JP2004519811A - 多重プリフェッチi/o構成を備えるデータパスを有するメモリデバイスおよび方法 - Google Patents
多重プリフェッチi/o構成を備えるデータパスを有するメモリデバイスおよび方法 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】図5
Description
(技術分野)
本発明はメモリデバイスに関し、より詳細には、高速で狭いデータバス、または低速で広いデータバスのどちらにおいても動作し得るメモリデバイスデータパスおよび方法に関する。
【0002】
(発明の背景)
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)といったメモリデバイスは、多様な性能パラメータを有する。これらの性能パラメータの最も重要なものの1つに、速度がある。これは、データを読み書きすることのできる速さである。一般に、高性能のメモリデバイスとして既知である、より速くデータを読み書きできるメモリデバイスは、より高価である。逆に言えば、低い性能のメモリデバイスとして既知である、より遅いレートでのみデータを読み書きできるメモリデバイスは、より安い価格で売られるに違いない。メモリデバイスの動作速度を速くしようとして、二重データレート(DDR)DRAMが開発されている。DDR DRAMは、クロックサイクル毎(1サイクルが1クロック周期毎の遷移である)に2つのメモリ動作を実行する同期式DRAMである。典型的なDDR DRAMにおいて、同じカラムアドレスを有する2つの隣接したカラムのメモリセルは、クロックサイクル毎に読み出される。
【0003】
メモリデバイスに適用される別の性能パラメータは、メモリデバイスのデータバスの幅である。所与の速度で動作するより広いデータバスは、より高いバンド幅(例えば、より大きいビット/秒でアクセスされ得る)を有する。DRAMといったほとんどのメモリデバイスのデータバスは、一般に、2の数乗ビット(例えば、4ビット、8ビット、16ビットなど)の幅を有する。
【0004】
異なる性能パラメータを有するメモリデバイスを提供する必要性から、多種多様なメモリデバイスを設計し、製造するためのメモリデバイスの製造が要件される。例えば、メモリデバイスの製造は、高速で動作できる比較的高価なメモリバイス、および比較的低速でのみ操作できる、別の比較的安価なメモリデバイスを設計し、製造する必要がある。あいにく、メモリデバイス毎に設計し、それぞれのメモリデバイスを製造するために必要とされる処理を行うことは、高価である。異なる性能パラメータを有する多種多様なメモリデバイスを設計し、製造する費用は、より新しいデバイスがどんどん早いレートで導入されるにつれて、メモリデバイスの急激な陳腐化によって激増する。
【0005】
それ故、高速で狭いデータバスメモリ、または低速で広いデータバスメモリのどちらにしても動作できる、メモリデバイス(例えば、DRAM)に対する要求がある。
【0006】
(発明の要旨)
データは、第1のモードにおいてアレイから2Nビットのパラレルデータ、および第2のモードにおいてNビットのパラレルデータを転送することによってメモリアレイからデータバス端末へ接続される。パラレルデータは、Nビットの幅を有するバスを用いてアレイからパラレル−シリアルコンバータに転送される。パラレル−シリアルコンバータは、パラレルデータビットを、N/Mビットを含むシリアルデータの個々のバーストに変換し、第1のモードの2Mデータバス端末および第2のモードのMデータバス端末にそのバーストを適用する。データは、第1および第2のそれぞれの読み出し動作において、アレイからNデータビットの第1および第2のセットを転送することによって、最初の動作モードにおいてメモリアレイから転送され得る。あるいは、2Nデータビットは、1回の読み出し動作でメモリアレイから転送され得る。結果として、データは、高性能モードにおいて比較的高速でMデータバス端末、あるいは低い性能モードにおいて比較的低速で2Mデータバス端末に変換され得る。
【0007】
(発明の詳細な説明)
本発明の1つの実施形態によるメモリデバイスが、図1に示される。図1に示されるメモリデバイスは、同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ(“SDRAM”)10である。しかし、本発明は、他のタイプのDRAM(例えば、パケット化されたDRAMおよびRAMBUS DRAM(“RDRAM”))および他のタイプのメモリデバイス(例えば、スタティックランダムアクセスメモリ(“SRAM”))で具現化されてもよい。SDRAM10は、アドレスバス14で行アドレスまたは列アドレスのいずれかを受け取るアドレスレジスタ12を含む。アドレスバス14は、一般にメモリコントローラ(図1には示さず)に結合される。典型的には、行アドレスはアドレスレジスタ12によって最初に受け取られ、そして行アドレスマルチプレクサ18に付与される。行アドレスマルチプレクサ18は、行アドレスの一部を形成するバンクアドレスビットの状態に応じて、行アドレスを2つのメモリバンク20、22のいずれかに関連した複数の構成要素に接続する。行アドレスを格納するそれぞれの行アドレスラッチ26は、各メモリバンク20、22に関連し、行デコーダ28は、種々の信号をそのそれぞれのアレイ20または22へ格納された行アドレスの関数として付与する。行アドレスマルチプレクサ18はまた、アレイ20、22中のメモリセルをリフレッシュする目的で、行アドレスを行アドレスラッチ26に接続する。行アドレスは、リフレッシュカウンタ30によりリフレッシュ目的で生成される。リフレッシュカウンタ30はリフレッシュコントローラ32により制御される。
【0008】
行アドレスがアドレスレジスタ12に付与され、行アドレスラッチ26の1つに格納された後、列アドレスがアドレスレジスタ12に付与される。アドレスレジスタ12は、列アドレスを列アドレスラッチ40に接続する。SDRAM10の動作モードに応じて、カラムアドレスはバーストカウンタ42を介してカラムアドレスバッファ44またはバーストカウンタ42のいずれかに接続される。バーストカウンタ42は、一連のカラムアドレスをアドレスレジスタ12によって出力されるカラムアドレスで開始するカラムアドレスバッファ44に付与する。いずれの場合においても、カラムアドレスバッファ44は、カラムアドレスをカラムデコーダ48に付与する。カラムデコーダ48は、種々の信号をそれぞれのセンスアンプおよび各アレイ20、22に関連した列回路50、52に付与する。
【0009】
アレイ20、22の1つから読み出されるべきデータは、アレイ20、22の1つについての列回路50、52にそれぞれ接続される。次いで、データはリードデータパスを介してデータ出力レジスタ56に接続される。データ出力レジスタ56は、データをデータバス58に付与する。アレイ20、22の1つに書き込まれるべきデータは、データ入力レジスタ60およびライトデータパス62を介してデータバス58から列回路50、52に接続される。ここで、データはアレイ20、22の1つにそれぞれ転送される。マスクレジスタ64は、列回路50、52中へのデータのフローおよび列回路50、52からのデータのフローを、例えばアレイ20、22から読み出されるデータを選択的にマスキングすることで、選択的に変更するために使用され得る。
【0010】
上記のSDRAM10の動作は、コントロールバス70で受け取られたコマンド信号に応答するコマンドデコーダ68により制御される。これらのハイレベルコマンド信号(これは典型的にはメモリコントローラ(図1には示さず)により生成される)は、クロックイネーブル信号CKE*、クロック信号CLK、チップセレクト信号CS*、ライトイネーブル信号WE*、行アドレスストローブ信号RAS*、および列アドレスストローブ信号CAS*である(“*”は、信号がアクティブロウ(active low)であることを示す)。これらの信号の種々の組み合わせは、それぞれのコマンド(例えば、リードコマンドまたはライトコマンド)として登録される。コマンドデコーダ68は、各コマンド信号により指定された機能(例えば、リードまたはライト)を実行するために、コマンド信号に応答する一連の制御信号を生成する。これらの制御信号、および制御信号が各機能を達成する方法は、従来どおりである。従って、簡潔にするために、これらの制御信号のさらなる説明を省略する。
【0011】
列回路50、52からデータ出力レジスタ56へのリードデータパス54は、各アレイ20、22の各列についてのセンスアンプ(図示せず)からのデータをそれぞれ接続する相補的な入力/出力(“I/O”)ライン(図1には示さず)の1つ以上の対を含む。アドレスされた列のための列回路50、52のセンスアンプは、一対の相補的なディジットラインから相補的な信号を受け取る。ディジットラインは、列アドレッシング回路によって一対の相補的I/Oラインに順に接続される。I/Oラインの各対は、一対の相補的なデータラインにより、リードデータパス54に含まれるDCセンスアンプ(図示せず)の相補的な入力に選択的に接続される。DCセンスアンプは、データをデータ出力レジスタ56に順に出力する。データ出力レジスタ56は、メモリデバイス10の出力(すなわち、“DQ”端子)に接続される。以下で詳細に説明するように、本発明の1つの実施形態によるSDRAM10は16個のDQ端子を含み、そのうち8個のDQ端子は高速モードで使用され、16個のDQ端子は低速モードで使用される。各DQ端子はシリアルデータを8ビットのバーストでDRAM10へ接続するか、またはDRAM10から接続される。
【0012】
メモリアレイ20の1つが、図2に示される。メモリアレイ20は、4個のバンク(これらは、図2においてB0〜B3で記される)に分けられた8個のメモリアレイ“マット”100a〜100hを含む。しかし、メモリアレイマット100a〜100hは、もっと多くの数または少ない数のバンクで構成されてもよく、メモリアレイ20は、もっと多くの数または少ない数のメモリアレイマット100を含んでもよいことが理解される。リードデータパス54(図1に示す)は、メモリアレイマット100a、100b、100e、100fに接続された32対の相補的なI/Oラインを有する第1のI/Oバス104、およびメモリアレイマット100c、100d、100g、100hに接続された32対の相補的なI/Oラインを有する第2のI/Oバス106を含む。
【0013】
本発明の一実施形態によるメモリアレイ20に用いられるメモリアレイマット100の一つが、図3に示されている。マット100は、16列および16行に配列された256個のサブアレイ110を含んでいる。メモリマット100のそれぞれは、16列のライン114を含んでおり、ライン114のそれぞれは、活性化されると、対応する列を選択する。メモリマット100は、さらに、多数の行ライン(図示せず)を含んでおり、この多数の行ラインは、活性化されると、サブアレイ110における各行を選択する。4つのフリップフロップ120のセットがメモリマット100の各列の下に配置されている。行ラインが活性化された場合、4ビットのデータが各列ライン114を活性化することによって選択された各列からのメモリマット100から結合される。各列に対する4ビットのデータが、メモリマット100からフリップフロップ120の各組に、4本のコンプリメンタリーディジットラインを含む各ディジットラインバス122を介して結合される。したがって、8つの列ライン114が活性化されると、32ビットのデータが、それぞれ活性化された列ライン114に対応する8セットのフリップフロップに格納される。
【0014】
図4に示されるように、サブアレイ110のそれぞれは、行及び列に配列された256×103個のメモリセル(図示せず)を含んでいる。メモリマット100の行が活性化され、且つ、列ライン114が選択されると、サブアレイ110の4つの各列における4本のコンプリメンタリーディジットライン130が4本の各フリップフロップ120に結合される。フリップフロップ120は、次いで、I/Oライン140の各コンプリメンタリー対を駆動する。動作の際、各メモリマット100の8つの列が、一度に活性化され、その結果、8つの各活性な列における8つのサブアレイ110が、それぞれ、4ビットのデータを出力する。したがって、各メモリアレイマット100は、32ビットのデータを提供する。この32ビットのデータは、一時的にフリップフロップ120に格納される。2つのメモリアレイマット100が各バンクのために用いられるので、各バンクB0〜B3は、64ビットのデータを出力する。動作の際、各サブアレイ110から結合された4データビットは、以下に詳細に説明されるように、続いてDQ端子(図1)に結合するためにフリップフロップ120内にプリフェッチおよび格納される。
【0015】
データビットは、メモリデバイス10が高速モードまたは低速モードのいずれかで動作しているかどうかに依存して、フリップフロップ120から2つのモードのいずれかで伝達される。高速モードでは、各フリップフロップ120に格納された8ビットのデータが、連続して各データバス(DQ)端子に伝達される。フリップフロップ120に格納された平行なデータがシリアルデータに変換される様式が、図5および図6を参照して説明される。各メモリアレイマット100のために各フリップフロップ120に32ビットが格納されるので、高速モードでは、32ビットが8ビットのシリアルバースト内で4つのデータバス端子のそれぞれに結合される。他のメモリアレイマット100のためにフリップフロップ120内に格納された32ビットも、8ビットのシリアルバースト内で4つのデータバス端子のそれぞれに結合される。その結果、高速モードでは、64ビットが8ビットのシリアルバースト内で8つのデータバス端子のそれぞれに結合される。
【0016】
低速モードでは、フリップフロップ120内に格納されたデータビットも、各データバス(DQ)端子に連続して伝達される。しかしながら、低速モードでは、データビットが、16個のデータバス端子に伝達される。メモリデバイス10とインターフェースするさらなる回路(図示せず)が、データを8ビットのバースト内で16個のデータバス端子のそれぞれから受信するように適合される。したがって、低速モードでは、128ビットが、8ビットのバーストを16個のデータバス端子のそれぞれに結合するために要求される。各メモリアレイマット100のために32ビットが各フリップフロップ120の各セット内に格納されているので、両方のメモリアレイマット100のためにフリップフロップ120内に格納された64ビットは、データビットの要求された数の半分のみを供給し得る。その結果、低速モードでは、64ビットの2つのセットが、プリフェッチされたデータビットがデータバス端子に結合され得る前にフリップフロップ120内にプリフェッチおよび格納される必要がある。この動作モードが低速モードであると考えられる理由は、高速モードと比較して、低速モードでは、各メモリアレイマット100から2倍のデータビットをプリフェッチおよび/または結合するのに必要な余分な時間が生じるためである。したがって、64ビットを各メモリアレイマット100からプリフェッチするために、メモリデバイスは、各データ伝達と共に2つの読み込み動作を行う必要がある。このデータ伝送は、実質的に単一の読み込み動作より多くの時間を必要とする。しかしながら、メモリデバイス10の帯域幅は、両モードにおいていくぶん同じである。高速モードでは、低速モードと比較して、16個のデータバス端子にデータを提供するために、2倍のメモリデバイス10が必要とされるが、データは、2倍の速さで提供される。
【0017】
低速モードでのメモリデバイスの動作速度の維持を助けるために、メモリデバイス10は、128ビットのデータを提供するために2つの読み込み動作を行う代わりに、各メモリアレイマット110内の16列全てを同時に活性化し得る。したがって、各メモリアレイマット110は、64ビット(各列からの4ビット)を各読み込み動作の間にプリフェッチする。その結果、図3に示されるフリップフロップ120の64ビット全てが、各メモリアレイマット110がプリフェッチされた64ビットを格納するために必要とされる。
【0018】
動作において、各列からプリフェッチされ、各フリップフロップ120内に格納された4個のデータビットは、各読み込みサイクルの第一の部分の間にI/Oライン140の各対を介して結合され、別の列からプリフェッチされ、各フリップフロップ120内に格納された4個のデータビットは、各読み込みサイクルの第二の部分の間にI/Oライン140の同一の対を介して結合される。したがって、この代替の低速モードでは、両メモリアレイマット110のために各フリップフロップ120内に格納された128ビットのデータは、各読み込み動作ために64対のコンプリメンタリーI/Oラインを介して結合される。対照的に、上述の高速モードでは、両メモリアレイマット110のために各フリップフロップ120内に格納された64ビットのデータは、64対のコンプリメンタリーI/Oラインを介して結合される。その結果、低速モードでは、2倍のデータビットが、同一期間にデータラインを介して結合されることが必要とされる。各読み込みサイクルに対して2回の読み込み動作を要求しないのに、この動作モードが低速モードであると考えられるのは、この理由のためである。
【0019】
プリフェッチされたデータがフリップフロップ120とメモリマット100の内の一つに対するデータバス端子との間に接続された態様を図5に示す。図5に示される回路構成は、2回の読み出しが各読み出し動作に対して実行される低速読み出しモードの第1の実施形態と共に使用されるように適応される。しかし、各メモリアレイマット100の各カラムが読み出され、フリップフロップ120の個数が2倍設けられる代替の実施形態に対して容易に改変され得ることが理解される。
【0020】
図5を参照して、各フリップフロップ120において格納されたプリフェッチされた32データビットが、32対の各相補型I/Oライン140の対を介して接続される。4対のI/Oライン140の対の8つのグループが、8個の各パラレル−シリアルコンバータ150に接続され、4対のI/Oライン140は、各コンバータ150に接続される。しかし、4つのコンバータ150aは、4対の入力ラインのみを含む。これらのコンバータ150aは、各グループの4対のI/Oライン140に接続される。残りの4つのコンバータ150bは、8つの入力ラインを含む。これらの入力ラインは、各グループの4対のI/Oライン140および4入力コンバータ150aの1つに接続される4対のI/Oライン140に接続される。
【0021】
低速モードでは、4ビットのパラレルデータが各読み出し動作に対して16個のコンバータ150a、150bのそれぞれに接続され、2回の読み出し動作が実行された後、8ビットが16個のパラレル−シリアルコンバータ150のそれぞれに接続される。次いで、各コンバータ150は、各I/O経路134を介して16個のデータバス端子160それぞれに8ビットのバーストを出力する。高速モードでは、8ビットのパラレルデータが4つの8入力のコンバータ150bそれぞれに接続され、次いで、各コンバータ150bは、I/O経路134を介して8個のデータバス端子160それぞれに8ビットのバーストを出力する。従って、高速モードでは、互いに接続される4つの4入力コンバータ150aおよびデータバス端子160が使用されない。
【0022】
書き込み動作に対して、SDRAM10が高速モードまたは低速モードのいずれで動作するかに依存して、8ビットのバーストは、それぞれ8または16個のデータバス端子に適用される。次いで、各シリアル−パラレルコンバータ168は、8ビットのバーストを8ビットのパラレルデータ(高速モードにおいて)または4ビットのパラレルデータの2セット(低速モードにおいて)のいずれかに8ビットのバーストを変換する。次いでメモリマットの各カラムに適応された4つのデータビットは、書き込み動作において各サブアレイ110の各カラムに接続される。
【0023】
8ビットのパラレル−シリアルコンバータ150aの一実施形態を図6に示す。上述したように、パラレル−シリアルコンバータ150aは、8ビットのパラレルデータを受け取り8シリアルビットのバーストを出力するように適応される。しかし、4ビットのパラレル−シリアルコンバータ150bは、以下にさらに説明するように実質的に同一である。パラレルデータがフリップフロップ120からコンバータ150aに転送された場合、RinPar信号がハイに遷移し、これにより負荷論理回路162をトリガする。次いで負荷論理回路162は、ハイデータロード0(「DatLoad0」)出力を出力し、この出力を4入力ラッチ164に印加する。ラッチ164は、8つのフリップフロップ120に選択的に接続される4ビットのパラレルデータ入力を有する。従って、パラレル−シリアルコンバータ150aの各データ入力は、2つのフリップフロップ120の出力に接続される。フリップフロップ120の4つの出力は、RinPar信号のロウ−ハイ遷移に対して各データ入力端子に接続される。次いで、4ビットのパラレルデータがラッチ164に格納される。
【0024】
ラッチ164に格納された4ビットのデータは、ラッチ外部にシフトされた場合、Rin信号がハイに遷移し、これによりインバータ168に、NANDゲート170にロウで出力させる。NANDゲート170は、NANDゲート174と共にセット−リセットフリップフロップ176を形成する。次いで、フリップフロップ176が設定され、これによりNANDゲート170に、アクティブハイシリアルアンロード(「SerUld」)信号をラッチ164に出力させる。ハイSerUld信号は、ラッチ164にアクティブロウビジー信号を出力させ、シリアルクロック(「SerClk」)信号に応答して、各SerClk信号遷移中に、格納されたデータの4ビットをラッチ外部に一度に1ビットシフトする。
【0025】
ラッチ164の出力におけるシリアルデータは、マルチプレクサ180に印加される。以下にさらに説明するように、インバータ182の出力は、最初はロウであり、マルチプレクサ180への他の入力はハイである。結果として、マルチプレクサ180は、ラッチ164から、SerClk信号およびその付随信号(compliment)によってクロックされる二重エッジにトリガされたフリップフロップ184に4ビットのシリアルデータのバーストを接続する。従って、1極性を有するSerClk信号の遷移の際、データの各ビットは、二重エッジにトリガされたフリップフロップ184にシフトされ、次いでデータのビットは、反対の極性を有するSerClk信号の次の遷移の際にフリップフロップ184外部にシフトされる。
【0026】
ラッチ164の出力におけるハイビジー信号164は、NANDゲート190に、2重エッジにトリガされたフリップフロップ184と同一のクロックドライバ194にハイを出力させる。従って、SerClk信号の各遷移の際、ドライバ194は、ハイ3重状態(「TS」)信号を出力する。このTS信号を使用して、3重状態(高インピーダンス)からアクティブ低インピーダンス状態までの読み出しデータ経路54(図1)における下流でフリップフロップ184からシリアルデータを受信する回路構成(図示せず)をスイッチングする。
【0027】
SerCLKの4サイクルの終了前に、第2の組の4つのフリップ−フロップ120が個々のデータ<0:3>端子に接続され、Rin信号がロウに変化する。Rin信号のハイからロウへの変化は、ロード論理回路162にハイデータロード1(「データロード1」)出力値を出力させ、これにより第2の4つの入力のラッチ200にフリップフロップ120からのデータの4個のパラレルビットを格納させる。
【0028】
ラッチ164に格納される4ビットのデータがSClk信号の2つの期間に応答して変位される場合、ラッチ164は、ロウのDoneSync信号を出力する。ロウレベルのDoneSync信号は、NANDゲート174に送られ、フリップフロップ176をリセットし、これによりNANDゲート170にラッチ164がさらなるシリアルデータを出力させないようにする。ロウのDoneSync信号はまた、以下でさらに説明されるように、次にカウンタがリセットされ得るようにロード論理回路162のDone0入力に送られる。最後に、Done0信号は、NANDゲート206と共に、Done0信号によって設定されるフリップフロップ208を形成するNANDゲート204に送られる。フリップフロップ208が設定されると、フリップフロップ208は、NANDゲート206にハイ信号を出力させる。このアクティブなハイ信号により、インバータ210は、ラッチ200のSerial Unload(「SerUld」)端子にアクティブなハイ信号を送る。次いで、ラッチ200は、ラッチ164について説明したように、SerClk信号に応答して、格納された4ビットをマルチプレクサ180に送る。ラッチ200のSerUld端子に送られたアクティブなハイ信号はまた、ラッチ164にアクティブなロウのビジー信号をNANDゲート190に送らせる。次いで、NANDゲート190は、ハイレベルの信号をドライバ194に送り、これにより、上述したようにNAND190にハイレベルのTSの信号を出力させる。
【0029】
フリップフロップ208を設けることはまた、NANDゲート204にロウレベルの信号を出力させ、ロウ信号によって、インバータ214は、インバータ182およびマルチプレクサ180にハイ信号を送る。次いで、マルチプレクサ180は、ラッチ200の出力を二重エッジトリガフリップフロップ184に接続する。
【0030】
ラッチ200に格納された4ビットのデータがラッチ200からシフトされる場合、ラッチ200は、ロウレベルのDoneSync信号を出力する。ロウレベルのDoneSync信号は、フリップフロップ208をリセットするためにNANDゲート200に送られ、これにより、ラッチ200はシリアルデータがさらに出力することを不可能にする。ロウレベルのDoneSync信号はまた、RinPar信号の次の変化の用意のためにロード論理回路162をリセットためにロード論理回路162のDone入力に送られる。
【0031】
フリップフロップ176、208およびロード論理回路162はまた、アクティブなロウのReset信号によってリセットされ得る。
【0032】
上述したように、パラレル−シリアルコンバータ150aは、4ビットのパラレルデータの2つのロードを8ビットのシリアルデータの1つのバーストに変換する。パラレル−シリアルコンバータ150aは、4つの4ビットまたは8ビットのパラレルデータを8ビットのシリアルデータの1つのバーストに変換するコンバータ150bを機能させるように変更される。例えば、コンバータ150bは、8ビットのパラレルデータのロードをラッチするように一組の4つのラッチ(図示せず)を追加することによって機能され得る。これらのラッチは、4ビットモードにおいては、不可能になり、コンバータ150bは、上述したようにコンバータ150aと同様の態様にて動作する。
【0033】
図7は、図1のSDRAM10を含むコンピュータシステム300を示す。コンピュータシステム300は、特定の計算またはタスクを実行するために特定のソフトウェアを動作させること等の様々な計算機能を実行するプロセッサ302を含む。さらに、コンピュータシステム300は、オペレータがコンピュータシステム300とインターフェースをとり得るようにプロセッサ302に接続される、キーボードまたはマウス等の1つ以上の入力デバイス314を含む。通常、コンピュータシステム300はまた、プロセッサ302に接続された1つ以上の出力デバイス316(出力デバイスは、一般にプリンタまたはビデオ端末である)を含む。1つ以上のデータ格納デバイス318はまた、プロセッサ302に接続され、これにより、プロセッサ302が内部または外部格納媒体(図示せず)にデータを格納できる、または内部または外部格納媒体からデータを取り出すことができる。一般的な格納デバイス318の一例は、ハードディスクおよびフロッピー(R)ディスク、テープカセット、およびコンパクトディスク−リードオンリーメモリ(CD−ROM)を含む。プロセッサ302はまた、一般的にはスタティックランダムアクセスメモリ(「SRAM」)であるキャッシュメモリ326に接続され、メモリコントローラ330を介してSDRAM10に接続される。メモリコントローラ330は、通常、SDRAM10に接続されたコントローラバス336およびアドレスバス338を含み得る。データバス340は、メモリコントローラ330によって直接的に(図7参照)または何らかの他の手段によってSDRAM10からプロセッサバス304に接続される。
【0034】
上述したことから、本発明の実施形態が例示の目的のために本明細書中に説明されているが、本発明の意図および範囲から逸脱せずに様々な変更が為されることが理解される。例えば、SDRAM10は、8個のデータバス端末が高速モードで用いられる16個のデータバス端末と、全てが低速モードで用いられるおよび16個のDQ端末を有するが、メモリデバイスは、より少ないまたは多くのDQ端末を有してもよい。また、データのそれぞれのバーストは、本明細書中で説明された8ビットのバーストより少ないビット数または多いビット数を含んでもよく、メモリアドレスとパラレル−シリアルコンバータとの間でデータを接続するI/Oパスの幅は、本明細書中で説明されたI/Oパスより広くてもよいし、狭くてもよい。他の変形もまた、当業者に理解される。したがって、本発明は、特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は、本発明の1実施形態によるメモリデバイスのブロック図である。
【図2】
図2は、図1のメモリデバイスにおいて使用されるメモリアレイのブロック図である。
【図3】
図3は、図2のメモリアレイにおいて使用されるいくつかのメモリアレイマットのうちの1つのブロック図である。
【図4】
図4は、図3のメモリアレイマットにおいて使用されるいくつかのメモリサブアレイのうちの1つのブロック図である。
【図5】
図5は、図1のメモリデバイスで使用されるデータパスの一部分のブロック図である。
【図6】
図6は、図5に示されるデータパスの部分で使用されるいくつかのパラレル−シリアルコンバータのうちの1つの論理図およびブロック図である。
【図7】
図7は、図1のメモリデバイスを使用するコンピュータシステムのブロック図である。
Claims (72)
- メモリデバイスデータパスであって、
Nビットのデータを格納する格納デバイスと、
該格納デバイスに結合された、N/2ビットを有する第1のバスと、
該格納デバイスに結合された、N/2ビットを有する第2のバスと、
該第1のバスに結合された第1の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、第1の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1のバスを介して、それぞれがMビットを含む2組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第1の組の各データバス端子に付与する、第1の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータと、
該第1および該第2のバスに結合された第2の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビット、および該第2のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第2のバスを介して、それぞれがMビットを含む2組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは第2の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1および該第2のバスを介して、2Mビットを含む1組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与する、第2の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータと
を含む、メモリデバイスデータパス。 - Nは32に等しく、Mは4に等しい、請求項1に記載のメモリデバイスデータパス。
- 前記格納デバイスはN個のフリップフロップを含む、請求項1に記載のメモリデバイスデータパス。
- 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1および前記第2のバスのうちの1つに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にするシフト制御信号を受信する制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す状態信号に応答してリセットされるフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、シフト制御信号を該制御端子に付与して、該フリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、フリップフロップの組と
を含む、請求項1に記載のメモリデバイスデータパス。 - 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1のバスに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする第1のシフト制御信号を受信する第1の制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す第1の状態信号に応答してリセットされる第1のフリップフロップの組であって、該第1の制御端子に結合された出力端子を有して、第1のシフト制御信号を該第1の制御端子に付与して、該第1のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、第1のフリップフロップの組と、
第2の組のラッチであって、該第2のバスに結合されて、該データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第2の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする第2のシフト制御信号を受信する制御端子、および該第2の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第2の状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第2の組のラッチと、
該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが該第1の組のラッチからシフトされたことを示す該第1の状態信号に応答して設定され、該第2の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第2の組のラッチからシフトされたことを示す第2の状態信号に応答してリセットされる第2のフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、第2のシフト制御信号を該第2の制御端子に付与して、該第2のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする、第2のフリップフロップの組と
を含む、請求項1に記載のメモリデバイスデータパス。 - 前記格納デバイスは、前記第1の動作モードで2Nビットのデータを格納し、前記第2の動作モードでNビットのデータを格納する、請求項1に記載のメモリデバイスデータパス。
- パラレル−シリアルコンバータであって、
第1の組のラッチであって、M個のデータビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データ出力端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にするシフト制御信号を受信する制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの状態信号を生成する状態出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す状態信号に応答してリセットされるフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、シフト制御信号を該制御端子に付与して、該フリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、フリップフロップの組と
を含む、パラレル−シリアルコンバータ。 - パラレル−シリアルコンバータであって、
第1の組のラッチであって、M個のデータビットを受信して格納するように結合された1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データ出力端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする第1のシフト制御信号を受信する第1の制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第1の状態信号を生成する状態出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す第1の状態信号に応答してリセットされる第1のフリップフロップの組であって、該第1の制御端子に結合された出力端子を有して、第1のシフト制御信号を該第1の制御端子に付与して、該第1のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、第1のフリップフロップの組と、
第2の組のラッチであって、M個のデータビットを受信して格納するように結合された1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第2の組のラッチは、各データ出力端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする第2のシフト制御信号を受信する制御端子、および該第2の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第2の状態信号を生成する状態出力端子をさらに含む、第2の組のラッチと、
該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが該第1の組のラッチからシフトされたことを示す該第1の状態信号に応答して設定され、該第2の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第2の組のラッチからシフトされたことを示す第2の状態信号に応答してリセットされる第2のフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、第2のシフト制御信号を該第2の制御端子に付与して、該第2のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする、第2のフリップフロップの組と
を含む、パラレル−シリアルコンバータ。 - メモリデバイスであって、
ロウおよびカラムに配置されたメモリセルのアレイと、
ロウアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するロウをイネーブルにするように結合されたロウアドレスデコーダと、
カラムアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するカラムをイネーブルにするように結合されたカラムアドレスデコーダと、
コマンドバスからメモリコマンドを受信し、各メモリコマンドに対応する制御信号を生成するように動作可能なコマンドデコーダと、
読み出しデータパスであって、
該アレイからN/2のデータビットを受信するように結合された第1のバスと、
該アレイからN/2のデータビットを受信するように結合された第2のバスと、
該第1のバスに結合された第1の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、第1の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第1の組の該N/2M個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ第1の動作モードで動作可能であり、該アレイからそれぞれがMビットを含む2組のデータを読み出し、各組の該Mビットは該第1のバスを介して結合され、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第1の動作モードでさらに動作可能であり、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第1の組の各データバス端子に付与する、第1の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータと、
該第1および該第2のバスに結合された第2の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビット、および該第2のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第2の組の該N/2M個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、第1の動作モードで動作可能であり、該アレイに結合されて該アレイから該第2のバスを介して、それぞれがMビットを含む2組のデータを読み出し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第1の動作モードでさらに動作可能であり、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与し、該第2の組の該N/2M個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、第2の動作モードで動作可能であり、該アレイに結合されて該アレイから、該第1および該第2のバスを介して、2Mビットを含む1組のデータを読み出し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第2の動作モードでさらに動作可能であり、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与する、第2の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータと
を含む、読み出しデータパスと
を含む、メモリデバイス。 - Nは32に等しく、Mは4に等しい、請求項9に記載のメモリデバイス。
- 前記アレイに結合された格納デバイスをさらに含み、該格納デバイスは、該アレイから読み出された前記データビットを一時的に格納するように動作可能である、請求項9に記載のメモリデバイス。
- 前記格納デバイスは、前記第1の動作モードでNビットのデータを一時的に格納し、前記第2の動作モードでNビットのデータを一時的に格納するように動作可能である、請求項11に記載のメモリデバイス。
- 前記格納デバイスは、前記第1の動作モードで2Nビットのデータを一時的に格納し、前記第2の動作モードでNビットのデータを一時的に格納するように動作可能である、請求項11に記載のメモリデバイス。
- 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1および前記第2のバスのうちの1つに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データ出力端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にするシフト制御信号を受信する制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す状態信号に応答してリセットされるフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、シフト制御信号を該制御端子に付与して、該フリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、フリップフロップの組と
を含む、請求項9に記載のメモリデバイス。 - 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1のバスに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする第1のシフト制御信号を受信する第1の制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第1の状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す第1の状態信号に応答してリセットされる第1のフリップフロップの組であって、該第1の制御端子に結合された出力端子を有して、第1のシフト制御信号を該第1の制御端子に付与して、該第1のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、第1のフリップフロップの組と、
第2の組のラッチであって、該第2のバスに結合されて、該データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第2の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする第2のシフト制御信号を受信する制御端子、および該第2の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第2の状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第2の組のラッチと、
該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが該第1の組のラッチからシフトされたことを示す該第1の状態信号に応答して設定され、該第2の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第2の組のラッチからシフトされたことを示す第2の状態信号に応答してリセットされる第2のフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、第2のシフト制御信号を該第2の制御端子に付与して、該第2のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする、第2のフリップフロップの組と
を含む、請求項9に記載のメモリデバイス。 - 前記メモリデバイスはダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項9に記載のメモリデバイス。
- 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは同期ダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項16に記載のメモリデバイス。
- メモリデバイスであって、
ロウおよびカラムに配置されたメモリセルのアレイと、
ロウアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するロウをイネーブルにするように結合されたロウアドレスデコーダと、
カラムアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するカラムをイネーブルにするように結合されたカラムアドレスデコーダと、
コマンドバスからメモリコマンドを受信し、各メモリコマンドに対応する制御信号を生成するように動作可能なコマンドデコーダと、
読み出しデータパスであって、
第1の動作モードにおいて2Nビットのデータを格納し、第2の動作モードにおいてNビットのデータを格納するように動作可能な格納デバイスと、
該格納デバイスに結合されたN/2ビットを有する第1のバスと、
該格納デバイスに結合されたN/2ビットを有する第2のバスと、
該第1のバスに結合された第1の組のパラレル−シリアルコンバータであって、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、第1の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1のバスを介してそれぞれがMビットを含む2組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第1の組の各データバス端子に付与する、第1の組のパラレル−シリアルコンバータと、
該第1および該第2のバスに結合された第2の組のパラレル−シリアルコンバータであって、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビット、および該第2のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第2のバスを介して、それぞれがMビットを含む2組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2のモードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1および該第2のバスを介して、2Mビットを含む1組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与する、第2の組のパラレル−シリアルコンバータとを含む、読み出しデータパスと
を含む、メモリデバイス。 - Nは32に等しく、Mは4に等しい、請求項18に記載のメモリデバイス。
- 前記格納デバイスは、2N個のフリップフロップを含み、該Nは前記第2の動作モードで用いられる、請求項18に記載のメモリデバイス。
- 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1および前記第2のバスのうちの1つに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にするシフト制御信号を受信する制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す状態信号に応答してリセットされるフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、シフト制御信号を該制御端子に付与して、該フリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、フリップフロップの組と
を含む、請求項18に記載のメモリデバイスデータパス。 - 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1のバスに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする第1のシフト制御信号を受信する第1の制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第1の状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す第1の状態信号に応答してリセットされる第1のフリップフロップの組であって、該第1の制御端子に結合された出力端子を有して、第1のシフト制御信号を該第1の制御端子に付与して、該第1のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、第1のフリップフロップの組と、
第2の組のラッチであって、該第2のバスに結合されて、該データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第2の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする第2のシフト制御信号を受信する制御端子、および該第2の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第2の状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第2の組のラッチと、
該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが該第1の組のラッチからシフトされたことを示す該第1の状態信号に応答して設定され、該第2の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第2の組のラッチからシフトされたことを示す第2の状態信号に応答してリセットされる第2のフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、第2のシフト制御信号を該第2の制御端子に付与して、該第2のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする、第2のフリップフロップの組と
を含む、請求項18に記載のメモリデバイス。 - 前記メモリデバイスはダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項18に記載のメモリデバイス。
- 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは同期ダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項23に記載のメモリデバイス。
- メモリデバイスであって、
複数のメモリアレイのバンクであって、該メモリアレイはそれぞれ、ロウおよびカラムに配置された複数のサブアレイを含み、該サブアレイはそれぞれ、ロウおよびカラムに配置された複数のメモリセルを含む、複数のメモリアレイのバンクと、
ロウアドレス信号を受信し、該バンクのうちの1つのバンクの該サブアレイのうちの1つのサブアレイにおいて対応するメモリセルのロウをイネーブルにするように結合されたロウアドレスデコーダと、
カラムアドレス信号を受信し、該バンクのうちの1つのバンクの該サブアレイのうちの1つのサブアレイにおいて対応するメモリセルのカラムをイネーブルにするように結合されたカラムアドレスデコーダと、
コマンドバスからメモリコマンドを受信し、各メモリコマンドに対応する制御信号を生成するように動作可能なコマンドデコーダと、
読み出しデータパスであって、
P*M個の格納デバイスであって、それぞれがPの対応するサブアレイのカラムそれぞれから受信された各データビットを格納するように動作可能である、P*M個の格納デバイスと、
該P*M/2個の格納デバイスに結合されたM*L/2ビットを有する第1のバスと、
該P*M/2個の格納デバイスに結合されたM*L/2ビットを有する第2のバスと、
該第1のバスに結合された第1の組のL/2個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、第1の組のL/2個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第1の組の該L/2個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1のバスを介してそれぞれがM*P/Lビットを含む2L/P個の組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むL/2個のバーストを該第1の組の各データバス端子に付与する、第1の組のL/2個のパラレル−シリアルコンバータと、
該第1および該第2のバスに結合された第2の組のL/2個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビット、および該第2のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2の組のL/2個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第2の組の該L/2個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第2のバスを介して、それぞれがM*P/Lビットを含む2L/P個の組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むL/2個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与し、該第2の組の該L/2個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、第2のモードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1および該第2のバスを介して、2M*P/Lビットを含むL/P個の組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むL/2個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与する、第2の組のL/P個のパラレル−シリアルコンバータと
を含む、読み出しデータパスと
を含む、メモリデバイス。 - Pは8に等しく、Lは8に等しく、Mは4に等しい、請求項25に記載のメモリデバイス。
- Lは8に等しく、Mは4に等しく、Pは前記第1の動作モードにおいて16に等しく、Pは前記第2の動作モードにおいて8に等しい、請求項25に記載のメモリデバイス。
- 前記P*M個の格納デバイスはP*M個のフリップフロップを含む、請求項25に記載のメモリデバイス。
- 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1および前記第2のバスのうちの1つに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にするシフト制御信号を受信する制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す状態信号に応答してリセットされるフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、シフト制御信号を該制御端子に付与して、該フリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、フリップフロップの組と
を含む、請求項25に記載のメモリデバイスデータパス。 - 前記パラレル−シリアルコンバータは、
第1の組のラッチであって、前記第1のバスに結合されて、前記データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第1の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする第1のシフト制御信号を受信する第1の制御端子、および該第1の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第1の状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第1の組のラッチと、
開始信号に応答して設定され、該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第1の組のラッチからシフトされたことを示す第1の状態信号に応答してリセットされる第1のフリップフロップの組であって、該第1の制御端子に結合された出力端子を有して、第1のシフト制御信号を該第1の制御端子に付与して、該第1のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第1の組のラッチからシフトすることを可能にする、第1のフリップフロップの組と、
第2の組のラッチであって、該第2のバスに結合されて、該データビットを受信して格納する1組のM個のパラレル入力端子を有し、該第2の組のラッチは、各データバス端子に結合されたシリアル出力端子、クロック信号を受信するシリアルクロック端子、該クロック信号に応答して、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする第2のシフト制御信号を受信する制御端子、および該第2の組のラッチの動作状態を示す少なくとも1つの第2の状態信号を生成する出力端子をさらに含む、第2の組のラッチと、
該第1の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが該第1の組のラッチからシフトされたことを示す該第1の状態信号に応答して設定され、該第2の組のラッチに格納されたすべてのデータビットが、該シリアルクロック信号に応答して該第2の組のラッチからシフトされたことを示す第2の状態信号に応答してリセットされる第2のフリップフロップの組であって、該制御端子に結合された出力端子を有して、第2のシフト制御信号を該第2の制御端子に付与して、該第2のフリップフロップが設定された場合に、該データビットを該第2の組のラッチからシフトすることを可能にする、第2のフリップフロップの組と
を含む、請求項25に記載のメモリデバイス。 - 前記メモリデバイスはダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項25に記載のメモリデバイス。
- 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは同期ダイナミックランダムアクセスメモリを含む、請求項31に記載のメモリデバイス。
- コンピュータシステムであって、
演算関数を実行するように動作可能なコンピュータ回路部と、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つの入力デバイスと、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つの出力デバイスと、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つのデータ格納デバイスと、
ダイナミックランダムアクセスメモリであって、
ロウおよびカラムに配置されたメモリセルのアレイと、
ロウアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するロウをイネーブルにするように結合されたロウアドレスデコーダと、
カラムアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するカラムをイネーブルにするように結合されたカラムアドレスデコーダと、
コマンドバスからメモリコマンドを受信し、各メモリコマンドに対応する制御信号を生成するように動作可能なコマンドデコーダと、
読み出しデータパスであって、
該アレイからN/2のデータビットを受信するように結合された第1のバスと、
該アレイからN/2のデータビットを受信するように結合された第2のバスと、
該第1のバスに結合された第1の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、第1の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第1の組の該N/2M個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ第1の動作モードで動作可能であり、該アレイからそれぞれがMビットを含む2組のデータを読み出し、各組の該Mビットは該第1のバスを介して結合され、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第1の動作モードでさらに動作可能であり、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第1の組の各データバス端子に付与する、第1の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータと、
該第1および該第2のバスに結合された第2の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビット、および該第2のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第2の組の該N/2M個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1の動作モードで動作可能であり、該アレイに結合された該アレイから、該第2のバスを介してそれぞれがMビットを含む2組のデータを読み出し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第1の動作モードでさらに動作可能であり、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与し、該第2の組の該N/2M個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、第2の動作モードで動作可能であり、該アレイに結合された該アレイから、該第1および該第2のバスを介して、2Mビットを含む1組のデータを読み出し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第2の動作モードでさらに動作可能であり、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与する、第2の組のN/2M個のパラレル−シリアルコンバータと
を含む、読み出しデータパスと
を含む、ダイナミックランダムアクセスメモリと
を含む、コンピュータシステム。 - Nは32に等しく、Mは4に等しい、請求項33に記載のコンピュータシステム。
- 前記アレイに結合された格納デバイスをさらに含み、該格納デバイスは、該アレイから読み出された前記データビットを一時的に格納するように動作可能である、請求項33に記載のコンピュータシステム。
- 前記格納デバイスは、前記第1の動作モードでNビットのデータを一時的に格納し、前記第2の動作モードでNビットのデータを一時的に格納するように動作可能である、請求項35に記載のコンピュータシステム。
- 前記格納デバイスは、前記第1の動作モードで2Nビットのデータを一時的に格納し、前記第2の動作モードでNビットのデータを一時的に格納するように動作可能である、請求項35に記載のコンピュータシステム。
- コンピュータシステムであって、
演算関数を実行するように動作可能なコンピュータ回路部と、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つの入力デバイスと、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つの出力デバイスと、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つのデータ格納デバイスと、
ダイナミックランダムアクセスメモリであって、
ロウおよびカラムに配置されたメモリセルのアレイと、
ロウアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するロウをイネーブルにするように結合されたロウアドレスデコーダと、
カラムアドレス信号を受信し、該アレイ内のメモリセルの対応するカラムをイネーブルにするように結合されたカラムアドレスデコーダと、
コマンドバスからメモリコマンドを受信し、各メモリコマンドに対応する制御信号を生成するように動作可能なコマンドデコーダと、
読み出しデータパスであって、
第1の動作モードで2Nビットのデータを格納し、第2の動作モードでNビットのデータを格納するように動作可能である格納デバイスと、
該格納デバイスに結合されたN/2ビットを有する第1のバスと、
該格納デバイスに結合されたN/2ビットを有する第2のバスと、
該第1のバスに結合された第1の組のパラレル−シリアルコンバータであって、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、第1の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1のバスを介してそれぞれがMビットを含む2組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第1の組の各データバス端子に付与する、第1の組のパラレル−シリアルコンバータと、
該第1および該第2のバスに結合された第2の組のパラレル−シリアルコンバータであって、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビット、および該第2のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2の組のN/2M個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第2のバスを介して、それぞれがMビットを含む2組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2のモードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1および該第2のバスを介して、2Mビットを含む1組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むN/2M個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与する、第2の組のパラレル−シリアルコンバータと
を含む、読み出しデータパスと
を含む、ダイナミックランダムアクセスメモリと
を含む、コンピュータシステム。 - Nは32に等しく、Mは4に等しい、請求項38に記載のコンピュータシステム。
- 前記格納デバイスは、2N個のフリップフロップを含み、該Nは前記第2の動作モードで用いられる、請求項38に記載のコンピュータシステム。
- コンピュータシステムであって、
演算関数を実行するように動作可能なコンピュータ回路部と、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つの入力デバイスと、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つの出力デバイスと、
該コンピュータ回路部に結合された少なくとも1つのデータ格納デバイスと、
ダイナミックランダムアクセスメモリであって、
複数のメモリアレイのバンクであって、該メモリアレイはそれぞれ、ロウおよびカラムに配置された複数のサブアレイを含み、該サブアレイはそれぞれ、ロウおよびカラムに配置された複数のメモリセルを含む、複数のメモリアレイのバンクと、
ロウアドレス信号を受信し、該バンクのうちの1つのバンクの該サブアレイのうちの1つのサブアレイにおいて対応するメモリセルのロウをイネーブルにするように結合されたロウアドレスデコーダと、
カラムアドレス信号を受信し、該バンクのうちの1つのバンクの該サブアレイのうちの1つのサブアレイにおいて対応するメモリセルのカラムをイネーブルにするように結合されたカラムアドレスデコーダと、
コマンドバスからメモリコマンドを受信し、各メモリコマンドに対応する制御信号を生成するように動作可能なコマンドデコーダと、
読み出しデータパスであって、
P*M個の格納デバイスであって、それぞれがPの対応するサブアレイのカラムそれぞれから受信された各データビットを格納するように動作可能である、P*M個の格納デバイスと、
該P*M/2個の格納デバイスに結合されたM*L/2ビットを有する第1のバスと、
該P*M/2個の格納デバイスに結合されたM*L/2ビットを有する第2のバスと、
該第1のバスに結合された第1の組のL/2個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第1の組のパラレル−シリアルコンバータは、第1の組のL/2個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第1の組の該L/2個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1のバスを介してそれぞれがM*P/Lビットを含む2L/P個の組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むL/2個のバーストを該第1の組の各データバス端子に付与する、第1の組のL/2個のパラレル−シリアルコンバータと、
該第1および該第2のバスに結合された第2の組のL/2個のパラレル−シリアルコンバータであって、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1のバスからMの各ビット、および該第2のバスからMの各ビットを受信するように結合されたM個の入力端子を有し、該第2の組のパラレル−シリアルコンバータは、第2の組のL/2個の各データバス端子に結合された各シリアル出力端子を有し、該第2の組の該L/2個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、該第1の動作モードで動作可能であり、該格納デバイスから該第2のバスを介して、それぞれがM*P/Lビットを含む2L/P個の組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むL/2個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与し、該第2の組の該L/2個のパラレル−シリアルコンバータはそれぞれ、第2のモードで動作可能であり、該格納デバイスから該第1および該第2のバスを介して、2M*P/Lビットを含むL/P個の組のパラレルデータを受信して、それぞれが2Mビットを含むL/2個のバーストを該第2の組の各データバス端子に付与する、第2の組のL/P個のパラレル−シリアルコンバータと
を含む、読み出しデータパスと
を含む、ダイナミックランダムアクセスメモリと
を含む、コンピュータシステム。 - Pは8に等しく、Lは8に等しく、Mは4に等しい、請求項41に記載のコンピュータシステム。
- Lは8に等しく、Mは4に等しく、Pは前記第1の動作モードにおいて16に等しく、Pは前記第2の動作モードにおいて8に等しい、請求項41に記載のコンピュータシステム。
- 前記P*M個の格納デバイスはP*M個のフリップフロップを含む、請求項41に記載のコンピュータシステム。
- 第1の動作モードまたは第2の動作モードのいずれかでメモリアレイからデータを伝送する方法であって、
該第1の動作モードで第1の組の2N個のデータビットをプリフェッチする工程と、
該第2の動作モードで第2の組のN個のデータビットをプリフェッチする工程と、
該第1の動作モードで、該第1の組の2N個のデータビットを各N/MビットのM個のバーストで2M個のデータバス端子に伝送する工程と、
該第2の動作モードで、該第2の組のデータビットをN/MビットのM個のバーストでM個のデータバス端子に伝送する工程と
を包含する、方法。 - 第1の組の2N個のデータビットをプリフェッチする動作は、
第1の読み出し動作で前記メモリアレイからN個のデータビットをプリフェッチする工程と、
第2の読み出し動作で該メモリアレイからN個のデータビットをプリフェッチする工程と
を包含する、請求項45に記載の方法。 - 第1の組の2N個のデータビットをプリフェッチする動作は、1回の読み出し動作で前記メモリアレイから2N個のデータビットをプリフェッチする工程を含む、請求項45に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで、前記第1の組のデータビットを各N/Mビットのバーストで2M個のデータバス端子に伝送する動作は、
第1の組のN個のパラレルデータビットを伝送する工程と、
第2の組のN個のパラレルデータビットを伝送する工程と、
該2N個の伝送されたデータビットを、それぞれがN/Mビットを含む2M個のバーストに変換する工程と、
該2M個のバーストをそれぞれ各データバス端子に結合する工程と
を包含する、請求項45に記載の方法。 - Nは32に等しく、Mは4に等しい、請求項45に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで、前記第1の組のデータビットを各N/Mビットのバーストで2M個のデータバス端子に伝送する動作は、
該第1の組のNのパラレルデータビット中の各データビットを、前記メモリアレイから各第1の格納デバイスに伝送する工程と、
前記第2の組のNのパラレルデータビット中の各データビットを、該メモリアレイから各第2の格納デバイスに伝送する工程と、
該第1の格納デバイス内の該N個のデータビットを2M個のパラレル−シリアルコンバータに伝送する工程と、
該第2の格納デバイス内の該N個のデータビットを該2M個のパラレル−シリアルコンバータに伝送する工程と、
該2M個のパラレル−シリアルコンバータを用いて、該2N個の伝送されたデータビットを、それぞれがN/Mビットを含むシリアルデータの2M個のバーストに変換する工程と、
該2M個のバーストを各データバス端子に付与する工程と
を包含する、請求項45に記載の方法。 - メモリアレイからデータバス端子にデータを結合する方法であって、
第1の動作モードでアレイから2Nビットのデータを伝送し、第2の動作モードでNビットのデータを伝送する工程であって、該データは、それぞれがMビットの幅を有するX組のバスを介して伝送される、工程と、
該伝送されたパラレルデータをシリアルデータに変換する工程と、
シリアルデータの各バーストを、第1のモードで2Y個のデータバス端子に付与し、第2のモードでY個のデータバス端子に付与する工程であって、該バーストはそれぞれN/Yビットを含む、工程と
を包含する、方法。 - 前記アレイから前記データビットを伝送する動作は、それぞれがMビットの幅を有するN/M個の組のバスを介して該データビットを伝送する工程を含む、請求項51に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで、前記アレイから2Nビットのデータを伝送する動作は、
第1の読み出し動作で、前記メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と、
第2の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項51に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送する動作は、1回の読み出し動作で該メモリアレイから2N個のデータビットを伝送する工程を含む、請求項51に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送する動作は、
第1の読み出し動作で、N個のデータビットを前記メモリアレイから第1の格納デバイスに伝送する工程と、
第2の読み出し動作で、N個のデータビットを該メモリアレイから第2の格納デバイスに伝送する工程と、
該第1および該第2の格納デバイスから該2Nビットの情報を伝送する工程とを包含する、請求項51に記載の方法。 - 前記第1および前記第2の格納デバイスから、2Nビットのデータを伝送する動作は、
該第1の格納デバイスからNビットのバスを介してN個のデータビットを伝送する工程と、
該第2の格納デバイスから該Nビットのバスを介してN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項55に記載の方法。 - Nは32に等しく、Mは4に等しく、Yは4に等しい、請求項51に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送し、前記第2の動作モードでNビットの情報を伝送する動作は、
前記第1の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、前記メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードにおいて、第2の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と、
前記第2の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項51に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送し、前記第2の動作モードでNビットの情報を伝送する動作は、
前記第1の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、前記メモリアレイから2N個のデータビットを伝送する工程と、
該第2の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項51に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送し、前記第2の動作モードでNビットの情報を伝送する動作は、
該第1の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、前記メモリアレイから該格納デバイスに第1の組のN個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードで、該格納デバイスから該第1の組の該N個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードにおいて、第2の読み出し動作で、前記メモリアレイから格納デバイスに第2の組のN個のデータビットを伝送する工程と、
該第2の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、該メモリアレイから格納デバイスに第1の組のN個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードで、該格納デバイスから該第1の組の該N個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項51に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで、前記第1の組のデータビットを各N/Mビットのバーストで2M個のデータバス端子に伝送する動作は、
該第1の組のNのパラレルデータビット中の各データビットを、前記メモリアレイから各第1の格納デバイスに伝送する工程と、
前記第2の組のNのパラレルデータビット中の各データビットを、該メモリアレイから各第2の格納デバイスに伝送する工程と、
該第1の格納デバイス内の該N個のデータビットを2M個のパラレル−シリアルコンバータに伝送する工程と、
該第2の格納デバイス内の該N個のデータビットを該2M個のパラレル−シリアルコンバータに伝送する工程と、
該2M個のパラレル−シリアルコンバータを用いて、該2Nの伝送されたデータビットを、それぞれがN/Mビットを含むシリアルデータの2M個のバーストに変換する工程と、
該2M個のバーストを各データバス端子に付与する工程と
を包含する、請求項51に記載の方法。 - メモリアレイからデータバス端子にデータを結合する方法であって、
第1のモードでアレイから2Nビットのパラレルデータを伝送し、第2のモードでNビットのパラレルデータを伝送する工程であって、該パラレルデータは、幅Nを有するバスを用いて該アレイから伝送される、工程と、
該伝送されたパラレルデータをシリアルデータに変換する工程と、
シリアルデータの各バーストを、第1のモードで2M個のデータバス端子に付与し、第2のモードでM個のデータバス端子に付与する工程であって、該バーストはそれぞれN/Mビットを含む、工程と
を包含する、方法。 - 前記アレイから前記データビットを伝送する動作は、それぞれがMビットの幅を有するN/M個の組のバスを介して該データビットを伝送する工程を含む、請求項62に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで、前記アレイから2Nビットのデータを伝送する動作は、
第1の読み出し動作で、前記メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と、
第2の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項62に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送する動作は、1回の読み出し動作で該メモリアレイから2N個のデータビットを伝送する工程を含む、請求項62に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送する動作は、
第1の読み出し動作で、N個のデータビットを前記メモリアレイから第1の格納デバイスに伝送する工程と、
第2の読み出し動作で、N個のデータビットを該メモリアレイから第2の格納デバイスに伝送する工程と、
該第1および該第2の格納デバイスから該2Nビットの情報を伝送する工程とを包含する、請求項62に記載の方法。 - 前記第1および前記第2の格納デバイスから、2Nビットのデータを伝送する動作は、
該第1の格納デバイスからNビットのバスを介してN個のデータビットを伝送する工程と、
該第2の格納デバイスから該Nビットのバスを介してN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項62に記載の方法。 - Nは32に等しく、Mは4に等しい、請求項62に記載の方法。
- 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送し、前記第2の動作モードでNビットの情報を伝送する動作は、
前記第1の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、前記メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードにおいて、第2の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と、
該第2の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項62に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送し、前記第2の動作モードでNビットの情報を伝送する動作は、
前記第1の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、前記メモリアレイから2N個のデータビットを伝送する工程と、
該第2の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、該メモリアレイからN個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項62に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで前記アレイから2Nビットのデータを伝送し、前記第2の動作モードでNビットの情報を伝送する動作は、
該第1の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、前記メモリアレイから格納デバイスに第1の組のN個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードで、該格納デバイスから該第1の組の該N個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードにおいて、第2の読み出し動作で、前記メモリアレイから該格納デバイスに第2の組のN個のデータビットを伝送する工程と、
該第2の動作モードにおいて、第1の読み出し動作で、該メモリアレイから格納デバイスに第1の組のN個のデータビットを伝送する工程と、
該第1の動作モードで、該格納デバイスから該第1の組の該N個のデータビットを伝送する工程と
を包含する、請求項62に記載の方法。 - 前記第1の動作モードで、前記第1の組のデータビットを各N/Mビットのバーストで2M個のデータバス端子に伝送する動作は、
該第1の組のN個のパラレルデータビット中の各データビットを、前記メモリアレイから各第1の格納デバイスに伝送する工程と、
前記第2の組のN個のパラレルデータビット中の各データビットを、該メモリアレイから各第2の格納デバイスに伝送する工程と、
該第1の格納デバイス内の該N個のデータビットを2M個のパラレル−シリアルコンバータに伝送する工程と、
該第2の格納デバイス内の該N個のデータビットを該2M個のパラレル−シリアルコンバータに伝送する工程と、
該2M個のパラレル−シリアルコンバータを用いて、該2N個の伝送されたデータビットを、それぞれがN/Mビットを含むシリアルデータの2M個のバーストに変換する工程と、
該2M個のバーストを各データバス端子に付与する工程と
を包含する、請求項62に記載の方法。
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