JP2013219967A - 電力変換装置 - Google Patents

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    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Abstract

【課題】簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置は、スイッチング素子を内蔵した本体部２０を有する複数の半導体モジュール２を備えている。モジュールユニット１１において、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとは、本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態で配置されている。正極端子２３、第１中間端子２４１、負極端子２５及び第２中間端子２４２は、互いに同一の方向に突出されており、その方向は、対向方向Ｘに直交する突出方向である。モジュールユニット１１を突出方向から透視した場合に、正極端子２３から第１中間端子２４１へ向かう第１ベクトルＶ1と、第２中間端子２４２から負極端子２５へ向かう第２ベクトルＶ2とは、対向方向Ｘに直交する直交方向Ｙのベクトル成分Ｖ12、Ｖ22の向きが互いに逆向きである。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体素子を有する複数の半導体モジュールを備えた電力変換装置に関する。
電気自動車、ハイブリッド自動車等には、駆動用モータを駆動させるため、電源からの直流電力を交流電力に変換する電力変換装置が搭載されている。
電力変換装置は、半導体モジュールに内蔵された半導体素子（スイッチング素子）の開閉を適宜制御することで電力変換を行っている。ところが、内部回路の配線等に起因するインダクタンスが存在するため、スイッチング素子の開閉に伴ってサージ電圧が発生する。このようなサージ電圧は、スイッチング素子に不具合が生じる原因となり得る。そのため、上述のインダクタンスを低減することが求められている。
例えば、特許文献１には、誘導導体上に２つの半導体モジュールを電流が流れる方向が互いに逆向きとなるように隣接して配置した電力変換装置が開示されている。
この電力変換装置によれば、半導体モジュールに電流が流れると、誘導導体には半導体モジュールに流れる電流とは逆向きの誘導電流が流れる。これにより、配線等に起因するインダクタンスの低減を図ることができる。
特開２０１０−２８７７３７号公報
しかしながら、特許文献１に開示された電力変換装置では、インダクタンスの低減を図るために、誘導電流を流すための誘導導体が必要となる。そのため、部品点数の増加、体格の大型化等の問題が生じる。また、誘導電流を利用する場合、誘導導体に誘導電流を誘起させやすい構造とする必要があり、インダクタンスを低減するために複雑な構造となる。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明の一の態様は、スイッチング素子を内蔵した板状の本体部を有する複数の半導体モジュールを備え、
該複数の半導体モジュールには、電源の正極側に接続される正極側モジュールと、上記電源の負極側に接続される負極側モジュールとがあり、
上記正極側モジュールには、上記電源に接続される正極端子と、上記負極側モジュールに接続される第１中間端子とが上記本体部から突出形成されており、
上記負極側モジュールには、上記電源に接続される負極端子と、上記正極側モジュールに接続される第２中間端子とが上記本体部から突出形成されており、
上記第１中間端子と上記第２中間端子とは、中間バスバを介して接続されており、
該中間バスバを介して接続された隣り合う上記正極側モジュールと上記負極側モジュールとからなるモジュールユニットにおいて、上記正極側モジュールと上記負極側モジュールとは、上記本体部の主面同士を対向させた状態で配置されており、
両者の上記正極端子、上記第１中間端子、上記負極端子及び上記第２中間端子は、互いに同一又は反対の方向に突出されており、その方向は、上記両者の対向方向に直交する突出方向であり、
上記モジュールユニットを上記突出方向から透視した場合に、上記正極側モジュールの上記正極端子から上記第１中間端子へ向かう第１ベクトルと、上記負極側モジュールの上記第２中間端子から上記負極端子へ向かう第２ベクトルとは、上記対向方向に直交する直交方向のベクトル成分の向きが互いに逆向きであることを特徴とする電力変換装置にある（請求項１）。
上記電力変換装置において、上記モジュールユニットにおける正極側モジュールと負極側モジュールとは、本体部の主面同士を対向させた状態で配置されている。また、上記モジュールユニットを上記突出方向から透視した場合に、正極側モジュールの正極端子から第１中間端子へ向かう第１ベクトルと、負極側モジュールの第２中間端子から負極端子へ向かう第２ベクトルとは、上記対向方向に直交する直交方向のベクトル成分の向きが互いに逆向きである。
そのため、スイッチング素子のスイッチング動作の切り替え時において、正極側モジュールと中間バスバと負極側モジュールとを含んで形成される閉回路に電流が流れた場合に、対向して配置された正極側モジュールと負極側モジュールとに流れる電流の向きが上記直交方向において互いに逆向きとなるようにすることができる。すなわち、正極側モジュールの正極端子から本体部を介して第１中間端子まで流れる電流の向きと負極側モジュールの第２中間端子から本体部を介して負極端子まで流れる電流の向きとが上記直交方向において互いに逆向きとなる。
これにより、正極側モジュールと負極側モジュールとの間に生じる相互インダクタンスを低減する効果（相互インダクタンス効果）を十分に得ることができる。その結果、例えば従来のように誘導電流を流すための誘導電流を流すための誘導導体を必要とすることなく、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる。特に、正極側モジュールと負極側モジュールとは、面積の大きい本体部の主面同士を対向させた状態、つまり両者の対向面積が大きくなるように配置されている。そのため、上述した相互インダクタンス効果を高めることができ、インダクタンスの低減をより一層図ることができる。
このように、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる電力変換装置を提供することができる。
実施例１における、電力変換装置を示す説明図。 実施例１における、半導体モジュール及び冷却器を示す説明図。 実施例１における、半導体モジュールを示す説明図。 実施例１における、モジュールユニットを示す説明図。 実施例１における、モジュールユニットを示す断面説明図。 実施例１における、モジュールユニットを示す断面説明図。 実施例１における、電力変換回路を示す説明図。 実施例２における、モジュールユニットを示す説明図。 実施例２における、モジュールユニットを示す断面説明図。 実施例２における、モジュールユニットを示す断面説明図。 実施例３における、モジュールユニットを示す説明図。 実施例３における、モジュールユニットを示す断面説明図。 実施例３における、モジュールユニットを示す断面説明図。 実施例４における、モジュールユニットを示す断面説明図。 実施例５における、電力変換装置の一部を示す説明図。 実施例６における、電力変換装置を示す説明図。
上記電力変換装置において、上記半導体モジュールの上記本体部の主面とは、板状の該本体部の厚み方向に直交する面であり、面積が最も大きい面である。
また、上記正極側モジュール及び上記負極側モジュールの上記正極端子、上記第１中間端子、上記負極端子及び上記第２中間端子は、すべて同一の方向に突出されていてもよい。
また、上記モジュールユニットにおける上記正極側モジュールの上記本体部は、上記正極端子と上記第１中間端子との間を上記スイッチング素子を介して電気的に導通させるための導電部を有し、上記負極側モジュールの上記本体部は、上記負極端子と上記第２中間端子と間を上記スイッチング素子を介して電気的に導通させるための導電部を有する構成とすることができる（請求項２）。
この場合には、正極側モジュールの導電部と負極側モジュールの導電部とに流れる電流の向きが上記直交方向において互いに逆向きとなるようにすることができ、上述した相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。
また、上記導電部は、少なくとも一部が上記本体部の上記主面に露出している構成とすることができる（請求項３）。
この場合には、導電部が本体部の主面に露出しない構成に比べて、電流が逆向きに流れる正極側モジュール及び負極側モジュールの導電部同士を近接させることが可能となるため、上述したインダクタンス効果を高めることができる。また、導電部を露出させることによって放熱効果を高めることもできる。
また、上記モジュールユニットにおける上記正極側モジュールの上記本体部は、上記スイッチング素子の上記対向方向の両側に配置されると共に、上記正極端子と上記第１中間端子とにそれぞれ接続された一対の導電部を有し、上記負極側モジュールの上記本体部は、上記スイッチング素子の上記対向方向の両側に配置されると共に、上記負極端子と上記第２中間端子とにそれぞれ接続された一対の導電部を有する構成とすることができる（請求項４）。
この場合には、電流経路となる一対の導電部が本体部のスイッチング素子の対向方向の両側、すなわち本体部の両主面側に配置される。これにより、正極側モジュールの導電部と負極側モジュールの導電部との対向面積を大きくすることができ、上述した相互インダクタンス効果を高めることができる。
また、上記モジュールユニットにおける上記正極側モジュール及び上記負極側モジュールの上記本体部には、上記スイッチング素子と上記直交方向に並ぶようにダイオードが内蔵されており、上記正極側モジュールの上記スイッチング素子と上記負極側モジュールの上記ダイオードとが上記対向方向に対向して配置されており、上記正極側モジュールの上記ダイオードと上記負極側モジュールの上記スイッチング素子とが上記対向方向に対向して配置されている構成とすることができる（請求項５）。
この場合には、正極側モジュールの正極端子から負極側モジュールの負極端子までの電流経路を単純化することが可能となると共に、上述した相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。
なお、スイッチング素子とダイオードとは、上述したように別体で構成してもよいし、両者を一体化して構成してもよい。
また、上記モジュールユニットを上記突出方向から透視した場合に、上記正極側モジュールでは、上記スイッチング素子と上記正極端子とが上記対向方向に並んで配置されていると共に、上記ダイオードと上記第１中間端子とが上記対向方向に並んで配置されており、上記負極側モジュールでは、上記スイッチング素子と上記第２中間端子とが上記対向方向に並んで配置されていると共に、上記ダイオードと上記負極端子とが上記対向方向に並んで配置されている構成とすることができる（請求項６）。
この場合には、正極側モジュールの正極端子から負極側モジュールの負極端子までの電流経路をより単純化することが可能となると共に、上述した相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。
また、上記電力変換装置は、上記モジュールユニットを複数備え、隣り合う該モジュールユニット同士において、一方の該モジュールユニットの上記正極側モジュールと他方の上記モジュールユニットの上記負極側モジュールとは、上記本体部の主面同士を対向させた状態で配置されている構成とすることができる（請求項７）。
この場合には、一方のモジュールユニットの正極側モジュールと他方のモジュールユニットの負極側モジュールとに流れる電流の向きが上記直交方向において互いに逆向きとなるようにすれば、隣り合うモジュールユニット同士の間における相互インダクタンス効果も得られる。これにより、インダクタンスの低減をより一層図ることができる。
また、上記電力変換装置は、上記半導体モジュールを冷却する冷媒を流通させる冷媒流路を有する冷却器を備え、上記半導体モジュールと上記冷媒流路とは、上記対向方向において互いに積層されている構成とすることができる（請求項８）。
この場合には、冷却器の冷媒流路を流通する冷媒によって半導体モジュールを本体部の主面側から効率よく冷却することができる。
（実施例１）
上記電力変換装置にかかる実施例について、図を用いて説明する。
本例の電力変換装置１は、図１〜図７に示すごとく、スイッチング素子２１１を内蔵した板状の本体部２０を有する複数の半導体モジュール２を備えている。複数の半導体モジュール２には、電源８１の正極側に接続される正極側モジュール２ｐと、電源８１の負極側に接続される負極側モジュール２ｎとがある。
正極側モジュール２ｐには、電源８１に接続される正極端子２３と、負極側モジュール２ｎに接続される第１中間端子２４１とが本体部２０から突出形成されている。負極側モジュール２ｎには、電源８１に接続される負極端子２５と、正極側モジュール２ｐに接続される第２中間端子２４２とが本体部２０から突出形成されている。第１中間端子２４１と第２中間端子２４２とは、中間バスバ４ｃを介して接続されている。
中間バスバ４ｃを介して接続された隣り合う正極側モジュール２ｐと上記負極側モジュール２ｎとからなるモジュールユニット１１において、正極側モジュール２ｐと上記負極側モジュール２ｎとは、本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態で配置されている。両者の正極端子２３、第１中間端子２４１、負極端子２５及び第２中間端子２４２は、互いに同一又は反対の方向に突出されており、その方向は、両者の対向方向Ｘに直交する突出方向Ｚである。
モジュールユニット１１を突出方向Ｚから透視した場合に、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から第１中間端子２４１へ向かう第１ベクトルＶ1と、負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２から負極端子２５へ向かう第２ベクトルＶ2とは、対向方向Ｘに直交する直交方向Ｙのベクトル成分Ｖ12、Ｖ22の向きが互いに逆向きである。
以下、これを詳説する。
図１に示すごとく、電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２、半導体モジュール２を冷却するための冷却器３、複数のバスバ（後述する正極バスバ４ａ、負極バスバ４ｂ、中間バスバ４ｃ）、コンデンサ５等を備えており、これらを筐体等に収容して構成されている。
複数の半導体モジュール２は、３つの正極側モジュール２ｐと３つの負極側モジュール２ｎとにより構成されている。
図３に示すごとく、正極側モジュール２ｐ及び負極側モジュール２ｎは、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等からなるスイッチング素子２１１（図５、図６）と、そのスイッチング素子２１１に逆並列接続されたＦＷＤ（フリーホイールダイオード）等からなるダイオード２１２（図５、図６）とを有する。スイッチング素子２１１及びダイオード２１２は、絶縁樹脂等からなる板状の本体部２０に内蔵されている。
同図に示すごとく、正極側モジュール２ｐは、正極端子２３と第１中間端子２４１とを有する。正極端子２３及び第１中間端子２４１は、本体部２０から突出して形成されている。負極側モジュール２ｎは、負極端子２５と第２中間端子２４２とを有する。負極端子２５及び第２中間端子２４２は、本体部２０から突出して形成されている。正極端子２３、第１中間端子２４１、負極端子２５及び第２中間端子２４２は、すべて同一の方向に突出している。
また、正極側モジュール２ｐ及び負極側モジュール２ｎは、制御回路基板（図示略）に接続される複数の制御端子２６を有する。複数の制御端子２６は、本体部２０から正極端子２３、負極端子２５、第１中間端子２４１及び第２中間端子２４２とは反対側に突出して設けられている。制御回路基板には、半導体モジュール２におけるスイッチング素子２１１（図５、図６）のスイッチング動作を制御する制御回路が形成されている。
図２に示すごとく、後述する中間バスバ４ｃを介して接続された隣り合う正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとは、１つのモジュールユニット１１を構成している。本例では、３つのモジュールユニット１１がある。
モジュールユニット１１において、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとは、本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態で積層配置されている。
また、隣り合うモジュールユニット１１同士において、一方のモジュールユニット１１の正極側モジュール２ｐと他方のモジュールユニット１１の負極側モジュール２ｎとは、本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態で積層配置されている。すなわち、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとが交互に積層配置されている。正極端子２３と負極端子２５とは、対向方向Ｘにおいて交互に一列に配置されている。第１中間端子２４１と第２中間端子２４２とは、対向方向Ｘにおいて交互に一列に配置されている。
図２に示すごとく、冷却器３は、半導体モジュール２を冷却する冷媒を流通させる冷媒流路となる複数の冷却管３１を有する。半導体モジュール２と冷却管３１とは、対向方向Ｘにおいて交互に配置されている。各半導体モジュール２は、対向方向Ｘの両側から冷却管３１によって挟持されている。
対向方向Ｘに隣り合う冷却管３１同士は、その両端部において変形可能な連結管３２によって連結されている。また、複数の冷却管３１のうち、対向方向Ｘの一端に配置された冷却管３１の両端部には、外部から冷媒を導入するための冷媒導入管３３と、外部に冷媒を排出するための冷媒排出管３４とが連結されている。
冷却器３において、外部から冷媒導入管３３に導入された冷媒は、冷媒導入管３３側の連結管３２を通り、各冷却管３１内を流れる。各冷却管３１内を流れる冷媒は、半導体モジュール２との間で熱交換を行う。熱交換後の冷媒は、冷媒排出管３４側の連結管３２を通り、冷媒排出管３４から外部に排出される。
なお、冷却器３内を流れる冷媒としては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、ＨＣＦＣ１２３、ＨＦＣ１３４ａ等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒を用いることができる。
以下、図４〜図６に示すごとく、モジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐ及び負極側モジュール２ｎについて、さらに詳説する。
なお、図４は、モジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐ、負極側モジュール２ｎを突出方向Ｚから透視したものである。なお、図４では、本体部２０、正極端子２３、第１中間端子２４１、負極端子２５、第２中間端子２４２のみを示している。
また、図５、図６は、モジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐ、負極側モジュール２ｎ、両者の間に設けられた冷却管３１について、突出方向Ｚに直交する方向の断面を示したものである。
図５（図６）に示すごとく、正極側モジュール２ｐ及び負極側モジュール２ｎの本体部２０は、上述したように、スイッチング素子２１１及びダイオード２１２を有する。スイッチング素子２１１とダイオード２１２とは、直交方向Ｙに並んで配置されている。また、正極側モジュール２ｐのスイッチング素子２１１と負極側モジュール２ｎのダイオード２１２とは、対向方向Ｘに対向して配置されている。また、正極側モジュール２ｐのダイオード２１２と負極側モジュール２ｎのスイッチング素子２１１とは、対向方向Ｘに対向して配置されている。
また、正極側モジュール２ｐの本体部２０は、正極端子２３と第１中間端子２４１との間をスイッチング素子２１１を介して電気的に導通させるための一対の導電部２２１、２２２を有する。また、負極側モジュール２ｎの本体部２０は、負極端子２５と第２中間端子２４２と間をスイッチング素子２１１を介して電気的に導通させるための一対の導電部２２１、２２２を有する。一対の導電部２２１、２２２は、スイッチング素子２１１及びダイオード２１２の対向方向Ｘの両側に配置されており、スイッチング素子２１１及びダイオード２１２に対して電気的に接続されている。また、一対の導電部２２１、２２２は、少なくとも一部が本体部２０の両主面２０１、２０２にそれぞれ露出している。
同図に示すごとく、正極側モジュール２ｐの本体部２０において、正極端子２３と第１中間端子２４１とは、スイッチング素子２１１及びダイオード２１２の対向方向Ｘの両側に配置されている。正極端子２３は、負極側モジュール２ｎから近い側に配置され、一方の導電部２２２に接続されている。第１中間端子２４１は、負極側モジュール２ｎから遠い側に配置され、他方の導電部２２１に接続されている。
また、正極側モジュール２ｐの本体部２０において、正極端子２３と第１中間端子２４１とは、直交方向Ｙにおいて異なる位置に配置されている。正極端子２３は、スイッチング素子２１１に対して対向方向Ｘに並んで配置されている。第１中間端子２４１は、ダイオード２１２に対して対向方向Ｘに並んで配置されている。
同図に示すごとく、負極側モジュール２ｎの本体部２０において、負極端子２５と第２中間端子２４２とは、スイッチング素子２１１及びダイオード２１２の対向方向Ｘの両側に配置されている。負極端子２５は、正極側モジュール２ｐから遠い側に配置され、一方の導電部２２１に接続されている。第２中間端子２４２は、正極側モジュール２ｐから近い側に配置され、他方の導電部２２２に接続されている。
また、負極側モジュール２ｎの本体部２０において、負極端子２５と第２中間端子２４２とは、直交方向Ｙにおいて異なる位置に配置されている。負極端子２５は、ダイオード２１２に対して対向方向Ｘに並んで配置されている。第２中間端子２４２は、スイッチング素子２１１に対して対向方向Ｘに並んで配置されている。
図４に示すごとく、モジュールユニット１１（正極側モジュール２ｐ、負極側モジュール２ｎ）を突出方向Ｚから透視した場合に、正極側モジュール２ｐの正極端子２３を始点とし、第１中間端子２４１を終点とするベクトルを第１ベクトルＶ1とする。また、負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２を始点とし、負極端子２５を終点とするベクトルを第２ベクトルＶ2とする。
また、第１ベクトルＶ1の対向方向Ｘのベクトル成分をＶ11、直交方向Ｙのベクトル成分をＶ12とする。また、第２ベクトルＶ1の対向方向Ｘのベクトル成分をＶ21、直交方向Ｙのベクトル成分をＶ22とする。
そうすると、第１ベクトルＶ1と第２ベクトルＶ2とは、直交方向Ｙのベクトル成分Ｖ12、Ｖ22の向きが互いに逆向きである。
図１に示すごとく、正極側モジュール２ｐの正極端子２３は、共通の１つの正極バスバ４ａに接続されている。負極側モジュール２ｎの負極端子２５は、共通の１つの負極バスバ４ｂに接続されている。正極バスバ４ａ及び負極バスバ４ｂは、それぞれの一端がコンデンサ５の正極端子２３及び負極端子２５に接続されている。コンデンサ５の正極端子２３及び負極端子２５は、それぞれ電源８１（図７）の正極側及び負極側に接続されている。
また、正極側モジュール２ｐの第１中間端子２４１と負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２とは、モジュールユニット１１ごとに、共通の１つの中間バスバ４ｃに接続されている。すなわち、第１中間端子２４１と第２中間端子２４２とは、中間バスバ４ｃを介して接続されている。本例では、モジュールユニット１１が３つあるため、中間バスバ４ｃも３つある。３つの中間バスバ４ｃは、電力変換装置１によって駆動させる三相交流モータ８２（図７）のＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各電極に接続されている（図示略）。
次に、電力変換装置１における電力変換回路について説明する。
図７に示すごとく、電力変換回路８は、電源８１（直流電源８１）、コンデンサ５、６つの半導体モジュール２（３つの正極側モジュール２ｐ、３つの負極側モジュール２ｎ）等によって構成されている。半導体モジュール２のうち、正極側モジュール２ｐは、上アーム側のスイッチング素子２１１とそのスイッチング素子２１１に逆並列接続された上アーム側のダイオード２１２とを有する。また、負極側モジュール２ｎは、下アーム側のスイッチング素子２１１とそのスイッチング素子２１１に逆並列接続された下アーム側のダイオード２１２とを有する。
正極側モジュール２ｐのスイッチング素子２１１は、正極バスバ４ａに接続されている。また、負極側モジュール２ｎのスイッチング素子２１１は、負極バスバ４ｂに接続されている。また、中間バスバ４ｃは、三相交流モータ８２に接続されている。
そして、半導体モジュール２におけるスイッチング素子２１１のスイッチング動作を制御することにより、電源８１の直流電力を交流電力に変換し、この交流電力を使って三相交流モータ８２を駆動させる。
次に、本例の電力変換装置１における作用効果について説明する。
本例の電力変換装置１において、モジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとは、本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態で配置されている。また、モジュールユニットを突出方向Ｚから透視した場合に、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から第１中間端子２４１へ向かう第１ベクトルＶ1と、負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２から負極端子２５へ向かう第２ベクトルＶ2とは、直交方向Ｙのベクトル成分Ｖ12、Ｖ22の向きが互いに逆向きである。
そのため、スイッチング素子２１１のスイッチング動作の切り替え時において、正極側モジュール２ｐと中間バスバ４ｃと負極側モジュール２ｎとを含んで形成される閉回路に電流が流れた場合に、対向して配置された正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとに流れる電流の向きが直交方向Ｙにおいて互いに逆向きとなるようにすることができる。すなわち、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から本体部２０を介して第１中間端子２４１まで流れる電流の向きと負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２から本体部２０を介して負極端子２５まで流れる電流の向きとが直交方向Ｙにおいて互いに逆向きとなる。
具体的に説明すると、スイッチング素子２１１のスイッチング動作の切り替え時においては、電力変換装置１における回路に流れる電流は、その流れ方や大きさが変化する。このとき、電力変換装置１に形成される閉回路に着目すると、その閉回路に流れる電流の向きや大きさが変化する。本例では、正極側モジュール２ｐと中間バスバ４ｃと負極側モジュール２ｎとを含んで形成される閉回路Ａ（図７参照）に着目して説明する。
例えば、正極側モジュール２ｐ（上アーム側）のスイッチング素子２１１をオンからオフに切り替えると、三相交流モータ８２の電流を維持する方向に負極側モジュール２ｎ（下アーム側）のダイオード２１２を介して還流電流が流れる。この還流電流は、負極側モジュール２ｎ（下アーム側）のダイオード２１２の順方向に流れる電流である。
次に、正極側モジュール２ｐ（上アーム側）のスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えると、負極側モジュール２ｎ（下アーム側）のダイオード２１２にリカバリ電流が流れる。リカバリ電流とは、ダイオードの順方向に電流が流れた後に逆電圧が印可されたとき、ダイオードの逆方向に流れる電流をいう。
ここで、図５は、正極側モジュール２ｐのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れを示したものである。電流ｉは、スイッチング素子２１１のスイッチングによって逐次変化する交流成分を示している。
電流ｉは、正極側モジュール２ｐの正極端子２３、導電部２２２、スイッチング素子２１１、導電部２２１、第１中間端子２４１を順に流れる。そして、中間バスバ４ｃ（図示略）を介して、負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２、導電部２２１、ダイオード２１２、導電部２２２、負極端子２５の順に流れる。ここで、直交方向Ｙに流れる電流ｉに着目すると、正極側モジュール２ｐの導電部２２１に流れる電流ｉの向きと負極側モジュール２ｎの導電部２２１に流れる電流ｉの向きとが互いに逆向きとなっている。
図６は、図５と同様に、負極側モジュール２ｎのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れを示したものである。
電流ｉは、正極側モジュール２ｐの正極端子２３、導電部２２２、ダイオード２１２、導電部２２１、第１中間端子２４１を順に流れる。そして、中間バスバ４ｃ（図示略）を介して、負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２、導電部２２１、スイッチング素子２１１、導電部２２２、負極端子２５の順に流れる。ここで、直交方向Ｙに流れる電流ｉに着目すると、正極側モジュール２ｐの導電部２２２に流れる電流ｉの向きと負極側モジュール２ｎの導電部２２２に流れる電流ｉの向きとが互いに逆向きとなっている。
これにより、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとの間に生じる相互インダクタンスを低減する効果（相互インダクタンス効果）を十分に得ることができる。その結果、例えば従来のように誘導電流を流すための誘導電流を流すための誘導導体を必要とすることなく、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる。特に、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとは、面積の大きい本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態、つまり両者の対向面積が大きくなるように配置されている。そのため、上述した相互インダクタンス効果を高めることができ、インダクタンスの低減をより一層図ることができる。
また、本例において、モジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐの本体部２０は、正極端子２３と第１中間端子２４１との間をスイッチング素子２１１を介して電気的に導通させるための導電部２２１、２２２を有し、負極側モジュール２ｎの本体部２０は、負極端子２５と第２中間端子２４２と間をスイッチング素子２１１を介して電気的に導通させるための導電部２２１、２２２を有する。そのため、正極側モジュール２ｐの導電部２２１、２２２と負極側モジュール２ｎの導電部２２１、２２２とに流れる電流の向きが直交方向Ｙにおいて互いに逆向きとなるようにすることができ、上述した相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。
また、導電部２２１、２２２は、少なくとも一部が本体部２０の主面２０１、２０２に露出している。そのため、導電部２２１、２２２が本体部２０の主面２０１、２０２に露出しない構成に比べて、電流が逆向きに流れる正極側モジュール２ｐ及び負極側モジュール２ｎの導電部２２１、２２２同士を近接させることが可能となるため、上述したインダクタンス効果を高めることができる。また、導電部２２１、２２２を露出させることによって放熱効果を高めることもできる。
また、モジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐの本体部２０は、スイッチング素子２１１の対向方向Ｘの両側に配置されると共に、正極端子２３と第１中間端子２４１とにそれぞれ接続された一対の導電部２２１、２２２を有する。また、負極側モジュール２ｎの本体部２０は、スイッチング素子２１１の対向方向Ｘの両側に配置されると共に、負極端子２５と第２中間端子２４２とにそれぞれ接続された一対の導電部２２１、２２２を有する。そのため、電流経路となる一対の導電部２２１、２２２が本体部２０のスイッチング素子２１１の対向方向Ｘの両側、すなわち本体部２０の両主面２０１、２０２側に配置される。これにより、正極側モジュール２ｐの導電部２２１、２２２と負極側モジュール２ｎの導電部２２１、２２２との対向面積を大きくすることができ、上述した相互インダクタンス効果を高めることができる。
また、モジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐ及び負極側モジュール２ｎの本体部２０には、スイッチング素子２１１と直交方向Ｙに並ぶようにダイオード２１２が内蔵されており、正極側モジュール２ｐのスイッチング素子２１１と負極側モジュール２ｎのダイオード２１２とが対向方向Ｘに対向して配置されており、正極側モジュール２ｐのダイオード２１２と負極側モジュール２ｎのスイッチング素子２１１とが対向方向Ｘに対向して配置されている。これにより、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から負極側モジュール２ｎの負極端子２５までの電流経路を単純化することが可能となると共に、上述した相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。
また、モジュールユニット１１を突出方向Ｚから透視した場合に、正極側モジュール２ｐでは、スイッチング素子２１１と正極端子２３とが対向方向Ｘに並んで配置されていると共に、ダイオード２１２と第１中間端子２４１とが対向方向Ｘに並んで配置されており、負極側モジュール２ｎでは、スイッチング素子２１１と第２中間端子２４２とが対向方向Ｘに並んで配置されていると共に、ダイオード２１２と第１中間端子２４１とが対向方向Ｘに並んで配置されている。これにより、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から負極側モジュール２ｎの負極端子２５までの電流経路をより単純化することが可能となると共に、上述した相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。
また、電力変換装置１は、モジュールユニット１１を複数備え、隣り合うモジュールユニット１１同士において、一方のモジュールユニット１１の正極側モジュール２ｐと他方のモジュールユニット１１の負極側モジュール２ｎとは、本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態で配置されている。そのため、一方のモジュールユニット１１の正極側モジュール２ｐと他方のモジュールユニット１１の負極側モジュール２ｎとに流れる電流の向きが直交方向Ｙにおいて互いに逆向きとなり、隣り合うモジュールユニット１１同士の間における相互インダクタンス効果も得られる。これにより、インダクタンスの低減をより一層図ることができる。
また、電力変換装置１は、半導体モジュール２を冷却する冷媒を流通させる冷却管（冷媒流路）３１を有する冷却器３を備え、半導体モジュール２と冷却管３１とは、対向方向Ｘにおいて互いに積層されている。これにより、冷却器３の冷却管３１を流通する冷媒によって半導体モジュール２を本体部２０の主面２０１、２０２側から効率よく冷却することができる。
このように、本例によれば、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる電力変換装置１を提供することができる。
（実施例２）
本例は、図８〜図１０に示すごとく、半導体モジュール２の構成を変更した例である。
本例では、図８に示すごとく、負極側モジュール２ｎの本体部２０において、負極端子２５は、正極側モジュール２ｐから近い側に配置されている。第２中間端子２４２は、正極側モジュール２ｐから遠い側に配置されている。
また、第１ベクトルＶ1と第２ベクトルＶ2とは、直交方向Ｙのベクトル成分Ｖ12、Ｖ22の向きが互いに逆向きである。
その他の基本的な構成は、実施例１と同様である。
次に、本例の作用効果について説明する。
図９は、正極側モジュール２ｐのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れを示したものである。
電流は、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から中間バスバ４ｃ（図示略）を介して負極側モジュール２ｎの負極端子２５まで、図９に示すように流れる。ここで、直交方向Ｙに流れる電流ｉに着目すると、正極側モジュール２ｐの導電部２２１に流れる電流ｉの向きと負極側モジュール２ｎの導電部２２２に流れる電流ｉの向きとが互いに逆向きとなっている。
図１０は、負極側モジュール２ｎのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れを示したものである。
電流は、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から中間バスバ４ｃ（図示略）を介して負極側モジュール２ｎの負極端子２５まで、図１０に示すように流れる。ここで、直交方向Ｙに流れる電流ｉに着目すると、正極側モジュール２ｐの導電部２２２に流れる電流ｉの向きと負極側モジュール２ｎの導電部２２１に流れる電流ｉの向きとが互いに逆向きとなっている。
したがって、本例の場合も、上述した実施例１と同様に、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとの間における相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。その結果、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる。
その他の基本的な作用効果は、実施例１と同様である。
（実施例３）
本例は、図１１〜図１３に示すごとく、半導体モジュール２の構成を変更した例である。
本例では、図１１、図１２に示すごとく、正極側モジュール２ｐの本体部２０は、スイッチング素子２１１及びダイオード２１２の対向方向Ｘの両側に配置された一対の導電部２２１、２２２に加えて、本体部２０の負極側モジュール２ｎに近い側の主面２０２に露出すると共に、負極側モジュール２ｎから遠い側にある導電部２２１に接続された導電部２２３を有する。
また、正極側モジュール２ｐの本体部２０において、正極端子２３と第１中間端子２４１とは、対向方向Ｘにおいて同じ位置に配置されている。また、正極端子２３と第１中間端子２４１とは、本体部２０の負極側モジュール２ｎに近い側の主面２０２に露出した２つの導電部２２２、２２３にそれぞれ接続されている。また、正極端子２３は、スイッチング素子２１１に対して対向方向Ｘに並んで配置されている。
同図に示すごとく、負極側モジュール２ｎの本体部２０は、スイッチング素子２１１及びダイオード２１２の対向方向Ｘの両側に配置された一対の導電部２２１、２２２に加えて、本体部２０の正極側モジュール２ｐに近い側の主面２０１に露出すると共に、正極側モジュール２ｐから遠い側にある導電部２２２に接続される導電部２２３を有する。
また、負極側モジュール２ｎの本体部２０において、負極端子２５と第２中間端子２４２とは、対向方向Ｘにおいて同じ位置に配置されている。また、負極端子２５と第２中間端子２４２とは、本体部２０の正極側モジュール２ｐに近い側の主面２０１に露出した２つの導電部２２１、２２３にそれぞれ接続されている。また、負極端子２５は、ダイオード２１２に対して対向方向Ｘに並んで配置されている。
図１１に示すごとく、第１ベクトルＶ1と第２ベクトルＶ2とは、対向方向Ｘのベクトル成分Ｖ11、Ｖ12がなく、直交方向Ｙのベクトル成分Ｖ12、Ｖ22のみである。そして、第１ベクトルＶ1と第２ベクトルＶ2とは、直交方向Ｙのベクトル成分Ｖ12、Ｖ22の向きが互いに逆向きである。
その他の基本的な構成は、実施例１と同様である。
次に、本例の作用効果について説明する。
図１２は、正極側モジュール２ｐのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れを示したものである。
電流は、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から中間バスバ４ｃ（図示略）を介して負極側モジュール２ｎの負極端子２５まで、図１２に示すように流れる。ここで、直交方向Ｙに流れる電流ｉに着目すると、正極側モジュール２ｐの導電部２２１に流れる電流ｉの向きと負極側モジュール２ｎの導電部２２１、２２２に流れる電流ｉの向きとが互いに逆向きとなっている。
図１３は、負極側モジュール２ｎのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れを示したものである。
電流は、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から中間バスバ４ｃ（図示略）を介して負極側モジュール２ｎの負極端子２５まで、図１３に示すように流れる。ここで、直交方向Ｙに流れる電流ｉに着目すると、正極側モジュール２ｐの導電部２２１、２２２に流れる電流ｉの向きと負極側モジュール２ｎの導電部２２２に流れる電流ｉの向きとが互いに逆向きとなっている。
したがって、本例の場合も、上述した実施例１と同様に、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとの間における相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。その結果、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる。
その他の基本的な作用効果は、実施例１と同様である。
（実施例４）
本例は、図１４に示すごとく、半導体モジュール２の構成を変更した例である。
本例において、同図に示すごとく、半導体モジュール２（正極側モジュール２ｐ、負極側モジュール２ｎ）の本体部２０には、スイッチング素子２１１とダイオード２１２とを一体化して構成した半導体素子部２１が内蔵されている。
その他の基本的な構成は、実施例１と同様である。
次に、本例の作用効果について説明する。
図１４は、正極側モジュール２ｐのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れを示したものである。負極側モジュール２ｎのスイッチング素子２１１をオフからオンに切り替えたときの電流ｉの流れも同様である。
電流は、正極側モジュール２ｐの正極端子２３から中間バスバ４ｃ（図示略）を介して負極側モジュール２ｎの負極端子２５まで、図１４に示すように流れる。ここで、直交方向Ｙに流れる電流ｉに着目すると、正極側モジュール２ｐの導電部２２１、２２２に流れる電流ｉの向きと負極側モジュール２ｎの導電部２２１、２２２に流れる電流ｉの向きとが互いに逆向きとなっている。
したがって、本例の場合も、上述した実施例１と同様に、正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとの間における相互インダクタンス効果を十分に得ることができる。その結果、簡易な構造でインダクタンスの低減を十分に図ることができる。
その他の基本的な作用効果は、実施例１と同様である。
（実施例５）
本例は、図１５に示すごとく、モジュールユニット１１の構成を変更した例である。
本例では、同図に示すごとく、正極側モジュール２ｐ及び負極側モジュール２ｎを１つのユニットとするモジュールユニット１１同士が並列に接続されている。
具体的には、一方のモジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐの第１中間端子２４１及び負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２と、他方のモジュールユニット１１における正極側モジュール２ｐの第１中間端子２４１及び負極側モジュール２ｎの第２中間端子２４２とは、共通の１つの中間バスバ４ｃに接続されている。
また、一方のモジュールユニット１１の正極側モジュール２ｐと他方のモジュールユニット１１の負極側モジュール２ｎとは、本体部２０の主面２０１、２０２同士を対向させた状態で配置されている。
なお、図１５では、三相交流モータ８２のＵ相の電極に接続されている中間バスバ４ｃについて図示したが、その他の三相交流モータ８２のＶ相、Ｗ相の各電極に接続されている中間バスバ４ｃについても同様の構成となっている。
その他の基本的な構成は、実施例１と同様である。
本例の場合には、上述した実施例１と同様に、モジュールユニット１１内における正極側モジュール２ｐと負極側モジュール２ｎとの間の相互インダクタンス効果だけでなく、隣り合うモジュールユニット１１同士の間、すなわち一方のモジュールユニット１１の正極側モジュール２ｐと他方のモジュールユニット１１の負極側モジュール２ｎとの間における相互インダクタンス効果も得られる。これにより、インダクタンスの低減をより一層図ることができる。
その他の基本的な作用効果は、実施例１と同様である。
（実施例６）
本例は、図１６に示すごとく、電力変換装置１の構成を変更した例である。
本例の電力変換装置１は、同図に示すごとく、２つの三相交流モータ８２（図示略）を駆動させるタイプのものである。コンデンサ５の直交方向Ｙの両側には、それぞれ複数の半導体モジュール２、冷却器３、複数のバスバ（正極バスバ４ａ、負極バスバ４ｂ、中間バスバ４ｃ）等が配置されている。
コンデンサ５の直交方向Ｙの一方側に配置された半導体モジュール２の第１中間端子２４１及び第２中間端子２４２は、一方の三相交流モータ８２の各電極に接続される中間バスバ４ｃに接続されている。また、コンデンサ５の直交方向Ｙの他方側に配置された半導体モジュール２の第１中間端子２４１及び第２中間端子２４２は、他方の三相交流モータ８２の各電極に接続される中間バスバ４ｃに接続されている。
また、コンデンサ５の直交方向Ｙの一方側に配置された冷却器３の冷媒排出管３４と、コンデンサ５の直交方向Ｙの他方側に配置された冷却器３の冷媒導入管３３とは、接続管３５によって接続されている。
その他、コンデンサ５の直交方向Ｙの両側にそれぞれ配置された半導体モジュール２、冷却器３、バスバ等の基本的な構成は、実施例１と同様である。
本例の場合には、コンデンサ５の直交方向Ｙの両側に半導体モジュール２を積層配置することにより、スペースの有効活用を図り、電力変換装置１の対向方向Ｘにおける小型化が可能となる。
その他の基本的な作用効果は、実施例１と同様である。
１ 電力変換装置
１１ モジュールユニット
２ 半導体モジュール
２ｐ 正極側モジュール
２ｎ 負極側モジュール
２０ 本体部
２０１、２０２ 主面
２１１ スイッチング素子
２３ 正極端子
２４１ 第１中間端子
２４２ 第２中間端子
２５ 負極端子
４ｃ 中間バスバ
８１ 電源
Ｖ1 第１ベクトル
Ｖ12 ベクトル成分（第１ベクトルの直交方向のベクトル成分）
Ｖ2 第２ベクトル
Ｖ22 ベクトル成分（第２ベクトルの直交方向のベクトル成分）
Ｘ 対向方向
Ｙ 直交方向
Ｚ 突出方向

Claims (8)

  1. スイッチング素子（２１１）を内蔵した板状の本体部（２０）を有する複数の半導体モジュール（２、２ｐ、２ｎ）を備え、
    該複数の半導体モジュール（２、２ｐ、２ｎ）には、電源（８１）の正極側に接続される正極側モジュール（２ｐ）と、上記電源（８１）の負極側に接続される負極側モジュール（２ｎ）とがあり、
    上記正極側モジュール（２ｐ）には、上記電源（８１）に接続される正極端子（２３）と、上記負極側モジュール（２ｎ）に接続される第１中間端子（２４１）とが上記本体部（２０）から突出形成されており、
    上記負極側モジュール（２ｎ）には、上記電源（８１）に接続される負極端子（２５）と、上記正極側モジュール（２ｐ）に接続される第２中間端子（２４２）とが上記本体部（２０）から突出形成されており、
    上記第１中間端子（２４１）と上記第２中間端子（２４２）とは、中間バスバ（４ｃ）を介して接続されており、
    該中間バスバ（４ｃ）を介して接続された隣り合う上記正極側モジュール（２ｐ）と上記負極側モジュール（２ｎ）とからなるモジュールユニット（１１）において、上記正極側モジュール（２ｐ）と上記負極側モジュール（２ｎ）とは、上記本体部（２０）の主面（２０１、２０２）同士を対向させた状態で配置されており、
    両者の上記正極端子（２３）、上記第１中間端子（２４１）、上記負極端子（２５）及び上記第２中間端子（２４２）は、互いに同一又は反対の方向に突出されており、その方向は、上記両者の対向方向（Ｘ）に直交する突出方向（Ｚ）であり、
    上記モジュールユニット（１１）を上記突出方向（Ｚ）から透視した場合に、上記正極側モジュール（２ｐ）の上記正極端子（２３）から上記第１中間端子（２４１）へ向かう第１ベクトル（Ｖ1）と、上記負極側モジュール（２ｎ）の上記第２中間端子（２４２）から上記負極端子（２５）へ向かう第２ベクトル（Ｖ2）とは、上記対向方向（Ｘ）に直交する直交方向（Ｙ）のベクトル成分（Ｖ12、Ｖ22）の向きが互いに逆向きであることを特徴とする電力変換装置（１）。
  2. 請求項１に記載の電力変換装置（１）において、上記モジュールユニット（１１）における上記正極側モジュール（２ｐ）の上記本体部（２０）は、上記正極端子（２３）と上記第１中間端子（２４１）との間を上記スイッチング素子（２１１）を介して電気的に導通させるための導電部（２２１、２２２）を有し、上記負極側モジュール（２ｎ）の上記本体部（２０）は、上記負極端子（２５）と上記第２中間端子（２４２）と間を上記スイッチング素子（２１１）を介して電気的に導通させるための導電部（２２１、２２２）を有することを特徴とする電力変換装置（１）。
  3. 請求項２に記載の電力変換装置（１）において、上記導電部（２２１、２２２）は、少なくとも一部が上記本体部（２０）の上記主面（２０１、２０２）に露出していることを特徴とする電力変換装置（１）。
  4. 請求項２又は３に記載の電力変換装置（１）において、上記モジュールユニット（１１）における上記正極側モジュール（２ｐ）の上記本体部（２０）は、上記スイッチング素子（２１１）の上記対向方向（Ｘ）の両側に配置されると共に、上記正極端子（２３）と上記第１中間端子（２４１）とにそれぞれ接続された一対の上記導電部（２２１、２２２）を有し、上記負極側モジュール（２ｎ）の上記本体部（２０）は、上記スイッチング素子（２１１）の上記対向方向（Ｘ）の両側に配置されると共に、上記負極端子（２５）と上記第２中間端子（２４２）とにそれぞれ接続された一対の上記導電部（２２１、２２２）を有することを特徴とする電力変換装置（１）。
  5. 請求項４に記載の電力変換装置（１）において、上記モジュールユニット（１１）における上記正極側モジュール（２ｐ）及び上記負極側モジュール（２ｎ）の上記本体部（２０）には、上記スイッチング素子（２１１）と上記直交方向（Ｙ）に並ぶようにダイオード（２１２）が内蔵されており、上記正極側モジュール（２ｐ）の上記スイッチング素子（２１１）と上記負極側モジュール（２ｎ）の上記ダイオード（２１２）とが上記対向方向（Ｘ）に対向して配置されており、上記正極側モジュール（２ｐ）の上記ダイオード（２１２）と上記負極側モジュール（２ｎ）の上記スイッチング素子（２１１）とが上記対向方向（Ｘ）に対向して配置されていることを特徴とする電力変換装置（１）。
  6. 請求項５に記載の電力変換装置（１）において、上記モジュールユニット（１１）を上記突出方向（Ｚ）から透視した場合に、上記正極側モジュール（２ｐ）では、上記スイッチング素子（２１１）と上記正極端子（２３）とが上記対向方向（Ｘ）に並んで配置されていると共に、上記ダイオード（２１２）と上記第１中間端子（２４１）とが上記対向方向（Ｘ）に並んで配置されており、上記負極側モジュール（２ｎ）では、上記スイッチング素子（２１１）と上記第２中間端子（２４２）とが上記対向方向（Ｘ）に並んで配置されていると共に、上記ダイオード（２１２）と上記負極端子（２５）とが上記対向方向（Ｘ）に並んで配置されていることを特徴とする電力変換装置（１）。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の電力変換装置（１）において、上記モジュールユニット（１１）を複数備え、隣り合う該モジュールユニット（１１）同士において、一方の該モジュールユニット（１１）の上記正極側モジュール（２ｐ）と他方の上記モジュールユニット（１１）の上記負極側モジュール（２ｎ）とは、上記本体部（２０）の主面（２０１、２０２）同士を対向させた状態で配置されていることを特徴とする電力変換装置（１）。
  8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の電力変換装置（１）において、上記半導体モジュール（２、２ｐ、２ｎ）を冷却する冷媒を流通させる冷媒流路（３１）を有する冷却器（３）を備え、上記半導体モジュール（２、２ｐ、２ｎ）と上記冷媒流路（３１）とは、上記対向方向（Ｘ）において互いに積層されていることを特徴とする電力変換装置（１）。
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