JP2984064B2 - 異方導電フィルムの製造方法 - Google Patents
異方導電フィルムの製造方法Info
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- JP2984064B2 JP2984064B2 JP2410852A JP41085290A JP2984064B2 JP 2984064 B2 JP2984064 B2 JP 2984064B2 JP 2410852 A JP2410852 A JP 2410852A JP 41085290 A JP41085290 A JP 41085290A JP 2984064 B2 JP2984064 B2 JP 2984064B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は異方導電フィルムの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の多機能化と小型軽量化
に伴い、半導体分野においては配線回路のパターンが高
集積化され、多ピンおよび狭ピッチのファインパターン
が採用されている。このような回路のファインパターン
化に対応すべく、基板上に形成された複数の導体パター
ンとそれと接続する導体パターンまたはＩＣ，ＬＳＩと
の接続に、異方導電フィルムを介在させる方法が試みら
れている。
に伴い、半導体分野においては配線回路のパターンが高
集積化され、多ピンおよび狭ピッチのファインパターン
が採用されている。このような回路のファインパターン
化に対応すべく、基板上に形成された複数の導体パター
ンとそれと接続する導体パターンまたはＩＣ，ＬＳＩと
の接続に、異方導電フィルムを介在させる方法が試みら
れている。
【０００３】例えば、特開昭５５−１６１３０６号公報
には絶縁性多孔体シートの選択領域内の孔部に金属メッ
キを施こし異方導電化したシートが開示されている。し
かし、このようなシートは表面に金属突出部がないの
で、ＩＣなどの接続に際してはＩＣ側の接続パッド部に
突起電極（バンプ）を形成しておく必要があり、接続工
程が煩雑となる。
には絶縁性多孔体シートの選択領域内の孔部に金属メッ
キを施こし異方導電化したシートが開示されている。し
かし、このようなシートは表面に金属突出部がないの
で、ＩＣなどの接続に際してはＩＣ側の接続パッド部に
突起電極（バンプ）を形成しておく必要があり、接続工
程が煩雑となる。
【０００４】また、特開昭６２−４３００８号公報や特
開昭６３−４０２１８号公報、特開昭６３−９４５０４
号公報には絶縁性フィルムの厚み方向に設けた微細孔に
金属物質を充填して異方導電化し、さらにフィルム表面
からバンプ状に金属物質を突出させて接続を容易にした
ものが開示されている。
開昭６３−４０２１８号公報、特開昭６３−９４５０４
号公報には絶縁性フィルムの厚み方向に設けた微細孔に
金属物質を充填して異方導電化し、さらにフィルム表面
からバンプ状に金属物質を突出させて接続を容易にした
ものが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような異
方導電性フィルムは一般に図３に示すような構造である
ために、充填された金属物質と絶縁性フィルムとの密着
性が充分ではなく、金属物質が脱落して本来導電性を有
さなければならない微細孔が導電性を発揮せず、電気的
接続信頼性に欠ける恐れがある。
方導電性フィルムは一般に図３に示すような構造である
ために、充填された金属物質と絶縁性フィルムとの密着
性が充分ではなく、金属物質が脱落して本来導電性を有
さなければならない微細孔が導電性を発揮せず、電気的
接続信頼性に欠ける恐れがある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは従
来の異方導電フィルムが有する上記課題を解決し、確実
に異方導電化できて接続信頼性が高い異方導電フィルム
を提供すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明の製造方法
を見い出すに至った。
来の異方導電フィルムが有する上記課題を解決し、確実
に異方導電化できて接続信頼性が高い異方導電フィルム
を提供すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明の製造方法
を見い出すに至った。
【０００７】即ち、本発明の第１の製造方法は、絶縁性
フィルムの厚み方向に独立して導通する微細貫通孔を有
し、かつ該フィルムの表裏面上の貫通孔両端部のうち少
なくとも一端部が貫通孔の開口部面積よりも大きな底面
積を有するバンプ状の金属突出物によって閉塞されてい
る異方導電フィルムの製造方法であって、下記の１）〜
５）の工程からなることを特徴とする異方導電フィルム
の製造方法を提供するものである。 １）絶縁性フィルムと導電層との積層フィルムを形成す
る工程。 ２）該絶縁性フィルムのみに微細貫通孔を設け、導電層
表面にレジスト層を形成する工程。 ３）微細貫通孔部をエッチングして貫通孔部に接する導
電層部分にリベット状の溝部を形成する工程。 ４）微細貫通孔にメッキ法によって金属物質を充填し、
バンプ状の金属突出物を形成する工程。 ５）絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジ
スト層を化学的エッチング液または電解腐食によって除
去する工程。
フィルムの厚み方向に独立して導通する微細貫通孔を有
し、かつ該フィルムの表裏面上の貫通孔両端部のうち少
なくとも一端部が貫通孔の開口部面積よりも大きな底面
積を有するバンプ状の金属突出物によって閉塞されてい
る異方導電フィルムの製造方法であって、下記の１）〜
５）の工程からなることを特徴とする異方導電フィルム
の製造方法を提供するものである。 １）絶縁性フィルムと導電層との積層フィルムを形成す
る工程。 ２）該絶縁性フィルムのみに微細貫通孔を設け、導電層
表面にレジスト層を形成する工程。 ３）微細貫通孔部をエッチングして貫通孔部に接する導
電層部分にリベット状の溝部を形成する工程。 ４）微細貫通孔にメッキ法によって金属物質を充填し、
バンプ状の金属突出物を形成する工程。 ５）絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジ
スト層を化学的エッチング液または電解腐食によって除
去する工程。
【０００８】また、本発明の第２の製造方法は、絶縁性
フィルムの厚み方向に独立して導通する微細貫通孔を有
し、かつ該フィルムの表裏面上の貫通孔両端部のうち少
なくとも一端部が貫通孔の開口部面積よりも大きな底面
積を有するバンプ状の金属突出物によって閉塞されてい
る異方導電フィルムの製造方法であって、下記の１）〜
５）の工程からなることを特徴とする異方導電フィルム
の製造方法を提供するものである。 １）微細貫通孔を設けた絶縁性フィルムに導電層を積層
する工程。 ２）該導電層表面にレジスト層を形成する工程。 ３）微細貫通孔部をエッチングして貫通孔部に接する導
電層部分にリベット状の溝部を形成する工程。 ４）微細貫通孔にメッキ法によって金属物質を充填し、
バンプ状の金属突出物を形成する工程。 ５）絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジ
スト層を化学的エッチング液または電解腐食によって除
去する工程。
フィルムの厚み方向に独立して導通する微細貫通孔を有
し、かつ該フィルムの表裏面上の貫通孔両端部のうち少
なくとも一端部が貫通孔の開口部面積よりも大きな底面
積を有するバンプ状の金属突出物によって閉塞されてい
る異方導電フィルムの製造方法であって、下記の１）〜
５）の工程からなることを特徴とする異方導電フィルム
の製造方法を提供するものである。 １）微細貫通孔を設けた絶縁性フィルムに導電層を積層
する工程。 ２）該導電層表面にレジスト層を形成する工程。 ３）微細貫通孔部をエッチングして貫通孔部に接する導
電層部分にリベット状の溝部を形成する工程。 ４）微細貫通孔にメッキ法によって金属物質を充填し、
バンプ状の金属突出物を形成する工程。 ５）絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジ
スト層を化学的エッチング液または電解腐食によって除
去する工程。
【０００９】以下、本発明を図面を用いて説明する。
【００１０】図１は本発明の製造方法によって得られる
異方導電フィルムの一実例を示す断面図である。
異方導電フィルムの一実例を示す断面図である。
【００１１】図１において絶縁性フィルム１には厚み方
向に微細貫通孔２が設けられており、金属物質３を充填
した導通路が表裏面に達している。貫通孔２の両端部に
は貫通孔２の開口部面積よりも大きな底面積を有するバ
ンプ状の金属突出物４が形成されており、所謂リベット
状に貫通孔２を閉塞している。
向に微細貫通孔２が設けられており、金属物質３を充填
した導通路が表裏面に達している。貫通孔２の両端部に
は貫通孔２の開口部面積よりも大きな底面積を有するバ
ンプ状の金属突出物４が形成されており、所謂リベット
状に貫通孔２を閉塞している。
【００１２】また、図２は本発明の製造方法によって得
られる異方導電性フィルムの他の実例を示す断面図であ
り、絶縁性フィルム１に設けられた貫通孔２の片端部に
バンプ状の金属突出物４が形成されてなるものである。
られる異方導電性フィルムの他の実例を示す断面図であ
り、絶縁性フィルム１に設けられた貫通孔２の片端部に
バンプ状の金属突出物４が形成されてなるものである。
【００１３】上記微細貫通孔２の直径は通常１５〜１０
０μｍ、好ましくは２０〜５０μｍとし、ピッチは１５
〜２００μｍ、好ましくは４０〜１００μｍとする。
０μｍ、好ましくは２０〜５０μｍとし、ピッチは１５
〜２００μｍ、好ましくは４０〜１００μｍとする。
【００１４】本発明において絶縁性フィルム１は電気絶
縁特性を有するフィルムであればその素材に制限はな
く、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、シリコーン系樹脂など熱硬化性樹脂や
熱可塑性樹脂を問わず目的に応じて選択できる。例え
ば、可撓性を必要とする場合はシリコーンゴム、ウレタ
ンゴム、フッ素ゴムなどの弾性体を使用することが好ま
しく、耐熱性が要求される場合はポリイミド、ポリエー
テルスルホン、ポリフェニレンスルフィドなどの耐熱性
樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁性フィルム１
の厚さは任意に選択できるが、フィルム厚の精度（バラ
ツキ）や形成する貫通孔の孔径精度の点からは通常、５
〜２００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍとする。
縁特性を有するフィルムであればその素材に制限はな
く、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、シリコーン系樹脂など熱硬化性樹脂や
熱可塑性樹脂を問わず目的に応じて選択できる。例え
ば、可撓性を必要とする場合はシリコーンゴム、ウレタ
ンゴム、フッ素ゴムなどの弾性体を使用することが好ま
しく、耐熱性が要求される場合はポリイミド、ポリエー
テルスルホン、ポリフェニレンスルフィドなどの耐熱性
樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁性フィルム１
の厚さは任意に選択できるが、フィルム厚の精度（バラ
ツキ）や形成する貫通孔の孔径精度の点からは通常、５
〜２００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍとする。
【００１５】上記絶縁性フィルム１に設ける微細貫通孔
に充填する導通路となる金属物質３およびバンプ状の金
属突出物４となる金属物質としては、例えば金、銀、
銅、錫、鉛、ニッケル、コバルト、インジウムなどの各
種金属、またはこれらを成分とする各種合金が用いられ
る。このような金属物質は純度が高すぎるとバンプ状と
なりにくいので、自体公知の有機物や無機物を微量混入
した金属物質や合金を用いることが好ましい。導通路の
形成方法としては、メッキ法が採用され、この場合、メ
ッキ時間を長くすることによって、絶縁性フィルム１の
表裏面の微細貫通孔形成部にバンプ状に金属突出物４を
成長させることができるのである。
に充填する導通路となる金属物質３およびバンプ状の金
属突出物４となる金属物質としては、例えば金、銀、
銅、錫、鉛、ニッケル、コバルト、インジウムなどの各
種金属、またはこれらを成分とする各種合金が用いられ
る。このような金属物質は純度が高すぎるとバンプ状と
なりにくいので、自体公知の有機物や無機物を微量混入
した金属物質や合金を用いることが好ましい。導通路の
形成方法としては、メッキ法が採用され、この場合、メ
ッキ時間を長くすることによって、絶縁性フィルム１の
表裏面の微細貫通孔形成部にバンプ状に金属突出物４を
成長させることができるのである。
【００１６】上記絶縁性フィルム１に設ける微細貫通孔
２は、パンチングなどの機械的加工法、レーザー、プラ
ズマなどによるドライエッチング法、薬品、溶剤などに
よる化学的なウエットエッチング法などがある。エッチ
ング法の場合は絶縁性フィルム１に所望の孔形状、例え
ば丸、四角、菱形などを有するマスクを密着させ、マス
クの上から処理する間接的エッチング法、スポットを絞
ったレーザー光をフィルムに当てたり、マスクを通して
レーザー光をフィルム上に結像させるドライエッチング
法、感光性レジストを用いて、予め微細孔をパターニン
グしたのちウエットエッチングする直接エッチング法な
どがある。なお、回路のファインパターン化に対応する
にはドライエッチング法やウエットエッチング法が好ま
しく、特にエキシマレーザーの如き紫外線レーザーによ
るアブレーションを用いたドライエッチング法の場合
は、高いアスペクト比が得られるので好ましい。
２は、パンチングなどの機械的加工法、レーザー、プラ
ズマなどによるドライエッチング法、薬品、溶剤などに
よる化学的なウエットエッチング法などがある。エッチ
ング法の場合は絶縁性フィルム１に所望の孔形状、例え
ば丸、四角、菱形などを有するマスクを密着させ、マス
クの上から処理する間接的エッチング法、スポットを絞
ったレーザー光をフィルムに当てたり、マスクを通して
レーザー光をフィルム上に結像させるドライエッチング
法、感光性レジストを用いて、予め微細孔をパターニン
グしたのちウエットエッチングする直接エッチング法な
どがある。なお、回路のファインパターン化に対応する
にはドライエッチング法やウエットエッチング法が好ま
しく、特にエキシマレーザーの如き紫外線レーザーによ
るアブレーションを用いたドライエッチング法の場合
は、高いアスペクト比が得られるので好ましい。
【００１７】例えば、レーザー光によってフィルム１に
微細貫通孔４を設ける場合、図２に示すようにレーザー
光を照射した側のフィルム表面の貫通孔直径は、反対側
のフィルム表面に形成される貫通孔直径よりも大きくな
る。また、図１および図２において貫通孔２の形成角度
αは９０±２０度とし、貫通孔２の平面形状の面積を
〔フィルム厚×５／４〕2 よりも大きくすることによっ
て、孔部へのメッキ液の濡れ性の点で後の金属充填の際
に効果的となる。
微細貫通孔４を設ける場合、図２に示すようにレーザー
光を照射した側のフィルム表面の貫通孔直径は、反対側
のフィルム表面に形成される貫通孔直径よりも大きくな
る。また、図１および図２において貫通孔２の形成角度
αは９０±２０度とし、貫通孔２の平面形状の面積を
〔フィルム厚×５／４〕2 よりも大きくすることによっ
て、孔部へのメッキ液の濡れ性の点で後の金属充填の際
に効果的となる。
【００１８】上記貫通孔２の開口部に形成されたバンプ
状金属突出物４は、貫通孔２の平面面積よりも大きな底
面積、好ましくは１．１倍以上の大きさとする。本発明
においてはこのように底面積を大きくすることによっ
て、貫通孔２内に形成された導通路が脱落することもな
く、絶縁性フィルム１の厚み方向に対する剪断力に対し
ても充分な強度を有し、電気的接続信頼性が向上する。
状金属突出物４は、貫通孔２の平面面積よりも大きな底
面積、好ましくは１．１倍以上の大きさとする。本発明
においてはこのように底面積を大きくすることによっ
て、貫通孔２内に形成された導通路が脱落することもな
く、絶縁性フィルム１の厚み方向に対する剪断力に対し
ても充分な強度を有し、電気的接続信頼性が向上する。
【００１９】本発明の異方導電フィルムを得るための方
法としては、具体的には以下の工程からなる方法が挙げ
られる。
法としては、具体的には以下の工程からなる方法が挙げ
られる。
【００２０】絶縁性フィルムと導電層との積層フィル
ム（接着剤を介した３層フィルムまたは直接積層した２
層フィルム）の絶縁性フィルムのみに微細貫通孔を設け
るか、或いは微細貫通孔を設けた絶縁性フィルムに導電
層を積層（但し、導電層は微細孔が貫通するように積層
するか、積層後除去する）し、導電層表面にレジスト層
を形成して表面を絶縁後、貫通孔部をエッチングして貫
通孔部に接する導電層部分にリベット状の溝部を形成す
る工程。
ム（接着剤を介した３層フィルムまたは直接積層した２
層フィルム）の絶縁性フィルムのみに微細貫通孔を設け
るか、或いは微細貫通孔を設けた絶縁性フィルムに導電
層を積層（但し、導電層は微細孔が貫通するように積層
するか、積層後除去する）し、導電層表面にレジスト層
を形成して表面を絶縁後、貫通孔部をエッチングして貫
通孔部に接する導電層部分にリベット状の溝部を形成す
る工程。
【００２１】微細貫通孔に電解メッキや無電解メッキ
などのメッキ法により金属物質を充填し、バンプ状の金
属突出物を形成する工程。
などのメッキ法により金属物質を充填し、バンプ状の金
属突出物を形成する工程。
【００２２】絶縁性フィルムに積層されていた導電層
およびレジスト層を化学的エッチング液または電解腐食
によって除去する工程。
およびレジスト層を化学的エッチング液または電解腐食
によって除去する工程。
【００２３】なお、上記の工程においてバンプ状の金
属突出物の形成はの工程後に行なってもよい。
属突出物の形成はの工程後に行なってもよい。
【００２４】本発明の製造方法によって得られる異方導
電フィルムにおいて絶縁性フィルムの一方の側にバンプ
状の金属突出物を形成する場合は、図２に示すように貫
通孔の孔径が小さい側のフィルム表面にバンプ状の金属
突出物を形成することが好ましい。従って、図２のよう
な絶縁性フィルム１においてはバンプ状の金属突出物４
の形成側（図中、下面側）に上記工程における導電層
が形成されている。
電フィルムにおいて絶縁性フィルムの一方の側にバンプ
状の金属突出物を形成する場合は、図２に示すように貫
通孔の孔径が小さい側のフィルム表面にバンプ状の金属
突出物を形成することが好ましい。従って、図２のよう
な絶縁性フィルム１においてはバンプ状の金属突出物４
の形成側（図中、下面側）に上記工程における導電層
が形成されている。
【００２５】バンプ状に金属突出物を形成するには金属
結晶の状態を微細結晶とすることが好ましい。なお、高
電流密度で電解メッキを行なった場合は、樹枝状の結晶
が形成されるのでバンプ状とならない場合がある。ま
た、金属結晶の析出速度を調整したり、メッキ液の種類
やメッキ浴の温度を調整することによって平滑、均一な
突出物を得ることもできる。
結晶の状態を微細結晶とすることが好ましい。なお、高
電流密度で電解メッキを行なった場合は、樹枝状の結晶
が形成されるのでバンプ状とならない場合がある。ま
た、金属結晶の析出速度を調整したり、メッキ液の種類
やメッキ浴の温度を調整することによって平滑、均一な
突出物を得ることもできる。
【００２６】本発明においてバンプ状金属突出物を貫通
孔の開口部面積よりも大きな底面積を有するようにする
には、上記メッキの際にメッキ皮膜を開口部表面、即ち
絶縁性フィルム面よりも高く成長させ、かつリベット状
に貫通孔から横にも成長させる必要があり、その高さは
孔ピッチや用途によって任意に設定することができ、通
常５μｍ以上、好ましくは５〜１００μｍの範囲に調整
される。
孔の開口部面積よりも大きな底面積を有するようにする
には、上記メッキの際にメッキ皮膜を開口部表面、即ち
絶縁性フィルム面よりも高く成長させ、かつリベット状
に貫通孔から横にも成長させる必要があり、その高さは
孔ピッチや用途によって任意に設定することができ、通
常５μｍ以上、好ましくは５〜１００μｍの範囲に調整
される。
【００２７】さらに、貫通孔底面の導電層を除去してリ
ベット状のバンプを形成する場合（両側にバンプを形成
する場合）も、エッチングを貫通孔直径の１．１倍以上
とすることが好ましい。１．１倍に満たないと、リベッ
ト状のバンプとしての効果が乏しくなり、所望の効果を
発揮しない場合がある。
ベット状のバンプを形成する場合（両側にバンプを形成
する場合）も、エッチングを貫通孔直径の１．１倍以上
とすることが好ましい。１．１倍に満たないと、リベッ
ト状のバンプとしての効果が乏しくなり、所望の効果を
発揮しない場合がある。
【００２８】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、さらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００２９】銅箔上にポリイミド前駆体溶液を乾燥後の
厚さ１mil となるように塗工、硬化させ、銅箔とポリイ
ミドフィルムとの２層フィルムを作製した。
厚さ１mil となるように塗工、硬化させ、銅箔とポリイ
ミドフィルムとの２層フィルムを作製した。
【００３０】次に、ポリイミドフィルム表面に発振波長
２４８nmのkrF エキシマレーザー光を、マスクを通して
照射してドライエッチングを施こし、ポリイミドフィル
ム層に６０μｍφ、ピッチ２００μｍの微細貫通孔を５
個／mmで８cm2 の領域に設けた。
２４８nmのkrF エキシマレーザー光を、マスクを通して
照射してドライエッチングを施こし、ポリイミドフィル
ム層に６０μｍφ、ピッチ２００μｍの微細貫通孔を５
個／mmで８cm2 の領域に設けた。
【００３１】次いで、銅箔表面にレジストを塗工、硬化
させて絶縁し、化学研磨溶液中に５０℃で２分間浸漬し
た。
させて絶縁し、化学研磨溶液中に５０℃で２分間浸漬し
た。
【００３２】これを水洗したのち、銅箔部を電極に接続
して６０℃のシアン化金メッキ浴に浸漬し、銅箔をマイ
ナス極とし、２層フィルムの貫通孔部に金メッキを成長
させ、ポリイミドフィルム表面からやや金結晶が突出し
たとき（突出高さ５μｍ）にメッキ処理を中断した。
して６０℃のシアン化金メッキ浴に浸漬し、銅箔をマイ
ナス極とし、２層フィルムの貫通孔部に金メッキを成長
させ、ポリイミドフィルム表面からやや金結晶が突出し
たとき（突出高さ５μｍ）にメッキ処理を中断した。
【００３３】最後に、塗工したレジスト層を剥離して２
層フィルムの銅箔を塩化第二銅で溶解除去し、異方導電
フィルムを得た。
層フィルムの銅箔を塩化第二銅で溶解除去し、異方導電
フィルムを得た。
【００３４】
【発明の効果】本発明の異方導電フィルムの製造方法は
上記したような工程からなるので、得られる異方導電フ
ィルムは導通路として充填された金属物質が絶縁性フィ
ルムと充分に密着しており、金属物質の脱落もなく本
来、導電性を有さなければならない微細孔が充分に導電
性を発揮し、電気的接続信頼性が高いものである。
上記したような工程からなるので、得られる異方導電フ
ィルムは導通路として充填された金属物質が絶縁性フィ
ルムと充分に密着しており、金属物質の脱落もなく本
来、導電性を有さなければならない微細孔が充分に導電
性を発揮し、電気的接続信頼性が高いものである。
【図１】本発明の製造方法によって得られる異方導電フ
ィルムの一実例を示す断面図である。
ィルムの一実例を示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法によって得られる異方導電フ
ィルムの他の実例を示す断面図である。
ィルムの他の実例を示す断面図である。
【図３】従来のバンプ付異方導電フィルムの断面図であ
る。
る。
１ 絶縁性フィルム ２ 微細貫通孔 ３ 金属物質 ４ バンプ状の金属突出物
フロントページの続き (72)発明者 杉本 正和 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 審査官 小川 進 (56)参考文献 特開 平３−182081（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−49385（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−234804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−40218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−96811（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 13/00 501 H01B 5/16 H05K 3/36 H01L 21/60 311 H01R 43/00
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性フィルムの厚み方向に独立して導
通する微細貫通孔を有し、かつ該フィルムの表裏面上の
貫通孔両端部のうち少なくとも一端部が貫通孔の開口部
面積よりも大きな底面積を有するバンプ状の金属突出物
によって閉塞されている異方導電フィルムの製造方法で
あって、下記の１）〜５）の工程からなることを特徴と
する異方導電フィルムの製造方法。 １）絶縁性フィルムと導電層との積層フィルムを形成す
る工程。 ２）絶縁性フィルム表面にレーザー光を照射することに
よって、該絶縁性フィルムのみに微細貫通孔を設け、導
電層表面にレジスト層を形成する工程。 ３）微細貫通孔底面の導電層をバンプ形成のためにリベ
ット状に除去する工程。 ４）微細貫通孔にメッキ法によって金属物質を充填し、
バンプ状の金属突出物を形成する工程。 ５）絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジ
スト層を化学的エッチング液または電解腐食によって除
去する工程。 - 【請求項２】 絶縁性フィルムの厚み方向に独立して導
通する微細貫通孔を有し、かつ該フィルムの表裏面上の
貫通孔両端部のうち少なくとも一端部が貫通孔の開口部
面積よりも大きな底面積を有するバンプ状の金属突出物
によって閉塞されている異方導電フィルムの製造方法で
あって、下記の１）〜５）の工程からなることを特徴と
する異方導電フィルムの製造方法。 １）微細貫通孔を設けた絶縁性フィルムに導電層を積層
する工程。 ２）該導電層表面にレジスト層を形成する工程。 ３）微細貫通孔底面の導電層をバンプ形成のためにリベ
ット状に除去する工程。 ４）微細貫通孔にメッキ法によって金属物質を充填し、
バンプ状の金属突出物を形成する工程。 ５）絶縁性フィルムに積層されていた導電層およびレジ
スト層を化学的エッチング液または電解腐食によって除
去する工程。 - 【請求項３】 微細貫通孔を設ける方法が、絶縁性フィ
ルム表面にレーザー光を照射することによって行われる
請求項２に記載の異方導電フィルムの製造方法。 - 【請求項４】 微細貫通孔を設ける方法が、感光性レジ
ストを用いて微細孔をパターニングしたのちウエットエ
ッチングすることによって行われる請求項２に記載の異
方導電フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410852A JP2984064B2 (ja) | 1989-12-19 | 1990-12-14 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-330052 | 1989-12-19 | ||
| JP33005289 | 1989-12-19 | ||
| JP2410852A JP2984064B2 (ja) | 1989-12-19 | 1990-12-14 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8002081A Division JP2984205B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 異方導電フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266306A JPH03266306A (ja) | 1991-11-27 |
| JP2984064B2 true JP2984064B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=26573408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410852A Expired - Fee Related JP2984064B2 (ja) | 1989-12-19 | 1990-12-14 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984064B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105174B2 (ja) * | 1990-08-30 | 1995-11-13 | 信越ポリマー株式会社 | 異方導電膜の製造方法 |
| EP0560072A3 (en) * | 1992-03-13 | 1993-10-06 | Nitto Denko Corporation | Anisotropic electrically conductive adhesive film and connection structure using the same |
| JP3051569B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2000-06-12 | 新光電気工業株式会社 | 多層リードフレーム |
| JP2002075064A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Tdk Corp | 異方導電性フィルム及びその製造方法並びに異方導電性フィルムを用いた表示装置 |
| JP4129837B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2008-08-06 | 松下電器産業株式会社 | 実装構造体の製造方法 |
| WO2009113486A1 (ja) | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 富士フイルム株式会社 | プローブカード |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628121B2 (ja) * | 1986-04-03 | 1994-04-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 異方導電フイルム |
| JPS6340218A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | 住友スリ−エム株式会社 | 異方導電膜とその製造方法 |
| JPS6396811A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | 日東電工株式会社 | 安定化異方導電性シ−ト |
| JP2909639B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1999-06-23 | キヤノン株式会社 | 電気的接続部材の製造方法 |
| JPH03291879A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-24 | Canon Inc | 電気的接続部材の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2410852A patent/JP2984064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03266306A (ja) | 1991-11-27 |
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