JP3252757B2 - ボールグリッドアレイ - Google Patents
ボールグリッドアレイInfo
- Publication number
- JP3252757B2 JP3252757B2 JP16333797A JP16333797A JP3252757B2 JP 3252757 B2 JP3252757 B2 JP 3252757B2 JP 16333797 A JP16333797 A JP 16333797A JP 16333797 A JP16333797 A JP 16333797A JP 3252757 B2 JP3252757 B2 JP 3252757B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- grid array
- ball
- ball grid
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，ボールグリッドアレイに関し，
特に，半田ボールと接続端子との接続性の改良に関す
る。
特に，半田ボールと接続端子との接続性の改良に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来，電子部品搭載用基板としては，図５
に示すごとく，マザーボード８に，半田ボール９１を介
して接続するボールグリッドアレイ９がある。半田ボー
ル９１は，ボール形状の半田（Ｓｎ−Ｐｂ）である。半
田ボール９１は，絶縁基板９７の表面に設けた接続端子
９４の上に接合されている。接続端子９４は，銅箔をエ
ッチングによりパターン形成した銅層９４１と，その表
面を被覆する無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層９４２とからな
る。
に示すごとく，マザーボード８に，半田ボール９１を介
して接続するボールグリッドアレイ９がある。半田ボー
ル９１は，ボール形状の半田（Ｓｎ−Ｐｂ）である。半
田ボール９１は，絶縁基板９７の表面に設けた接続端子
９４の上に接合されている。接続端子９４は，銅箔をエ
ッチングによりパターン形成した銅層９４１と，その表
面を被覆する無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層９４２とからな
る。
【０００３】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記半田ボー
ル９１は，接続端子９４との接合性が低い。即ち，半田
ボールの溶融，接続時に，図５に示すごとく，半田ボー
ル９１中のＳｎ（スズ）が無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層９
４２の表面に浸み出して，半田ボール９１と接続端子９
４との界面に，半田ボール９１の中のＳｎ（スズ）と無
電解Ｎｉ／Ａｕめっき層９４２に含まれるＮｉ（ニッケ
ル）成分とからなるＮｉ−Ｓｎ合金層９５が生成する。
Ｎｉ−Ｓｎ合金層９５には，無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層
９４２に含まれているリン（Ｐ）が，すばやく浸透す
る。
ル９１は，接続端子９４との接合性が低い。即ち，半田
ボールの溶融，接続時に，図５に示すごとく，半田ボー
ル９１中のＳｎ（スズ）が無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層９
４２の表面に浸み出して，半田ボール９１と接続端子９
４との界面に，半田ボール９１の中のＳｎ（スズ）と無
電解Ｎｉ／Ａｕめっき層９４２に含まれるＮｉ（ニッケ
ル）成分とからなるＮｉ−Ｓｎ合金層９５が生成する。
Ｎｉ−Ｓｎ合金層９５には，無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層
９４２に含まれているリン（Ｐ）が，すばやく浸透す
る。
【０００４】そのため，リンが無電解Ｎｉ／Ａｕめっき
層９４２から溶出して，Ｎｉ−Ｓｎ合金層９５に拡散
し，その中のリン濃度が増加する。Ｎｉ−Ｓｎ合金層９
５中のリン濃度が高くなると，半田ボール９１と接続端
子９４との接合強度が劣化し，半田ボール９１の破断の
原因となる。一方，無電解Ｎｉめっきからリンを除くこ
とも考えられる。しかし，この場合には，Ｎｉめっき被
覆の析出が不均一になる。
層９４２から溶出して，Ｎｉ−Ｓｎ合金層９５に拡散
し，その中のリン濃度が増加する。Ｎｉ−Ｓｎ合金層９
５中のリン濃度が高くなると，半田ボール９１と接続端
子９４との接合強度が劣化し，半田ボール９１の破断の
原因となる。一方，無電解Ｎｉめっきからリンを除くこ
とも考えられる。しかし，この場合には，Ｎｉめっき被
覆の析出が不均一になる。
【０００５】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，半田
ボールと接続端子との接合強度に優れたボールグリッド
アレイを提供しようとするものである。
ボールと接続端子との接合強度に優れたボールグリッド
アレイを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，表面に無電解Ｎ
ｉ／Ａｕめっき層を形成してなる接続端子に，外部接続
用の半田ボールを接合してなるボールグリッドアレイに
おいて，上記半田ボールは，金属コアと，該金属コアの
表面を被覆する半田層とからなることを特徴とするボー
ルグリッドアレイである。
ｉ／Ａｕめっき層を形成してなる接続端子に，外部接続
用の半田ボールを接合してなるボールグリッドアレイに
おいて，上記半田ボールは，金属コアと，該金属コアの
表面を被覆する半田層とからなることを特徴とするボー
ルグリッドアレイである。
【０００７】本発明の作用及び効果について説明する。
半田ボールは，金属コアの表面に，Ｓｎ−Ｐｂを主成分
とする半田層を被覆したものである。そのため，半田ボ
ール接続の際の加熱溶融時に，半田以外の金属からなる
金属コアが存在することになる。この金属コアが存在す
ることにより，無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層中に含まれる
ことがあり半田ボールの接合強度の低下の原因となるリ
ンが，Ｎｉ−Ｓｎ合金へ拡散することを抑制できる。従
って，半田ボールと接続端子間の破断を抑制し，接合強
度の低下を抑制できる。
半田ボールは，金属コアの表面に，Ｓｎ−Ｐｂを主成分
とする半田層を被覆したものである。そのため，半田ボ
ール接続の際の加熱溶融時に，半田以外の金属からなる
金属コアが存在することになる。この金属コアが存在す
ることにより，無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層中に含まれる
ことがあり半田ボールの接合強度の低下の原因となるリ
ンが，Ｎｉ−Ｓｎ合金へ拡散することを抑制できる。従
って，半田ボールと接続端子間の破断を抑制し，接合強
度の低下を抑制できる。
【０００８】請求項２の発明のように，上記金属コア
は，銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃ
ｏ）のグループから選ばれる１種又は２種以上からなる
ことが好ましい。これにより，半田ボールの半田層内に
含まれるＳｎの溶出を更に効果的に防止して，Ｎｉ−Ｓ
ｎ合金の生成を一層抑制でき，半田ボールと接続端子と
の間の破断を更に抑制できる。
は，銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃ
ｏ）のグループから選ばれる１種又は２種以上からなる
ことが好ましい。これにより，半田ボールの半田層内に
含まれるＳｎの溶出を更に効果的に防止して，Ｎｉ−Ｓ
ｎ合金の生成を一層抑制でき，半田ボールと接続端子と
の間の破断を更に抑制できる。
【０００９】半田ボールは，例えば，半田浴ディップ
法，めっき法等により金属コアに半田を被覆することに
より形成し，このものは接続端子の上に溶融接合され
る。半田ボールは，半田ボール接合に十分な面積を有す
る接続端子に接合されている。接続端子としては，例え
ば，スルーホールのランド，絶縁基板表面に設けたパッ
ドを用いることができる。
法，めっき法等により金属コアに半田を被覆することに
より形成し，このものは接続端子の上に溶融接合され
る。半田ボールは，半田ボール接合に十分な面積を有す
る接続端子に接合されている。接続端子としては，例え
ば，スルーホールのランド，絶縁基板表面に設けたパッ
ドを用いることができる。
【００１０】接続端子は，例えば，銅（Ｃｕ），ニッケ
ル（Ｎｉ），金（Ａｕ）等を用いて，エッチング，めっ
き等により形成される。接続端子は，１層又は２層以上
の絶縁層からなる基板の上に形成される。絶縁層は，例
えば，エポキシ系，ポリイミド系，ビスマレイミド系の
樹脂にガラス等のフィラーを混合してなる複合基材を用
いることができる。
ル（Ｎｉ），金（Ａｕ）等を用いて，エッチング，めっ
き等により形成される。接続端子は，１層又は２層以上
の絶縁層からなる基板の上に形成される。絶縁層は，例
えば，エポキシ系，ポリイミド系，ビスマレイミド系の
樹脂にガラス等のフィラーを混合してなる複合基材を用
いることができる。
【００１１】半田ボールは，外部接続用の端子であり，
例えば，マザーボード，ドーターボード，メモリーモジ
ュール，マルチチップモジュール，プラスチックパッケ
ージ等の相手部材に接続して，本発明のボールグリッド
アレイと相手部材との電気の授受を行うことができる。
例えば，マザーボード，ドーターボード，メモリーモジ
ュール，マルチチップモジュール，プラスチックパッケ
ージ等の相手部材に接続して，本発明のボールグリッド
アレイと相手部材との電気の授受を行うことができる。
【００１２】
実施形態例 本発明の実施形態例に係るボールグリッドアレイについ
て，図１〜図４を用いて説明する。本例のボールグリッ
ドアレイ６は，図１に示すごとく，外部接続用の半田ボ
ール１を接続端子４８に接合している。半田ボール１
は，金属コア１００と，その表面を被覆する半田層１０
とからなる。
て，図１〜図４を用いて説明する。本例のボールグリッ
ドアレイ６は，図１に示すごとく，外部接続用の半田ボ
ール１を接続端子４８に接合している。半田ボール１
は，金属コア１００と，その表面を被覆する半田層１０
とからなる。
【００１３】接続端子４８は，銅箔にエッチングを施し
てパターン形成した銅層４７と，その表面を被覆する無
電解Ｎｉ／Ａｕめっき層４６とからなる。無電解Ｎｉ／
Ａｕめっき層４６の形成にあたっては，無電解Ｎｉ／Ａ
ｕめっき層を形成すべき銅層４７の表面を露出させ他の
部分はマスクした状態で絶縁基板７を，無電解Ｎｉ／Ａ
ｕめっき槽に浸漬する。無電解Ｎｉ／Ａｕめっき槽に
は，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐ等が溶解している。
てパターン形成した銅層４７と，その表面を被覆する無
電解Ｎｉ／Ａｕめっき層４６とからなる。無電解Ｎｉ／
Ａｕめっき層４６の形成にあたっては，無電解Ｎｉ／Ａ
ｕめっき層を形成すべき銅層４７の表面を露出させ他の
部分はマスクした状態で絶縁基板７を，無電解Ｎｉ／Ａ
ｕめっき槽に浸漬する。無電解Ｎｉ／Ａｕめっき槽に
は，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐ等が溶解している。
【００１４】接続端子４８としては，図３に示すごとく
絶縁基板７の表面に設けたパッド４８１を用いることが
でき，また図４に示すごとくビアホール２１の周囲に形
成されるランド４８２を用いることもできる。
絶縁基板７の表面に設けたパッド４８１を用いることが
でき，また図４に示すごとくビアホール２１の周囲に形
成されるランド４８２を用いることもできる。
【００１５】半田ボール１は，略球状の銅製の金属コア
１００を，溶融半田浴に浸漬して表面を半田１０により
被覆する。金属コア１００は直径６００μｍで，半田層
１０の被覆厚みは８０μｍである。
１００を，溶融半田浴に浸漬して表面を半田１０により
被覆する。金属コア１００は直径６００μｍで，半田層
１０の被覆厚みは８０μｍである。
【００１６】図２に示すごとく，ボールグリッドアレイ
６は，ガラスエポキシ基板からなる多数の絶縁層７を，
プリプレグ接着材７９を介して積層した多層板である。
そして，各絶縁層７の表面には，ビアホール２１のラン
ド４８２，パッド４８１，配線回路４１，ボンディング
パッド４３が設けられており，これらは上記接続端子４
８と同様に銅層とその表面を被覆する無電解Ｎｉ／Ａｕ
めっき層とからなる。
６は，ガラスエポキシ基板からなる多数の絶縁層７を，
プリプレグ接着材７９を介して積層した多層板である。
そして，各絶縁層７の表面には，ビアホール２１のラン
ド４８２，パッド４８１，配線回路４１，ボンディング
パッド４３が設けられており，これらは上記接続端子４
８と同様に銅層とその表面を被覆する無電解Ｎｉ／Ａｕ
めっき層とからなる。
【００１７】ボールグリッドアレイ６には，ビアホール
２１が設けられている。ビアホール２１は，その内壁が
銅等の金属めっき膜２１０により被覆されているととも
に，内部には半田２５が充填されている。
２１が設けられている。ビアホール２１は，その内壁が
銅等の金属めっき膜２１０により被覆されているととも
に，内部には半田２５が充填されている。
【００１８】ボールグリッドアレイの略中央には，電子
部品５０を搭載するための凹状の搭載部５が形成されて
いる。電子部品５０は，銀ペースト等の接着材７７によ
り搭載部５の底部に接合されている。電子部品５０は，
ボンディングワイヤー５０１を介してボンディングパッ
ド４３と電気的に接続しているとともに，封止用樹脂５
９により保護されている。搭載部５の底部側には，放熱
板５５が接着材７８により接着されている。ボールグリ
ッドアレイ６は，半田ボール１をマザーボード８表面の
端子８１に溶融接合することにより，マザーボード８に
搭載される。
部品５０を搭載するための凹状の搭載部５が形成されて
いる。電子部品５０は，銀ペースト等の接着材７７によ
り搭載部５の底部に接合されている。電子部品５０は，
ボンディングワイヤー５０１を介してボンディングパッ
ド４３と電気的に接続しているとともに，封止用樹脂５
９により保護されている。搭載部５の底部側には，放熱
板５５が接着材７８により接着されている。ボールグリ
ッドアレイ６は，半田ボール１をマザーボード８表面の
端子８１に溶融接合することにより，マザーボード８に
搭載される。
【００１９】次に，本例の作用及び効果について説明す
る。図１に示すごとく，半田ボール１は，金属コア１０
０の表面に，Ｓｎ−Ｐｂを主成分とする半田層１０を被
覆したものである。そのため，半田ボール接続の際の加
熱溶融時に，半田以外の金属（Ｃｕ）からなる金属コア
１００が存在することになる。この金属コア１００が存
在することにより，無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層４６中に
含まれることがあり半田ボールの接合強度の低下の原因
となるリンが，Ｎｉ−Ｓｎ合金９５１へ拡散することを
抑制できる。従って，半田ボール１と接続端子４８間の
破断を抑制し，接合強度の低下を抑制できる。
る。図１に示すごとく，半田ボール１は，金属コア１０
０の表面に，Ｓｎ−Ｐｂを主成分とする半田層１０を被
覆したものである。そのため，半田ボール接続の際の加
熱溶融時に，半田以外の金属（Ｃｕ）からなる金属コア
１００が存在することになる。この金属コア１００が存
在することにより，無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層４６中に
含まれることがあり半田ボールの接合強度の低下の原因
となるリンが，Ｎｉ−Ｓｎ合金９５１へ拡散することを
抑制できる。従って，半田ボール１と接続端子４８間の
破断を抑制し，接合強度の低下を抑制できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば，半田ボールと接続端子
との接合強度に優れたボールグリッドアレイを提供する
ことができる。
との接合強度に優れたボールグリッドアレイを提供する
ことができる。
【図１】実施形態例における，半田ボールと導体回路と
の接合状態を示す説明図。
の接合状態を示す説明図。
【図２】実施形態例における，ボールグリッドアレイの
断面図。
断面図。
【図３】実施形態例における，パッドに接合した半田ボ
ールを示す説明図。
ールを示す説明図。
【図４】実施形態例における，ランドに接合した半田ボ
ールを示す説明図。
ールを示す説明図。
【図５】従来例における，半田ボールと導体回路との接
合状態を示す説明図。
合状態を示す説明図。
１．．．半田ボール， １０．．．半田層， １００．．．金属コア， ４７．．．銅層， ４６．．．無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層， ４８．．．接続端子， ６．．．ボールグリッドアレイ， ７．．．絶縁基板，
フロントページの続き (72)発明者 千原 健司 岐阜県大垣市河間町３丁目200番地 イ ビデン株式会社 河間工場内 (56)参考文献 特開 平１−233742（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−291991（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−191073（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 21/60 H05K 3/34
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層を形成
してなる接続端子に，外部接続用の半田ボールを接合し
てなるボールグリッドアレイにおいて，上記半田ボール
は，金属コアと，該金属コアの表面を被覆する半田層と
からなることを特徴とするボールグリッドアレイ。 - 【請求項２】 請求項１において，上記金属コアは，銅
（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）のグ
ループから選ばれる１種又は２種以上からなることを特
徴とするボールグリッドアレイ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16333797A JP3252757B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | ボールグリッドアレイ |
| DE69838586T DE69838586T2 (de) | 1997-06-04 | 1998-06-02 | Lötelement für gedruckte leiterplatten |
| US09/424,582 US6358630B1 (en) | 1997-06-04 | 1998-06-02 | Soldering member for printed wiring boards |
| EP98923088A EP1009202B1 (en) | 1997-06-04 | 1998-06-02 | Soldering member for printed wiring boards |
| PCT/JP1998/002437 WO1998056217A1 (fr) | 1997-06-04 | 1998-06-02 | Element de brasage tendre pour cartes a circuit imprime |
| KR10-1999-7011446A KR100376253B1 (ko) | 1997-06-04 | 1998-06-02 | 인쇄 배선판용 솔더 부재 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16333797A JP3252757B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | ボールグリッドアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335388A JPH10335388A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3252757B2 true JP3252757B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=15771955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16333797A Expired - Lifetime JP3252757B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | ボールグリッドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252757B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010025653A (ko) * | 2001-01-15 | 2001-04-06 | 엄우식 | 칩부품의 외부단자전극 및 그 제조방법 |
| JP2005189187A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Denshi Jiki Kogyo Kk | プローブ装置 |
| KR101036388B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2011-05-23 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 |
| KR101019642B1 (ko) | 2009-04-27 | 2011-03-07 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조 방법 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP16333797A patent/JP3252757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10335388A (ja) | 1998-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100544969B1 (ko) | 프린트배선판 및 그 제조방법 | |
| JP3898891B2 (ja) | バイアプラグアダプター | |
| US7435680B2 (en) | Method of manufacturing a circuit substrate and method of manufacturing an electronic parts packaging structure | |
| US20080315412A1 (en) | Package Structure with Flat Bumps for Integrate Circuit or Discrete Device and Method of Manufacture the Same | |
| KR100298985B1 (ko) | 반도체장치 | |
| WO1998056217A1 (fr) | Element de brasage tendre pour cartes a circuit imprime | |
| KR20000029352A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US5841198A (en) | Ball grid array package employing solid core solder balls | |
| JP2002314000A (ja) | ボール・グリッド・アレイ基板ビア構造 | |
| KR100393271B1 (ko) | 다층 전자부품탑재용 기판의 제조 방법 | |
| JP3252757B2 (ja) | ボールグリッドアレイ | |
| TW201104767A (en) | Semiconductor package with NSMD type solder mask and method for manufacturing the same | |
| JP2943788B2 (ja) | 電子部品搭載用配線基板 | |
| KR100348126B1 (ko) | 반도체장치, 외부접속단자 구조체 및 반도체장치의 제조방법 | |
| JP4112872B2 (ja) | Ｐｇａパッケージのピン表面実装方法 | |
| KR100447895B1 (ko) | 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP3262040B2 (ja) | 携帯機器用電子部品の実装構造 | |
| JP2003133474A (ja) | 電子装置の実装構造 | |
| JP3692810B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2002246510A (ja) | 配線基板及びテープキャリア並びにこれを用いた半導体装置 | |
| JP4562314B2 (ja) | 電子装置の実装構造 | |
| JP3436101B2 (ja) | 半田材料並びにプリント配線板及びその製造方法 | |
| JP2001274203A (ja) | ２メタル基板とｂｇａ構造 | |
| JP2001291800A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| JP2002164463A (ja) | 配線基板およびこれを用いた電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 12 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |