JPH0917829A - フィルムキャリアおよびそれを用いてなる半導体装置 - Google Patents

フィルムキャリアおよびそれを用いてなる半導体装置

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JPH0917829A
JPH0917829A JP7165792A JP16579295A JPH0917829A JP H0917829 A JPH0917829 A JP H0917829A JP 7165792 A JP7165792 A JP 7165792A JP 16579295 A JP16579295 A JP 16579295A JP H0917829 A JPH0917829 A JP H0917829A
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尚治 森田
Atsushi Hino
敦司 日野
Masakazu Sugimoto
正和 杉本
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Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明のフィルムキャリアＦは、導電性回路
４の両面に絶縁体層５ａ、５ｂが積層され、該積層体
に、外部基板１１との接続用の導通部７および半導体素
子３との接続用の導通部９が形成され、半導体素子との
接続用エネルギーの供給を意図する部位にて該導電性回
路４が露出していることを特徴とするものである。ま
た、本発明の半導体装置は、上記フィルムキャリアＦに
半導体素子を実装してなるものである。 【効果】 半導体素子との接続用エネルギーが、絶縁体
層によって減衰することなく効率的に利用されるため、
半導体素子の実装を容易かつ効率的に行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリアおよ
びそれを用いてなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体素子を実装する方法としてフ
ィルムキャリア方式が採用されている。このフィルムキ
ャリア方式においては、通常、フィルムキャリア上のリ
ードと半導体素子の電極とが、接続用の導電性突起部
（以下、バンプと称す）によって接続され、これによっ
て半導体素子が実装される。
【０００３】上記のようにして実装された半導体素子
は、その周囲を絶縁性樹脂にて封止することによって保
護される場合が多いが、従来のフィルムキャリアでは、
導電性回路が露出しているため、上記封止用の絶縁性樹
脂は該導電性回路に直接接触する。ここで、導電性回路
を形成する金属と絶縁性樹脂とは密着性が低いため、そ
の界面に空気中の水分等が侵入し、その結果、得られた
半導体装置の信頼性が低下する恐れがある。
【０００４】そこで、導電性回路が露出しないように該
導電性回路の全面を絶縁体層で被覆することが提案され
ている（特開平６−７７２９３号公報参照）。この構成
によれば、導電性回路が絶縁体層で保護されるため、上
記したような水分の侵入等が防止される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
提案に改良を加え、半導体素子との接続を容易かつ効率
的に行うことができるフィルムキャリアを提供すること
にある。また、本発明の他の目的は、容易かつ効率的に
製造することができる半導体装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
が以下の本発明によって達成されることを見出した。即
ち、本発明のフィルムキャリアは、導電性回路の両面に
絶縁体層が積層され、該積層体に、外部基板との接続用
の導通部および半導体素子との接続用の導通部が形成さ
れ、半導体素子との接続用エネルギーの供給を意図する
部位にて該導電性回路が露出していることを特徴とする
ものである。また、本発明の半導体装置は、上記フィル
ムキャリアに半導体素子を実装してなるものである。
【０００７】なお本発明において、「半導体装置」と
は、半導体素子集合体（例えば、ダイシング後のシリコ
ンチップ等）、半導体装置搭載用回路基板、ＬＣＤ用回
路基板、ハイブリッドＩＣ等のファインピッチ回路基
板、ＭＣＭ基板等を包含し、「導電性回路」とは、配線
パターンのみならず、電極、リード等を包含する広い概
念のことである。
【０００８】また、「半導体素子との接続用エネルギ
ー」とは、フィルムキャリア上のリードと半導体素子の
電極との接続において通常適用されるような、熱、圧
力、超音波またはこれらのうちの２種以上を併用したも
の等のエネルギーを包含する。
【０００９】
【作用】本発明は、導電性回路の全面を絶縁体層で被覆
したフィルムキャリアにおいて、半導体素子との接続用
エネルギーの供給を意図する部位にて導電性回路を露出
させ、この露出部から接続のためのエネルギーを付与す
ることによって、フィルムキャリアと半導体素子との接
続を行うようにしたものである。この構成においては、
接続のためのエネルギーが直接導電性回路に付与される
ため、例えば接続のためのエネルギーが絶縁体層によっ
て分散するといったことが少なく、したがってこの接続
のためのエネルギーが効率的に利用される。
【００１０】以下、本発明のフィルムキャリアを図面に
基づきさらに詳細に説明する。図１は、本発明のフィル
ムキャリアの一実施例を示す模式断面図である。同図に
おいて、Ｆはフィルムキャリアであり、導電性回路４の
両面にそれぞれ絶縁体層５ａおよび５ｂが積層されてい
る。上記積層体には、外部基板１１との接続用の導通部
７および半導体素子３との接続用の導通部９が形成さ
れ、該導通部９の反対側にて絶縁体層５ａが部分的に除
去されて導電性回路４の一部が露出した構成となってい
る。
【００１１】上記導電性回路４の大部分は、両面が絶縁
体層５ａおよび５ｂに覆われ、表面には露出していな
い。絶縁体層５ａおよび５ｂには、それぞれ導電性回路
４の表面に達する貫通孔７１および９１が形成され、貫
通孔７１には、外部基板１１接続用のボール７３と導電
性回路４との接続性向上のための導体層７４が形成され
て外部基板１１との接続用の導通部７が構成されてい
る。貫通孔９１には、導通路９２が形成されて半導体素
子３との接続用の導通部９が構成されている。
【００１２】上記絶縁体層５ａ、５ｂの材質としては、
導電性回路４、導通路９２等を安定して支持し得、実質
的に電気絶縁性を有するものであれば特に限定されな
い。具体的には、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹
脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレ
ン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アク
リロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体樹脂（Ａ
ＢＳ樹脂）、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹
脂、フッ素系樹脂等の各種熱硬化性樹脂または熱可塑性
樹脂等が例示されるが、なかでも、耐熱性、加熱時の寸
法安定性、機械的強度等に優れるポリイミド系樹脂が特
に好適である。なお、上記絶縁体層５ａ、５ｂのそれぞ
れの材質は、同種のものであっても異種のものであって
もよい。
【００１３】上記絶縁体層５ａ、５ｂの厚さは特に限定
されないが、機械的強度や可撓性が十分となるよう、２
〜５００μｍ程度、好ましくは５〜１５０μｍ程度とす
ることが適当である。なお、絶縁体層５ａの場合、半導
体素子との接続用エネルギーを付与するための治具（以
下、接続用治具と称す）の挿入に支障がないよう、厚さ
７〜２０μｍ程度とすることがさらに好ましい。
【００１４】上記導電性回路４の形成材料としては、導
電性を有するものであれば特に限定されないが、例え
ば、金、銀、銅、ニッケル、コバルト等の各種金属また
はこれらを主成分とする各種合金等が使用できる。
【００１５】上記導電性回路４の厚さも特に限定されな
いが、通常、１〜２００μｍ程度、好ましくは５〜８０
μｍ程度とすることが適当である。
【００１６】本発明においては、上記導電性回路４は、
基本的には絶縁体層５ａおよび５ｂに覆われ、表面には
露出していないため、該導電性回路４のパターン形状
は、半導体素子３のパターン形状に左右されずに自由に
設計することができる。さらには、該導電性回路４を２
層以上の多層に形成してもよく、このような構成とする
ことで、該導電性回路４を３次元的に設計することもで
き、したがってファインピッチ化や高密度実装化に十分
に対応することが可能となる。
【００１７】図１に示す実施例では、半導体素子３との
接続用の導通部９として、導通路９２が形成されてい
る。
【００１８】上記導通路９２の形成材料としては、導電
性を有するものであれば特に限定されず、公知の金属材
料が使用できるが、例えば金、銀、銅、白金、鉛、錫、
ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、
タングステン、ルテニウム等の単独金属またはこれらを
成分とする各種合金（例えば、はんだ、ニッケル−錫合
金、金−コバルト合金等）、あるいは上記金属よりなる
金属粉やカーボンブラック等の導電性粒子を分散させた
導電性ペースト等が挙げられる。
【００１９】上記導通路９２は、単一の種類の形成材料
を用いて構成されていても、２種類以上の形成材料を用
いて構成されていてもよい。図２は複数種類の形成材料
で構成された導通路９２の一例を示す模式図である。同
図に示す導通路９２においては、導電性回路４に接する
部位９２１には銅等の安価な金属が、半導体素子３の電
極３１に接続される部位９２２には金等の接続信頼性の
高い金属がそれぞれ用いられ、さらに、上記二つの部位
９２１と９２２との間の中間の部位９２３には、上記二
種類の金属の相互反応を防止し得るニッケル等のバリア
性金属が用いられている。なおいうまでもなく、上記導
通路９２は４種類以上の形成材料を用いて構成されてい
てもよい。
【００２０】上記導通路９２は、図１では絶縁体層５ｂ
の表面から突出するように形成されているが、これによ
って、半導体素子３の電極３１との接続時の位置決めが
容易となり、またこの接続を確実に行うことができる。
この突出部分の絶縁体層５ｂ表面からの高さは特に限定
されないが、被接続体との接続の確実性の点で、０．１
〜５０μｍ程度とすることが適当である。
【００２１】上記導通路９２の突出部分の形状は、図１
に示すようなマッシュルーム状（傘状）以外にも、半球
状、角柱状、円柱状、球状、錐体（円錐、角錐等）状、
台状等が可能であり、該突出部分の底面形状としても、
三角形状、四角形状（正方形状、長方形状、平行四辺形
状、台形状等）その他の多角形状、円状、楕円状等が可
能である。
【００２２】なお、上記導通路９２の端部の態様は、半
導体素子３の電極３１のレイアウトや形状等に応じて適
宜変更すればよい。即ち、例えば、電極３１が平面状の
場合は、該導通路９２端部を、上記マッシュルーム状、
錐体状等のように先端が点状となるような態様とするこ
とが好ましく、一方電極３１が突出形状を有するもので
ある場合は、該導通路９２端部を、上記角柱状、円柱状
等のように先端が面状となるような態様とすることが好
ましい。さらに、後者のように先端を面状とする場合、
該導通路９２端部が絶縁体層５ｂの表面と同高となるよ
うにしてもよい。
【００２３】また、上記導通部７においては、外部基板
１１接続用のボール７３と導電性回路４との接続性向上
のための導体層７４が形成されている。
【００２４】上記導体層７４の形成材料としては、導電
性を有するものであればよく、例えば前記導通路９２の
場合と同様の各種金属またはこれらを成分とする各種合
金等を用いることができるが、なかでも接続信頼性に優
れる金等が好適に用いられる。
【００２５】上記導体層７４の厚さは特に限定されない
が、ボール７３と導電性回路４との接続性が良好となる
よう、通常、０．０１〜１０μｍ程度とすることが適当
である。
【００２６】上記ボール７３の形成材料としては、前記
導通路９２の場合と同様の各種金属またはこれらを成分
とする各種合金等を用いることができるが、なかでも形
状追従性および接続信頼性に優れるはんだ等が好適に用
いられる。
【００２７】上記ボール７３のサイズは特に限定され
ず、外部基板１１のリードのサイズ等により適宜決定す
ればよいが、通常は径３０〜５００μｍ程度とすること
が適当である。
【００２８】なお、上記ボール７３の形状は、図１に示
すようなボール状以外にも、前記導通路９２の先端部と
同様のマッシュルーム状、錐体状等の各種の形状とする
こともできる。
【００２９】上記外部基板１１接続用のボール７３は、
フィルムキャリアＦの製造時に貫通孔７１に形成するよ
うにしてもよいが、該フィルムキャリアＦと外部基板１
１とを接続する直前に貫通孔７１に形成するようにして
もよい。
【００３０】上記外部基板１１との接続用の導通部７
は、図１では、導電性回路４と絶縁体層５ａ、５ｂとの
積層体において、半導体素子３の搭載を意図する領域Ａ
の内側に形成されているが、これによれば、半導体装置
の大きさ（面積）を例えば半導体素子３の大きさ（面
積）まで小さくすることができ、また、半導体素子３の
電極３１と外部基板１１のリードとを短い距離で接続し
得るため電気的特性に優れた半導体装置を得ることがで
きる。なおいうまでもなく、上記導通部７が半導体素子
３の搭載を意図する領域Ａの外側に位置するように形成
されていてもよく、さらに、該領域Ａの内側と外側との
両方に位置するように形成されていてもよい。このよう
に、導通部７の形成位置を適宜決定することができる
が、これによれば、例えば個々の半導体素子３の電極３
１の配置が異なる場合でも、外部基板１１との接続位置
を統一することができ、電子部品を標準化する上で望ま
しい。
【００３１】上記絶縁体層５ａにて形成されている導電
性回路４の露出部分（図１に示す８）は、半導体素子と
の接続用エネルギーが供給される部位である。
【００３２】図１では、半導体素子３との接続用の導通
部９（導通路９２）の反対側の絶縁体層５ａに貫通孔８
１が形成され、該貫通孔８１の底部にて導電性回路４が
露出している。
【００３３】上記貫通孔８１の平面形状は、接続用治具
に対応する形状とすればよく、例えば円状、方形状その
他の多角形状等が例示されるが、通常は円状とされる。
【００３４】上記導電性回路４の露出部分８の面積（図
１では露出部分８形成用の貫通孔８１の開口部面積）
は、半導体素子３との接続用の導通部９の面積（図１で
は導通路９２形成用の貫通孔９１の開口部面積）の５０
〜２００％、好ましくは７０〜１５０％、さらに好まし
くは８０〜１３０％であることが望ましい。上記露出部
分８の面積が導通部９の面積の２００％以下であれば、
露出部分８の面積が過大となって半導体素子との接続用
エネルギーとしての熱が放熱されたり超音波振動が分散
したりするといったことが少なく、かつ、導通部９の位
置の判別が容易であるため接続不良の発生も少なくな
り、一方、５０％以上であれば、接続用治具が絶縁体層
５ａに接触して超音波振動が該絶縁体層５ａに吸収され
るといったことが少ない。
【００３５】上記貫通孔８１の底部にて露出した導電性
回路４の表面には、酸化防止等のために、金、白金、パ
ラジウム、ルテニウム等のメッキを施してもよい。
【００３６】上記露出部分８としては、貫通孔８１に導
電性材料を充填し、これによって該貫通孔８１の開口部
にて導電性回路４を露出させた態様も可能である。この
態様によれば、接続用治具が絶縁体層５ａに接触して超
音波振動が該絶縁体層５ａに吸収されるといったことを
さらに少なくすることができる。
【００３７】上記貫通孔８１に充填される導電性材料と
しては、前記導通路９２の形成材料と同様のものを単一
または複数種類用いればよい。また、この導電性材料
は、前記導通路９２と同様にして、絶縁体層５ａの表面
から突出するようにしてもよい。
【００３８】上記フィルムキャリアＦは、例えば図３に
示すような方法にて作製することができる。以下、上記
フィルムキャリアＦの製造方法を同図に示す工程にした
がって説明する。
【００３９】まず、図３（ａ）に示すように、絶縁体層
５ｂの一方面に導電性回路４を積層する。
【００４０】上記絶縁体層５ｂと導電性回路４との積層
体は、例えば、絶縁体層５ｂ上に導電体層を形成した
後、該導電体層を所望の回路パターン状に形成する方法
（サブトラクティブ法）によって得られる。上記絶縁体
層５ｂ上に導電体層を形成する方法としては、例えば、
前記したような各種金属または合金よりなる金属粉やカ
ーボンブラック等の導電性粒子とポリエステル等のバイ
ンダとを含有させてなる導電性塗料を絶縁体層５ｂ上に
塗布する方法や、スパッタリング、ＣＶＤ法、真空蒸着
等により上記と同様の金属よりなる導電体層薄膜を絶縁
体層５ｂ上に形成した後、メッキ等により任意の厚みに
まで成長させる方法が例示される。あるいは、上記と同
様の金属よりなる箔を導電体層とし、この箔上に前記し
たような各種樹脂またはその前駆体溶液を塗工し、脱溶
剤処理等を施して絶縁体層５ｂを形成したり、上記と同
様の各種樹脂よりなるフィルムを接着したりする方法も
可能である。なお、導電体層を形成する工程を経ずに導
電性材料を直接回路パターン状に形成する方法（アディ
ティブ法、セミアディティブ法等）によって該積層体を
作製することもできる。
【００４１】ついで、図３（ｂ）に示すように、絶縁体
層５ｂに貫通孔９１を設けて該貫通孔９１の底部にて導
電性回路４を露出させる。
【００４２】上記貫通孔９１の形成方法としては、パン
チング等の機械的加工方法、フォトリソグラフィー加
工、プラズマ加工、化学エッチング加工、レーザ加工等
が例示されるが、ファインピッチ化に対応する上では、
微細加工が可能なレーザ加工が好適であり、特に、紫外
線に発振波長を有する紫外線レーザを用いることが望ま
しい。
【００４３】上記貫通孔９１の径は、５〜２００μｍ程
度、好ましくは８〜１００μｍ程度とすることが適当で
ある。
【００４４】ついで、図３（ｃ）に示すように、導電性
回路４の絶縁体層で覆われていない面に、絶縁体層５ａ
を積層する。
【００４５】上記絶縁体層５ａは、例えば熱圧着、押出
成形、流延塗布等の方法によって形成することができ
る。
【００４６】ついで、図３（ｄ）に示すように、絶縁体
層５ａに貫通孔７１および８１を設けて該貫通孔７１お
よび８１の底部にて導電性回路４を露出させる。
【００４７】上記貫通孔７１および８１は、前記貫通孔
９１の場合と同様の方法にて形成すればよい。
【００４８】上記貫通孔７１の径は、５０〜４００μｍ
程度とすることが適当である。
【００４９】この後、図３（ｅ）に示すように、貫通孔
９１に導電性物質を充填して導通路９２を形成し、貫通
孔７１には導体層７４を形成して、フィルムキャリアＦ
を得る。
【００５０】上記貫通孔９１および７１に導電性物質を
充填する方法としては、導電性物質を貫通孔に加圧注入
する方法等の物理的充填法に限定されず、これ以外に
も、電解メッキ、無電解メッキ等のメッキ法、ＣＶＤ
法、溶融金属浴に貫通孔形成部位を浸漬して導電性物質
を析出させる方法等の化学的充填法等も可能であり、特
に、導電性回路４を電極として電解メッキを行うと、導
電性物質の充填を簡便に行うことができる。
【００５１】なお、上記フィルムキャリアＦの製造にお
いて、絶縁体層５ａを形成した後に貫通孔９１を形成す
るようにしてもよく、また、導通路９２を形成した後に
貫通孔７１および８１を形成するようにしてもよい。さ
らに、これ以外にも製造工程を部分的に適宜変更しても
よい。
【００５２】図４は、本発明の半導体装置の一実施例を
示す模式断面図である。同図においては、上記図１に示
すものと同様の本発明のフィルムキャリアＦの半導体素
子３との接続用の導通部９（導通路９２）に半導体素子
３の電極３１が接続されて、該フィルムキャリアＦに半
導体素子３が実装されている。
【００５３】なお図４においては、上記フィルムキャリ
アＦに実装された半導体素子３が絶縁性樹脂層５で被覆
されており、この絶縁性樹脂層５はフィルムキャリアＦ
の絶縁体層５ｂに接している。
【００５４】また、図４に示す半導体装置Ｓにおいて
は、フィルムキャリアＦにおける外部基板１１との接続
用の導通部７が、半導体素子３が搭載されている領域の
内側に設けられているため、半導体装置Ｓの大きさ（面
積）が該半導体素子３の大きさ（面積）と略同一となっ
ている。
【００５５】上記半導体装置Ｓのボール７３を外部基板
１１のランド部に接続することによって、半導体素子３
と外部基板１１とが異方向（フィルムキャリアＦの厚み
方向）に導通する。
【００５６】図５は、上記フィルムキャリアＦに半導体
素子３を実装する方法の一例を示す模式断面図である。
同図においては、上記図１に示すものと同様の本発明の
フィルムキャリアＦの導通路９２に半導体素子３の電極
３１を接触させ、貫通孔８１に接続用治具２０を挿入し
て、導電性回路４の露出部分８に接続用治具２０をあ
て、該接続用治具２０から半導体素子との接続用エネル
ギーを供給して、該導通路９２と電極３１とを接続し、
これによって、前記図４に示すものと同様の半導体装置
Ｓを得るようにしている。
【００５７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。なお、もとより本発明はこれら実施例に限定
されるものではない。
【００５８】実施例１ （フィルムキャリアの作製）図３（ａ）と同様にして、
厚さ１８μｍの銅箔上に、厚さ２５μｍのポリイミド樹
脂層を形成し、上記銅箔をエッチングにより回路パター
ン状に形成して、第１の絶縁体層５ｂと導電性回路４と
の積層体を得た。ついで、図３（ｂ）と同様にして、上
記第１の絶縁体層５ｂにおいて、半導体素子との接続用
の導通部の形成を意図する部位に、エキシマレーザ光に
よるフォトアブレーション加工を施して径６０μｍの貫
通孔９１を形成した。ついで、図３（ｃ）と同様にし
て、上記導電性回路４の絶縁体層で覆われていない面
に、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層を熱圧着して、第
２の絶縁体層５ａを積層した。ついで、図３（ｄ）と同
様にして、上記第２の絶縁体層５ａにおいて、外部基板
との接続用の導通部の形成を意図する部位、ならびに半
導体素子との接続用エネルギーの供給を意図する部位に
前記と同様にしてそれぞれ径１００μｍおよび７５μｍ
の貫通孔７１および８１を設けて各貫通孔７１および８
１の底部にて導電性回路４を露出させた。この後、図３
（ｅ）と同様にして、前記導電性回路４を電極として電
解メッキを行って、第１の絶縁体層５ｂの貫通孔９１、
ならびに第２の絶縁体層５ａの外部基板との接続用の導
通部の形成を意図する貫通孔７１に金を充填して、それ
ぞれ導通路９２および厚さ１μｍの導体層７４を形成し
た。上記導通路９２は、前記第１の絶縁体層５ｂ表面か
らマッシュルーム状に１５μｍ突出するように形成し、
また上記導体層７４上には径約１５０μｍのはんだボー
ル７３を形成した。これにより、図１に示すものと同様
のフィルムキャリアＦを得た。
【００５９】（半導体素子の実装）図５と同様にして、
上記フィルムキャリアＦの導通路９２に半導体素子３の
電極３１を接触させ、ついで、第２の絶縁体層５ａの貫
通孔８１に接続用治具２０を挿入して、導電性回路４の
露出部分８に該接続用治具２０をあて、該接続用治具２
０から超音波振動を供給して、該導通路９２と半導体素
子３の電極３１とを接続して、図４に示すものと同様の
半導体装置Ｓを得た。
【００６０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、導電性
回路の全面を絶縁体層で被覆したフィルムキャリアにお
いて、半導体素子との接続用エネルギーの供給を意図す
る部位にて導電性回路を露出させ、この露出部から接続
のためのエネルギーを付与することによって、フィルム
キャリアと半導体素子との接続を行うようにしたもので
ある。
【００６１】この構成によれば、接続のためのエネルギ
ーが直接導電性回路に付与されるため、例えば接続のた
めのエネルギーが、絶縁体層によって減衰するといった
ことが少なく効率的に利用される。したがって、半導体
素子の実装を容易かつ効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフィルムキャリアの一実施例を示す模
式断面図である。
【図２】複数種類の形成材料で構成された導通路の一例
を示す模式図である。
【図３】フィルムキャリアの製造工程の一例を示す模式
断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の一実施例を示す模式断面
図である。
【図５】半導体素子の実装方法の一例を示す模式断面図
である。
【符号の説明】
４ 導電性回路 ５ａ、５ｂ 絶縁体層 ７ 外部基板との接続用の導通部 ７１ 貫通孔 ７３ ボール ７４ 導体層 ９ 半導体素子との接続用の導通部 ９１ 貫通孔 ９２ 導通路 ８ 導電性回路の露出部 ８１ 貫通孔 Ｆ フィルムキャリア ３ 半導体素子 ３１ 電極 １１ 外部基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性回路の両面に絶縁体層が積層さ
    れ、該積層体に、外部基板との接続用の導通部および半
    導体素子との接続用の導通部が形成され、半導体素子と
    の接続用エネルギーの供給を意図する部位にて該導電性
    回路が露出していることを特徴とするフィルムキャリ
    ア。
  2. 【請求項２】 導電性回路の露出部分の面積が、半導体
    素子との接続用の導通部の面積の５０〜２００％である
    請求項１記載のフィルムキャリア。
  3. 【請求項３】 外部基板との接続用の導通部が、導電性
    回路と絶縁体層との積層体において、半導体素子の搭載
    を意図する領域の内側に設けられている請求項１記載の
    フィルムキャリア。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のフィル
    ムキャリアに半導体素子を実装してなる半導体装置。
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