JP2005038557A - メモリ回路およびメモリ回路を有する表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決方法】 本発明は、メモリセルの論理振幅と異なる電圧でワード線を駆動することによって、メモリセルの歩留まり向上、応答速度の向上を図るものである。本発明はSRAM、DRAM、マスクROMなどに適応が可能であり、本発明のメモリ回路を表示装置と一体形成することで、より多機能な表示装置を構成することが可能になる。
【選択図】 図1
Description
このようなTFTでは駆動回路、さらなる発展型として、画素、信号線駆動回路のほかに、コントローラ回路、CPU、メモリ回路などが開発されている。(例えば非特許文献1)
システムを形成するのにあたって、必要とされる回路の代表的なものとして、メモリ回路がある。メモリ回路は揮発性のメモリ回路として、SRAM、DRAM、また不揮発性のメモリ回路として、フラッシュやマスクROMがある。
図1は本発明の実施形態を示す図である。本発明の実施形態は図1に示すように、Yデコーダー101、Yセレクター102、Xデコーダー103、メモリセルアレイ104、レベルシフト回路105によって構成され、Xデコーダー103およびレベルシフト回路105はワード線駆動回路を構成している。従来のメモリ回路に比べて、Xデコーダー103やメモリセル104の出力振幅と異なる出力振幅を出力するレベルシフト回路105を追加している。このレベルシフト回路によって、Xデコーダー103の出力信号は振幅を変化させてメモリセルアレイ104に入力される。従来例と同様にXデコーダー103、Yデコーダー101、Yセレクター102、メモリセルアレイ104は高電位側電源VDD、低電位側電源VSSによって電源供給される。レベルシフト回路105は信号振幅をXデコーダー103、Yデコーダー101、Yセレクター102、メモリセルアレイ104と変えるため、電源を別系統として、高電位側電源をVDDH、低電位側電源をVSSLとしている。このようにすることによって、メモリセルアレイ104中のワード線を、メモリセルの高電位電源より高い電位の信号や、メモリセルの低電位側電源より低い電位の信号で駆動することが可能となる。また、ワード線をメモリセルの高電位電源より低い電位の信号や、メモリセルの低電位側電源より高い電位の信号で駆動することが可能となる。すなわち、メモリセルの信号振幅より大きな振幅でワード線を駆動することによってメモリ回路の書き込み不具合を低減することができ、またはメモリセルの信号振幅より小さな振幅でワード線を駆動することにより、メモリ回路の読み出し不具合を低減することができる。
図7に本発明の第2の実施形態を示す。図7において、本実施形態のメモリ回路はYデコーダー701、Yセレクター702、Xデコーダー703、メモリセルアレイ704、可変レベルシフト回路705より構成される。可変レベルシフト回路は切り換え信号入力端子706より、切り換え信号が入力され、その信号に応じて異なる振幅の出力信号を出力する手段を有する。このような手段を持つことによって、必要な状態に応じて最適な出力振幅を得ることができる。書き込み時と読み込み時で出力振幅を変えることができる。
画素部1401と一体化したメモリ回路1404、1405の動作不具合を防止し、歩留まりを向上させることが可能となる。尚、一体化した表示装置はガラス基板上、プラスチック基板上などに構成が可能である。
Claims (17)
- ワード線と、複数のメモリセルと、前記ワード線を駆動する駆動回路とを有するメモリ回路において、
前記ワード線を駆動する駆動回路は、レベルシフト回路を有し、
前記メモリセルの出力振幅と前記レベルシフト回路の出力振幅は異なることを特徴としたメモリ回路。 - ワード線と、複数のメモリセルと、前記ワード線に接続された駆動回路とを有するメモリ回路において、
前記ワード線駆動回路は、レベルシフト回路を有し、
前記レベルシフト回路の出力振幅は、前記メモリセルの出力振幅より大きいことを特徴としたメモリ回路。 - ワード線と、複数のメモリセルと、前記ワード線に接続された駆動回路とを有するメモリ回路において、
前記ワード線駆動回路は、レベルシフト回路を有し、
前記レベルシフト回路の出力振幅は、前記メモリセルの出力振幅より小さいことを特徴としたメモリ回路。 - ワード線と、複数のメモリセルと、前記ワード線に接続された駆動回路とを有するメモリ回路において、
前記ワード線駆動回路は、レベルシフト回路を有し、
前記レベルシフト回路は出力振幅を変化させる手段を有することを特徴としたメモリ回路。 - ワード線と、複数のメモリセルと、前記ワード線に接続された駆動回路とを有するメモリ回路において、
前記ワード線駆動回路は、レベルシフト回路を有し、
前記レベルシフト回路は書き込み時と読み込み時で出力振幅を変化させる手段を有することを特徴としたメモリ回路。 - 請求項4乃至請求項5のいずれかに記載のメモリ回路において、
前記レベルシフト回路の出力振幅はCPUによって制御されることを特徴としたメモリ回路。 - ワード線と、複数のメモリセルと、前記ワード線に接続された駆動回路とを有するメモリ回路において、
前記ワード線駆動回路は、レベルシフト回路を有し、
前記レベルシフト回路の出力振幅は、書き込み時の振幅が読み出し時の振幅より大きいことを特徴としたメモリ回路。 - 請求項1乃至請求項7に記載のメモリ回路において、
前記メモリ回路は、SRAMであることを特徴としたメモリ回路。 - 請求項1乃至請求項7に記載のメモリ回路において、
前記メモリ回路は、DRAMであることを特徴としたメモリ回路。 - 請求項1乃至請求項4に記載のメモリ回路において、
前記メモリ回路は、マスクROMであることを特徴としたメモリ回路。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載のメモリ回路において、
前記メモリ回路は薄膜トランジスタで構成されていることを特徴としたメモリ回路。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載のメモリ回路を具備したことを特徴とした表示装置。
- 請求項12に記載の表示装置において、
前記表示装置の表示部は薄膜トランジスタで形成され、
前記メモリ回路は前記表示部と一体形成されていることを特徴とした表示装置。 - 請求項12に記載の表示装置において、
前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とした表示装置。 - 請求項12に記載の表示装置において、
前記表示装置はEL表示装置であることを特徴とした表示装置。 - 請求項12に記載の表示装置において、
前記表示装置はサブフレームを用いて階調を表現する手段を有するEL表示装置であることを特徴とした表示装置。 - 請求項12乃至請求項16のいずれか一項に記載の表示装置を備える電子機器。
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