JP2003243608A - 電力用モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電力半導体装置の回路抵抗を低減し、熱放散
を向上し、さらに、素子数を減少させてサイズを小さく
する。 【解決手段】 外部との電気的接続を確保する第１の外
部端子および第２の外部端子と、電流を入力する第１の
電極、および、入力された電流を出力する第２の電極を
有し、第１の外部端子から該第１の電極に入力される電
流をスイッチングして、第２の電極および第２の外部端
子から出力される電流を制御するスイッチング素子と、
フリーホイールダイオードとを有する電力用モジュール
を提供する。電力用モジュールは、第１の外部端子に電
気的に接続された第１の板状導体と、第２の外部端子に
電気的に接続された第２の板状導体とをさらに備えてお
り、その各々は、スイッチング素子とフリーホイールダ
イオードとを逆並列接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＧＢＴ／ＭＯＳ
ＦＥＴ／ダイオード等の電力半導体素子を内蔵した半導
体装置の回路抵抗の低減、熱拡散の向上および小型化に
関する。

【０００２】

【従来の技術】図７の（ａ）は、従来の電力半導体装置
１７０の断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
電力半導体装置１７０では、金属製の放熱ベース板７４
の上に、セラミックの表裏に回路パターンを金属メッキ
した絶縁基板７３が配置されている。絶縁基板７３上に
は、電力半導体素子７１（例えば、ＩＧＢＴ）、ダイオ
ード７２、および、４つの外部端子７６〜７９が設けら
れている。電力半導体素子７１がＩＧＢＴの場合、絶縁
基板７３側の面（裏面）がコレクタ電極面、その反対側
の面（表面）がエミッタ電極面である。また、ダイオー
ド７２については、絶縁基板７３側の面（裏面）がカソ
ード電極面、その反対側の面（表面）がアノード電極面
となるように配置されている。

【０００３】電力半導体素子７１とダイオード７２と
は、比較的細いワイヤ８０−２により電気的に接続され
ている。また、電力半導体素子７１の各エミッタセル
は、比較的細いワイヤ８０−１を介して、絶縁基板７３
上の回路パターンと接続されている。絶縁基板７３上の
パターンは、外部端子７６〜７９と接続されている。ゲ
ル・樹脂８１およびケース７５は、これらの回路および
素子を覆い、保護する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の電力半導体装置
１７０では、半導体素子７１のエミッタ電極面、ダイオ
ード７２のエミッタ電極面は、ワイヤ８０−１〜８０−
３で他の回路要素と接続されるので、以下のような制約
が存在する。

【０００５】まず第一に、ワイヤ８０−１〜８０−３が
比較的細いため、流すことのできる電流の限界がある。
ワイヤを太くし、ワイヤの本数を増やすことにより主回
路に必要な電流容量を確保できるものの、ワイヤボンド
をするためのスペースが必要となるため、装置を小型化
できないという別の制約が生じる。

【０００６】第二に、ワイヤ８０−１〜８０−３が細い
ために回路抵抗が大きくなる。ワイヤを太くし、ワイヤ
の本数を増やせば抵抗は軽減できるが、やはり上述の別
の制約が生じる。

【０００７】第三に、半導体素子７１とワイヤ８０−
１，２の接合面に電流が集中するので、熱が局在化す
る。半導体素子７１上のワイヤ接合面を分散させること
により熱の集中を軽減できるが、現在、完全に分散させ
るには至っていない。

【０００８】第四に、半導体素子７１の各エミッタセル
は、ワイヤ、および、ワイヤの接合先の絶縁基板上のパ
ターンを介して互いに接続されている。このような接続
形態により、各セルでアンバランスが生じる。すなわ
ち、電力半導体装置１７０の短絡時にゲート発振が生
じ、装置が破壊され、または装置が誤動作する可能性が
ある。各セル同士を直接ワイヤで接続すればよいが、そ
うすると、ワイヤ本数が増加し、さらに、メイン電流が
流れるワイヤと垂直の向きにもワイヤボンドすることが
必要になる。これは、スペースに余裕がないため非常に
困難である。

【０００９】第五に、電力半導体装置１７０では、ワイ
ヤの接合先となる絶縁基板上のパターン、および、外部
端子が必要なため、部品点数が多くなり、装置のサイズ
が大きくなる。よって、生産上の困難が生じやすい。

【００１０】本発明の目的は、電力半導体装置の回路抵
抗を低減し、熱放散を向上し、さらに、素子数を減少さ
せてサイズを小さくすることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の電力用モジュー
ルは、外部との電気的接続を確保する第１の外部端子お
よび第２の外部端子と、電流を入力する第１の電極、お
よび、入力された電流を出力する第２の電極を有し、前
記第１の外部端子から該第１の電極に入力される電流を
スイッチングして、第２の電極および前記第２の外部端
子から出力される電流を制御するスイッチング素子と、
フリーホイールダイオードとを有する電力用モジュール
であって、前記第１の外部端子に電気的に接続された第
１の板状導体と、前記第２の外部端子に電気的に接続さ
れた第２の板状導体とをさらに備え、前記第１の板状導
体、および、前記第２の板状導体が、前記スイッチング
素子と前記フリーホイールダイオードとを逆並列接続し
ている。これにより、上記目的が達成される。

【００１２】前記スイッチング素子の厚みと、前記フリ
ーホイールダイオードの厚みとが略同一であってもよ
い。

【００１３】前記第１の外部端子と前記第１の板状導体
とが、一体化して構成され、前記第２の外部端子と前記
第２の板状導体とが、一体化して構成されていてもよ
い。

【００１４】前記スイッチング素子、前記フリーホイー
ルダイオード、前記第１の板状導体、および、前記第２
の板状導体は、樹脂材料でモールドされていてもよい。

【００１５】電力用モジュールは、外部との電気的接続
を確保する、板状の第３の外部端子をさらに備え、前記
スイッチング素子は、板状の前記第３の外部端子と接続
され、印加された電圧に基づいて、出力される前記電流
を制御する第３の電極をさらに備えていてもよい。

【００１６】電力用モジュールは、発生した熱を放出す
る第１の放熱板と、第２の放熱板とをさらに備え、第１
の放熱板は、一方の面が前記樹脂材料を介して前記第１
の板状導体と対向し、他方の面は外部に露出して配置さ
れており、第２の放熱板は、一方の面が前記樹脂材料を
介して前記第２の板状導体と対向し、他方の面は外部に
露出して配置されていてもよい。

【００１７】前記第１の板状導体、および、前記第２の
板状導体は、各々の厚さに応じて、回路抵抗を調節可能
であってもよい。

【００１８】前記スイッチング素子は、半導体により構
成された、例えば、ＩＧＢＴチップであってもよい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して、本
発明の実施の形態を説明する。各図面において、同一の
参照符号が付された構成要素は、同一の機能を有すると
する。

【００２０】（実施の形態１）図１の（ａ）は、電力半
導体装置１１０の側面の断面図であり、（ｂ）は、その
上面の断面図である。電力半導体装置１１０は、パワー
デバイスの駆動等に用いられる電力用の半導体モジュー
ルである。図１の（ａ）および（ｂ）を参照して、電力
半導体装置１１０は、電力半導体素子１と、ダイオード
２と、および外部電極６〜９と、ワイヤ１０と、金属板
１２、１３と、板状絶縁体１４とが、後述のように積層
されて構成されている。電力半導体装置１１０では、積
層されたこれらの構成、より具体的には、電力半導体素
子１、ダイオード２、、ワイヤ１０、および、金属板１
２、１３は、安価でかつ成形が容易である樹脂１１でモ
ールドされ、ケース５で覆われている。なお、外部電極
６〜９も、一部モールドされ封止されている。

【００２１】以下、各構成要素を説明する。電力半導体
素子１は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
（ＩＧＢＴ）、ＭＯＳ ＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄ
ｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｅｉｌｄ−Ｅｆｆｅ
ｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（金属酸化膜半導体型電界
効果トランジスタ））であり、高速なスイッチング動作
が可能なスイッチング半導体チップとしての機能を有す
る。ダイオード２は、周知のダイオードである。後述の
ように、電力半導体素子１に対して、ダイオード２は逆
並列に接続され、電力半導体素子１の電極に逆電圧が印
加されることを防止する。すなわち、ダイオード２は、
フリーホイールダイオードとして機能する。外部電極６
〜９は、電力半導体装置１１０を外部回路等に接続する
端子であり、各要素が積層されている方向、換言すれ
ば、板状絶縁体１４に対して略垂直な方向に延びて、そ
の一部が電力半導体装置１１０の外表面に露出してい
る。ワイヤ１０は、導電性物質により形成され、電力半
導体素子１と外部電極９とを接続する。金属板１２、１
３は、金属製導電性物質で形成された板状体である。絶
縁体１４は、任意の絶縁物質であればよく、例えば、セ
ラミック板、シリコンシート、板状の樹脂である。

【００２２】続いて、電力半導体装置１１０の各構成要
素の積層構造、すなわち各構成要素の配置を説明する。
絶縁体１４上には、まず外部電極６、９および、外部電
極６に電気的に接続された金属板１３が設けられる。外
部電極６と金属板１３とは、一体化されていてもよい。
そして、金属板１３上には、電力半導体素子１およびダ
イオード２が接続される。電力半導体素子１がＩＧＢＴ
チップの場合、絶縁体１４および外部電極６側の面（裏
面）が、電流が流入するコレクタ電極面、その反対側の
面（表面）が、電流が流出するエミッタ電極面である。
また、ダイオード２については、絶縁体１４および外部
電極６側の面（裏面）がカソード電極面、その反対側の
面（表面）がアノード電極面となるように配置されてい
る。よって、金属板１３と接続されるのは、電力半導体
素子１のコレクタ電極面、および、ダイオード２のカソ
ード電極面である。これにより、電力半導体素子１に対
して、ダイオード２が逆並列に接続される。電力半導体
素子１およびダイオード２の上には、外部との電気的接
続を確保する外部電極８および７がそれぞれ設けられ
る。

【００２３】さらに、電力半導体素子１およびダイオー
ド２上には、金属板１２が設けられる。金属板１２と接
続されるのは、電力半導体素子１のエミッタ電極面、お
よび、ダイオード２のアノード電極面である。金属板１
２は、電力半導体素子１およびダイオード２間の電気的
接続を確保するために設けられた導体であり、従来の電
力半導体装置１７０におけるワイヤ８０−２（図７）に
相当する。外部電極７と金属板１２とは、一体化されて
いてもよい。金属板１２について留意すべきは、金属板
１２の一部は穴（または切り欠き部）Ｈを有することで
ある。この穴Ｈは、電力半導体素子１のトランジスタの
ゲート部と外部電極９との電気的接続を確保するワイヤ
１０を通過させるために設けられている。

【００２４】このような金属板１２を設けた理由は、以
下のとおりである。すなわち、一般に、伝導体の電流容
量はその断面積に比例し、電気抵抗は断面積に反比例す
る。回路の電流容量を増加させ電気抵抗を低下させるに
は伝導体の断面積を増やせばよい。しかし、電力半導体
素子１のエミッタ電極面の面積は限られているため、電
力半導体素子１のエミッタ電極面と、ダイオード２のア
ノード電極面との接続をワイヤで実現した場合、ワイヤ
全体の断面積（一本の断面積×本数）を増やすことには
限界がある。よって、ワイヤに代えて接続を金属板１２
で確保することにした。

【００２５】金属板１２を設けたことによる効果は、以
下のとおりである。接合面積と金属板１２の厚さとは無
関係であるため、金属板１２の厚さを適切に選択するこ
とにより、断面積を増やすことができる。さらに、ワイ
ヤである必要がないため金属板１２に使用する材質の選
択肢も増える。仮に同材質でワイヤの断面積と金属板の
厚さを同じとすると、ワイヤボンドには隙間が必要なこ
と、および、ワイヤは断面が円柱形状であることから、
金属板の方が３倍以上の断面積を持つといえる。これに
より、主回路の電気容量を大幅に向上させ、かつ、回路
抵抗を低下できる。加えて、金属板１２はエミッタセル
全面と接続するため、素子上での熱分散が向上し、エミ
ッタセルの分割に起因するゲート発振を抑制できる。さ
らに、金属板１２と外部電極７とを直接接続し、また
は、一体化したことにより、部品点数を減らし、装置を
小型化できる。

【００２６】また、先に説明した金属板１３を設けたこ
とによる効果を説明すると、素子と金属板から構成され
る主回路が絶縁基板から独立できるようになるととも
に、金属板１３と外部電極６とを直接接続し、または、
一体化したことにより、部品点数を減らし、装置を小型
化できる。さらに、電力半導体装置１７０（図７）のよ
うな金属製の放熱ベース板７４（図７）を用いていない
ので、部品点数を減らし、装置を軽量・薄型化すること
ができる。

【００２７】なお、電力半導体素子１の厚み、および、
ダイオード２の厚みを略同一にすることにより、外部電
極６および７と一体化された金属板１２および金属板１
３には曲げ加工が必要なくなる。よって金属板１２およ
び１３を生産しやすくなり、安価に得ることができる。

【００２８】電力半導体装置１１０が、上述したように
構成されている場合には、それ以外の部分の構成を変形
してもよい。例えば、図２の（ａ）および（ｂ）は、樹
脂板１１’を設けた電力半導体装置１２０の側面の断面
図および上面の断面図である。図２の（ａ）に示すよう
に、電力半導体装置１２０の絶縁体１４の下部に、樹脂
板１１’を設けても電力半導体装置１１０（図１）で説
明した効果が得られ、かつ、樹脂板１１を設けることに
より、絶縁体を保護でき、絶縁信頼性が向上する。

【００２９】（実施の形態２）図３の（ａ）は、電力半
導体装置１３０の側面の断面図であり、（ｂ）は、その
上面の断面図である。電力半導体装置１３０は、電力半
導体装置１１０（図１）と同様、外部電極７と一体化さ
れた金属板１２、および、外部電極６ならびに８と一体
化された金属板１３を有する。さらに、金属板１２は、
電力半導体素子１のトランジスタのゲート部と外部電極
９との電気的接続を確保するワイヤ１０を通過させる穴
Ｈをも有する。これらの詳細な説明は、実施の形態１に
おいてされたとおりであるので、実施の形態２では省略
する。このような構成により、実施の形態１で説明し
た、金属板１２および金属板１３を設けた効果は、電力
半導体装置１３０でも得ることができる。

【００３０】実施の形態２による電力半導体装置１３０
が、実施の形態１による電力半導体装置１１０（図１）
と相違する点を説明すると、まず、電力半導体装置１３
０の外部電極６〜９は、金属板１２および金属板１３の
面と略平行な方向に延びて外部に出されている。さら
に、電力半導体装置１３０は、絶縁体１４およびケース
５に代えて、モールド１５で封止されている。より具体
的には、電力半導体素子１、ダイオード２、金属板１
２、１３は、モールド１５で封止されている。なお、外
部電極６〜９も、一部モールド１５で封止されている。
モールドは、樹脂を用いて形成される。

【００３１】従来の電力半導体装置１７０（図７）と比
較すれば、絶縁基板７３（図７）およびベース板７４
（図７）が存在せず、さらに、実施の形態１の電力半導
体装置１１０（図１）と比較すると、外部電極が金属板
と略平行な方向に延びるので、接続のための垂直方向の
スペースが不要になり、大幅に電力半導体装置を薄型化
できる。また、絶縁体１４およびケース５が存在しない
ので、大幅に部品点数を減らし、小型軽量化できる。

【００３２】以下、電力半導体装置１３０の第１〜第４
の変形例を説明する。図３の（ｃ）は、実施の形態２の
第１の変形例による電力半導体装置１３０’の上面の断
面図である。図から明らかなように、電力半導体装置１
３０’では、（ａ）および（ｂ）で設けられていたワイ
ヤ１０に代えて、板状の外部電極９’を電力半導体素子
１のゲート電極まで延ばし、直接接続するようにしてい
る。したがって、穴Ｈは特に設けなくともよい。いうま
でもなく、外部電極９’が電力半導体素子１のゲート電
極にのみ導通するように構成する必要がある。その他の
構成は、（ａ）および（ｂ）に示す電力半導体装置１３
０と同じである。外部電極９’を板状とし、その一面を
スイッチング素子に接続してワイヤ１０を用いない構成
を採用したので、樹脂パッケージ成形時のワイヤ配線流
れが皆無で、製造時の不良率を低減できる。さらに、パ
ッケージを効果的に薄型化でき、結果的に、軽量で安価
の電力用モジュールを提供できる。

【００３３】第２の変形例として、図４の（ａ）は、電
力半導体装置１４０の側面の断面図であり、（ｂ）は、
その上面の断面図である。電力半導体装置１４０は、電
力半導体装置１３０（図３）の上面および下面に、内部
で発生した熱を放出する金属製の放熱板１６を設けてい
る。他の構成は電力半導体装置１３０（図３）と同じで
ある。放熱板１６を設けたことにより、樹脂モールド１
５のみの場合と比較して、放熱性能を向上できる。

【００３４】第３の変形例として、図５は、三方向から
の断面図である。すなわち（ａ）は、電力半導体装置１
５０の側面の断面図、（ｂ）は、その上面の断面図、
（ｃ）は、外部電極側からの断面図である。電力半導体
装置１３０（図３）では、電力半導体素子１（図１）お
よびダイオード２（図１）が１組設けられ、電力半導体
素子とダイオードとが、金属板で接続されていた。電力
半導体装置１５０では、半導体素子およびダイオードが
２組設けられている。（ｂ）には、電力半導体素子１−
１とダイオード２−１の組、および、電力半導体素子１
−２とダイオード２−２の組が明示されている。なお、
理解の便宜のため、（ｂ）には金属板を示していない
が、（ａ）に示すように、各組には電力半導体装置１３
０の金属板１２、１３に相当する金属板が設けられて、
各組内の電気的な接続が確保されている。

【００３５】図５の（ａ）に記載されているように、ワ
イヤ１０−１、１０−２の各々は、互いに反対側から、
各電力半導体素子１−１および１−２のトランジスタゲ
ート部に接続されている。しかし、双方のワイヤは、同
じ側から電力半導体素子に接続してもよい。また、
（ｂ）に記載のように、電力半導体素子１−１およびダ
イオード２−１の回路への入出力は、外部電極２１、２
２、２５、２６により行われる。一方、電力半導体素子
１−２およびダイオード２−２の回路への入出力は、外
部電極２０、２３、２４により行われる。このように、
外部電極の数は各回路で異なってもよい。電力半導体素
子およびダイオードの各組の構成が、図３に示す電力半
導体装置１３０の構成上の特徴を有していればよい。さ
らに、放熱板１６（図４）を樹脂モールド１５に設けて
もよい。

【００３６】第４の変形例として、図６の（ａ）は、電
力半導体装置１６０の上面の断面図、（ｂ）は、その側
面の断面図である。電力半導体装置１５０（図５）で
は、電力半導体素子およびダイオードが２組設けられ、
各組の電力半導体素子とダイオードとが、金属板で接続
されていた。電力半導体装置１５０では、半導体素子お
よびダイオードが６組設けられている。例えば、半導体
素子１−１およびダイオード２−１の組、および、半導
体素子１−２およびダイオード２−２の組である。換言
すれば、電力半導体装置１５０（図５）の構成を１単位
としたとき、電力半導体装置１６０は３単位で構成され
ているといえる。ただし、この場合も外部電極の数およ
び位置は、必要に応じて変更可能である。その他の構成
において、図３に示す電力半導体装置１３０の構成上の
特徴を有していればよい。さらに、放熱板１６（図４）
を樹脂モールド１５に設けてもよい。第３および第４の
変形例によれば、複数の半導体素子およびダイオードを
有する、いわゆるマルチチップ構成を採用しても、半導
体素子およびダイオードが各１つのシングルチップ構成
の場合と同様の効果が得られる。

【００３７】

【発明の効果】スイッチング素子と、フリーホイールダ
イオードとの逆並列接続を、板状導体である２つの外部
端子で実現するので、構成を簡単化でき、かつ、安価な
電力用半導体モジュールを提供できる。

【００３８】スイッチング素子の厚みと、フリーホイー
ルダイオードの厚みとを略同一にすることにより、厚み
差がなくなり、２つの外部端子の曲げ加工が必要ない、
生産性に優れた安価な電力用モジュールが実現できる。

【００３９】外部端子と板状導体とが一体化して構成さ
れているので、実質的な端子個数を減少でき、組立が容
易で、かつ生産性に優れた安価な電力用モジュールが実
現できる。

【００４０】電力用モジュールが樹脂材料でモールドさ
れているので、安価でかつ容易に成形できる。

【００４１】外部端子（外部電極）を板状とし、その一
面をスイッチング素子に接続してワイヤを用いない構成
を採用したので、樹脂パッケージ成形時のワイヤ配線流
れが皆無で、製造時の不良率を低減できるだけでなく、
パッケージを効果的に薄型化でき、結果的に、軽量で安
価の電力用モジュールを提供できる。

【００４２】モジュールに２つの放熱板を配設して、発
生した熱を放出するようにしたので、放熱性に極めて優
れた電力用モジュールを提供できる。

【００４３】板状導体の厚さに応じて、回路抵抗を調節
可能であるので、ワイヤを採用した場合と比較すると、
電気容量を大幅に向上させ、かつ、回路抵抗を低下でき
る。

【００４４】スイッチング素子は、半導体により構成さ
れた、例えば、ＩＧＢＴチップであるので、高速なスイ
ッチングが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）および（ｂ）は、実施の形態１による
電力半導体装置の側面の断面図、および、上面の断面図
である。

【図２】 （ａ）および（ｂ）は、樹脂板を設けた実施
の形態１による電力半導体装置の側面の断面図、およ
び、上面の断面図である。

【図３】 （ａ）および（ｂ）は、実施の形態２による
電力半導体装置の側面の断面図、および、上面の断面図
である。（ｃ）は、実施の形態２の第１の変形例による
電力半導体装置の上面の断面図である。

【図４】 （ａ）および（ｂ）は、実施の形態２の第２
の変形例による電力半導体装置の側面の断面図、およ
び、上面の断面図である。

【図５】 （ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、実施の形態
２の第３の変形例による電力半導体装置の側面の断面
図、上面の断面図、および、外部電極側からの断面図で
ある。

【図６】 （ａ）および（ｂ）は、実施の形態２の第４
の変形例による電力半導体装置の側面の断面図、およ
び、上面の断面図である。

【図７】 （ａ）は、従来の電力半導体装置の断面図で
ある。（ｂ）は、従来の電力半導体装置の上面図であ
る。

【符号の説明】

１ 電力半導体素子、 ２ ダイオード、 ５ ケー
ス、 ６〜９ 外部電極、 １０ ワイヤ、 １１ 樹
脂、 １２、１３ 金属板、 １４ 絶縁体、１１０
電力半導体装置

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部との電気的接続を確保する第１の外
   部端子および第２の外部端子と、 電流を入力する第１の電極、および、入力された電流を
   出力する第２の電極を有し、前記第１の外部端子から該
   第１の電極に入力される電流をスイッチングして、第２
   の電極および前記第２の外部端子から出力される電流を
   制御するスイッチング素子と、 フリーホイールダイオードとを有する電力用モジュール
   であって、 前記第１の外部端子に電気的に接続された第１の板状導
   体と、 前記第２の外部端子に電気的に接続された第２の板状導
   体とをさらに備え、 前記第１の板状導体、および、前記第２の板状導体が、
   前記スイッチング素子と前記フリーホイールダイオード
   とを逆並列接続する電力用モジュール。
2. 【請求項２】 前記スイッチング素子の厚みと、前記フ
   リーホイールダイオードの厚みとが略同一である、請求
   項１に記載の電力用モジュール。
3. 【請求項３】 前記第１の外部端子と前記第１の板状導
   体とが、一体化して構成され、前記第２の外部端子と前
   記第２の板状導体とが、一体化して構成されている、請
   求項１または２に記載の電力用モジュール。
4. 【請求項４】 前記スイッチング素子、前記フリーホイ
   ールダイオード、前記第１の板状導体、および、前記第
   ２の板状導体は、樹脂材料でモールドされている、請求
   項３に記載の電力用モジュール。
5. 【請求項５】 外部との電気的接続を確保する、板状の
   第３の外部端子をさらに備え、 前記スイッチング素子は、板状の前記第３の外部端子と
   接続され、印加された電圧に基づいて、出力される前記
   電流を制御する第３の電極をさらに備えている、請求項
   １〜４に記載の電力用モジュール。
6. 【請求項６】 発生した熱を放出する第１の放熱板と、
   第２の放熱板とをさらに備え、 第１の放熱板は、一方の面が前記樹脂材料を介して前記
   第１の板状導体と対向し、他方の面は外部に露出して配
   置されており、 第２の放熱板は、一方の面が前記樹脂材料を介して前記
   第２の板状導体と対向し、他方の面は外部に露出して配
   置されている、請求項５に記載の電力用モジュール。
7. 【請求項７】 前記第１の板状導体、および、前記第２
   の板状導体は、各々の厚さに応じて、回路抵抗を調節可
   能である、請求項１〜６に記載の電力用モジュール。
8. 【請求項８】 前記スイッチング素子は、半導体により
   構成されている、請求項１〜７に記載の電力用モジュー
   ル。
9. 【請求項９】 前記スイッチング素子は、ＩＧＢＴチッ
   プである、請求項８に記載の電力用モジュール。