JP2010287737A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本半導体装置100では、誘導導体201上、2個の半導体パッケージ10(P1,P2)が逆向きで隣接して配置される。2個の半導体パッケージ10の端子(L1−2,L2−1)が、第3のリード103(L3)により連結される。第3のリード103(L3)は、誘導導体201と略平行に配置され、当該連結部におけるリードは、例えば折り曲げられた構造であり、第3のリード103(L3)が誘導導体201に近付けて配置される。
【選択図】図1
Description
図1〜図4を用いて、本発明の実施の形態1による半導体装置(電力変換装置等)について説明する。実施の形態1は、概要として、図1等に示すように、誘導導体201上、2つの半導体パッケージ10(P1,P2)が逆向きで隣接して並列に配置され、それらの一方側のリード(102,101)同士が第3のリード103により連結され、第3のリード103が誘導導体201に近接するように配置された構造である。
次に、図5を用いて、実施の形態2による半導体装置100について説明する。図5において、実施の形態2の半導体装置100の断面(例えば第2の半導体パッケージ10(P2)の断面)を示している。上平面構造については図2と同様なので省略する。
次に、図6を用いて、実施の形態3による半導体装置100について説明する。図6(a)は、実施の形態3の半導体装置100の上平面構造を、図6(b)は、そのB−B(P2)断面を示している。
次に、図7を用いて、実施の形態4による半導体装置100について説明する。図7(a)は、実施の形態4の半導体装置100の上平面構造を、図7(b)は、そのC−C(P2)断面を示している。
次に、図8を用いて、実施の形態5による半導体装置100について説明する。図8(a)は、実施の形態5の半導体装置100の上平面構造を、図8(b)は、そのD−D(P2)断面を、図8(c)は、E−E断面を示している。
次に、図9を用いて、実施の形態6による半導体装置100について説明する。図9(a)は、実施の形態6の半導体装置100の上平面構造を、図9(b)は、そのF−F(P2)断面を、図9(c)は、G−G断面を示している。
次に、図10を用いて、実施の形態7による半導体装置100について説明する。図10(a)は、実施の形態7の半導体装置100の上平面構造を、図10(b)は、そのH−H(P2)断面を示している。
次に、図11を用いて、実施の形態8による半導体装置100について説明する。図11(a)は、実施の形態8の半導体装置100の上平面構造を、図11(b)は、そのI−I(P2)断面を示している。
次に、図12,図13を用いて、実施の形態9による半導体装置900について説明する。図12(a)は、実施の形態9の半導体装置900の上平面構造を、図12(b)は、そのK−K(10−2,P2)断面を示している。図13は、本半導体装置900を用いて構成される電力変換装置の回路を示している。
次に、図14,図15を用いて、実施の形態10による半導体装置1000について説明する。図14(a)は、実施の形態10の半導体装置1000の上平面構造を、図14(b)は、そのL−L(P2)断面を示している。図15は、本半導体装置1000を用いて構成される電力変換装置の回路を示している。
Claims (12)
- 少なくとも2つの半導体パッケージと、それらを接続する誘導導体と、を有する半導体装置であって、
前記半導体パッケージは、ヒートスプレッダ上に第1の電極面が電気的に接続される半導体素子と、前記ヒートスプレッダに電気的に接続されて外部に一部が露出する第1のリードと、前記半導体素子の第2の電極面に電気的に接続されて外部に一部が露出する第2のリードと、前記ヒートスプレッダ、半導体素子、第1のリード、及び第2のリードを樹脂封止するモールド材と、を有して成り、
前記2つの半導体パッケージは、前記誘導導体の平面上に、絶縁性部材を介して配置され、第1の半導体パッケージは、前記誘導導体の平面上、第1の方向に配置され、第2の半導体パッケージは、前記第1の半導体パッケージに対し、逆向きとなる第2の方向で隣接して配置され、
前記第1の半導体パッケージの前記第2のリードと、前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードとを電気的に接続する第3のリードを備えること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3のリードは、前記誘導導体の平面に対して平行に配置され、前記絶縁性部材の近傍の高さに配置され、
前記第3のリードの一部、または、前記第3のリードから任意の方向に連続体で延設される第4のリードの一部に、外部出力端子を備えること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージの前記第2のリード、及び前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードと、前記第3のリードとを接続する部位付近において、前記第3のリードと前記絶縁性部材または誘導導体との距離が近付くように折り曲げた構造であること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージの前記第2のリード、前記第2の半導体パッケージの前記第1のリード、及び前記第3のリードは、リードフレームにより一体成形されていること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージの前記第2のリード、及び前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードと、前記第3のリードとが、別の導体により形成され、接合部材によって接続されていること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記絶縁性部材の上側に、前記第1の半導体パッケージの前記第2のリードの端部と前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードの端部との間を連続的に電気的に接続するブロックを備えること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3のリードに面する前記誘導導体の部分において、前記第3のリードの方向に突出する誘導導体突出部を有し、前記誘導導体突出部と前記第3のリードとが平行に配置され近接していること、を特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、
前記誘導導体は、放熱フィンの機能を持つ筐体の一部であること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3のリードと前記絶縁性部材との間に、第2の絶縁性部材が配置されていること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージの前記第2のリードの一部、及び前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードの一部と、前記第3のリードの一部とが、前記誘導導体の平面上の垂直方向に折れ曲がって接触する面接触部を有し、当該面接触部で接合部材によって接続されていること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記2つの半導体パッケージ及び前記第3のリードは、前記誘導導体の平面の上側に配置されるメタル基板の平面に接続されていること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置を複数用い、これら複数の半導体装置が、誘導導体の平面上に配置され、これら複数の半導体装置における前記第3のリード同士を電気的に接続する第5のリードを備えること、を特徴とする半導体装置。
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