JP2009148077A - 電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器 - Google Patents
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Abstract
【課題】並列接続してもゲート特性に与える影響は少なく、損失が増大することのない電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器を提供する。
【解決手段】複数個の電圧駆動型半導体チップ10と、電圧駆動型半導体チップ10のコレクタ同士を接続するコレクタ接続導体12に接続された主回路用コレクタ端子2と、電圧駆動型半導体チップ10のエミッタ同士を接続するエミッタ接続導体15に接続された主回路用エミッタ端子3と、電圧駆動型半導体チップ10のゲートセル16の各々と夫々チップ抵抗17を介して接続されたゲート用ゲート端子4と、電圧駆動型半導体チップ10のエミッタ13と接続された第1のゲート用エミッタ端子5と、主回路用エミッタ端子3と専用の接続導体18によって接続された第2のゲート用エミッタ端子6とによって電圧駆動型半導体モジュール1を構成する。
【選択図】図2
【解決手段】複数個の電圧駆動型半導体チップ10と、電圧駆動型半導体チップ10のコレクタ同士を接続するコレクタ接続導体12に接続された主回路用コレクタ端子2と、電圧駆動型半導体チップ10のエミッタ同士を接続するエミッタ接続導体15に接続された主回路用エミッタ端子3と、電圧駆動型半導体チップ10のゲートセル16の各々と夫々チップ抵抗17を介して接続されたゲート用ゲート端子4と、電圧駆動型半導体チップ10のエミッタ13と接続された第1のゲート用エミッタ端子5と、主回路用エミッタ端子3と専用の接続導体18によって接続された第2のゲート用エミッタ端子6とによって電圧駆動型半導体モジュール1を構成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器に係り、特に並列接続の適用に適した電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器に関する。
近年の電力用変換装置は大容量化が進んでおり、その1つに変換装置の電流の大容量化がある。電流の大容量化を行うためには、代表的な電圧駆動型半導体素子であるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールを多並列にして電力用変換装置に用いられる電力変換器を構成することが多い。
従来のIGBTモジュールの端子構成は、主回路通電のための主回路用コレクタ端子及び主回路用エミッタ端子、並びにゲート通電のためのゲート端子及びゲート用エミッタ端子の4端子構成となっている(例えば特許文献1参照。)。
このような4端子構成のIGBTモジュールを並列接続して電力変換器に適用した場合、IGBTモジュール間でスイッチングオフ時に主回路用エミッタ端子とゲート用エミッタ端子間に生じる誘起電圧に差が生じ、そのためゲート配線を介して循環電流が生じ、IGBTモジュール間の電流バランスが悪化するという問題があった。
この循環電流を抑制する対策として、ゲート電源から見て各IGBTモジュールのゲート用エミッタ端子側に循環電流低減用の抵抗を接続する提案が為されている(例えば、特許文献2参照。)。
特開平10−229671号公報(全体)
特開2000−40948号公報(第2−3頁、図1)
上記特許文献1に記された手法によれば、循環電流低減用の抵抗によって循環電流を低減することは可能であるが、循環電流が電流バランスに影響を与えない程度とするためには相当量の抵抗を接続する必要がある。このため、ゲート特性が悪化するばかりではなく損失も増大する。
本発明は上記に鑑みて為されたものであり、並列接続してもゲート特性に与える影響は少なく、損失が増大することのない電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第1の発明である電圧駆動型半導体モジュールは、複数個の電圧駆動型半導体チップと、前記電圧駆動型半導体チップのコレクタ同士を接続するコレクタ接続導体に接続された主回路用コレクタ端子と、前記電圧駆動型半導体チップのエミッタ同士を接続するエミッタ接続導体に接続された主回路用エミッタ端子と、前記電圧駆動型半導体チップのゲートセルの各々と夫々チップ抵抗を介して接続されたゲート用ゲート端子と、前記電圧駆動型半導体チップのエミッタと接続された第1のゲート用エミッタ端子と、前記主回路用エミッタ端子と専用の接続導体によって接続された第2のゲート用エミッタ端子と具備したことを特徴としている。
また、本発明の第2の発明である電力変換器は、並列接続された複数個の本発明の第1の発明である電圧駆動型半導体モジュールと、前記電圧駆動型半導体モジュール用のゲート駆動回路とを具備し、前記ゲート駆動回路は、前記電圧駆動型半導体モジュールの主回路用エミッタ端子と第2のゲート用エミッタ端子との間にゲート電圧を印加するようにしたことを特徴としている。
本発明によれば、並列接続してもゲート特性に与える影響は少なく、損失が増大することのない電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器を提供することが可能となる。
以下、本発明の電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器を図1乃至図5を参照して説明する。
図1は本発明の電圧駆動型半導体モジュールの一実施例を示す内部回路構成図である。図1において、IGBTモジュール1は、主回路接続用コレクタ端子2と主回路接続用エミッタ端子3に主回路電圧が印加され、ゲート用ゲート端子4と第1のゲート用エミッタ端子5間、またはゲート用ゲート端子4と第2のゲート用エミッタ端子6間に与えられるゲートパルスによって主回路電流がオンオフ制御される。
図2に本発明の電圧駆動型半導体モジュールの模式構造図を示す。この模式構造図は厚板状に形成されたIGBTモジュールを平面から見た断面図となっている。そして、この図2においては、IGBTモジュール1の内部素子としてIGBTチップ10a及び10bが並列に接続され、更にフライホイールダイオードチップ11がこれらのIGBTチップと逆並列に接続されている例を示している。
IGBTチップ10a及び10bのコレクタ面並びにフライホイールダイオードチップ11のカソード面は、主回路接続用コレクタ端子2に接続されたコレクタ導体12に電気的に接続され、また機械的に固定されている。そしてIGBTチップ10a及び10bの複数個に分割されたエミッタセル13a、13b並びにフライホイールダイオードチップ11のアノード面14は、主回路接続用エミッタ端子3に接続されたエミッタ導体15に各々ワイヤーボンディングによって電気的に接続されている。
IGBTチップ10a及び10bのゲートセル16a、16bは夫々ゲート用ゲート端子4に接続されたゲート導体にマウントされたチップ抵抗17a、17bとワイヤーボンディングによって接続されている。また、第1のゲート用エミッタ端子5は導体を介してIGBTチップ10aの複数個のエミッタセル13aのうちの一つとワイヤーボンディングによって接続されており、第2のゲート用エミッタ端子6は導体18を介して主回路接続用エミッタ端子3に接続されている。
次に、図3及び図4を参照して、本発明の電圧駆動型半導体モジュールの動作の詳細について説明する。
図3は第1のゲート用エミッタ端子を用いて2台の電圧駆動型半導体モジュールを並列駆動する場合の回路構成図である。
図3において、IGBTモジュール1A及び1Bは導体9によって並列接続されている。即ち、主回路接続用コレクタ端子2Aと2B、主回路接続用エミッタ端子3Aと3Bが夫々導体9によって接続されている。ゲート駆動回路7から与えられる共通のゲート信号は、ゲート配線8Aを介してIGBTモジュール1Aのゲート用エミッタ端子5A及びゲート用ゲート端子4A間に、またゲート配線8Bを介してIGBTモジュール1Bのゲート用エミッタ端子5BA及びゲート用ゲート端子4B間に夫々供給される。ゲート配線8A、8Bのエミッタ側にはゲート配線エミッタ側インダクタンス成分19A、19Bが夫々存在し、また、IGBTモジュール1A及び1Bの主回路のエミッタ側にはモジュール内エミッタインダクタンス成分20A、20Bが夫々存在する。このモジュール内エミッタインダクタンス成分は、図2におけるIGBTモジュール1内のIGBTチップ10a及び10bのエミッタセル13a及び13bとエミッタ導体15を接続するボンディングワイヤーのインダクタンス成分とエミッタ導体15のインダクタンス成分の合計値に相当する。
以上説明した図3の回路構成において、IGBTモジュール1A、1Bに流れる素子電流の変化が小さい時には、IGBTモジュール1A内の主回路接続用エミッタ端子3Aとゲート用エミッタ端子5A、IGBTモジュール1B内の主回路接続用エミッタ端子3Bとゲート用エミッタ端子5Bはほぼ同電位であり、またゲート用エミッタ端子5Aと5Bもほぼ同電位である。
しかし、スイッチング時やアーム短絡時のように過渡的な電流がIGBTモジュール1A及び1Bに流れるときには、上記部位の電位が異なる場合がある。
IGBTモジュール1Aに流れる電流をIc(1A)、IGBTモジュール1Bに流れる電流をIc(1B)とする。図3においては例として、IGBTターンオンスイッチング時の電圧,電流方向を矢印で示す。過渡時に両者の電流変化率dIc(1A)/dtとdIc(1B)/dtが両者の過渡特性のばらつきにより異なると、IGBTモジュール1A、1Bのモジュール内エミッタインダクタンス成分20A、20Bは夫々、
Ve(1A)=Le(1A)×dIc(1A)/dt・・・(1)
Ve(1B)=Le(1B)×dIc(1B)/dt・・・(2)
の電圧を発生する。ここでLe(1A)、Le(1B)は夫々モジュール内エミッタインダクタンス成分19A、19Bのインダクタンス値である。
Ve(1A)=Le(1A)×dIc(1A)/dt・・・(1)
Ve(1B)=Le(1B)×dIc(1B)/dt・・・(2)
の電圧を発生する。ここでLe(1A)、Le(1B)は夫々モジュール内エミッタインダクタンス成分19A、19Bのインダクタンス値である。
このようにVe(1A)≠Ve(1B)となり、両者の電圧差により図3に破線で示したループに従って循環電流Ieuが流れる。尚図3の循環電流IeuはVe(1A)>Ve(1B)の場合を示している。
この循環電流Ieuによってゲート配線エミッタ側インダクタンス成分19A及び19Bは夫々、
Veg(1A)=Leg(1A)×dIeu/dt・・・(3)
Veg(1B)=Leg(1B)×dIeu/dt・・・(4)
の電圧を発生する。ここでLeg(1A)、Leg(1B)は夫々ゲート配線エミッタ側インダクタンス成分19A、19Bのインダクタンス値である。
Veg(1A)=Leg(1A)×dIeu/dt・・・(3)
Veg(1B)=Leg(1B)×dIeu/dt・・・(4)
の電圧を発生する。ここでLeg(1A)、Leg(1B)は夫々ゲート配線エミッタ側インダクタンス成分19A、19Bのインダクタンス値である。
Veg(1A)はIGBTモジュール1Aのゲート電圧Vge(1A)を上昇させる方向に、逆にVeg(1B)はIGBTモジュール1Bのゲート電圧Vge(1B)を低下させる方向に作用する。即ち、IGBTモジュール1Aのゲート電圧Vge(1A)は上昇するため素子電流Ic(1A)は増加する方向、逆にIGBTモジュール1Bのゲート電圧Veg(1B)は低下するため素子電流Ic(1B)は低下する方向となる。これにより、もともとVe(1A)>Ve(1B)であったIGBT過渡時の電流アンバランスが益々悪化する方向に進む。過渡時の電流アンバランスが悪化するので、IGBTの損失もアンバランスとなる。そして最悪の場合、複数のIGBTモジュールを並列接続した構成において、過渡時に1個のIGBTモジュールに素子電流が集中し、このIGBTモジュールの損失が許容値を超えてしまい破損に至る恐れがある。
以上説明したように、図3に示した構成例では、IGBTモジュールの過渡特性のばらつきによる過渡時のIGBTモジュール間の素子電流のアンバランスが、IGBTチップ上エミッタセルと主回路接続用エミッタ端子間のモジュール内エミッタインダクタンス成分により、更にアンバランスが悪化する方向に助長されてしまうことになる。
図4は第2のゲート用エミッタ端子を用いて2台の電圧駆動型半導体モジュールを並列駆動する場合の回路構成図である。この図4の回路構成図について、図3の回路構成図と同一部分は同一符号を付しその説明を省略する。この図4においては、ゲート駆動回路7からIGBTモジュール1A、1Bへ向かうゲート配線8A、8Bの夫々の負側は第2のゲート用エミッタ端子6A、6Bに夫々接続されている。そしてゲート用エミッタ端子5A、5Bは共に使用しない。
この図4において、図3の場合と同様、IGBT1A及び1Bが同時にターンオンスイッチングを行ったときを考える。過渡時にIGBT1A及び1Bの夫々の電流変化率dIc(1A)/dt、dIc(1B)/dtが両者の過渡特性のばらつきによって異なると、モジュール内エミッタインダクタンス成分20A、20Bに発生する電圧は夫々上述したとおり(1)式及び(2)式となる。
この結果、Ve(1A)≠Ve(1B)となるが、ゲート駆動回路7からのゲート用エミッタ(負極)の接続はIGBTモジュール1A、1B共に第2のゲート用エミッタ端子6A、6Bであり、基本的に同電位であるので、図3に示したようなゲート用エミッタ間での循環電流は流れない。
また、電圧Ve(1A)、Ve(1B)は、夫々IGBTモジュール1A、1Bのゲート電圧Vge(1A)、Vge(1B)を低下させる方向に働くが、例としてdIc(1A)/dt>dIc(1B)/dtでVe(1A)>Ve(1B)の場合を考えると、Ve(1A)がVge(1A)を低下させる量はVe(1B)がVge(1B)を低下させる量より大きくなる。従ってIGBTモジュール1Aのゲート電圧がIGBTモジュール1Bのゲート電圧より低下する方向となり、素子電流Ic(1A)は素子電流Ic(1B)とバランスする方向となる。これにより、IGBT過渡時の電流バランスは改善する方向に進む。
以上述べたように、IGBTモジュールを複数台並列の電力変換器に適用する場合には、ゲート駆動回路の負極を第2のゲート用エミッタ端子に接続することによって過渡時の電流バランスを改善することができる。
IGBTモジュールを単体で使用する場合は、通常はゲート駆動回路の負極を第1のゲート用エミッタ端子に接続する。これは、電流バランスが問題ない適用の場合には、IGBTモジュール内のエミッタインダクタンス成分19Aあるいは19Bによる影響を避ける方が得策であるためである。この影響とは、例えばスイッチングオン時のゲート電圧低下によるターンオン時間の増大による損失の増大などが考えられる。
上記に拘らず、IGBTモジュールを単体で使用する場合、ゲート電源の負極を第2のゲート用エミッタ端子に接続しても良い。これは、IGBTモジュール内のIGBTチップ間の電流バランスが問題となる場合に適用される。即ち、図3を参照して説明した電流バランスの問題は、図2におけるIGBTチップ10aと10bの電流バランスの問題にそのまま適用可能であるためである。
尚、図4において、例えばIGBTモジュール1Aのゲート用ゲート端子4Aと第2のゲート用エミッタ端子6Aの物理的距離は近接していることが配線作業上また耐ノイズ特性上好ましい。この近接の度合いは、例えば前記の物理的距離をIGBTモジュール1Aのゲート用ゲート端子4Aと第1のゲート用エミッタ端子5Aの物理的距離の数倍以下とする。
図5は本発明の電圧駆動型半導体モジュールを用いた電力変換器の回路構成図の一例である。電力変換器30は直流を入力として3相交流を出力するブリッジ接続型のインバータであり、図示するようにU相上アームはIGBTモジュール1UP1と1UP2が並列接続されている。同様に、U相下アームはIGBTモジュール1UN1と1UN2が、V相上アームはIGBTモジュール1VP1と1VP2が、V相下アームはIGBTモジュール1UN1と1UN2が、W相上アームはIGBTモジュール1WP1と1WP2が、そしてW相下アームはIGBTモジュール1WN1と1WNP2が夫々並列接続されている。
これらのIGBTモジュールの図示しないゲート駆動回路の接続は、図4に示したように、ゲート配線の負側がIGBTモジュールの第2のゲート用エミッタ端子に接続されるようにする。このようにすれば、図4を参照して説明したように、電力変換器30において互いに並列接続されたIGBTモジュールの電流バランスは改善されることになる。
1、1A、1B、1UP1、・・・、1WN2 IGBTモジュール
2 主回路接続用コレクタ端子
3 主回路接続用エミッタ端子
4 ゲート用ゲート端子
5 第1のゲート用エミッタ端子
6 第2のゲート用エミッタ端子
7 ゲート駆動回路
8A、8B ゲート配線
9 導体
10a、10b IGBTチップ
11 フライホイールダイオードチップ
12 コレクタ導体
13a、13b エミッタセル
14 アノード面
15 エミッタ導体
16a、16b ゲートセル
17a、17b チップ抵抗
18 導体
19a、19b ゲート配線エミッタ側インダクタンス成分
20a、20B モジュール内エミッタインダクタンス成分
30 電力変換器
2 主回路接続用コレクタ端子
3 主回路接続用エミッタ端子
4 ゲート用ゲート端子
5 第1のゲート用エミッタ端子
6 第2のゲート用エミッタ端子
7 ゲート駆動回路
8A、8B ゲート配線
9 導体
10a、10b IGBTチップ
11 フライホイールダイオードチップ
12 コレクタ導体
13a、13b エミッタセル
14 アノード面
15 エミッタ導体
16a、16b ゲートセル
17a、17b チップ抵抗
18 導体
19a、19b ゲート配線エミッタ側インダクタンス成分
20a、20B モジュール内エミッタインダクタンス成分
30 電力変換器
Claims (4)
- 複数個の電圧駆動型半導体チップと、
前記電圧駆動型半導体チップのコレクタ同士を接続するコレクタ接続導体に接続された主回路用コレクタ端子と、
前記電圧駆動型半導体チップのエミッタ同士を接続するエミッタ接続導体に接続された主回路用エミッタ端子と、
前記電圧駆動型半導体チップのゲートセルの各々と夫々チップ抵抗を介して接続されたゲート用ゲート端子と、
前記電圧駆動型半導体チップのエミッタと接続された第1のゲート用エミッタ端子と、
前記主回路用エミッタ端子と専用の接続導体によって接続された第2のゲート用エミッタ端子と
を具備した電圧駆動型半導体モジュール。 - アノードが前記エミッタ接続導体に接続され、カソードが前記コレクタ接続導体に接続されたダイオードチップを更に備えた請求項1に記載の電圧駆動型半導体モジュール。
- 前記電圧駆動型半導体チップのエミッタは複数個のエミッタセルより構成され、
前記第1のゲート用エミッタ端子は、
前記複数個の電圧駆動型半導体チップのうちの1つの電圧駆動型半導体チップの前記複数個のエミッタセルのうちの1つに接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電圧駆動型半導体モジュール。 - 並列接続された複数個の請求項1に記載の電圧駆動型半導体モジュールと、
前記電圧駆動型半導体モジュール用のゲート駆動回路と
を具備し、
前記ゲート駆動回路は、
前記電圧駆動型半導体モジュールの主回路用エミッタ端子と第2のゲート用エミッタ端子との間にゲート電圧を印加するようにしたことを特徴とする電力変換器。
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---|---|---|---|
JP2007322867A JP2009148077A (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器 |
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