JP6658915B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、複数の電力変換ユニットを備える電力変換装置に関する。
一般に、大容量の電力変換装置を構成するために、複数の電力変換回路の直流側を並列に接続する構成が知られている。これら電力変換回路の各々は、半導体スイッチング素子のような複数のパワー半導体デバイスを含む。
また、多くの電力変換装置では、その電力損失の低減を図るために、装置内の各種導体のインピーダンスを減らすように構成されることが多い。
しかしながら、直流側が並列接続された複数の電力変換回路を含む電力変換装置の場合、ある電力変換回路内の半導体スイッチング素子のスイッチング動作に起因するリプル電流が、他の電力変換回路に流入する場合がある。導体のインピーダンスを低減するように構成された電力変換装置では、このリプル電流が低減されにくいので、リプル電流の流入による影響が顕在化され易い。
国際公開第2013/179463号公報
本発明の目的は、リプル電流の流入を抑制することができる電力変換装置を提供することである。
本発明の観点に従った電力変換装置は、複数の半導体スイッチング素子を含み、交流電力を直流電力に変換する第1の電力変換ユニットと、複数の半導体スイッチング素子を含み、直流電力を交流電力に変換する第2の電力変換ユニットとを、少なくとも含む複数の電力変換ユニットと、共通ブスバーと、前記複数の電力変換ユニットにそれぞれ対応して設けられ、前記複数の電力変換ユニットの直流側を前記共通ブスバーにそれぞれ接続する複数のユニットブスバーとを具備する。前記複数の電力変換ユニットの各々は、磁性体の第1の外板が配置された第1の面を含む筐体を具備し、前記第1の外板は、対応するユニットブスバーのインダクタンス値が、電力変換装置内の他の電力変換ユニットからのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、前記対応するユニットブスバーの近傍に配置され且つ前記対応するユニットブスバーに隙間を置いて面する。
図1は本発明の実施形態に係る電力変換装置の構成を示す図である。 図2はインバータとして機能する電力変換ユニットの回路構成を示す図である。 図3はコンバータとして機能する電力変換ユニットの回路構成を示す図である。 図4は同実施形態の電力変換装置内に含まれる各電力変換ユニットと共通ブスバーとの間の接続関係を示す図である。 図5は同実施形態の電力変換装置内に含まれる複数の電力変換ユニットの配置例を示す斜視図である。 図6は同実施形態の電力変換装置内に含まれる複数の電力変換ユニットの配置例を示す平面図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る電力変換装置10を示す。この電力変換装置10は、第1の交流電力を直流電力に変換するコンバータとして機能する一つ以上の電力変換ユニットと、この直流電力を第2の交流電力に変換するインバータとして機能する一つ以上の電力変換ユニットとを含む。
この電力変換装置10は、コンバータとして機能する一つ以上の電力変換ユニットとインバータとして機能する一つ以上の電力変換ユニットとが互いの直流側を突き合わせて配置されたBTB(back to back)電力変換装置として動作する。
図1においては、電力変換装置10が、コンバータとして機能する三つの電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3と、インバータとして機能する三つの電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3とを備える場合が想定されている。
なお、電力変換装置10内に設けられるコンバータユニットおよびインバータユニットの各々の数は、上述の例に限られるものではなく、これらコンバータユニットおよびインバータユニットの各々の数は、一つ以上の任意の値に設定することができる。例えば、電力変換装置10の構成例としては、一つのコンバータユニットと一つのインバータユニットとが設けられる構成であってもよいし、一つのコンバータユニットと二つ以上のインバータユニットとが設けられる構成であってもよいし、二つのコンバータユニットと二つ以上のインバータユニットとが設けられる構成であってもよいし、あるいは、二つ以上のコンバータユニットと二つ以上のインバータユニットとが設けられる構成であってもよい。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々は、少なくとも、単相フルブリッジ回路、または3相インバータ回路を含む。この場合、これら電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々は、複数の半導体スイッチング素子を含み、これら半導体スイッチング素子をパルス幅変調信号(PWM信号)のようなゲート制御信号によってスイッチング制御することによって入力交流電力を直流電力に変換する。
電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々も、少なくとも、単相フルブリッジ回路、または3相インバータ回路を含む。この場合、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々は、複数の半導体スイッチング素子を含み、これら半導体スイッチング素子をパルス幅変調信号(PWM信号)のようなゲート制御信号によってスイッチング制御することによって直流電力を所望周波数の交流電力(例えば3相交流電力)に変換する。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3、および電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3それぞれの直流側は、共通ブスバー(bus bar)13に接続されている。つまり、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3、および電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々の直流側は、共通ブスバー(bus bar)13を介して、他の電力変換ユニットそれぞれの直流側に接続される。共通ブスバー13は、大きな量の直流電力を電力変換ユニット間で流すための共通直流導体(共通直流ブスバー)である。電力変換装置10においては、6個の電力変換ユニット11−1、11−2、11−3、12−1、12−2、12−3それぞれに対応する6個のユニットブスバー15が設けられており、電力変換ユニット11−1、11−2、11−3、12−1、12−2、12−3の各々の直流側は、対応するユニットブスバー15を介して共通ブスバー13に接続される。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々の交流側は、交流電力系統16に接続されている。交流電力系統16は、交流電力を生成する発電機であってもよいし、商用交流電力系統であってもよい。電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々の直流側は、その電力変換ユニットに対応するユニットブスバー(bus bar)15を介して、共通ブスバー(bus bar)13に接続されている。各ユニットブスバー15は、対応する電力変換ユニット(コンバータユニット)の直流側を共通ブスバー13に接続する接続導体である。
電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々の直流側も、その電力変換ユニットに対応するユニットブスバー(bus bar)15を介して、共通ブスバー(bus bar)13に接続されている。各ユニットブスバー(bus bar)15は、対応する電力変換ユニット(インバータユニット)の直流側を共通ブスバー13に接続する接続導体である。電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々の交流側は、交流電力系統17に接続されている。交流電力系統17は、交流電力によって駆動される交流負荷であってもよいし、交流電力系統16に対応する交流電力系統とは異なる商用交流電力系統であってもよい。
上述したように、共通ブスバー13は、6つの電力変換ユニット11−1、11−2、11−3、12−1、12−2、12−3それぞれの直流側が電気的に接続される共通直流導体である。この共通ブスバー13は、長く延びた導電板、例えば、長く延びた銅板から構成される。各ユニットブスバー(bus bar)15も、長く延びた導電板、例えば、長く延びた銅板から構成される。
共通ブスバー13は、一対の共通ブスバー、つまり、正極直流電力用の共通ブスバー13Pと、負極直流電力用の共通ブスバー13Nとを含む。各ユニットブスバー(bus bar)15も、一対のユニットブスバー、つまり、正極ユニットブスバー15Pと、負極ユニットブスバー15Nとを含む。正極ユニットブスバー15Pは、対応する電力変換ユニットの直流側の正極端子と正極直流電力用の共通ブスバー13Pとの間を接続する。負極ユニットブスバー15Nは、対応する電力変換ユニットの直流側の負極端子と負極直流電力用の共通ブスバー13Nとの間を接続する。
正極直流電力用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力用の共通ブスバー13Nの各々は、長く延びた導電板、例えば、長く延びた銅板から構成される。同様に、正極ユニットブスバー15Pおよび負極ユニットブスバー15Nの各々も、長く延びた導電板、例えば、長く延びた銅板から構成される。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1の直流側の正極端子および負極端子は、この電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1用の正極ユニットブスバー15Pおよび負極ユニットブスバー15Nを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nにそれぞれ接続される。電力変換ユニット(コンバータユニット)11−2の直流側の正極端子および負極端子は、この電力変換ユニット(コンバータユニット)11−2用の正極ユニットブスバー15Pおよび負極ユニットブスバー15Nを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nにそれぞれ接続される。電力変換ユニット(コンバータユニット)11−3の直流側の正極端子および負極端子は、この電力変換ユニット(コンバータユニット)11−3用の正極ユニットブスバー15Pおよび負極ユニットブスバー15Nを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nにそれぞれ接続される。
同様に、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1の直流側の正極端子および負極端子は、この電力変換ユニット(インバータユニット)12−1用の正極ユニットブスバー15Pおよび負極ユニットブスバー15Nを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nにそれぞれ接続される。電力変換ユニット(インバータユニット)12−2の直流側の正極端子および負極端子は、この電力変換ユニット(インバータユニット)12−2用の正極ユニットブスバー15Pおよび負極ユニットブスバー15Nを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nにそれぞれ接続される。電力変換ユニット(インバータユニット)12−3の直流側の正極端子および負極端子は、この電力変換ユニット(インバータユニット)12−3用の正極ユニットブスバー15Pおよび負極ユニットブスバー15Nを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nにそれぞれ接続される。
交流電力系統16からの交流電力の周波数と交流電力系統17用の交流電力の周波数とが異なる場合においては、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々のスイッチング周波数は、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々のスイッチング周波数と異なる。
また、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々のスイッチング動作が、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々のスイッチング動作の制御とは独立して制御される場合がある。この場合においても、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々のスイッチング周波数は、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々のスイッチング周波数と異なる可能性がある。
このように、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々のスイッチング周波数が、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々のスイッチング周波数と異なるケースにおいては、コンバータユニットとインバータユニットとの間で入出力される直流電力に高周波のリプルノイズが発生しやすくなる。この直流電力のリプルノイズは、リプル電流と称される。このリプル電流は、直流リプル電流、または直流電力リプルと称されることもある。
例えば、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々からのリプル電流は、共通ブスバー13P、13Nを介して、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々に流入される。電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々からのリプル電流は、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々内の半導体スイッチング素子それぞれのスイッチング動作に起因して発生する。
同様に、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々からのリプル電流が、共通ブスバー13P、13Nを介して、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、11−3の各々に流入される場合もある。電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々からのリプル電流は、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2、12−3の各々内の半導体スイッチング素子それぞれのスイッチング動作に起因して発生する。
このように、電力変換ユニット11−1、11−2、11−3、12−1、12−2、12−3の直流側が共通ブスバー13(一対の共通ブスバー13P、13N)に並列接続された電力変換装置10においては、各電力変換ユニットに他の電力変換ユニットからのリプル電流が流入する場合があり、これによって、これら電力変換ユニット内の直流コンデンサ同士が共振し初める場合がある。この場合、これら直流コンデンサによる電力損失の増加、これら直流コンデンサの発熱量の増加といった好ましくない現象が発生する可能性がある。
図2は、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1に含まれる電力変換回路の構成例を示す。
ここでは、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1に含まれる電力変換回路が3相インバータとして実現されている場合を想定する。
この電力変換回路(3相インバータ)は、6個の半導体スイッチング素子(ここでは、IGBT)201〜206、6個のダイオード211〜216、直流コンデンサ220とを含む。この電力変換回路(3相インバータ)の正極直流電力端子DC(+)は、この電力変換回路の直流側の正極端子である。正極直流電力端子DC(+)は、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1用のユニットブスバー(bus bar)15Pを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pに接続される。この電力変換回路(3相インバータ)の負極直流電力端子DC(−)は、この電力変換回路の直流側の負極端子である。負極直流電力端子DC(−)は、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1用のユニットブスバー(bus bar)15Nを介して、負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nに接続される。
IGBT201およびIGBT202は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に直列接続される。IGBT201とダイオード211は、互いに逆並列に接続されている。IGBT202とダイオード212も、互いに逆並列に接続されている。IGBT201とIGBT202との間の直列接続点OUT1は、U相用の交流電力出力端子として機能する。
IGBT203およびIGBT204は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に直列接続される。IGBT203とダイオード213は、互いに逆並列に接続されている。IGBT204とダイオード214も、互いに逆並列に接続されている。IGBT203とIGBT204との間の直列接続点OUT2は、V相用の交流電力出力端子として機能する。
IGBT205およびIGBT206は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に直列接続される。IGBT205とダイオード215は、互いに逆並列に接続されている。IGBT206とダイオード216も、互いに逆並列に接続されている。IGBT205とIGBT206との間の直列接続点OUT3は、W相用の交流電力出力端子として機能する。
直流コンデンサ220は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に接続される。この直流コンデンサ220は、IGBT201〜206のスイッチング動作に起因する直流電圧の変動を抑制する。
他の電力変換ユニット(インバータユニット)12−2、12−3も、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1と同様の構成を有している。
図3は、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1に含まれる電力変換回路の構成例を示す。
ここでは、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1に含まれる電力変換回路が、上述3相インバータと対称の回路構成によって実現されている場合を想定する。
この電力変換回路は、6個の半導体スイッチング素子(ここでは、IGBT)301〜306、6個のダイオード311〜316、直流コンデンサ320とを含む。この電力変換回路の正極直流電力端子DC(+)は、この電力変換回路の直流側の正極端子である。正極直流電力端子DC(+)は、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1用のユニットブスバー(bus bar)15Pを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pに接続される。この電力変換回路の負極直流電力端子DC(−)は、この電力変換回路の直流側の負極端子である。負極直流電力端子DC(−)は、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1用のユニットブスバー(bus bar)15Nを介して、負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nに接続される。
IGBT301およびIGBT302は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に直列接続される。IGBT301とダイオード311は、互いに逆並列に接続されている。IGBT302とダイオード312も、互いに逆並列に接続されている。IGBT301とIGBT302との間の直列接続点IN1は、U相用の交流電力入力端子として機能する。
IGBT303およびIGBT304は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に直列接続される。IGBT303とダイオード313は、互いに逆並列に接続されている。IGBT304とダイオード314も、互いに逆並列に接続されている。IGBT303とIGBT304との間の直列接続点IN2は、V相用の交流電力入力端子として機能する。
IGBT305およびIGBT306は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に直列接続される。IGBT305とダイオード315は、互いに逆並列に接続されている。IGBT306とダイオード316も、互いに逆並列に接続されている。IGBT305とIGBT306との間の直列接続点IN3は、W相用の交流電力入力端子として機能する。
直流コンデンサ320は、正極直流電力端子DC(+)と負極直流電力端子DC(−)との間に接続される。この直流コンデンサ320は、IGBT301〜306のスイッチング動作に起因する直流電圧の変動を抑制する。
他の電力変換ユニット(コンバータユニット)11−2、11−3も、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1と同様の構成を有している。
図4は、電力変換装置10内に含まれる各電力変換ユニットと共通ブスバーとの間の接続関係を示す。
ここでは、電力変換装置10が、二つの電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2と、二つの電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2を含む場合を想定する。
図4の左上部に示されているように、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、および電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2それぞれの直流側は、共通ブスバー13に並列接続される。
より詳しくは、電力変換装置10は、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、および電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2にそれぞれ対応する4つのユニットブスバー15を含む。電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、および電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々の直流側は、対応するユニットブスバー15P、15Nを介して、正極直流電力(P)用の共通ブスバー13Pおよび負極直流電力(N)用の共通ブスバー13Nにそれぞれ接続される。
このように、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、および電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の直流側が、共通ブスバー13に並列接続される構成においては、上述したように、各電力変換ユニットに他の電力変換ユニットからのリプル電流が共通ブスバー13を介して流入する場合がある。
各電力変換ユニットへの他の電力変換ユニットからのリプル電流の流入を抑制するための対策としては、図4の右上部に示されているように、リプル電流を低減するために、各電力変換ユニット用のユニットブスバー15にリアクトル41を挿入する方法が考えられる。図4の右上部においては、ユニットブスバー15P、15Nの各々にリアクトル41を挿入する例が示されているが、ユニットブスバー15Pにのみリアクトル41を挿入する構成であってもリプル電流の流入をある程度抑制できる場合もある。
しかし、このように各ユニットブスバー15にリアクトル41を挿入する方法を電力変換装置10に適用すると、個々の電力変換ユニット毎にリアクトル41を設けることが必要とされるので、電力変換装置10の実現に必要な電力部品数の増加、電力変換装置10のコストアップを招く可能性がある。
このため、本実施形態の電力変換装置10では、図4の左下部に示されているように、各ユニットブスバー15にリアクトル41を挿入する代わりに、鉄板のような磁性体42を、各ユニットブスバー15の近傍位置に配置する構造が適用される。図4の左下部においては、各ユニットブスバー15Pの近傍に磁性体42が配置されている場合が例示されているが、磁性体42を、一つのユニットブスバー15を構成する一対のユニットブスバー(正極ユニットブスバー15P、負極ユニットブスバー15N)の双方に近接する位置に配置してもよい。
通常、一つのユニットブスバー15を構成するユニットブスバー15P、15Nは、ユニットブスバー15Pに流れる直流電流によって発生される磁界とユニットブスバー15Nに流れる逆向きの直流電流によって発生される磁界とが相殺されるように、互いに近接して配置される。
このため、磁性体42は、磁性体42の表面が一対のユニットブスバー15P、15Nの双方に隙間を置いて面するように、一対のユニットブスバー15P、15Nの近傍に配置されてもよい。これにより、一対のユニットブスバー15P、15Nの近傍に磁性体42を配置することができるので、ユニットブスバー15P、15Nの双方のインダクタンス値を増加させることができる。したがって、ユニットブスバー15にリアクトル41を挿入すること無しに、他の電力変換ユニットから各電力変換ユニットへのリプル電流の流入を抑制することができる。
磁性体42とユニットブスバー15P、15Nの各々との間の距離が短いほど、ユニットブスバー15P、15Nの各々のインダクタンス値は増加する。したがって、磁性体42は、ユニットブスバー15P、15Nの各々のインダクタンス値が、他の電力変換ユニットからのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、一対のユニットブスバー15P、15Nにできるだけ近接した位置に配置されればよい。
別の実施形態の電力変換装置10においては、図4の右下部に示すように、各電力変換ユニットの筐体の或る一面に、鉄板のような、磁性体の板(外板)43を配置し、且つこの筐体の外板43をユニットブスバー15の近傍に配置するという構造が適用されても良い。
この場合、各電力変換ユニットにおいては、筐体の外板43は、対応するユニットブスバー15のインダクタンス値(例えば、ユニットブスバー15P、15Nの各々のインダクタンス値)が、他の電力変換ユニットからこの電力変換ユニットへのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、対応するユニットブスバー15の近傍に配置され、且つ対応するユニットブスバー15に隙間を置いて面する。上述したように、磁性体の外板43とユニットブスバー15P、15Nの各々との間の距離が短いほど、ユニットブスバー15P、15Nの各々のインダクタンス値は増加する。したがって、外板43とユニットブスバー15との間の隙間(距離)は、この間の電気的絶縁が維持される範囲内で、できるだけ狭く(短く)設定されてもよい。
上述したように、一対のユニットブスバー15P、15Nは互いに近接して配置されるので、筐体の外板43は、外板43の表面が一対のユニットブスバー15P、15Nの双方に隙間を置いて面するように、一対のユニットブスバー15P、15Nの近傍に配置される。磁性体の外板43は、ユニットブスバー15Pに流れる直流電流によって発生する磁界が通る経路となり、また、磁性体の外板43は、ユニットブスバー15Nに流れる逆向きの直流電流によって発生する磁界が通る経路にもなる。よって、ユニットブスバー15P、15Nの各々のインダクタンス値(インダクタンス成分)を増加させることができるので、他の電力変換ユニットからこの電力変換ユニットへのリプル電流の流入を抑制可能となる。
図4の右下部に示す構造は、各電力変換ユニットの筐体の一部(外板43)が上述の磁性体42として利用される。したがって、専用の磁性体42を用意することなく、ユニットブスバー15を流れるリプル電流を低減できるので、電力変換装置10の実現に必要な電力部品数の増加を招くこと無く、リプル電流の流入を抑制することができる。
図5は、電力変換装置10内に含まれる複数の電力変換ユニットの配置例を示す斜視図であり、図6は、図5の電力変換ユニットの配置を上から見た平面図である。
図5、図6の電力変換ユニットの配置例は、図4の右下部に示した構造を実現するための配置に相当する。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々は、箱形の筐体を備える。各電力変換ユニットの筐体は、少なくとも、図2のインバータまたは図3のコンバータを収容する。各電力変換ユニットの筐体は、正面50A、背面50B、右側面50C、左側面50D、上面50E、底面50Fを有する。各電力変換ユニットの筐体の或る第1の面、例えば右側面50C、には、磁性体材料から成る外板43が配置されている。外板43は、例えば、鉄板であってもよい。外板43は、各種部品を搭載するためのフレーム(またはパネルとも称される)として機能し得る。他の各面には、ステンレス鋼材(SUS)から成る外板が配置されていてもよい。
共通ブスバー13は、第1方向、例えば水平方向(X方向)に延在される。つまり、共通ブスバー13の長手方向は水平方向(X方向)と平行して延在される。共通ブスバー13に含まれる一対の共通ブスバー13P、13Nは、水平方向(X方向)に互いに平行して延在される。
複数のユニットブスバー15は、共通ブスバー13の長手方向に沿って共通ブスバー13上に配置された複数の接続箇所にそれぞれ接続された端部を含む。つまり、これらユニットブスバー15の各々の一端部は、共通ブスバー13に接続される。そして、これら各ユニットブスバー15は、共通ブスバー13の長手方向(ここではX方向)と直交する方向(ここではY方向)に延在される。この場合、各ユニットブスバー15は、共通ブスバー13上の対応する接続箇所から突出されるように形成されていても良い。
例えば、各ユニットブスバー15においては、正極ユニットブスバー15Pは共通ブスバー13Pから突出されてもよく、そして共通ブスバー13Pの長手方向と直交する方向(Y方向)に延在されてもよい。同様に、各ユニットブスバー15において、負極ユニットブスバー15Nは、共通ブスバー13Nから突出されてもよく、そして共通ブスバー13Nの長手方向と直交する方向(Y方向)に延在されてもよい。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々の筐体は、対応するユニットブスバー15と共通ブスバー13との間の接続箇所の近傍に配置される。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々の筐体の右側面50C(外板43)は、対応するユニットブスバー15のインダクタンス値が、電力変換装置10内の他の電力変換ユニットからのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、対応するユニットブスバー15の近傍に配置され、且つ対応するユニットブスバー15に隙間(距離D)を置いて面する。上述したように、外板43とユニットブスバー15との間の隙間(距離D)は、この間の電気的絶縁が維持される範囲内で、できるだけ狭く(短く)設定されてもよい。
各ユニットブスバー15は、そのユニットブスバー15に対応する電力変換ユニットの筐体の右側面50Cに直交する第2の面(例えば背面50B)から、第2の面と逆側の筐体の第3の面(例えば正面50A)に向けて、外板43に沿って延在される。この構造は、外板43とユニットブスバー15とが互いに対向する領域の面積を比較的大きくすることができる。よって、ユニットブスバー15のインダクタンス値を効率よく高めることができる。
各ユニットブスバー15の先端部(他端部)は、折り曲げられており、各電力変換ユニットの筐体の表面50Aに設けられた開口51を介して、対応する電力変換ユニットに電気的に接続される。この構造により、各ユニットブスバー15の長さを長くすることができるので、各ユニットブスバー15のインダクタンス成分を増加させることができる。
各ユニットブスバー15に含まれる一対のユニットブスバー15P、15Nは、対応する電力変換ユニットの筐体の右側面50C(外板43)と平行な面内に配置されている。例えば、図6においては、各ユニットブスバー15に含まれる一対のユニットブスバー15P、15Nは、縦方向、つまり垂直方向(Z方向)に並べられており、これによってこれらユニットブスバー15P、15Nは右側面50C(外板43)と平行な面内に配置される。そして、各電力変換ユニットの筐体の右側面50C(外板43)は、対応するユニットブスバー15に含まれるユニットブスバー15P、15Nの双方の近傍に配置され、且つ対応するユニットブスバー15に含まれるユニットブスバー15P、15Nの双方に隙間(距離D)を置いて面する。これにより、外板43とユニットブスバー15Pとの間の距離と、外板43とユニットブスバー15Nとの間の距離の双方を十分に短くすることができるので、ユニットブスバー15P、15Nの各々のインダクタンス値を効率良く増加させることができる。
電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々の筐体の背面50Bは、共通ブスバー13にある隙間を置いて面する。各筐体の背面50Bと共通ブスバー13との間の隙間(距離)も、比較的短く設定しても良い。これにより、外板43の側面(筐体の背面50B側に位置する、外板43の側面)と共通ブスバー13との間の距離も短くなるので、磁性体の外板43によって共通ブスバー13のインダクタンス値も増加させることが可能となる。
共通ブスバー13内に含まれる共通ブスバー13Pおよび共通ブスバー13Nは、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々の筐体の背面50Bと平行な面内に配置される。例えば、図6においては、共通ブスバー13に含まれる一対の共通ブスバー13P、13Nは、縦方向、つまり垂直方向(Z方向)に並べられており、これによってこれら共通ブスバー13P、13Nは各筐体の背面50Bと平行な面内に配置される。そして、各電力変換ユニットの筐体の背面50Bは、共通ブスバー13P、13Nの双方に隙間を置いて面する。これにより、外板43の側面(筐体の背面50B側に位置する、外板43の側面)と共通ブスバー13Pとの間の距離と、外板43の側面(筐体の背面50B側に位置する、外板43の側面)と共通ブスバー13Nとの間の距離の双方を、短くできるので、磁性体の外板43によって共通ブスバー13Pおよび共通ブスバー13Nの各々のインダクタンス値も増加させることが可能となる。
なお、図5、図6では、一対の共通ブスバー13P、13Nが各電力変換ユニットの筐体の背面50B側に位置する例を説明したが、一対の共通ブスバー13P、13Nが各電力変換ユニットの筐体の上面50E側に位置されてもよい。
この場合、一対のユニットブスバー15P、15Nは、各電力変換ユニットの筐体の上面50Eから底面50Fに向けて、外板43に沿って延在されてもよい。一対のユニットブスバー15P、15Nの各々の先端部は、各電力変換ユニットの筐体の底面50Fに設けられた開口に挿入されてもよい。
図5、図6に示される電力変換ユニットの配置によれば、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々の外板43がユニットブスバー15(一対のユニットブスバー15P、15N)に近接されているので、ユニットブスバー15(一対のユニットブスバー15P、15N)のインダクタンス値を増加させることができる。したがって、リアクトルをユニットブスバー15に挿入することなく、他の電力変換ユニットから各電力変換ユニットへのリプル電流の流入を抑制することができる。
また、電力変換ユニット(コンバータユニット)11−1、11−2、電力変換ユニット(インバータユニット)12−1、12−2の各々の筐体の背面50Bが共通ブスバー13(一対の共通ブスバー13P、13N)に隙間を置いて面し、且つ筐体の右側面50Cの外板43が、対応するユニットブスバー15(一対のユニットブスバー15P、15N)に隙間を置いて面するので、外板43を、一対のユニットブスバー15P、15Nの双方に近接する位置に配置することができる。よって、一対のユニットブスバー15P、15Nの各々のインダクタンス値を増加させることができる。さらに、また、外板43の側面(筐体の背面50B側に位置する、外板43の側面)と共通ブスバー13(一対の共通ブスバー13P、13N)との間の距離も短く設定しやすい。したがって、外板43は、一対の共通ブスバー13P、13Nの各々のインダクタンス値をある程度増加させる役割も果たすことができる。これにより、各ユニットブスバー15のインダクタンス値を増加させるだけで無く、一対の共通ブスバー13P、13Nのインダクタンス値をある程度増加させることもできる。
また、ユニットブスバー15(一対のユニットブスバー15P、15N)は各電力変換ユニットの筐体の背面50B(または上面50E)から正面50A(または底面50F)に向けて、外板43に沿って延在される。したがって、外板43とユニットブスバー15(一対のユニットブスバー15P、15N)とが互いに面する領域の面積を比較的大きくすることができる。よって、ユニットブスバー15(一対のユニットブスバー15P、15N)のインダクタンス値を効率よく高めることができる。
以上説明したように、本実施形態においては、各電力変換ユニットは、磁性体の外板43が配置された面を含む筐体を備える。筐体の外板43は、対応するユニットブスバー15のインダクタンス値が、他の電力変換ユニットから各電力変換ユニットへのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、対応するユニットブスバー15に近接した位置に配置される。したがって、リアクトルをユニットブスバー15に挿入することなく、他の電力変換ユニットから各電力変換ユニットへのリプル電流の流入を抑制することができる。
なお、外板43は磁性体であればよいので、外板43は鉄板に限定されず、磁性体の他の材料からなる板であってもよい。また、外板43は複数の開口を有していてもよい。
本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
本発明によれば、複数の電力変換ユニットを備え、リプル電流の流入を抑制することができる電力変換装置を提供することができる。

Claims (10)

  1. 複数の半導体スイッチング素子を含み、交流電力を直流電力に変換する第1の電力変換ユニットと、複数の半導体スイッチング素子を含み、直流電力を交流電力に変換する第2の電力変換ユニットとを、少なくとも含む複数の電力変換ユニットと、
    共通ブスバーと、
    前記複数の電力変換ユニットにそれぞれ対応して設けられ、前記複数の電力変換ユニットの直流側を前記共通ブスバーにそれぞれ接続する複数のユニットブスバーとを具備し、
    前記複数の電力変換ユニットの各々は、磁性体の第1の外板が配置された第1の面を含む筐体を具備し、前記第1の外板は、対応するユニットブスバーのインダクタンス値が、電力変換装置内の他の電力変換ユニットからのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、前記対応するユニットブスバーの近傍に配置され且つ前記対応するユニットブスバーに隙間を置いて面する、電力変換装置。
  2. 前記複数の電力変換ユニットの各々の前記筐体は、前記第1の面と直交する第2の面を有し、
    前記複数のユニットブスバーの各々は、対応する電力変換ユニットの前記筐体の前記第2の面から、前記第2の面と逆側の前記筐体の第3の面に向けて、前記第1の外板に沿って延在される請求項1記載の電力変換装置。
  3. 前記複数のユニットブスバーの各々の先端部は、前記第3の面に設けられた開口を介して、対応する電力変換ユニットに電気的に接続される請求項2記載の電力変換装置。
  4. 前記複数のユニットブスバーの各々は、対応する電力変換ユニットの前記筐体の前記第1の面と平行な面内に配置された、正極ユニットブスバーおよび負極ユニットブスバーを含み、
    前記第1の外板は、前記対応するユニットブスバーの前記正極ユニットブスバーおよび前記負極ユニットブスバーの双方の近傍に配置され、且つ前記対応するユニットブスバーに含まれる前記正極ユニットブスバーおよび前記負極ユニットブスバーの双方に隙間を置いて面する請求項1記載の電力変換装置。
  5. 前記第1の外板は、鉄板を含む請求項1記載の電力変換装置。
  6. 前記共通ブスバーは第1方向に延在され、
    前記複数のユニットブスバーは、前記共通ブスバーの複数の接続箇所にそれぞれ接続された端部を有し、前記第1方向と直交する第2方向にそれぞれ延在され、
    前記複数の電力変換ユニットの各々の前記筐体は、対応するユニットブスバーと前記共通ブスバーとの間の接続箇所の近傍に配置される請求項1記載の電力変換装置。
  7. 前記複数の電力変換ユニットの各々の前記筐体は、前記第1の面と直交する第2の面を有し、前記第2の面は、前記共通ブスバーに隙間を置いて面する請求項6記載の電力変換装置。
  8. 前記共通ブスバーは、正極直流電力用の第1の共通ブスバーと、負極直流電力用の第2の共通ブスバーとを含み、
    前記複数の電力変換ユニットの各々の前記筐体は、前記第1の面と直交する第2の面を有し、
    前記第1の共通ブスバーおよび前記第2の共通ブスバーは、前記複数の電力変換ユニットの各々の前記筐体の前記第2の面と平行な面内に配置され、
    前記複数の電力変換ユニットの各々の前記筐体の前記第2の面は、前記第1の共通ブスバーおよび前記第2の共通ブスバーの双方に隙間を置いて面する請求項6記載の電力変換装置。
  9. 前記複数の電力変換ユニットは、直流電力を交流電力に変換する第3の電力変換ユニットをさらに含み、
    前記第3の電力変換ユニットは、磁性体の第1の外板が配置された第1の面を含む筐体を具備し、前記第3の電力変換ユニットの筐体の前記第1の外板は、前記第3の電力変換ユニットに対応するユニットブスバーのインダクタンス値が、前記電力変換装置内の他の電力変換ユニットからのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、前記対応するユニットブスバーの近傍に配置され且つ前記対応するユニットブスバーに隙間を置いて面する、請求項1記載の電力変換装置。
  10. 前記複数の電力変換ユニットは、交流電力を直流電力に変換する第4の電力変換ユニットをさらに含み、
    前記第4の電力変換ユニットは、磁性体の第1の外板が配置された第1の面を含む筐体を具備し、前記第4の電力変換ユニットの筐体の前記第1の外板は、前記第4の電力変換ユニットに対応するユニットブスバーのインダクタンス値が、前記電力変換装置内の他の電力変換ユニットからのリプル電流の流入を抑制可能なインダクタンス値に増加するように、前記対応するユニットブスバーの近傍に配置され且つ前記対応するユニットブスバーに隙間を置いて面する、請求項9記載の電力変換装置。
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