JP2005050998A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1にゲート電極下の半導体基板の表面にソース・ドレイン領域と同じ導電型の拡散層を形成し、また、第2に通常コンタクトに比べてシェアードコンタクトに過度なエッチングが掛からないようにするため、ゲート電極を覆うように緩衝膜を形成することにより、シェアードコンタクトにおいて電気的接合リークが生じることがない安定な半導体装置及びその製造方法を実現することができる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同じ工程については説明を省略する。
102 分離酸化膜
103 ゲート絶縁膜(シリコン酸化膜)
104 ゲート電極
105 サイドウォール絶縁膜(シリコン窒化膜)
106 P-型拡散層1
107 P型拡散層2
108 P+型拡散層3
109 CoSi2層
110 拡散防止膜(シリコン窒化膜)
111 層間絶縁膜(BPSG膜)
112 シェアードコンタクト
201 シリコン基板(N-型ウエル拡散層)
202 分離酸化膜
203 ゲート絶縁膜(シリコン酸化膜)
204 ゲート電極
205 P型拡散層1
206 サイドウォール絶縁膜(シリコン窒化膜)
207 P+型拡散層2
208 緩衝膜(シリコン酸化膜)
209 CoSi2層
210 拡散防止膜(シリコン窒化膜)
211 層間絶縁膜(BPSG膜)
212 シェアードコンタクト
213 通常コンタクト
1001 シリコン基板
1002 分離酸化膜
1003 ゲート酸化膜
1004 ゲート電極
1005 サイドウォール絶縁膜
1006 P型拡散層1
1007 P+型拡散層2
1008 拡散防止膜(シリコン窒化膜)
1009 層間絶縁膜(BPSG膜)
1010 シェアードコンタクト
Claims (12)
- 一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して選択的に形成された導電体層と、
前記導電体層の側面に形成された側壁絶縁膜と、
前記絶縁膜の下で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第1の拡散層と、
前記側壁絶縁膜の下で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第2の拡散層と、
前記第2の拡散層の横で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第3の拡散層と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の上に形成された拡散防止膜と、
前記拡散防止膜の上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記導電体層と前記第3の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールとを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記導電体層と前記第3の拡散層との表面に形成されたシリサイド層とをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して選択的に形成された導電体層と、
前記導電体層の側面に形成された側壁絶縁膜と、
前記側壁絶縁膜の下で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第1の拡散層と、
前記第1の拡散層の横で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第2の拡散層と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の所定領域に形成された緩衝膜と、
前記緩衝膜を覆い、前記半導体基板の上に形成された拡散防止膜と、
前記拡散防止膜の上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜、前記拡散防止膜及び前記緩衝膜に形成され、前記導電体層と前記第2の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールとを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記所定領域の外に形成された他の導電体層及び他の第2の拡散層と、
前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記他の導電体層又は前記他の第2の拡散層の何れか1つに接続する他のコンタクトホールと、
前記導電体層又は前記第2の拡散層の表面だけに形成されたシリサイド層とをさらに備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記緩衝膜及び前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置。 - 一方導電形の半導体基板の表面に他方導電形の第1の拡散層を形成する工程と、
前記半導体基板の上に絶縁膜を介して導電体層を選択的に形成する工程と、
前記導電体層の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第2の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層の側面に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記側壁絶縁膜の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第3の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の上に拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記導電体層と前記第3の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールを形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記拡散防止膜の形成工程の前に、前記導電体層と前記第3の拡散層との表面にシリサイド層を形成する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体装置の製造方法。 - 一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して導電体層を選択的に形成する工程と、
前記導電体層の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第1の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層の側面に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記側壁絶縁膜の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第2の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の所定領域に緩衝膜を形成する工程と、
前記緩衝膜を覆い、前記半導体基板の上に拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜、前記拡散防止膜及び前記緩衝膜に形成され、前記導電体層と前記第2の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールを形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電体層の形成工程は、前記所定領域の外に他の導電体層とをさらに形成し、
前記第2の拡散層の形成工程は、前記所定領域の外に他の第2の拡散層とをさらに形成し、
前記コンタクトホールの形成工程は、前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記他の導電体層又は前記他の第2の拡散層の何れか1つに接続する他のコンタクトホールとをさらに形成し、
前記拡散防止膜の形成工程の前に、前記他の導電体層又は前記他の第2の拡散層との表面だけにシリサイド層を形成する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記緩衝膜及び前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003280726A JP4561060B2 (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005050998A true JP2005050998A (ja) | 2005-02-24 |
JP4561060B2 JP4561060B2 (ja) | 2010-10-13 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4561060B2 (ja) |
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