direction of the main terminal 25.
  • the facing distance between the third wall surface 315 c and the fourth wall surface 315 d is slightly longer than the width of the main terminal 25.
  • the main terminal 25 is inserted into the through hole 316 and is welded in this state. Even if the position of the main terminal 25 varies in the width direction (Y direction), since the third wall surface 315c and the fourth wall surface 315d exist on both sides in the width direction, it is easy to ensure a contact area also in the width direction.
  • the vicinity of the opening on the semiconductor device 21 side in the Z direction may be a tapered portion. According to this, it becomes easy to insert the main terminal 25 into the through hole 316.
  • each bus bar 31 has a cut mark 317 on the surface where the bus bar 31 is located adjacent to the outer peripheral surface 314, that is, on the surface facing the bus bar 31.
  • the bus bars 31 located at both ends have cut marks 317 only on the inner surface in the X direction, and the other bus bars 31 have cut marks 317 on both sides in the X direction.
  • This cutting trace 317 is a trace of cutting a tie bar 318 described later.
  • the cutting trace 317 protrudes in the X direction with respect to other portions of the surface on which the cutting trace 317 is provided.
  • Other configurations are the same as those of the second embodiment (see FIG. 6).
  • FIG. 9 shows a state before the tie bar 318 is cut.
  • the plurality of bus bars 31 are connected by tie bars 318.
  • the plurality of bus bars 31 are configured as a part of the lead frame. After arranging the bus bar 31 in the resin part 32, the current sensor device 30 shown in FIG. 8 can be obtained by cutting the tie bar 318.
  • the plurality of bus bars 31 are positioned with respect to the common resin portion 32 in the state of the lead frame connected by the tie bars 318. Therefore, the accuracy of the position between the bus bars 31 can be improved. For this reason, it becomes easier to collectively position the bus bars 31 corresponding to the plurality of main terminals 25 arranged side by side.
  • the bus bar 31 has a notch 313 as a penetrating portion. And the notch 313 further has the wide part 313c in addition to the narrow part 313a and the wide part 313b.
  • the depth of the notch 313 is substantially equal to the width of the main terminal 25.
  • the widened portion 313c is wider than the narrow-width portion 313a.
  • the widened portion 313 c is continuous with the narrow portion 313 a on the bottom side of the notch 313.
  • the widened portions 313b and 313c are provided at both ends in the depth direction so as to sandwich the narrowed portion 313a.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are tapered.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are almost parallel in length. That is, the width of the widened portion 313c is substantially constant in the depth direction.
  • the width of the widened portion 313c is substantially equal to the width of the opening to the outer peripheral surface 314 in the widened portion 313b.
  • the current sensor device 30 integrally includes three bus bars 31 corresponding to the three semiconductor devices 21.
  • a semiconductor module 20 including three semiconductor devices 21 constitutes an inverter 12, for example.
  • the bus bar 31 has a bent portion between the one end 310 and the other end 311. Due to this bent portion, the plate thickness direction at one end 310 and the plate thickness direction at the other end 311 are in a positional relationship orthogonal to each other.
  • the thickness direction of the one end 310 is the Z direction
  • the thickness direction of the other end 311 is the Y direction.
  • FIG. 12 shows a state where the main terminal 25 is connected (welded) to the bus bar 31.
  • the main terminal 25 is illustrated in the semiconductor device 21 (semiconductor module 20) for convenience.
  • U, V, and W shown in FIG. 12 indicate phases of the inverter 12.
  • Each main terminal 25 is connected to the first wall surface 315a at the corresponding narrow portion 313a.
  • One end of the main terminal 25 in the width direction is disposed in the widened portion 313b, and the other end is disposed in the widened portion 313c. There are spaces on both sides of the main terminal 25 at both ends in the width direction.
  • the bus bar 31 is formed with a notch 313 as a penetrating portion. Therefore, even if the position of the main terminal 25 varies, the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected (welded) without using a positioning member. Even if the bus bar 31 has a bent portion, the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected without using a positioning member.
  • the wall surface 315 of the notch 313 is used as a connection surface with the main terminal 25, even if the bus bar 31 has a burr, the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected without being affected by the burr.
  • the burr of the main terminal 25 due to the press occurs on one surface in the thickness direction and in the vicinity of the outer peripheral end. That is, burrs may occur at both ends of the main terminal 25 in the width direction.
  • the notch 313 has wide portions 313b and 313c on both sides of the narrow portion 313a. Accordingly, even if burrs are generated at both ends in the width direction of the main terminal 25, the burrs are accommodated in the widened portions 313b and 313c and do not contact the wall surface 315. Therefore, the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected without being affected by the burr of the main terminal 25. That is, the assembling property between the main terminal 25 and the bus bar 31 can be further improved.
  • the main terminal 25 passes through the notch 313 and protrudes on a surface opposite to the surface on the semiconductor device 21 side (see FIG. 3). Thereby, even if the burr
  • the widened portion 313b In the widened portion 313b, the example in which the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are tapered is shown, but the present invention is not limited thereto.
  • the widened portion 313c is not limited to a constant width.
  • the width of the widened portion 313b is constant. Even if such a widened portion 313b is adopted, there is a space on both sides of the main terminal 25, so that the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected without being affected by the burr of the main terminal 25. Can do.
  • FIG. 13 corresponds to FIG.
  • the said structure is employable also about the current sensor apparatus 30 provided with the bus bar 31 which has the notch 313 and does not have a bending part.
  • the said structure is good also as a structure which further added the wide part 313c with respect to 2nd Embodiment (refer FIG. 6).
  • the notch 313 has a narrow portion 313a and a wide portion 313c, and does not have a wide portion 313b.
  • the width of the widened portion 313c is substantially constant in the depth direction.
  • FIG. 14 corresponds to FIG.
  • Each main terminal 25 is connected to the first wall surface 315a at the corresponding narrow portion 313a.
  • the depth of the notch 313 is shorter than the width of the main terminal 25. For this reason, the other end protrudes outside the notch 313 in a state where one end in the width direction of the main terminal 25 is in contact with the third wall surface 315c.
  • the burrs are accommodated in the widened portion 313c and do not contact the wall surface 315. Further, even if a burr occurs at the other end in the width direction of the main terminal 25, it does not contact the wall surface 315 because it protrudes from the notch 313. Therefore, the main terminal 25 and the bus bar 31 can be connected without being affected by the burr of the main terminal 25. That is, the assembling property between the main terminal 25 and the bus bar 31 can be further improved.
  • the example with constant width was shown as the wide part 313c, it is not limited to this.
  • the above configuration can also be adopted for the current sensor device 30 including the bus bar 31 that has the notch 313 and does not have the bent portion.
  • the bus bar 31 has a through hole 316 as a through portion.
  • the through-hole 316 has the narrow part 316a and the wide part 316b, 316c.
  • the narrow portion 316a is a portion where the width between the first wall surface 315a and the second wall surface 315b is narrow like the narrow portion 313a. Also in this embodiment, in the narrow part 316a, the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are substantially parallel.
  • the through hole 316 is a long hole that is longer in the Y direction than in the X direction.
  • the widened portion 316 c is provided at the end portion on the resin portion 32 side at one end 310 of the bus bar 31.
  • the widened portion 316b is provided at the end of the through hole 316 opposite to the widened portion 316c. Widened portions 316b and 316c are provided at both ends in the longitudinal direction (Y direction) of the through hole 316 so as to sandwich the narrow portion 316a.
  • the first wall surface 315a and the second wall surface 315b are substantially parallel over the entire surface. That is, the width of the widened portion 316b is substantially constant in the longitudinal direction. The width of the widened portion 316c is also substantially constant in the longitudinal direction. The widths of the widened portions 316b and 316c are substantially equal to each other.
  • the main terminal 25 is connected to the first wall surface 315a at the narrow portion 316a.
  • One end of the main terminal 25 in the width direction is disposed in the widened portion 316b, and the other end is disposed in the widened portion 316c. That is, there are spaces on both sides at both ends in the width direction of the main terminal 25.
  • the through hole 316 has the widened portions 316b and 316c.
  • the present invention is not limited to this.
  • the through-hole 316 may have one of the widened portions 316b and 316c together with the narrow-width portion 316a.
  • the widened portions 316b and 316c are not limited to those having a constant width.
  • the above configuration can be adopted for the current sensor device 30 including the through-hole 316 and the bus bar 31 having no bent portion.
  • the configuration of the power converter 10 is not limited to the above example.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the current sensor device 30 may be individually provided for the boost converter 11, the inverter 12, and the inverter 13.
  • the current sensor device 30 integrally holds at least one bus bar 31, the magnetoelectric conversion element 14 (sensor chip 330) provided corresponding to the bus bar 31, and the bus bar 31 and the magnetoelectric conversion element 14 (sensor chip 330). And a resin part 32 to be provided.
  • the current sensor device 30 includes one bus bar 31 connected to the main terminal 25 of the semiconductor device 21 constituting the boost converter 11. It will be.
  • Each main terminal 25 may be configured to be connected to the second wall surface 315b.
  • a part of the main terminal 25 may be connected to the first wall surface 315a and the rest may be connected to the second wall surface 315b.

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Abstract

電流センサ装置は、バスバー（３１）、バスバーに流れる電流を検出する磁電変換素子の形成されたセンサチップ（３３０）、バスバー及びセンサチップを一体的に保持する樹脂部（３２）を備える。バスバーは、半導体装置（２１）の主端子（２５）の厚み方向において主端子に接続される。バスバーは、樹脂部から突出する一端（３１０）に、壁面（３１５）によって区画され、当該バスバーを板厚方向に貫通する貫通部としての切り欠き（３１３）を有する。バスバーは、壁面として、互いに対向する第１壁面（３１５ａ）及び第２壁面（３１５ｂ）を有し、第１壁面及び第２壁面の少なくとも一方が端子に接続される。

Description

電流センサ装置 関連出願の相互参照
　本出願は、２０１６年１０月１４日に出願された日本出願番号２０１６－２０２７８８号および２０１７年３月６日に出願された日本出願番号２０１７－４２０６３号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
　本開示は、電流センサ装置に関する。
　特許文献１には、スイッチング素子及び板状の端子を備えた半導体装置に対して配置される電流センサ装置（バスバモジュール）が開示されている。この電流センサ装置は、一端が半導体装置（パワーカード）の端子に接続され、他端がモータへ電力を供給するパワーケーブルに接続されたバスバーと、バスバーに流れる電流を検出する電流センサと、バスバー及び電流センサを一体的に保持する樹脂部と、を備えている。
特開２０１５－３３２０１号公報
　端子の厚み方向において、端子とバスバーが接続（たとえば溶接）される。従来の電流センサ装置では、端子の厚み方向とバスバーの板厚方向とが同じ向きとなるように配置し、端子とバスバーを接続する。しかしながら、端子の位置は、端子の厚み方向においてばらつく。このため、クランプなどの位置決め部材を用いて電流センサ装置のバスバーの一端と半導体装置の端子とを押さえ、この位置決め状態で、接続しなければならない。
　また、バスバーは、金属板をプレス（打ち抜き）して形成されるため、板厚方向において一方の面側にバリが生じる。したがって、バスバーの一端と半導体装置の端子を接続する際、バリが生じていない側の面に端子を接続しなければならない。
　以上のように、従来の電流センサ装置は、板状の端子との組み付け性が低くなってしまう。
　本開示は、半導体装置における板状の端子との組み付け性に優れた電流センサ装置を提供することを目的とする。
　本開示の第１の態様によれば、電流センサ装置は、スイッチング素子及び該スイッチング素子と電気的に接続された板状の端子を備えた半導体装置に対して配置される電流センサ装置であって、端子の厚み方向において端子に接続されるバスバーと、バスバーに流れる電流を検出する磁電変換素子と、磁電変換素子及びバスバーを一体的に保持する樹脂部と、を備える。バスバーは、樹脂部から突出する一端に、壁面によって区画され、バスバーの板厚方向においてバスバーを貫通する貫通部と、壁面として、互いに対向する一対の対向壁面と、を有し、一対の対向壁面の少なくとも一方が端子に接続される。
　この電流センサ装置によれば、バスバーに貫通部が形成されており、端子の厚み方向において端子の位置がばらついても、貫通部を区画する一対の対向壁面の少なくとも一方に端子を接触させることができる。したがって、クランプ等の位置決め部材を用いなくとも、半導体装置の端子に対してバスバーを位置決めすることができる。
　また、貫通部の壁面（対向壁面）を端子との接続面とするため、バスバーにバリが生じていても、バリの影響を受けずに接続することができる。
　以上により、この電流センサ装置は、半導体装置における板状の端子との組み付け性に優れている。
　本開示の第２の態様によれば、第１の態様にかかる電流センサ装置において、バスバーは、一端から一端とは反対の他端まで板厚方向を同じとして延設されている。
　この電流センサ装置によれば、バスバーに板厚方向の屈曲部分を設けていない。このため、曲げに起因する端子（一端）の位置のばらつきを抑制することができる。すなわち、板状の端子との組み付け性を、さらに優れたものにすることができる。
　本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。
第１実施形態に係る電流センサ装置が適用される電力変換装置の概略構成を示す図である。 半導体装置及び電流センサ装置の接続構造を示すＺ方向から見た平面図である。 半導体装置及び電流センサ装置の接続構造を示すＹ方向から見た平面図である。 電流センサ装置を示す斜視図である。 図２のV-V線に沿う断面図である。 第２実施形態に係る電流センサ装置を示す平面図である。 第３実施形態に係る電流センサ装置を示す平面図である。 第４実施形態に係る電流センサ装置を示す平面図である。 電流センサ装置の製造工程を示す平面図である。 第５実施形態に係る電流センサ装置を示す斜視図である。 電流センサ装置を示す平面図である。 半導体装置及び電流センサ装置の接続構造を示すＺ方向から見た平面図である。 変形例に係る電流センサ装置と半導体装置との接続構造を示すＺ方向から見た平面図である。 第６実施形態に係る電流センサ装置と半導体装置との接続構造を示すＺ方向から見た平面図である。 第７実施形態に係る電流センサ装置と半導体装置との接続構造を示すＺ方向から見た平面図である。
　図面を参照しながら、実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、バスバーの一端の板厚方向をＺ方向とし、Ｚ方向に直交し、複数のバスバーの並び方向をＸ方向とする。Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向とする。
　（第１実施形態）
　先ず、図１に基づき、電力変換装置について説明する。
　図１に示す電力変換装置１０は、たとえばハイブリッド自動車（ＨＶ）に搭載される。電力変換装置１０は、バッテリ２（高圧バッテリ）の直流電力を、モータＭＧ１，ＭＧ２の駆動に適した交流電力に変換する。また、電力変換装置１０は、モータＭＧ１，ＭＧ２により発電された交流電力を、バッテリ２を充電可能な直流電力に変換する。
　モータＭＧ１は、図示しないエンジンとともに、ハイブリッド自動車の駆動源として機能する。すなわち、主に電動機として機能する。モータＭＧ１は、たとえば減速時や制動時に、発電機として機能する。モータＭＧ２は、主に発電機として機能する。モータＭＧ２は、たとえばエンジン始動時に交流電力の供給を受けて電動機として機能する。このように、電力変換装置１０は、双方向の電力変換が可能とされている。
　電力変換装置１０は、昇圧コンバータ１１及びインバータ１２，１３を備えている。昇圧コンバータ１１の入力端は、バッテリ２側の低電圧系電力ライン３に接続され、昇圧コンバータ１１の出力端は、インバータ１２，１３側の高電圧系電力ライン４に接続されている。低電圧系電力ライン３は、バッテリ２と昇圧コンバータ１１とを電気的に接続する電力ラインであり、高電圧系電力ライン４は、昇圧コンバータ１１と各インバータ１２，１３とを電気的に接続する電力ラインである。
　低電圧系電力ライン３の高電位側（正極側）と低電位側（負極側）との間には、平滑用のコンデンサ５が接続されている。高電圧系電力ライン４の高電位側（正極側）と低電位側（負極側）との間には、平滑用のコンデンサ６が接続されている。低電圧系電力ライン３であって、コンデンサ５との接続点とバッテリ２との間には、図示しないシステムメインリレー（ＳＭＲ）が設けられている。
　昇圧コンバータ１１は、バッテリ２の出力電圧をモータ駆動に適した電圧まで昇圧する。すなわち、昇圧コンバータ１１は、低電圧系電力ライン３の電力を昇圧して、高電圧系電力ライン４に供給する。また、昇圧コンバータ１１は、インバータ１２，１３により変換された直流電力を、バッテリ２に充電可能な電力まで降圧する。すなわち、昇圧コンバータ１１は、高電圧系電力ライン４の電力を降圧して、低電圧系電力ライン３に供給する。バッテリ２の出力電圧は、たとえば３００ボルト程度であり、昇圧コンバータ１１の出力は、たとえば６００ボルト程度である。
　本実施形態の昇圧コンバータ１１は、リアクトルＬ、２つのスイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２、及び２つのダイオードＤ１１，Ｄ１２を有している。スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２は、スイッチング素子Ｔ１１を高電位側として、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続されている。スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２としては、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴなどを採用することができる。本実施形態では、ｎチャネル型のＩＧＢＴを採用している。
　ダイオードＤ１１，Ｄ１２は、対応するスイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２に対して逆並列に接続されている。ダイオードＤ１１，Ｄ１２のアノードが、対応するスイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２のエミッタ電極に接続されている。
　リアクトルＬの一端は、低電圧系電力ライン３の高電位側、すなわちコンデンサ５の正極側の端子に接続されている。リアクトルＬの他端は、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２の接続点に接続されている。
　インバータ１２，１３は、入力された直流電力を所定周波数の三相交流に変換し、対応するモータＭＧ１，ＭＧ２に出力する。また、インバータ１２，１３は、対応するモータＭＧ１，ＭＧ２により発電された電力（交流電力）を、直流電力に変換する。モータＭＧ２により発電された電力は、ハイブリッド自動車の走行状態やバッテリ２のＳＯＣ（State Of Charge）に応じて使い分けられる。
　たとえば通常走行時では、モータＭＧ２により発電された電力は、そのままモータＭＧ１を駆動させる電力となる。一方、バッテリ２のＳＯＣが予め定められた値よりも低い場合、モータＭＧ２により発電された電力は、インバータ１３により交流から直流に変換された後、昇圧コンバータ１１により電圧が調整されて、バッテリ２に蓄積される。モータＭＧ１により発電された電力は、インバータ１２により交流から直流に変換された後、昇圧コンバータ１１により電圧が調整されて、バッテリ２に蓄えられる。
　インバータ１２は、高電圧系電力ライン４に接続されている。インバータ１２は、６つのスイッチング素子Ｔ２１～Ｔ２６、及び、６つのダイオードＤ２１～Ｄ２６を有している。スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２２は、スイッチング素子Ｔ２１を高電位側として、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、Ｕ相上下アームを構成している。スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２２の接続点は、モータＭＧ１の図示しないＵ相コイルに電気的に接続されている。スイッチング素子Ｔ２３，Ｔ２４は、スイッチング素子Ｔ２３を高電位側として、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、Ｖ相上下アームを構成している。スイッチング素子Ｔ２３，Ｔ２４の接続点は、モータＭＧ１の図示しないＶ相コイルに電気的に接続されている。スイッチング素子Ｔ２５，Ｔ２６は、スイッチング素子Ｔ２５を高電位側として、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、Ｗ相上下アームを構成している。スイッチング素子Ｔ２５，Ｔ２６の接続点は、モータＭＧ１の図示しないＷ相コイルに電気的に接続されている。
　スイッチング素子Ｔ２１～Ｔ２６としては、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴなどを採用することができる。本実施形態では、ｎチャネル型のＩＧＢＴを採用している。ダイオードＤ２１～Ｄ２６は、対応するスイッチング素子Ｔ２１～Ｔ２６に対して逆並列に接続されている。ダイオードＤ２１～Ｄ２６のアノードが、対応するスイッチング素子Ｔ２１～Ｔ２６のエミッタ電極に接続されている。
　インバータ１３も、インバータ１２同様の構成とされている。インバータ１３は、６つのスイッチング素子Ｔ３１～Ｔ３６、及び、対応するスイッチング素子Ｔ３１～Ｔ３６に対して逆並列に接続された６つのダイオードＤ３１～Ｄ３６を有している。スイッチング素子Ｔ３１，Ｔ３２は、スイッチング素子Ｔ３１を高電位側として、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、その接続点は、モータＭＧ２の図示しないＵ相コイルに電気的に接続されている。スイッチング素子Ｔ３３，Ｔ３４は、スイッチング素子Ｔ３３を高電位側として、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、その接続点は、モータＭＧ２の図示しないＶ相コイルに電気的に接続されている。スイッチング素子Ｔ３５，Ｔ３６は、スイッチング素子Ｔ３５を高電位側として、高電圧系電力ライン４の高電位側と低電位側との間で直列接続され、その接続点は、モータＭＧ２の図示しないＷ相コイルに電気的に接続されている。
　電力変換装置１０は、さらに複数の磁電変換素子１４を備えている。磁電変換素子１４は、昇圧コンバータ１１の接続ライン１１ａ、及び、インバータ１２，１３の接続ライン１２ａ，１３ａそれぞれに流れる電流を検出するために設けられている。接続ライン１１ａは、リアクトルＬと、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２の接続点を電気的に接続している。接続ライン１２ａは、インバータ１２の各相上下アームの接続点を、モータＭＧ１の対応する相のコイルに接続するための接続ラインである。接続ライン１３ａは、インバータ１３の各相上下アームの接続点を、モータＭＧ２の対応する相のコイルに接続するための接続ラインである。
　次に、図２～図５に基づき、上記した電力変換装置１０を構成する半導体装置及び電流センサ装置の概略構成について説明する。なお、図２，図３に記載のＵ，Ｖ，Ｗは、三相インバータの相を示している。図３では、主端子２５とバスバー３１（切り欠き３１３）との位置関係を明らかとするために、便宜上、主端子２３，２４を省略して図示している。
　図２及び図３に示す半導体モジュール２０は、上記した昇圧コンバータ１１及びインバータ１２，１３を構成している。半導体モジュール２０は、７つの半導体装置２１を備えており、各半導体装置２１には上下アームがそれぞれ形成されている。昇圧コンバータ１１は、１つの半導体装置２１により構成されている。インバータ１２，１３は、それぞれ３つの半導体装置２１により構成されている。７つの半導体装置２１は、Ｘ方向に所定ピッチ（間隔）を有して並んで配置されている。半導体装置２１は、パワーカードとも称される。
　半導体モジュール２０は、上記した複数の半導体装置２１に加えて、図示しない複数の冷却器を有している。そして、冷却器と半導体装置２１がＸ方向に交互に積層されて、半導体モジュール２０が構成されている。両面放熱構造の半導体装置２１を、冷却器とともに積層配置してなる半導体モジュール２０の詳細構造については、本出願人による先の出願に開示された構成（たとえば特開２０１２－２１２７７６号公報）を援用することができる。
　昇圧コンバータ１１を構成する半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ１１、Ｔ１２及びダイオードＤ１１，Ｄ１２を有している。インバータ１２を構成するＵ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２２及びダイオードＤ２１，Ｄ２２を有している。インバータ１２を構成するＶ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ２３，Ｔ２４及びダイオードＤ２３，Ｄ２４を有している。インバータ１２を構成するＷ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ２５，Ｔ２６及びダイオードＤ２５，Ｄ２６を有している。
　インバータ１３を構成するＵ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ３１，Ｔ３２及びダイオードＤ３１，Ｄ３２を有し、インバータ１３を構成するＶ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ３３，Ｔ３４及びダイオードＤ３３，Ｄ３４を有している。インバータ１２を構成するＷ相の半導体装置２１は、スイッチング素子Ｔ３５，Ｔ３６及びダイオードＤ３５，Ｄ３６を有している。本実施形態では、各半導体装置２１において、対応するスイッチング素子及びダイオードが、ＲＣ－ＩＧＢＴとして同じ半導体チップに形成されている。
　各半導体装置２１は、周知の両面放熱構造をなしている。たとえばインバータ１２を構成するＵ相の半導体装置２１の場合、スイッチング素子Ｔ２１及びダイオードＤ２１が形成された半導体チップ、及び、スイッチング素子Ｔ２２及びダイオードＤ２２が形成された半導体チップが、チップの板厚方向をＸ方向としつつＹ方向に並んで配置されている。各半導体チップのＸ方向両側には、ヒートシンクがそれぞれ配置されており、ヒートシンクは、対応する半導体チップと電気的且つ熱的に接続されている。これら半導体チップ及びヒートシンクは、モールド樹脂２２によって封止されている。図示を省略するが、各ヒートシンクにおける半導体チップと反対側の面は、モールド樹脂２２から露出されている。なお、インバータ１３を構成するＵ相の半導体装置２１以外の半導体装置２１についても、同様の構成とされている。
　半導体装置２１は、外部接続用の端子として、主端子２３～２５及び信号端子２６をそれぞれ有している。たとえばインバータ１２を構成するＵ相の半導体装置２１の場合、主端子２３は、ヒートシンクを介して、スイッチング素子Ｔ２１のコレクタ電極と電気的に接続されている。主端子２３は、高電圧系電力ライン４の高電位側（正極側）に接続されるため、高電位電源端子，Ｐ端子とも称される。
　主端子２４は、ヒートシンクを介して、スイッチング素子Ｔ２２のエミッタ電極と電気的に接続されている。主端子２４は、高電圧系電力ライン４の低電位側（負極側）に接続されるため、低電位電源端子、Ｎ端子とも称される。主端子２５は、ヒートシンクを介して、スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２２の接続点と電気的に接続されている。主端子２５は、接続ライン１２ａの一部を構成している。主端子２５は、出力端子、Ｏ端子とも称される。この主端子２５が、後述するバスバー３１の接続対象である端子に相当する。
　主端子２３～２５は、銅などの金属材料を用いて形成された平板である。主端子２３～２５は、銅などの金属板を厚み方向にプレス（打ち抜き）して形成されている。平板状の主端子２３～２５は、いずれも厚み方向をＸ方向とし、Ｚ方向に延設されている。同じ半導体装置２１の主端子２３～２５は、Ｙ方向に並んで配置されている。主端子２３，２４は互いに隣りに位置し、主端子２５は並び方向であるＹ方向の一端に配置されている。本実施形態では、Ｙ方向において電流センサ装置３０側から、主端子２５（Ｏ端子）、主端子２４（Ｎ端子）、主端子２３（Ｐ端子）の順で配置されている。主端子２３～２５は、平面略矩形状をなすモールド樹脂２２の４つの側面のうち、同じ側面から外部に突出している。
　信号端子２６は、スイッチング素子Ｔ２１及びダイオードＤ２１が形成された半導体チップのパッド、及び、スイッチング素子Ｔ２２及びダイオードＤ２２が形成された半導体チップのパッドに、図示しないボンディングワイヤ等を介して電気的に接続されている。信号端子２６は、Ｙ方向に延設されており、モールド樹脂２２の側面のうち、主端子２３～２５が突出する側面と反対の側面から外部に突出している。なお、インバータ１３を構成するＵ相の半導体装置２１以外の半導体装置２１についても、同様の構成とされている。
　Ｘ方向に並んで配置された７つの半導体装置２１において、主端子２３同士、主端子２４同士、主端子２５同士が、それぞれＸ方向に並んで配置されている。換言すれば、Ｘ方向からの投影視において、主端子２３同士、主端子２４同士、主端子２５同士が、それぞれ重なるように配置されている。
　図２～図５に示すように、電流センサ装置３０は、バスバー３１、樹脂部３２、及び電流センサ３３を備えている。電流センサ装置３０は、バスバー３１付きの電流センサ３３である。電流センサ装置３０は、電流センサ３３を備えたバスバーユニットである。この電流センサ装置３０は、昇圧コンバータ１１及びインバータ１２，１３に対応している。
　バスバー３１は、導電経路として機能すべく、導電部材を用いて形成されている。バスバー３１は、銅などの金属板を板厚方向にプレス（打ち抜き）して形成されている。本実施形態では、全長において、板厚がほぼ等しくされている。バスバー３１は、１本の主端子２４につき、１本設けられている。電流センサ装置３０は、７本のバスバー３１を有している。詳しくは、昇圧コンバータ１１に対応してバスバー３１を１本、インバータ１２の各相に対応してバスバー３１を３本、インバータ１３の各相に対応してバスバーを３本有している。
　昇圧コンバータ１１において、バスバー３１は、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２の接続点とリアクトルＬとを電気的に中継する。すなわち、接続ライン１１ａの一部を構成する。インバータ１２において、たとえばＵ相のバスバー３１は、スイッチング素子Ｔ２１，Ｔ２２の接続点とモータＭＧ１のＵ相コイルとを電気的に中継する。すなわち、接続ライン１２ａの一部を構成する。インバータ１３において、たとえばＵ相のバスバー３１は、スイッチング素子Ｔ３１，Ｔ３２の接続点とモータＭＧ２のＵ相コイルとを電気的に中継する。すなわち、接続ライン１３ａの一部を構成する。
　本実施形態において、各バスバー３１は、一端３１０から一端３１０とは反対の他端３１１まで、その延設方向の全長において板厚方向が同じ方向（Ｚ方向）とされている。すなわち、一端３１０から他端３１１までの間に、板厚方向の屈曲部を有していない。
　詳しくは、各バスバー３１がＹ方向に延設されており、延設方向における中間部分が樹脂部３２により被覆されている。一端３１０及び他端３１１は、樹脂部３２から露出されている。バスバー３１の一端３１０には、主端子２５が接続される。他端３１１には、対応するモータＭＧ１，ＭＧ２やリアクトルＬ側の接続線の端子が接続される。このために、他端３１１には、図２及び図４に示すように、貫通孔３１２が形成されている。なお、一端３１０及び他端３１１とは、それぞれバスバー３１の端部（縁部）のみを示すのではなく、縁部分を含む所定の領域を示すものである。一端３１０とは、一方の端部を含む一方の端部側の領域を示し、他端３１１とは、他方の端部を含む他方の端部側の領域を示す。
　樹脂部３２は、バスバー３１及び電流センサ３３（磁電変換素子１４）を一体的に保持している。本実施形態において、樹脂部３２は、昇圧コンバータ１１及びインバータ１２，１３に対応する複数のバスバー３１及び電流センサ（磁電変換素子１４）を一体的に保持している。樹脂部３２は、複数のバスバー３１が、板厚方向をＺ方向としつつ、幅方向であるＸ方向に所定ピッチで並んで配置されるように、各バスバー３１を保持している。
　本実施形態では、樹脂部３２が、図５に示すように、ケース３２０，３２１を有している。すなわち、樹脂部３２が、Ｚ方向に二分割構造とされている。そして、ケース３２０，３２１を組み付けた状態で形成される樹脂部３２（すなわち筐体）の内部空間に、磁電変換素子１４などが配置されている。なお、樹脂部３２として、たとえばモールド樹脂を採用することもできる。
　樹脂部３２は、図４に示すように、収容部３２２及び支持部３２３を有している。収容部３２２には、電流センサ３３を構成する磁電変換素子１４などが収容されている。収容部３２２は、ケース３２０，３２１により構成されている。支持部３２３は、ケース３２１によって構成されている。
　各バスバー３１の他端３１１は、支持部３２３によって支持されている。すなわち、支持部３２３の表面に、他端３１１が配置されている。支持部３２３には、他端３１１に形成された貫通孔３１２に対応して、凹部が形成されている。なお、凹部に代えて、貫通孔が形成されてもよい。締結などにより、バスバー３１の他端３１１と、対応するモータＭＧ１，ＭＧ２やリアクトルＬ側の接続線の端子とが、電気的に接続される。一方、各バスバー３１の一端３１０は、樹脂部３２から突出している。
　電流センサ３３は、対応するバスバー３１に流れる電流を検出し、スイッチング素子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１～Ｔ２６，Ｔ３１～Ｔ３６の駆動を制御する制御回路に対して、検出信号を出力する。電流センサ３３は、磁電変換素子１４が形成されたセンサチップ３３０を有している。本実施形態の電流センサ３３は、図５に示すように、セラミックパッケージ３３１、処理回路チップ３３２、ボンディングワイヤ３３３、バイアス磁石３３４、スペーサ３３５、回路基板３３６、はんだ３３７、及び磁気シールド３３８，３３９をさらに有している。このように、電流センサ３３は、コアを必要としないコアレス電流センサとされている。
　センサチップ３３０には、インバータ１２に対応する磁電変換素子１４が形成されている。磁電変換素子１４は、対応するバスバー３１に電流が流れたときに生じる磁界の磁束密度を検知して電気信号に変換する。センサチップ３３０（磁電変換素子１４）は、バスバー３１の板厚方向であるＺ方向において、バスバー３１上にそれぞれ配置されている。磁電変換素子１４としては、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）、ホール素子などを採用することができる。本実施形態では、センサチップ３３０に、ＧＭＲやＴＭＲなどの磁気ベクトルの向きによって電気信号が変化する磁電変換素子１４が形成されている。
　セラミックパッケージ３３１は、センサチップ３３０を収容するための空間を提供する容器である。セラミックパッケージ３３１は、複数のセラミック板が積層されてなる。セラミックパッケージ３３１は、環状に設けられた側壁部と、側壁部の開口の一方を閉塞する底部を有している。セラミックパッケージ３３１には、図示しない配線が形成されている。セラミックパッケージ３３１は、底部における内面３３１ａ（以下、底部内面３３１ａと示す）とは反対側の面で、バスバー３１に固定されている。セラミックパッケージ３３１は、Ｚ方向においてバスバー３１上に配置されている。
　処理回路チップ３３２は、センサチップ３３０から入力される信号を用いて所定の演算処理を実行し、演算結果を回路基板３３６に対して出力する。処理回路チップ３３２も、セラミックパッケージの収容空間に配置されている。処理回路チップ３３２には、接着材などを介してセンサチップ３３０が実装されている。処理回路チップ３３２は、セラミックパッケージ３３１の底部内面３３１ａに固定されている。センサチップ３３０は、処理回路チップ３３２を介して、底部内面３３１ａに固定されている。
　センサチップ３３０は、ボンディングワイヤ３３３を介して、処理回路チップ３３２と電気的に接続されている。処理回路チップ３３２は、ボンディングワイヤ３３３を介して、セラミックパッケージ３３１の配線と電気的に接続されている。
　バイアス磁石３３４は、センサチップ３３０に対して電気信号の基準となる磁気ベクトルを付与する。バイアス磁石３３４としては、永久磁石でも良いし、電磁石でも良い。バイアス磁石３３４は、Ｚ方向からの投影視において、センサチップ３３０（磁電変換素子１４）と重なるように、センサチップ３３０に対してバスバー３１と反対側に配置されている。すなわち、Ｚ方向において、バイアス磁石３３４とバスバー３１との間に、センサチップ３３０が位置している。本実施形態では、Ｚ方向において、バイアス磁石３３４の一部がセラミックパッケージ３３１の収容空間に配置され、残りの部分が収容空間から外部に突出している。
　スペーサ３３５には、接着材などを介して、バイアス磁石３３４が固定されている。スペーサ３３５は、Ｚ方向において、センサチップ３３０とバイアス磁石３３４との間に位置している。スペーサ３３５は、センサチップ３３０とバイアス磁石３３４との間に、所定の間隔を確保するための部材である。スペーサ３３５は、たとえば樹脂材料を用いて形成されている。セラミックパッケージ３３１は、Ｚ方向において底部内面３３１ａと上部開口端３３１ｂとの間に設けられた段部３３１ｃを、収容空間側に有している。段部３３１ｃは、環状をなしている。スペーサ３３５は、接着材などを介して、段部３３１ｃに固定されている。
　回路基板３３６は、ボンディングワイヤ３３３及びセラミックパッケージ３３１の配線を介して、処理回路チップ３３２と電気的に接続されている。回路基板３３６の図示しない配線は、はんだ３３７を介して、セラミックパッケージ３３１の配線と電気的に接続されている。回路基板３３６は、複数のバスバー３１、換言すれば複数の電流センサ３３で共通とされている。回路基板３３６は、Ｘ方向において、複数のバスバー３１を跨ぐように配置されている。回路基板３３６は、セラミックパッケージ３３１の上部開口端３３１ｂ上に配置されている。回路基板３３６は、セラミックパッケージ３３１の上部開口を塞ぐように配置されている。
　回路基板３３６には、貫通孔３３６ａが形成されており、貫通孔３３６ａ内にバイアス磁石３３４の一部が配置されている。貫通孔３３６ａに代えて、回路基板３３６のセンサチップ３３０側の面のみに開口する凹部（未貫通孔）を採用することもできる。
　磁気シールド３３８，３３９は、磁性材料を用いて形成されている。磁気シールド３３８，３３９は、電流センサ装置３０に対する外部磁界が磁電変換素子１４を透過することを抑制するものである。すなわち、磁気シールド３３８，３３９は、磁電変換素子１４に対する外部磁界を遮蔽するものである。磁気シールド３３８，３３９は、各バスバー３１に配置された磁電変換素子１４（センサチップ３３０）に共通に設けられている。磁気シールド３３８，３３９は、回路基板３３６同様、複数のバスバー３１で共通とされている。磁気シールド３３８，３３９は、図２に示すように、Ｘ方向において、複数のバスバー３１を跨ぐように配置されている。
　図５に示すように、磁気シールド３３８，３３９は、板状部材である。磁気シールド３３８，３３９は、板厚方向がＺ方向となるように配置されている。磁気シールド３３８，３３９は、Ｚ方向において、間隔をあけて対向配置されている。磁気シールド３３８，３３９は、Ｚ方向において、バスバー３１、センサチップ３３０（磁電変換素子１４）、及びバイアス磁石３３４を挟むように対向配置されている。
　このように、バスバー３１、電流センサ３３を構成するセンサチップ３３０（磁電変換素子１４）、セラミックパッケージ３３１、処理回路チップ３３２、バイアス磁石３３４、及びスペーサ３３５は、電力変換装置１０を構成する７つの上下アームごとに設けられている。一方、樹脂部３２、電流センサ３３を構成する回路基板３３６、及び磁気シールド３３８，３３９は、７つの上下アームで共通とされている。
　次に、主端子２５及びバスバー３１の接続構造について説明する。
　主端子２５の突出部分は、略直方体形状をなしている。図２に示すように、主端子２５は、当該主端子２５の厚み方向（Ｘ方向）において表面２５ａ，２５ｂを有し、延設方向（Ｚ方向）及び厚み方向に直交する幅方向（Ｙ方向）において、側面２５ｃ，２５ｄを有している。
　バスバー３１は、図２～図４に示すように、一端３１０に切り欠き３１３を有している。切り欠き３１３は、板厚方向であるＺ方向においてバスバー３１を貫通している。バスバー３１は、表面として、板厚方向であるＺ方向における一面、一面と反対の裏面、及び外周面３１４（外側面）を有している。切り欠き３１３は、外周面３１４に開口している。切り欠き３１３は、外周面３１４のうち、延設方向であるＹ方向の端面に開口している。切り欠き３１３は、バスバー３１をＺ方向に貫通しつつ、主端子２５の幅方向であるＹ方向に延設されている。切り欠き３１３が、貫通部に相当する。
　切り欠き３１３は、バスバー３１の内側面である壁面３１５によって区画されている。壁面３１５は、Ｘ方向において互いに対向する第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂと、Ｙ方向において切り欠き３１３の開口とは反対に位置し、底をなす第３壁面３１５ｃを有している。Ｙ方向において、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの一端が外周面３１４に連なり、他端が第３壁面３１５ｃに連なっている。第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂが、一対の対向壁面に相当する。
　第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂは、互いに平行な部分を有している。第１壁面３１５ａと第２壁面３１５ｂとの対向距離は、主端子２５の厚み方向における位置のばらつきを考慮して、主端子２５が切り欠き３１３に収容されるように設定されている。切り欠き３１３の深さは特に限定されない。主端子２５とバスバー３１の接続面積を増やすためには、深さがより深い方が好ましく、主端子２５の幅以上の深さを有するとよい。
　本実施形態では、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂが、全面でほぼ平行とされている。すなわち、切り欠き３１３の幅が、深さ方向（Ｙ方向）でほぼ一定とされている。第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂは、Ｘ方向に直交する面とされている。また、切り欠き３１３の深さが、主端子２５の幅よりも長い深さを有している。そして、図２に示すように、各主端子２５の表面２５ａが、対応するバスバー３１の第１壁面３１５ａに接触している。さらには、各主端子２５の側面２５ｃが、対応するバスバー３１の第３壁面３１５ｃに接触している。そして、この位置決め状態で、主端子２５とバスバー３１が溶接されている。
　次に、本実施形態の電流センサ装置３０、ひいては電力変換装置１０の効果について説明する。
　半導体装置と電流センサ装置との接続においては、半導体装置側の要因、たとえば半導体装置の製造ばらつきや半導体装置と冷却器との組み付けばらつきなどにより、主端子の厚み方向において、主端子がバスバーに対して遠ざかる方向に傾くことも考えられる。すなわち、主端子におけるバスバーとの接続部分の位置が、厚み方向においてばらつく。このため、クランプなどの位置決め部材を用いて主端子とバスバーとを押さえ、この位置決め状態で、溶接しなければならない。
　これに対して本実施形態では、バスバー３１に、貫通部としての切り欠き３１３が形成されている。また、切り欠き３１３を区画する壁面３１５として、互いに対向する第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂを有している。したがって、半導体装置２１側の要因により、主端子２５の位置、詳しくは、バスバー３１との接続位置が、主端子２５の厚み方向においてばらついても、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの少なくとも一方に主端子２５を接触させることができる。このように、位置決め部材を用いなくとも、主端子２５に対してバスバー３１を位置決めすることができる。すなわち、位置決め部材を用いなくとも、主端子２５とバスバー３１を接続（溶接）することができる。
　また、切り欠き３１３の壁面３１５、すなわちバスバー３１のプレスによるせん断面を主端子２５との接続面とする。図示を省略するが、プレスによるバリは、板厚方向においてバスバー３１の一方の面に生じ、せん断面には生じない。バリは、Ｚ方向に延びている。したがって、バスバー３１にバリが生じていても、バリの影響を受けずに主端子２５とバスバー３１を接続することができる。
　以上により、本実施形態の電流センサ装置３０は、半導体装置２１が備える板状の主端子２５との組み付け性に優れている。
　加えて本実施形態では、バスバー３１の一端３１０から他端３１１まで、バスバー３１の板厚方向が同じとされている。すなわち、バスバー３１が、板厚方向の屈曲部分を有していない。したがって、曲げに起因する一端３１０の位置のばらつきを抑制することができる。これにより、板状の主端子２５との組み付け性を、さらに優れたものにすることができる。
　また、本実施形態では、貫通部として、バスバー３１の外周面３１４に開口する切り欠き３１３を採用している。このため、主端子２５の幅方向（Ｙ方向）において主端子２５の位置にばらつきが生じても、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの少なくとも一方に対して、主端子２５を接触させやすい。また、並設された複数の主端子２５と対応するバスバー３１を、一括で位置決めしやすい。さらには、第３壁面３１５ｃに主端子２５を接触させることができるため、主端子２５とバスバー３１との接続面積を増やすことができる。
　また、本実施形態では、主端子２５の表面２５ａ，２５ｂに対向する第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂが、互いに平行な部分を有しており、互いに平行な部分で主端子２５に接触する。これによっても、主端子２５とバスバー３１との接続面積を増やすことができる。特に本実施形態では、切り欠き３１３の深さが、主端子２５の幅よりも長い深さとなっており、Ｙ方向における第１壁面３１５ａの全長で、第１壁面３１５ａと主端子２５が接触する。これによっても、主端子２５とバスバー３１との接続面積を増やすことができる。
　（第２実施形態）
　本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０（半導体装置２１）、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
　本実施形態では、図６に示すように、切り欠き３１３が、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの間の幅が狭くされた狭幅部３１３ａと、狭幅部３１３ａよりも幅の広い拡幅部３１３ｂと、を有している。言い換えると、切り欠き３１３は、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの間の幅が所定の幅である狭幅部３１３ａと、狭幅部３１３ａの所定の幅よりも広い拡幅部３１３ｂと、を有している。ここで、切り欠き３１３の幅とは、深さ方向であるＹ方向に直交する方向（Ｘ方向）の長さである。
　主端子２５は、狭幅部３１３ａにおいて、たとえば第１壁面３１５ａに接続される。拡幅部３１３ｂは、切り欠き３１３の深さ方向において、外周面３１４への開口側の端部に設けられている。拡幅部３１３ｂは、外周面３１４への開口側において狭幅部３１３ａに連なっている。狭幅部３１３ａが切り欠き３１３の底側に設けられている。
　さらに本実施形態では、拡幅部３１３ｂにおける第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂが、テーパ形状をなしている。具体的には、外周面３１４（Ｙ方向の端面）に近いほど、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの対向距離が長くなるように、拡幅部３１３ｂにおける第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂがテーパ形状をなしている。
　これによれば、主端子２５の厚み方向（Ｘ方向）において主端子２５の位置がばらついても、テーパ形状の部分に沿って主端子２５を切り欠き３１３の底側に導くことができるので、切り欠き３１３内に主端子２５を配置させやすい。すなわち、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの少なくとも一方に、主端子２５を接触させやすい。特に、並設された複数の主端子２５で位置のばらつきが異なっても、対応するバスバー３１に対して一括で位置決めしやすい。
　また、プレスによる主端子２５のバリは、厚み方向において主端子２５の一方の面に生じる。バリは、厚み方向であるＸ方向に延びている。本実施形態では、切り欠き３１３が狭幅部３１３ａ及び拡幅部３１３ｂを有しており、主端子２５は、狭幅部３１３ａにおける第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの少なくとも一方に接触する。主端子２５が、切り欠き３１３の開口側の端部にプレスによるバリを有していても、バリは拡幅部３１３ｂに収容され、壁面３１５に接触しない。したがって、主端子２５のバリの影響を受けずに、主端子２５とバスバー３１を接続することができる。すなわち、主端子２５とバスバー３１との組み付け性をさらに向上することができる。
　なお、本実施形態では、拡幅部３１３ｂにおいて、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの両方がテーパ形状をなす例を示したが、これに限定されない。拡幅部３１３ｂにおいて、外周面３１４（Ｙ方向の端面）に近いほど、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの対向距離が長くなるように、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの少なくとも一方がテーパ形状をなしていればよい。たとえば第１壁面３１５ａのみテーパ形状の部分を有し、第２壁面３１５ｂの全面をＸ方向に略直交する面としてもよい。また、拡幅部３１３ｂにおいて、外周面３１４から所定の範囲のみをテーパ形状とし、それよりも切り欠き３１３の底側の部分を幅一定としてもよい。
　（第３実施形態）
　本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０（半導体装置２１）、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
　本実施形態では、図７に示すように、バスバー３１が、貫通部として貫通孔３１６を有している。貫通孔３１６は、外周面３１４に開口しておらず、壁面３１５により周りを囲まれて、閉じた空間とされている。
　貫通孔３１６は、ＸＹ平面に沿う形状が、主端子２５に対応して平面略矩形状をなしている。バスバー３１は、壁面３１５として、上記した第１壁面３１５ａ、第２壁面３１５ｂ、及び第３壁面３１５ｃに加えて、第４壁面３１５ｄを有している。第３壁面３１５ｃ及び第４壁面３１５ｄは、主端子２５の幅方向であるＹ方向において、互いに対向している。第３壁面３１５ｃ及び第４壁面３１５ｄの対向距離は、主端子２５の幅よりも若干長くされている。
　これによれば、貫通孔３１６に対して主端子２５が挿入され、この状態で溶接されることとなる。主端子２５の位置が幅方向（Ｙ方向）でばらついても、幅方向両側に第３壁面３１５ｃ及び第４壁面３１５ｄが存在するため、幅方向においても接触面積を確保しやすい。
　なお、壁面３１５のうち、Ｚ方向において半導体装置２１側の開口付近をテーパ形状の部分としてもよい。これによれば、貫通孔３１６に対して主端子２５を挿入しやすくなる。
　（第４実施形態）
　本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０（半導体装置２１）、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
　本実施形態では、図８に示すように、各バスバー３１が、外周面３１４のうちの隣りにバスバー３１が位置する面、すなわちバスバー３１との対向面に、切断痕３１７を有している。具体的には、Ｘ方向において、両端に位置するバスバー３１は、Ｘ方向内側の面のみに切断痕３１７を有し、それ以外のバスバー３１は、Ｘ方向両面に切断痕３１７を有している。この切断痕３１７は、後述するタイバー３１８を切断した痕跡である。本実施形態では、切断痕３１７が、当該切断痕３１７が設けられている面の他の部分に対して、Ｘ方向に突出している。それ以外の構成は、第２実施形態（図６参照）と同じとされている。
　図９は、タイバー３１８を切断する前の状態を示している。複数のバスバー３１は、タイバー３１８によって連結されている。複数のバスバー３１は、リードフレームの一部として構成されている。樹脂部３２にバスバー３１を配置した後、タイバー３１８を切断することで、図８に示した電流センサ装置３０を得ることができる。
　これによれば、タイバー３１８によって連結されたリードフレームの状態で、複数のバスバー３１が、共通の樹脂部３２に対して位置決め配置される。したがって、バスバー３１同士の位置の精度を向上することができる。このため、並設された複数の主端子２５と対応するバスバー３１を、さらに一括で位置決めしやすくなる。
　（第５実施形態）
　本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０（半導体装置２１）、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
　本実施形態では、図１０及び図１１に示すように、バスバー３１が、貫通部として切り欠き３１３を有している。そして、切り欠き３１３が、狭幅部３１３ａ及び拡幅部３１３ｂに加えて、拡幅部３１３ｃをさらに有している。
　切り欠き３１３の深さは、主端子２５の幅と略等しくされている。拡幅部３１３ｃの幅も、拡幅部３１３ｂ同様、狭幅部３１３ａより広くされている。拡幅部３１３ｃは、切り欠き３１３の底側において、狭幅部３１３ａに連なっている。このように、図１０及び図１１に示す電流センサ装置３０では、狭幅部３１３ａを挟むように、深さ方向の両端に拡幅部３１３ｂ，３１３ｃが設けられている。
　第２実施形態同様、外周面３１４への開口側の拡幅部３１３ｂにおいて、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂはテーパ形状をなしている。一方、切り欠き３１３の底側の拡幅部３１３ｃにおいて、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂは全長でほぼ平行とされている。すなわち、拡幅部３１３ｃの幅は、深さ方向でほぼ一定とされている。拡幅部３１３ｃの幅は、拡幅部３１３ｂにおける外周面３１４への開口部分の幅とほぼ等しくされている。
　なお、先行実施形態とは異なり、電流センサ装置３０は、３つの半導体装置２１に対応して、３つのバスバー３１を一体的に備えている。３つの半導体装置２１を備える半導体モジュール２０は、たとえばインバータ１２を構成する。
　また、バスバー３１は、一端３１０と他端３１１との間に、屈曲部分を有している。この屈曲部分により、一端３１０における板厚方向と他端３１１における板厚方向が、互いに直交する位置関係にある。なお、一端３１０の板厚方向はＺ方向、他端３１１の板厚方向はＹ方向とされている。
　図１２は、バスバー３１に主端子２５を接続（溶接）した状態を示している。図１２では、便宜上、半導体装置２１（半導体モジュール２０）のうち、主端子２５のみを図示している。図１２に示すＵ，Ｖ，Ｗは、インバータ１２の相を示している。各主端子２５は、対応する狭幅部３１３ａにおいて、第１壁面３１５ａに接続されている。主端子２５における幅方向の一端は拡幅部３１３ｂに配置され、他端は拡幅部３１３ｃに配置されている。主端子２５の幅方向両端において、両面側に空間が存在している。
　本実施形態でも、バスバー３１に、貫通部としての切り欠き３１３が形成されている。したがって、主端子２５の位置がばらついても、位置決め部材を用いずに主端子２５とバスバー３１を接続（溶接）することができる。バスバー３１が屈曲部分を有していても、位置決め部材を用いずに主端子２５とバスバー３１を接続することができる。
　また、切り欠き３１３の壁面３１５を主端子２５との接続面とするため、バスバー３１にバリが生じていても、バリの影響を受けずに主端子２５とバスバー３１を接続することができる。
　ところで、プレスによる主端子２５のバリは、厚み方向における一方の面であって、外周端近傍に生じる。すなわち、バリは、幅方向において主端子２５の両端に生じる虞がある。これに対し、本実施形態では、切り欠き３１３が狭幅部３１３ａの両側に拡幅部３１３ｂ，３１３ｃをそれぞれ有している。これにより、主端子２５の幅方向両端にバリが生じていても、バリが拡幅部３１３ｂ，３１３ｃに収容され、壁面３１５に接触しない。したがって、主端子２５のバリの影響を受けずに、主端子２５とバスバー３１を接続することができる。すなわち、主端子２５とバスバー３１との組み付け性をさらに向上することができる。
　なお、本実施形態では、主端子２５が切り欠き３１３を貫通し、半導体装置２１側の面と反対の面上に突出している（図３参照）。これにより、主端子２５の延設方向、すなわちＺ方向の端部にバリが生じていても、壁面３１５に接触しない。したがって、主端子２５のバリの影響を受けずに、主端子２５とバスバー３１を接続することができる。
　拡幅部３１３ｂにおいて、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂがテーパ形状をなす例を示したがこれに限定されるものではない。また、拡幅部３１３ｃも幅一定に限定されるものではない。たとえば図１３に示す変形例では、拡幅部３１３ｂの幅が一定とされている。このような拡幅部３１３ｂを採用しても、主端子２５の両面側に空間が存在することになるので、主端子２５のバリの影響を受けずに、主端子２５とバスバー３１を接続することができる。図１３は、図１２に対応している。
　なお、切り欠き３１３を有し、屈曲部分を有さないバスバー３１を備える電流センサ装置３０についても、上記構成を採用することができる。たとえば第２実施形態（図６参照）に対し、拡幅部３１３ｃをさらに追加した構成としてもよい。
　（第６実施形態）
　本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０（半導体装置２１）、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
　本実施形態では、図１４に示すように、切り欠き３１３が狭幅部３１３ａ及び拡幅部３１３ｃを有しており、拡幅部３１３ｂを有していない。拡幅部３１３ｃの幅は、第５実施形態同様、深さ方向においてほぼ一定とされている。図１４は、図１２に対応している。
　各主端子２５は、対応する狭幅部３１３ａにおいて、第１壁面３１５ａに接続されている。切り欠き３１３の深さは、主端子２５の幅よりも短くされている。このため、主端子２５の幅方向の一端を第３壁面３１５ｃに接触させた状態で、他端が切り欠き３１３の外部に突出する。
　本実施形態では、主端子２５の幅方向の一端、具体的には切り欠き３１３の底側の一端にバリが生じても、バリが拡幅部３１３ｃに収容され、壁面３１５に接触しない。また、主端子２５の幅方向の他端にバリが生じても、切り欠き３１３から突出しているため、壁面３１５に接触しない。したがって、主端子２５のバリの影響を受けずに、主端子２５とバスバー３１を接続することができる。すなわち、主端子２５とバスバー３１との組み付け性をさらに向上することができる。
　なお、本実施形態では、拡幅部３１３ｃとして幅一定の例を示したが、これに限定されるものではない。また、なお、切り欠き３１３を有し、屈曲部分を有さないバスバー３１を備える電流センサ装置３０についても、上記構成を採用することができる。
　（第７実施形態）
　本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電力変換装置１０、半導体モジュール２０（半導体装置２１）、及び電流センサ装置３０と共通する部分についての説明は省略する。
　本実施形態では、図１５に示すように、バスバー３１が、貫通部として貫通孔３１６を有している。そして、貫通孔３１６が、狭幅部３１６ａ及び拡幅部３１６ｂ，３１６ｃを有している。
　狭幅部３１６ａは、狭幅部３１３ａ同様、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂの間の幅が狭い部分である。本実施形態でも、狭幅部３１６ａにおいて、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂが略平行とされている。貫通孔３１６は、Ｘ方向よりもＹ方向に長い長孔とされている。拡幅部３１６ｃは、バスバー３１の一端３１０において、樹脂部３２側の端部に設けられている。拡幅部３１６ｂは、貫通孔３１６において、拡幅部３１６ｃとは反対の端部に設けられている。狭幅部３１６ａを挟むように、貫通孔３１６の長手方向（Ｙ方向）の両端に拡幅部３１６ｂ，３１６ｃが設けられている。
　拡幅部３１６ｂ，３１６ｃにおいて、第１壁面３１５ａ及び第２壁面３１５ｂは、全面でほぼ平行とされている。すなわち、拡幅部３１６ｂの幅は、長手方向でほぼ一定とされている。また、拡幅部３１６ｃの幅も、長手方向でほぼ一定とされている。また、拡幅部３１６ｂ，３１６ｃの幅は、互いにほぼ等しくされている。
　主端子２５は、狭幅部３１６ａにおいて、第１壁面３１５ａに接続されている。主端子２５における幅方向の一端が拡幅部３１６ｂに配置され、他端は拡幅部３１６ｃに配置されている。すなわち、主端子２５の幅方向両端において、両面側に空間が存在している。
　このように本実施形態では、貫通孔３１６が拡幅部３１６ｂ，３１６ｃを有している。これにより、主端子２５の幅方向両端にバリが生じていても、バリが拡幅部３１６ｂ，３１６ｃに収容され、壁面３１５に接触しない。したがって、主端子２５のバリの影響を受けずに、主端子２５とバスバー３１を接続することができる。すなわち、主端子２５とバスバー３１との組み付け性をさらに向上することができる。
　なお、貫通孔３１６が、長手方向両端に拡幅部３１６ｂ，３１６ｃを有する例を示したがこれに限定されない。貫通孔３１６が、狭幅部３１６ａとともに、拡幅部３１６ｂ，３１６ｃのいずれか一方を有してもよい。拡幅部３１６ｂ，３１６ｃも、幅一定のものに限定されない。
　また、貫通孔３１６を有し、屈曲部分を有さないバスバー３１を備える電流センサ装置３０についても、上記構成を採用することができる。たとえば第３実施形態（図７参照）に対し、拡幅部３１６ｂ，３１６ｃの少なくとも一方を追加した構成としてもよい。
　本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
　電力変換装置１０の構成は、上記例に限定されない。
　電流センサ装置３０が、昇圧コンバータ１１及びインバータ１２，１３を構成する７つの半導体装置２１に対応して設けられる例を示したが、これに限定されない。たとえば昇圧コンバータ１１、インバータ１２、及びインバータ１３に対して、個別に電流センサ装置３０を設けてもよい。電流センサ装置３０は、少なくとも１本のバスバー３１と、バスバー３１に対応して設けられる磁電変換素子１４（センサチップ３３０）と、バスバー３１及び磁電変換素子１４（センサチップ３３０）を一体的に保持する樹脂部３２と、を備えればよい。本実施形態に示した昇圧コンバータ１１に対応する電流センサ装置３０とする場合、電流センサ装置３０は、昇圧コンバータ１１を構成する半導体装置２１の主端子２５に接続される１本のバスバー３１を備えることとなる。
　複数の主端子２５が、いずれも第１壁面３１５ａに接続される例を示したがこれに限定されない。各主端子２５が第２壁面３１５ｂに接続された構成としてもよい。また、主端子２５の一部が第１壁面３１５ａに接続され、残りが第２壁面３１５ｂに接続された構成としてもよい。

 

Claims (10)

  1. 　スイッチング素子（Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１～Ｔ２６，Ｔ３１～Ｔ３６）及び該スイッチング素子と電気的に接続された板状の端子（２５）を備えた半導体装置（２１）に対して配置される電流センサ装置であって、
    　前記端子の厚み方向において前記端子に接続されるバスバー（３１）と、
    　前記バスバーに流れる電流を検出する磁電変換素子（１４）と、
    　前記磁電変換素子及び前記バスバーを一体的に保持する樹脂部（３２）と、
    を備え、
    　前記バスバーは、前記樹脂部から突出する一端（３１０）を有し、前記一端は、壁面（３１５）によって区画され、前記バスバーの板厚方向において前記バスバーを貫通する貫通部（３１３，３１６）と、前記壁面として、互いに対向する一対の対向壁面（３１５ａ，３１５ｂ）と、を有し、
    　一対の前記対向壁面の少なくとも一方が前記端子に接続される電流センサ装置。
  2. 　前記バスバーは、前記一端から前記一端とは反対の他端（３１１）まで前記板厚方向を同じとして延設されている請求項１に記載の電流センサ装置。
  3. 　前記貫通部（３１３）は、前記バスバーの外周面（３１４）に開口する切り欠きであり、
    　前記対向壁面は、前記外周面に連なっている請求項１又は請求項２に記載の電流センサ装置。
  4. 　前記切り欠きは、一対の前記対向壁面間の幅が所定幅であり、前記対向壁面に前記端子が接続される狭幅部（３１３ａ）と、前記幅の方向及び前記板厚方向の両方向に直交する方向において少なくとも一方の端部に設けられ、前記狭幅部の前記所定幅よりも幅の広い拡幅部（３１３ｂ，３１３ｃ）と、を有する請求項３に記載の電流センサ装置。
  5. 　前記拡幅部（３１３ｂ）が、前記外周面に連なって設けられており、
    　前記拡幅部において、前記外周面に近いほど一対の前記対向壁面間の対向距離が長くなるように、一対の前記対向壁面の少なくとも一方がテーパ形状をなしている請求項４に記載の電流センサ装置。
  6. 　前記貫通部（３１６）は、貫通孔である請求項１又は請求項２に記載の電流センサ装置。
  7. 　前記貫通孔は、一対の前記対向壁面間の幅が所定幅であり、前記対向壁面に前記端子が接続される狭幅部（３１６ａ）と、前記所定幅の方向及び前記板厚方向の両方向に直交する方向において少なくとも一方の端部に設けられ、前記狭幅部の所定幅よりも幅の広い拡幅部（３１６ｂ，３１６ｃ）と、を有する請求項６に記載の電流センサ装置。
  8. 　一対の前記対向壁面は、互いに平行な部分を有し、
    　前記対向壁面の平行部分に、前記端子が接続される請求項１～７いずれか１項に記載の電流センサ装置。
  9. 　互いに並設された複数の前記半導体装置に対して配置される請求項１～８いずれか１項に記載の電流センサ装置であって、
    　各半導体装置の前記端子に対応して設けられた複数の前記バスバーと、
    　複数の前記バスバーそれぞれに流れる電流を検出する複数の前記磁電変換素子と、
    　複数の前記バスバー及び複数の前記磁電変換素子を一体的に保持する前記樹脂部と、を備え、
    　各バスバーに前記貫通部が形成されている電流センサ装置。
  10. 　複数の前記バスバーは、板厚方向が互いに同じ方向となり、且つ、前記板厚方向に直交する板幅方向に並ぶように、前記樹脂部に保持され、
    　各バスバーは、隣りに位置する前記バスバーとの対向面に切断痕（３１７）を有する請求項９に記載の電流センサ装置。

     
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