JP2004502303A - 半導体チップおよび電子部品用のシステム支持体ならびにシステム支持体および電子部品の製作方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図9
Description
本発明は、半導体チップおよび電子部品用のシステム用のシステム支持体ならびにこれを製作する方法に関する。
【0002】
電子部品の半導体チップを、樹脂化合物を含むハウジングにパッキングするための半導体チップ用のシステム支持体は、大量生産であるにもかかわらず、高い信頼性を満たさなければならない。特に、システム支持体の支援によりハウジングが生成される場合、これらのハウジングからは、どんな平坦な導体(Flachleiter)も、接続ピンまたは接続脚(Anschlussbeinchen)として突き出さず、これらのハウジングの場合、樹脂化合物を含むハウジングの片面のみ、半導体チップおよび対応する外部接触素子を封止し、従って、電子部品の下面は、少なくとも周縁領域において、外部接触素子、およびそれらの間に配置された樹脂化合物から形成される。その際、樹脂を含む電子部品の製作または動作の際に、外部接触素子が溶解し、その結果、電子部品が使用不可能になる危険が生じる。
【0003】
従って、本発明の課題は、半導体チップおよび電子部品用のシステム支持体を提示することである。このシステム支持体は、電子部品の製造中および使用可能な期間の間、樹脂化合物内に位置を保持する外部接触素子(単数または複数)を有する。
【0004】
本課題は、独立請求項により解決される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項から明らかである。
【0005】
本発明によれば、システム支持体は、外部接触素子を有する。この外部接触素子は、リベットヘッド領域、リベットシャフト領域およびリベット脚領域を含むリベット形状の断面を有し、リベット脚領域は、ベース基板上に固定される。このベース基板は、半導体チップが装着されている間、システム支持体をしっかりと保持する。
【0006】
本発明の実施形態において、ベース基板は、導電性の表面を有する。この導電性の表面は、外部接触素子をベース基板上に構成するために、導電性表面に電圧が印加され得るという利点を有する。
【0007】
このような導電性表面は、本発明の実施形態において、金属薄膜を含むベース基板により達成される。しかしながら、本発明のさらなる実施形態において、ベース基板は、金属コーティングを有する樹脂薄膜を含む。金属コーティングを有するこのような薄膜は、さらなる加工工程において、システム支持体上で形成される電子部品から比較的容易に分離され得るという利点を有する。
【0008】
本発明のさらなる好適な実施形態において、樹脂薄膜は、炭素コーティングを有する。これにより、その表面は導電性になる。この実施形態は、炭素コーティングを有するこのような樹脂薄膜が、炭素コーティングにより十分な導電性の表面を有し、かつ電子構成要素への半導体チップのさらなる加工において、システム支持体のベース基板を分離する可能性を高めるという利点を有する。
【0009】
システム支持体のさらなる実施形態において、このシステム支持体は、ベース基板上に複数の構成要素実装領域を有する。各構成要素実装領域にはチップが装着され、このチップは、実装領域の中央部のチップキャリア領域に配置され得る。
チップキャリア領域を包囲して、上方から見ると、円形に長く延びた、または四角形の、リベット形状の断面を有する外部接触素子が、中央部のチップキャリア領域から規定された距離を置いて集められ得る。
【0010】
別の実施形態において、外部接触素子は、少なくとも部分的にチップキャリア領域に配置される。従って、半導体チップは、外部接触素子のリベットヘッド領域上にバンプを用いてフリップチップ技術でボンディング可能である。チップキャリアの、このような実施形態において、半導体チップのバンプは外部接触面のリベットヘッド領域上に直接的にはんだ付けまたは接着され得る。この際、外部接触素子は、リベット形状の断面により、樹脂化合物にしっかりと固定される。本発明によるシステム支持体上の、断面がリベット形状外部接触素子のさらなる利点は、外部接触素子が金属および貴金属の異なった層形成を用いてシステム支持体の後の使用に適合され得ることである。
【0011】
本発明のさらなる実施形態において、システム支持体上の外部接触素子は、純銀または銀合金を含む。材料としての銀は、導電性を阻止する酸化物薄膜(Oxid−Ueberzug)を形成するのではなく、むしろ導電性の亜硫酸銀薄膜を形成するという利点を有する。
【0012】
本発明のさらなる実施形態において、システム支持体上の外部接触素子は、金/ニッケル/金の層の順序を含む。これらの層の順序は、抵抗を高める酸化物層を金が形成せず、ニッケル層が金によって完全に包囲され、従って、外部接触素子の長い寿命が保証されるという利点を有する。同時に、外側の金層は、部品からシステム支持体を分離する際にエッチングストップとして利用され得る。
【0013】
本発明のさらなる実施形態において、外部接触素子は、銀/銅/銀の層の順序を含む。この層の順序は、より格安であり、電気抵抗が極めて低い材料を用いることにより、金/ニッケル/金の層の順序を含む外部接触素子と比べて有利である。
【0014】
本発明のさらなる実施形態において、システム支持体は、チップキャリア領域に金属の台座を有する。この台座は、その高さが外部接触素子に対応し、その平面の広がりが半導体チップの大きさに適合される。この台座は、外部接触素子と同じ材料を含み得、従って、この台座は、外部接触素子と同時に生成され得る。この台座は、さらに、半導体チップの、活性回路を支持しない下面とはんだ付けまたは接着され得、それにより、電子部品全体の、外部へのアース接触またはグラウンド接触を有し得る。
【0015】
システム支持体は、本発明の好適な実施形態において、電子部品を製作するために用いられる。この際、外部接触素子は、円形の上面を有し得るか、あるいは、さらに、長く延びるか、または四角形の外部接触素子を形成し得る。
【0016】
リベット形状の断面を有する外部接触素子を備えるシステム支持体を製作する方法は、
導電性表面を有するベース基板を提供する工程と、
構造化された電気的絶縁層を付与する工程であって、この層は、ベース基板上の外部接触素子の構成において、露出する導電性表面領域を有する、工程と、
リベット形状の断面を有する外部接触素子を形成するための導電性材料を、露出する導電性表面上に付与する工程と、
構造化された電気的絶縁層を除去する工程と
を包含する。
【0017】
この方法は、外部接触素子がシステムキャリア上に生じ、この外部接触素子はリベット形状の断面を有し、この断面であるために、樹脂化合物にしっかりと固定され、従って、このシステム支持体は、さらなる加工工程において、包囲する樹脂から外部接触素子が離層しないことを保証するという利点を有する。
【0018】
本方法の実施形態において、まず、構造化されていない絶縁層が付与され、この層は、その後、続いて、フォトレジスト技術を用いて電気的絶縁層へと構造化される。構造化の際、例えば、フォトレジストの露光されない面がはく離され、これにより、ベース基板の導電性表面領域が露出される。
【0019】
本方法のさらなる好適な実行において、構造化された電気的絶縁層は、ふるい印刷方法(Siebdruckverfahren)を用いて付与される。ここで、ふるい(Sieb)は、構造化するマスクとして有利に作用し、従って、ふるいが遮蔽されない領域にのみ絶縁層が生じる。
【0020】
本方法のさらなる実行において、噴霧法(Zerstaeubungstechnik)を用いて、最初は構造化されていないベース基板上の絶縁層がマスクを用いて構造化され得る。スパッタリング技術としても公知の、この技術において、高度に加速された、指向性の(gerichtet)イオンにより、構造化されていないイオン層が、マスクによって保護されていない位置で除去される。この方法は、極めて直線状の壁を有する極めて微細な構造が製作可能になり得るという利点を有する。
【0021】
構造化されていない絶縁層は、本方法のさらなる実施形態において、ベース基板上で、気層からの堆積により実行され得る。気体として、導電層の表面で分解し、この表面上に絶縁薄膜を形成する有機物質が用いられる。
【0022】
最初は構造化されていない絶縁層が、本方法のさらなる実施形態において、プラズマエッチング技術を用いて、マスクを用いて構造化され得る。噴霧法の場合と類似の態様で、ここで、マスクを用いて、その下に位置する絶縁層が除去されるが、プラズマエッチングにおいて、化学反応によってベース基板の導電性表面まで絶縁層の除去を加速する。
【0023】
マスクを全く用いずにすむ、構造化されていない絶縁層を構造化する技術は、レーザラスタ照射である。このレーザラスタ照射の場合、構造を絶縁層に転写(hineinzeichnet)する走査レーザ光を用いて、レーザエネルギーの作用のもとで、絶縁層が蒸発させられる。
【0024】
構造化された絶縁層が生成され、少なくとも、外部接触素子が配置されるべきベース基板の表面領域が露出された後、ここで、導電性材料が露出する導電性表面領域上に付与される。この際、材料は、全般的に唯一の合金から生成され得るか、または層ごとに異なった材料シーケンスを用いて付与されてもよい。しかしながら、本発明によるシステム支持体を製作するために、導電性材料が堆積され、この導電性材料が、構造化された絶縁層を超えて成長することが必要とされる。これによって初めて、本発明による、外部接触素子のリベット形状の断面が生じ得る。
【0025】
導電性材料を付与するための複数の異なった方法が利用可能である。方法を実行する1形態において、露出する導電性表面領域上でガルバニック堆積(galvanische Abscheidung)を用いて、露出する場所で、堆積した材料がリベットヘッドに達して成長するまで導電性材料の付与が行われる。しかしながら、導電性材料は、気相からの堆積によっても生じ得る。これは、例えば、有機金属結合がベース基板上で分解され、金属が、ベース基板上の、この結合から、露出する導電性表面領域に堆積することによって行われる。
本方法のさらなる好適な実行は、電流を用いないガルバニック堆積(stromlose galvanische Abscheidung)により導電性材料を付与することである。電流を用いないガルバニック堆積は、システム支持体に電圧が印加される必要がないという利点を有する。むしろ、システム支持体は、堆積バスに浸漬され、電流を用いずに堆積した金属層と共に引き出される。構造化された絶縁層をはく離する際に、外部接触素子用に予定された表面領域に所望のリベット形状の断面が形成される。
【0026】
外部接触素子と同時に、システム支持体のチップキャリア領域において金属の台座が形成され得る。このような金属の台座は、例えば、半導体チップの下面が、この台座と接触し得るという利点を有する。原則的には、本発明による方法を用いて、外部接触面構成を形成するために用いられる、あらゆる所望の幾何学的構造がベース基板上に堆積させられ得る。金属材料が付与された後、構造化された電気的絶縁層が除去される。これは、湿式化学的に溶剤を用いて行われ得るか、またはプラズマ内で乾式灰化することにより行われ得る。
【0027】
片面のみ樹脂で電子部品にモールド成形された半導体チップは、極めて平坦なハウジング構造であるという利点を有する。しかしながら、半導体チップの電気的信号および電力供給を伝送するために必要とされる外部接触素子が、片面のみモールド成形された樹脂化合物によって十分確実に保持され得ず、従って、電子部品が外部接触素子のゆるみまたは離層により使用不能になるという危険が生じるという不利な点を有する。
【0028】
本発明による電子部品を用いて、この問題は克服される。その結果、電子部品は、接触面が外部接触素子と接続される半導体チップを有する。その際、外部接触素子を有する半導体チップは、樹脂化合物内でハウジングとしてモールド成形され、少なくとも1つの外部接触素子が、リベットヘッド領域、リベットシャフト領域およびリベット脚領域を含むリベット形状の断面を有する。この場合、リベットヘッド領域を有する外部接触素子は、樹脂化合物内で固定される。ここで、樹脂化合物は、リベットシャフトが樹脂化合物内に完全に固定されて構成されるようにリベットヘッド領域を取り巻く。
【0029】
本発明のさらなる実施形態において、樹脂化合物によって塞がれないリベット脚領域が外部接触素子の接触面を提供し、従って、その表面は、外部からアクセス可能な接触面を有する。リベット脚領域は、種々に構成され得、1実施形態において、その上面は円形である。本発明の別の実施形態において、外部接触面は、長く延ばされ、従って、矩形である。しかしながら、その際、断面は、依然としてリベット形状を保持する。これにより、長く延ばされた外部接触素子は、上方から見ると、リベット脚により形成される矩形の外部接触面を有し、さらに、リベット形状の断面に基づき、リベット形状の外部接触面を立面図で示し得る。
【0030】
ここで、本発明の1実施形態において、リベット形状の外部接触面がリベット脚領域の外部接触面に直角に構成される。この場合、電子部品の外部接触面は、本発明のさらなる実施形態において、樹脂化合物を含むハウジングの周縁領域に位置する。
【0031】
さらなる実施形態において、半導体チップの接触面がバンプを有し、このバンプが外部接触素子のリベットヘッド領域上に直接的にボンディングされる場合、リベット脚の円形上面は、外部接触面として提供される。従って、円形上面を有する、このようなリベット形状の外部接触素子は、半導体チップのすぐ下に構成されるので、これらの外部接触素子は、半導体チップのバンプと接続され得る。そのために、半導体チップは、半導体回路を有するその能動面が外部接触素子に位置合わせされる。
【0032】
半導体チップの半導体回路を有しない受動面が外部接触素子に位置合わせされる場合、半導体チップの受動面は、樹脂化合物によって塞がれず、部分的に、ハウジングの下面を形成し得る。本発明のこの実施形態は、極めて平坦な電子部品が実現され得るという利点を有する。この場合、半導体チップの接触面は、ボンディング線を介して外部接触素子のヘッド領域と接続される。
【0033】
リベット形状の断面を含む外部接触素子を有する電子部品を製作する方法は、以下のプロセス工程により特徴付けられる。
【0034】
外部接触素子の予め決定された構成を有する基板支持体を提供する工程、
複数の半導体チップを基板支持体上に付与する工程、
半導体チップの接触面と外部接触素子との接触を製作する工程、
システム支持体を載置された半導体チップ、半導体チップの接触面と電子部品への外部接触素子との間の接続をモールド成形して樹脂化合物を含むハウジングを有する電子部品にする工程と、
樹脂化合物を有するシステム支持体上で、ハウジングとして製作された電子部品を個別化する工程。
【0035】
この方法を用いて製作された部品は、以下の利点を有する。
【0036】
成長したリベット形状の断面の側部は、リベットシャフト領域においてほぼ垂直であり、30μmの高さで約2〜6μmだけ次第に細くなる。システム支持体の電気的絶縁層が成長することにより、システム支持体上にきのこ形状またはリベット形状が生じる。この形状は、樹脂化合物における接触接続素子のすぐれた固定を保証する。外部接触素子は、種々の材料および層の順序を用いて実現され得る。純銀または純銀合金あるいは金/ニッケル/金または銀/銅/銀の層の順序を含む外部接触素子がシステム支持体のベース基板上で成長させられ得る。さらに、ベース層と外部接触素子との間に分離層、例えば、銀層または金層が挿入され得、ベース基板がエッチングによって再び取り除かれる必要がある場合、非常に良好なエッチングストップとなる。しかしながら、さらに、後のプロセス工程において、機械的プロセスによって部品がベース基板から分離され得る。湿式化学エッチングプロセスは、場合によっては省略される。
【0037】
本発明による方法を実行する場合、複数の別個の電子部品用のシステム支持体が、樹脂化合物を用いて一様な厚さで、広い平面で樹脂薄膜の化合物プレートへとモールド成形され、この樹脂プレートは、片面のみベース基板を有する。
【0038】
電子部品に個別化する前に、ベース基板は樹脂プレートからエッチングにより除去される。その際、外部接触素子上にエッチングストップ層が位置する場合、このエッチングストップ層は、外部接触素子がエッチングされることを防ぎ、エッチング工程を終了させる。
【0039】
樹脂プレートが、樹脂ハウジングを有する別個の電子部品に個別化する際に、複数の電子部品が互いに入り乱れて渦巻かず、構成され、整列した状態であるように、樹脂プレートは、個別化する前に粘着膜でコーティングされ得る。
【0040】
個別化する間の分離技術として、本発明の実施形態においてダイシング技術(Saegetechnik)が用いられる。
【0041】
本発明のさらなる実施形態において、フリップチップ技術を用いて、外部接触素子のリベットヘッド領域にボンディングされるバンプを介して半導体チップ上の接触面と外部接触素子との間の接続が製作される。このために、外部接触素子が対応して半導体チップの下部に半導体チップの接触面と向き合って構成されることが必要とされる。すべてのバンプの同時のボンディングは、その後、外部接触素子のリベットヘッド領域上で問題なく可能である。
【0042】
本方法の別の実施形態において、ボンディング線技術を用いて、ボンディング線を介して、半導体チップの接触面と外部接触素子との間に接続を製作することが達成される。これに加えて、半導体チップの接触面は、ボンディング線を介して外部接触素子のヘッド領域と接続される。次に続く樹脂化合物または合成樹脂化合物を用いるモールド成形において、ボンディング線のみが樹脂化合物または合成樹脂化合物によって極めて良好に包囲されるのではなく、外部接触素子もそのリベット形状の断面により、樹脂化合物に確実に固定される。外部接触素子と同時に、システム支持体上で、金属の台座が堆積され得る。この台座上に半導体チップがはんだ付けされるか、接着され得る。これは、一方で、半導体チップが金属の台座により支えられるという利点を有し、他方、半導体の下面が金属の台座によって大きい面の外部接触を有するという利点を有する。
【0043】
電子部品の個別化は、実質的に、外部接触素子を製作するために用いられたベース基板の材料に適合される。電子部品を、ベース基板として用いられた炭素コーティングされた薄膜から個別化する場合、部品は、比較的容易に取り外され得、薄膜を分解する必要はない。単に、単純な後処理工程により炭素層の残りが電子部品から除去される必要がある。これは、本方法の実施において、プラズマ灰化(Plasma−Veraschung)による行われ得る。
【0044】
電子部品を金属コーティングされた、ベース基板としての樹脂薄膜から個別化する場合の別の可能性は、この樹脂薄膜を取り外し、部品上に残留する金属コーティングを湿式化学または乾式でエッチングすることである。金属コーティングが部品から除去されて初めて、外部接触素子はアクセス可能である。
【0045】
本方法のさらなる実施において、電子部品を、ベース基板としての金属の薄膜から個別化する際に、この金属薄膜は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより完全に除去される。従って、金属のベース基板が除去された後、部品が樹脂プレートにモールド成形されず、個別の空洞(Einzelkavitaet)で製作されているならば、部品は個別化されており、さらなる加工工程を続けることなく、すぐに使用され得る。
【0046】
本発明は、次に、添付の図を用いる実施形態を参照して、さらに詳細に説明される。
【0047】
図1は、下面28および上面29を有するシステム支持体5のベース基板11の模式的断面を示す。ここで、少なくとも上面29は、導電性表面12を有する。この導電性表面12は、樹脂薄膜または樹脂プレートを炭素でコーティングすることによって導電性になり得る。
【0048】
さらなる代替例として、システム支持体5のベース基板11として、金属コーティングされた樹脂プレートまたは樹脂薄膜が用いられ得る。薄膜用の樹脂として有利に用いられるのは、ポリイミド、ポリプロピレンまたはポリエチレンであり、他方、樹脂プレートとして、好適には、合成樹脂が用いられる。図1の実施形態において、ベース基板は、下面28にも上面29にも導電性表面12を有する金属薄膜である。図1の金属薄膜の材料は、50μm〜200μmの厚さの銅合金である。ベース基板11は、システム支持体5を安定させ、このシステム支持体上に配置されるべき、および製作されるべき電子部品が完成した後にはじめて除去される。
【0049】
図2は、構造化されていない絶縁層21を有するシステム支持体5のベース基板の模式的断面である。この絶縁層21は、フォトリソグラフィーにより構造化され得るフォトレジスト層か、または、プラズマエッチング技術を用いて、マスクまたはレーザラスタ照射(Laserrasterbestrahlung)によって構造化される他の樹脂層であり得る。
【0050】
図3は、構造化された電気的絶縁層18を有する、本発明の第1の実施形態のシステム支持体5のベース基板11の模式的断面を示す。この実施形態において、図2の構造化されていない絶縁層21はフォトレジスト層である。このフォトレジスト層は、フォトレジストを予め網状にする(Vorvernetzung)ために、図示されないフォトマスクを用いて露光された。露光は、構造化された絶縁層18を有する領域において行なわれ、この領域は、フォトレジストを現像する際に露出する導電性表面領域19が生成する領域のために露光されない状態である。本発明の、この第1の実施形態において、表面領域19が露出され、この位置において、外部接触素子がシステム支持体の第1の実施形態の基板11上に付与される。
【0051】
図4は、導電性表面12上に付与された、構造化された電気的絶縁層18と、露出した導電性表面領域19上に付与された、導電性材料20を含む外部接触素子6とを有するベース基板の模式的断面を示す。導電性材料20が、構造化された電気的絶縁層18の参照符号30によって示されるレベルを超えて成長する(ueberwachsen)ことによって、露出する導電性表面領域19上に導電性材料20のリベット形状の断面が生じる。このリベット形状の断面は、きのこの笠形状のリベットヘッド領域8、柱状のリベットシャフト領域9、および図3の、露出する導電性表面領域19の構造を通る、所与のリベット脚領域10を有する。リベット脚領域10の上面図は、システム支持体5の外部接触素子に対する幾何学的要求に応じて、円形または長く伸ばされている(langgestreckt)か、または四角形に形成され得る。
【0052】
導電性材料20は、構造化された電気的絶縁層18間に電気めっきまたはガルバニック堆積が行なわれることによって露出する導電性表面領域19上に付与され得る。これは、電鋳法としても公知である。電鋳法において、異なったガルバニックバス(galvanische Baeder)によって、リベット脚領域10、リベットシャフト領域9および/またはリベットヘッド領域8に異なった材料層の順序が実現され得る。従って、例えば、リベット脚領域19において、金の層または銀の層が最初に堆積され得、後から、電子部品へと個別化する前にシステム支持体5を分離するためにエッチングストップとして利用される。この場合、ベース基板11の導電性表面12、または卑金属類を含むベース基板全体が外部接触素子6のリベット脚領域10として製作される。他の外部接続素子は、脚領域に金、シャフト領域およびヘッド領域にニッケル、ならびにヘッド領域上に最終的な金コーティングを有する。しかしながら、リベットシャフト領域9は、導電性表面12と同じ材料を含み得、外部接触素子のリベット脚領域10への遷移において、エッチングストップとして利用されるより特殊な(edlere)分離層を有し得る。例示的実施形態において、ベース基板11は銅合金から、およびリベットシャフト領域9は、同様に、銅合金から製作され、これらの間のリベット脚領域10に銀の層が付与される。
【0053】
リベット形状の断面7を有する外部接触素子6を形成するための、導電性材料20の付与は、有機金属結合によって気相から金属を堆積させることにより、または液体から金属イオンを、電流を用いずに(stromloss)堆積させることによっても行なわれ得る。
【0054】
図5は、本発明の第1の実施形態のシステム支持体5の模式的断面を示す。システム支持体5は、リベット形状の断面7を示す外部接触素子6が上に配置されるベース基板11を有する。リベット形状の断面は、リベット脚領域10、リベットシャフト領域9およびリベットヘッド領域8から構成される。図4に示される、構造化された電気的絶縁層18は、図5においては除去されているので、図5は、システム支持体5の部分領域の模式的断面を示す。リベット脚領域10は、この第1の実施形態において、円形の上面を有し、図5に示された、外部接触素子6の列は、対応して配置される接触面の列、およびその上にフリップチップ技術で付与されたはんだボールまたはバンプ(Bondhoecker)を有する半導体チップを収容し得る。
【0055】
図6は、フリップチップ技術で付与された半導体チップ1を有する図5のシステム支持体5の模式的断面を示す。半導体チップ1は、1つの電子回路を有する能動面31が、システム支持体5の外部接触素子6と位置合わせされ、バンプ16は、まず、半導体チップ1の接触面22上に配置され、図6において、外部接触素子6のリベットヘッド領域8と接続される。半導体チップが載せられたシステム支持体5は、外部接触素子6のリベットヘッド領域8上にバンプ16がはんだ付けされた後、射出成形金型を用いる射出成形法を用いて片面だけが樹脂化合物で成形され(vergossen)るか、または同様な複数の半導体チップを含む樹脂プレートに成形され得る。この際、構造化されていないベース基板11は、射出成形工程を片面だけに制限するので、樹脂ハウジングが片面だけきっちりと射出され得、過少射出の問題(Unterspritzungsprobleme)は生じない。
【0056】
しかしながら、ベース基板11の導電性表面12は、外部接触素子6を互いに短絡させ、従って、電子部品を個別化する前または個別化する際に、これらの素子から取り外されなければならない。炭素コーティングまたは金属コーティングされた樹脂薄膜の場合、最初に樹脂薄膜を剥離し、その後、残った炭素層を酸化し、従って、分解するか、または残った金属層をドライエッチングまたはウェットエッチングにより除去する可能性が生じる。ウェットエッチングの場合、リベット脚領域10がエッチングストップ材料(Aetzstoffmaterial)を有するならば、特に有利である。
【0057】
図6の例示的実施例におけるように、ベース基板11が金属薄膜である場合、この金属薄膜は、樹脂の射出成形の後、第1の実施形態のシステム支持体の電子部品を個別化する前または個別化する際に、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去され得る。ここでも、リベット脚領域10における外部接触素子6がエッチングストップ層を有するならば有利である。
【0058】
図7は、本発明の第1の実施形態による電子部品2の模式的断面を示す。電子部品2には、樹脂化合物4を含む、片面がモールド成形されたハウジング3が取り付けられ、ハウジング3内に、接触面22を有する半導体チップ1を備える。接触面は、例えば、はんだボールから形成されたバンプ16を介して外部接触素子6と接続される。外部接触素子6は、リベット脚領域10、リベットシャフト領域9およびリベットヘッド領域8を含む、リベット形状の断面を有する。リベットヘッド領域8は、半導体チップ1のバンプ16とそれぞれ接続される。外部接触素子6はリベット形状であるために、樹脂化合物4に確実に固定される。なぜなら、リベット領域9は、リベットヘッド領域8よりも広がりが少ないからである。
【0059】
構成要素の下面32上には、樹脂化合物4が含まれていない(frei)リベット脚領域10の表面が位置し、従って、電子部品2を用いるための外部接触面として外部から回路構成にアクセス可能である。リベット脚領域10は、この実施形態において、円形の上面を有するが、電子部品用の長く延びる接触面が必要とされる場合、長手方向の広がり(Laengserstreckung)も有し得る。外部接触面23を酸化および侵食から保護するために、リベット領域10は、外部接触面23には貴金属が用いられ(veredelt)得る。このために、外部接触面23は、好適には、金の層または銀の層を有する。両方の材料は、耐酸化性であり、銀層は、空気中において亜硫酸銀を形成する傾向があるが、これは他の材料の酸化物層とは逆に導電性である。
【0060】
貴金属が用いられた外部接触面23を有する外部接触素子6は、そのリベットシャフト領域9、および、さらにリベットヘッド領域8が、あまり特殊(edel)でない銅合金またはアルミニウム合金で製作され得、リベットヘッド領域8は、はんだ付け可能な合金でコーティングされ得る。本発明の第1の実施形態の、このような電子部品を用いることによって、外部接触素子6がハウジング3の樹脂化合物4において極めて高い信頼性をともなって固定されることが保証される。さらに、特にスマートカードの適用に適切な、比較的平坦な構造方式が達成される。
【0061】
図8は、本発明の第2の実施形態による、半導体チップ1が付与されたシステム支持体の模式的断面を示す。システム支持体5は、チップキャリア領域において、外部接触素子6の形成と同時に、金属の台座17がベース基板11上に付与されるという点で、図5のシステム支持体5と異なる。この金属の台座17は、図8の実施形態において、外部接触素子6と同じ材料を含み、同じ高さhを有する。金属の台座17の平面の広がりは、半導体チップ1の大きさに適合されるので、半導体チップ1は、図8に示されるように、金属の台座17に完全に載置され得る。この載置は、導電性接着剤を用いた接着、または半導体チップ1を金属の台座17上に合金化して付ける(Auflegieren)ことにより行われ得る。
【0062】
システム支持体5のこの第2の実施形態において、半導体チップ1は、その電子回路を支持しない受動面33で金属の台座17上に付与されている。能動面31は、その接触面22が、上部から自由にアクセス可能であるので、ボンディング線27を介して半導体チップ1の接触面22が外部接触素子6と接続され得、その後、樹脂化合物4を用いてシステム支持体5上にシステム支持体のモールド成形が行なわれる。ここでは図8に示されるシステム支持体5は、部品の高さが0.4mmで、1.0×0.6mmの規模の複数の個別構成要素に対して用いられる。その際、システム支持体5は、50×50mmの平面上に1000個以上の構成要素を有する。従って、本発明のこの実施形態において、樹脂化合物4はシステム支持体5全体の上に、樹脂プレートにモールド成形される。樹脂プレート上に粘着するベース基板11は除去され、次に、樹脂プレートが粘着薄膜上に取り付けられ、この粘着薄膜上で列ごとおよび行ごとに個別部品に分離され、従って、個別構成要素は粘着薄膜から取りはずされ得る。
【0063】
図9は、本発明の第2の実施形態による、電子部品2の模式的断面を示す。図9による部品は、図8に示されるシステム支持体5を有する樹脂プレートからダイシングされる。関連符号を有する図8においてなお見出され得るベース基板11は、すでに樹脂プレートからエッチングにより除去されるか、または剥離されているので、ハウジングの下面は、金属の台座17および外部接触素子6ならびに樹脂で充填された中間空間により形成される。ハウジングの上面34は、完全に、樹脂化合物4から構成され、一方で、ハウジングの側壁は、下部領域において、横切断された(quergeschnitten)外部接触素子を含み、リベット形状の断面7を示す。この際、側壁35および36の残りの領域は、樹脂化合物4から形成される。外部接触素子6の上面が長く延ばされるため、樹脂プレートを個別部品に分離した後、図9に示されるように、外部接触面23の構成要素の下面32上に長さlが生じる。本発明の図示されない他の実施形態において、外部接触素子6に円形の上面図が備えられ、樹脂プレートにおけるダイシングトラック(Saegespuren)が樹脂内で完全に延びるので、外部接触素子6は、部品2の下面32上の樹脂で塞がれない(freigehalten)リベット脚領域10とのみ外部から接触可能である。
【0064】
図10は、本発明の第3の実施形態による、半導体チップ1が付与されたシステム支持体5の模式的断面を示す。本発明の、この実施形態において、半導体チップ1はベース基板11の受動面に直接的に付与される。さらに、外部接触素子6がベース基板11上の半導体チップを包囲して配置され、ボンディング線27を介して、リベットヘッド領域8は能動面31の接触面22と接続される。このようなシステム支持体5は、ハウジングを形成する樹脂化合物4の支援により、樹脂プレートに付加されたベース基板11と接続される。ベース基板11は、これが金属薄膜を含む場合、エッチングにより除去され、次に、樹脂プレートが粘着薄膜上に付与され、その後、個別部品に分離される。
【0065】
図11は、本発明の第3の実施形態による、電子部品の模式的断面を示す。この部品は、極めて平坦であるという点で特徴付けられる。なぜなら、図8に示されるように、台座の高さhでさえ、さらに低減されるからである。この部品の不利な点は、半導体チップ1の受動面33が、同時に電子部品の下面32であるという点である。従って、半導体チップ1は、その下面33が周囲の影響に晒される。外部接触素子6は、リベット形状の断面を有するために、ハウジング3の樹脂化合物4に確実に固定され、リベット脚領域10において、外部接触面23として円形の接触パッドが提供される円形の上面図を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、模式的断面図を用いて、本発明の第1の実施形態の、システム支持体の基本的な製作工程を示す。
【図2】図2は、模式的断面図を用いて、本発明の第1の実施形態の、システム支持体の基本的な製作工程を示す。
【図3】図3は、模式的断面図を用いて、本発明の第1の実施形態の、システム支持体の基本的な製作工程を示す。
【図4】図4は、模式的断面図を用いて、本発明の第1の実施形態の、システム支持体の基本的な製作工程を示す。
【図5】図5は、模式的断面図を用いて、本発明の第1の実施形態の、システム支持体の基本的な製作工程を示す。
【図6】図6は、フリップチップ技術で半導体チップが付与された、図5のシステム支持体の模式的断面を示す。
【図7】図7は、本発明の第1の実施形態による、電子部品の模式的断面を示す。
【図8】図8は、本発明の第2の実施形態による、半導体チップが付与されたシステムキャリアの模式的断面を示す。
【図9】図9は、本発明の第2の実施形態による、電子部品の模式的断面を示す。
【図10】図10は、本発明の第3の実施形態による、半導体チップが付与されたシステム支持体の模式的断面を示す。
【図11】図11は、本発明の第3の実施形態による、電子部品の模式的断面を示す。
Claims (48)
- 半導体チップ(1)を、樹脂化合物(4)を含むハウジング(3)内に充填して電子部品(2)にする、半導体チップ(1)のためのシステム支持体であって、該システム支持体(5)は外部接触素子(6)を備え、該外部接触素子は、リベットヘッド領域(8)、リベットシャフト領域(9)およびリベット脚領域(10)を含む、リベット形状の断面(7)を備え、該リベット脚(10)は、ベース基板(11)上に固定される、システム基板。
- 前記ベース基板(11)は、導電性表面(12)を備えることを特徴とする、請求項1に記載のシステム支持体。
- 前記システム支持体(5)は、金属薄膜を含むベース基板(11)を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載のシステム支持体。
- 前記システム支持体(5)は、金属コーティングを有する樹脂薄膜を含むベース基板(11)を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載のシステム支持体。
- 前記システム支持体(5)は、炭素コーティングを有する樹脂薄膜を含むベース基板(11)を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載のシステム支持体。
- 前記システム支持体(5)は、前記基板(11)上に複数の構成要素実装領域(13)を備えることを特徴とする、請求項1〜5の1つに記載のシステム支持体。
- それぞれの実装領域(13)は、中心部のチップキャリア領域(14)を備え、該チップキャリア領域は、該中心部のチップキャリア領域(14)から規定の距離(15)を置いて、外部接触素子(6)によって包囲されることを特徴とする、請求項6に記載のシステム支持体。
- 前記実装領域(13)は、チップキャリア領域(14)を備え、該チップキャリア領域は、前記外部接触素子(6)を備え、該外部接触素子は、少なくとも部分的に、チップキャリア領域(14)に構成され、半導体チップ(1)が、バンプ(16)によって、該外部接触素子(6)のリベットヘッド領域(8)上にフリップチップ技術でボンディング可能であるようにすることを特徴とする、請求項6または7に記載のシステム支持体。
- 前記システム支持体(5)は、前記チップキャリア領域(14)に金属の台座(17)を備え、該金属の台座は、高さ(h)が前記外部接触素子(6)に一致し、平面の広がりが前記半導体チップ(1)の大きさに適合されることを特徴とする、請求項7または8に記載のシステム支持体。
- 前記外部接触素子(6)は、円形の上面図を有し、前記システム支持体(5)の前記チップキャリア領域(14)に完全に構成されることを特徴とする、請求項7〜9の1つにシステム支持体。
- 前記外部接触素子(6)は、純銀または銀合金を含むことを特徴とする、請求項1〜10の1つに記載のシステム支持体。
- 前記外部接触素子(6)は、金/ニッケル/金の層の順序から構成されることを特徴とする、請求項1〜10の1つに記載のシステム支持体。
- 前記外部接触素子(6)は、銀/銅/銀の層の順序から構成されることを特徴とする、請求項1〜10の1つに記載のシステム支持体。
- 前記金属の台座(17)は、前記外部接触素子(6)と同じ材料から構成されることを特徴とする、請求項9〜13の1つに記載のシステム支持体。
- 電子部品(2)を製作するための、請求項1〜14の1つに記載のシステム支持体(5)の使用。
- システム支持体(5)を製作する方法であって、該方法は、請求項1〜14の1つの特徴を有し、
導電性表面(12)を有するベース基板(11)を提供する工程と、
構造化された電気的絶縁層(18)を付与する工程であって、この層は、該ベース基板(11)上の外部接触素子(6)の構成において、露出する導電性表面領域(19)を有する、工程と、
リベット形状の断面(7)を有する外部接触素子(6)を形成するための導電性材料(20)を、露出する導電性表面上に付与する工程と、
構造化された該電気的絶縁層(18)を除去する工程と
を用いて製作する、方法。 - 最初に、構造化されていない絶縁層(21)が付与され、該絶縁層は、次に、フォトレジスト技術を用いて、電気的絶縁層(18)に構造化されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 構造化された導電性層(18)は、ふるい印刷方法を用いて付与されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 最初は構造化されていない絶縁層(21)を前記ベース基板(11)上に構造化する工程は、噴霧技術(またはスパッタリング技術)を用いてマスクを用いて実施されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 最初は構造化されていない絶縁層(21)を前記ベース基板(11)上に付与する工程は、気相からの堆積により実施されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 最初は構造化されていない絶縁層(21)を構造化する工程は、プラズマエッチング技術を用いてマスクを用いて実施されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 最初は構造化されていない絶縁層(21)を構造化する工程は、レーザラスタ照射を用いて行われることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- ガルバニック堆積による、露出する前記導電性表面領域(19)上への導電性材料(20)の付与が、該堆積する材料のリベットヘッドへの成長が達成されるまで実施されることを特徴とする、請求項16〜22の1つに記載の方法。
- 導電性材料(20)の付与は、前記気相からの材料の堆積により行なわれることを特徴とする、請求項16〜22の1つに記載の方法。
- 前記導電性材料(20)の付与は、電流を用いないガルバニック堆積により実施されることを特徴とする、請求項16〜22の1つに記載の方法。
- 前記外部接触素子(6)と同時に、金属の台座(17)が前記チップキャリア領域(14)に形成されることを特徴とする、請求項16〜25の1つに記載の方法。
- 半導体チップ(1)を有する電子部品であって、該電子部品は接触面(22)を備え、該接触面は外部接触素子(6)と接続され、該外部接触素子(6)を有する該半導体チップ(1)は、ハウジング(3)として樹脂化合物(4)でモールド成形され、少なくとも外部接触(6)は、リベットヘッド領域(8)、リベットシャフト領域(9)およびリベット脚領域(10)を含むリベット形状の断面(7)を備え、該外部接触素子(6)は、該樹脂化合物(4)にリベットヘッド領域(8)で固定される、電子部品。
- 前記外部接触素子(6)の前記リベット脚領域(19)は、前記樹脂化合物(4)で塞がれず、表面が外部からアクセス可能な外部接触面(23)を備えることを特徴とする、請求項27に記載の電子部品。
- 前記外部接触素子(6)は、長手方向の広がり(l)を有し、前記リベット形状の断面(7)により外部からアクセス可能なリベット形状の外部接触面(24)を形成することを特徴とする、請求項27または28に記載の電子部品。
- 前記リベット形状の外部接触面(23)は、前記リベット脚領域(10)の前記外部接触面(24)に対して直角に構成されることを特徴とする、請求項28または29に記載の電子部品。
- 前記電子部品(2)の前記外部接触面(23、24)は、樹脂化合物(4)を含むハウジング(3)の周縁領域(25)に構成されることを特徴とする、請求項28〜30の1つに記載の電子部品。
- 前記半導体チップ(1)の前記接触面(2)は、バンプ(18)を備え、該バンプは、前記リベットヘッド領域(8)上に直接的にボンディングされることを特徴とする、請求項27〜31の1つに記載の電子部品。
- 前記半導体チップ(1)は、半導体回路を備える能動面が前記外部接触素子(6)と位置合わせされることを特徴とする、請求項27〜32の1つに記載の電子部品。
- 前記半導体チップ(1)は、半導体回路を備えない受動面が前記外部接触素子(6)と位置合わせされることを特徴とする、請求項27〜31の1つに記載の電子部品。
- 前記半導体チップ(1)の前記受動面は、樹脂化合物(4)によって塞がれず、部分的にハウジング(3)の下面として提供されることを特徴とする、請求項34に記載の電子部品。
- 接触面(22)は、ボンディング線(27)を介して前記外部接触素子(6)のヘッド領域(8)と接続されることを特徴とする、請求項34または35に記載の電子部品。
- 請求項27〜36の1つの特徴を有する電子部品(2)を製作する方法であって、該方法は、
請求項1〜15の1つの特徴を有するシステム支持体(5)を提供する工程と、
複数の半導体チップ(1)を該システム支持体(5)上に付与する工程と、
該半導体チップ(1)の接触面(22)と外部接触素子(6)との接続を製作する工程と、
載置された半導体チップ(1)、および接触面(22)と外部接触素子(6)との間の接続を有する該システム支持体(5)をモールド成形し、樹脂化合物(4)を含むハウジング(3)を有する電子部品(2)にする工程と、
該樹脂化合物(4)を含む該システム支持体(5)上にハウジングとして製作された電子部品(2)を個別化する工程と
を包含することを特徴とする、方法。 - 樹脂化合物(4)を含む複数の別個の電子部品(2)のための前記システム支持体(5)をモールド成形する際に、一様な厚さで大きい平面に樹脂プレートにモールド成形され、該樹脂プレートは、片面のみベース基板(11)を備えることを特徴とする、請求項37に記載の方法。
- 個別化工程の前に、前記ベース基板(11)が前記樹脂プレートからエッチングにより除去されることを特徴とする、請求項38に記載の方法。
- 前記樹脂プレートは、前記個別化工程の前に、粘着薄膜でコーティングされることを特徴とする、請求項38または39に記載の方法。
- 前記樹脂プレートは、ダイシング技術によって別個の電子部品(2)に個別化されることを特徴とする、請求項38〜40の1つに記載の方法。
- 接触面(22)と外部接触素子(6)との間の接続(26)の製作が、フリップチップ技術を用いて、該外部接触素子(6)の該リベットヘッド領域(8)上にボンディングされるバンプ(16)を介して行なわれることを特徴とする、請求項37〜41の1つに記載の方法。
- 前記半導体チップ(1)の接触面(22)と前記外部接触素子(6)との間の接続(26)の製作が、ボンディング線技術を用いてボンディング線(27)を介して行なわれ、該半導体チップ(1)の該接触面(22)は、該外部接触素子(6)の前記ヘッド領域(8)と接続されることを特徴とする、請求項37〜41の1つに記載の方法。
- 前記半導体チップ(1)は、前記システム支持体(5)上に付与される際に、金属の台座(17)上にはんだ付けまたは接着されることを特徴とする、請求項37〜43の1つに記載の方法。
- 前記電子部品(2)をベース基板(11)として炭素コーティングされた薄膜から個別化する際に、該薄膜は、該電子部品から取り外されることを特徴とする、請求項37〜44の1つに記載の方法。
- 前記部品の炭素層が、前記薄膜が取り外された後にプラズマ灰化により除去されることを特徴とする、請求項45に記載の方法。
- 前記電子部品(2)をベース基板(11)として金属コーティングされた樹脂薄膜から個別化する際に、該樹脂薄膜が取り外され、金属のコーティングは、湿式化学エッチングまたはドライエッチングにより除去されることを特徴とする、請求項37〜44の1つに記載の方法。
- 前記電子部品をベース基板(11)としての金属の薄膜から個別化する際に、前記外部接触素子(6)の材料と該ベース基板(11)の該金属の材料との間にエッチングストップが到達するまで、前記金属薄膜がウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去されることを特徴とする、請求項37〜44の1つに記載の方法。
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