JP3898891B2 - バイアプラグアダプター - Google Patents

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Description

【０００１】
技術分野
本明細書の開示事項は、一般にはんだボール電子回路相互接続部に関し、詳細には、傾斜バイア内のはんだボール接続部を強化するためのバイアプラグアダプターに関する。
【０００２】
背景技術
回路層間の垂直相互接続部は十分に周知されている。米国特許第３，５４１，２２２号には、隣接する回路板またはモジュールの整列配置電極を相互接続するコネクタスクリーンが開示されている。このコネクタスクリーンは、支持用の非導電性材料内に埋め込まれた離間配置導電性コネクタ要素のマトリックスを含み、導電性コネクタ要素は、支持用非導電性材料の両側から突出している。コネクタ要素のサイズおよび間隔は、コネクタスクリーンを回路板またはモジュール間に配置して、電極間に必要な相互接続を提供することができ、コネクタスクリーンを回路板またはモジュールに対して整列配置する必要がないように選択する。コネクタスクリーンを製造するのに好ましい方法は、非導電性基部に隆起部のグリッドパターンを有する導電性成形型を形成することを含む。次に、導電性材料を成形型の隆起部間に流延して、成形型の選択部分を除去して、ウェブの両側から突出する離間配置導電性要素のマトリックスを支持する非導電性材料のウェブを形成する。
【０００３】
米国特許第４，８３０，２６４号には、ピンなしモジュールのための、好ましくはピンなし金属化セラミックモジュールのためのはんだ端子を形成する方法が記載されている。この方法は、基板の上面に形成された導体のパターンと、基板上面から下面まで延在する予備成形バイアホールとを有する基板を形成するステップと、基板下面にある予備成形バイアホールの開口部の少なくとも１つに融剤の雫を塗布し、毛管作用によりバイアホールに融剤を充填して、下面開口部に融剤の塊を形成するステップと、はんだ予備成形物、つまりはんだボールをこれらが付着する融剤の各々の塊上に適用し、予備成形物の体積が、バイアホールの内容積と成形される塊の体積とを加えた値に実質的に等しいステップと、はんだ予備成形物のはんだリフローによって、バイアホールおよびアイレットの内容積にはんだが充填されるように加熱するステップと、はんだの融点未満まで冷却して、溶融はんだが凝固して、バイアホールの位置にはんだ端子が形成され、バイアホール内にはんだコラムが形成されるようにするステップとを含む。結果として得られるピンなし金属化セラミックモジュールは、次のレベルのパッケージ（つまりプリント回路板）と界接するモジュールのＩ／Ｏ間に、一体はんだ端子から成る接続部を有する。各々の一体はんだ端子は、金属化セラミック基板のバイア内のコラムと、基板上面のはんだのマウンドと、基板下面の球状はんだ塊とを含み、次のレベルのパッケージとの相互接続部を形成する。
【０００４】
米国特許第５，４０１，９１３号では、多層回路板は、多層回路板の隣接回路板層間に電気的な相互接続部を含む。バイアホールは、回路板層により提供される。バイアホールには、バイア金属が充填される。バイア金属には、低融点金属がめっきされる。接着フィルムは、回路板層の上に付着される。多層回路板の隣接層は、一緒に積層されて整列配置される。層は、熱および圧力を加えて積層される。低融点金属は、隣接層間に電気的相互接続部を提供する。
【０００５】
米国特許第５，４９１，３０３号には、回路支持基板を含む２つ以上のプリント回路板を、両面の各々の２つ以上のはんだパッドに接続する介入物が開示されている。各々のはんだパッドは、基板内の導電性バイアに接続され、一方の側から他方の側への電気的相互接続を形成する。回路組立体は、介入物の一方の側のはんだ塊をプリント回路板上の対応するはんだパッドにはんだ付けして製造される。介入物の他方の側のはんだパッドは、第２プリント回路板の対応するはんだパッドにはんだ付けされる。
【０００６】
米国特許第５，６００，８８４号には、一方の表面が第１電気回路部材の接続部分に接続され、他方の表面が第２電気回路部材の接続部分に接続される電気回路部材が開示されている。電気接続部材は、電気絶縁部材から成る保持部材を備える。保持部材は、複数の凹んだ穴を有する。接続部材は、電気絶縁部材内に形成されるとともに、互いに絶縁されている複数の導電性部材をさらに備える。導電性部材の一方の端部は、第１電気回路部材の接続部分に接続される保持部材の一方の表面に露出している。導電性部材の他方の端部は、第２電気回路部材の接続部分に接続される保持部材のもう一方の表面に露出している。
【０００７】
米国特許第５，７２６，４９７号には、シリコン半導体基板上に半導体素子を製造する方法であって、半導体基板上に第１応力層を形成するステップと、第１応力層上に相互接続層を形成するステップと、相互接続層上に第２応力層を形成するステップと、第２応力層上に金属間誘電体（ＩＭＤ）層を形成するステップと、金属間誘電体層を貫通するバイア開口部および第２応力層をパターン化およびエッチングするステップと、金属相互接続層の表面に接点領域を露出するステップと、金属相互接続層をバイア内に詰め込むのに十分な温度で素子を加熱するステップとを含む方法が開示されている。
【０００８】
米国特許第５，７５７，０７８号には、電極パッド、つまり複数の絶縁フィルムから成り、接着剤により半導体チップに付着するパッケージを有する半導体チップを備える半導体素子が開示されている。このパッケージは、複数の絶縁フィルム間に挿置された配線パターンを備える。この配線パターンは、バイアホールにより、一方の端部が電極パッドに選択的に接続し、他方の端部が複数の導電性突出部に接続する。この半導体素子は、一番外側の絶縁フィルム内に形成されたバイアホールにより一番外側の配線パターンから延在する複数の導電性突出部をさらに備える。
【０００９】
日本出願第１０−４１３５６号には、ＢＧＡ用途で半導体素子を基板の外側部分に接着する時に接着媒体として使用されるテープ支持体が開示されている。絶縁フィルムは、まっすぐな壁部つまりテープを接着していない壁部を有するバイアを備える。バイア内には導電性ランドが形成され、はんだボールは、一方の側がバイアの内側でランドに係合する。各はんだボールの他の部分は、絶縁フィルムから突出する。
【００１０】
ＩＣパッケージに可撓性回路を使用することは、長年にわたって増えつつある傾向であり、可撓性回路誘電体を貫通するバイア接続部がテープボールグリッドアレイ（ＴＢＧＡ）ＩＣパッケージ用途に使用され、最近ではチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）用途に使用されるようになってきた。ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）用途では、バイア相互接続部は、従来の表面実装組立体の実施のように、先ずバイアを介して可撓性回路に接続するためにリフローされ、次にプリント回路板上にリフローされるはんだボールを従来使用する。
【００１１】
このはんだボール接続は、可撓性回路からプリント回路板までを確実に電子的に相互接続しなければならない。こうした確実性は、可撓性回路に対するはんだ接続の領域に直接関係することが多く、こうした相互接続の一般的な不具合は、はんだボールが最小断面籍の位置ではんだ材料を剪断することである。したがって、最低はんだボール相互接続信頼性要件を満たすように剪断応力が分布する面積を増やすために、より大きいバイアが望ましい。
【００１２】
逆に、より小さい電子パッケージおよびより高度な入出力（Ｉ／Ｏ）に対する必要性から、バイアのサイズをより小さくするなど、配置密度を高めて、電子回路トレースをはんだボールバイア領域間に配置できるようにする必要がある。したがって、バイアがより小さい場合、バイア捕獲パッドをより小さくして、プリント回路板の相互接続バイア間に電子回路トレースを配置する空間を増やす必要がある。
【００１３】
従来、誘電体内のバイアは、まっすぐな壁を有するバイアを誘電体に打ち抜いて残すことにより製造される。その他の方法としては、誘電体を化学的に融解させてレーザーで穴あけし、可撓性回路の金属導体を露出させる方法がある。これらのどのバイア法の場合にもはんだボールを直接取り付けて、バイアの直径が一般に０．２００ｍｍを超えて電子パッケージの最低信頼性要件に適合するように、バイアのサイズによってはんだボールの相互接続の確実性を調節する。
【００１４】
したがって、強力かつ確実なはんだボール接続を可撓性回路に提供し、バイアおよびバイア捕獲パッドの直径が小さく、より多くの電子回路トレースを配置する空間を増やすことができるようにする装置および方法が必要とされている。
【００１５】
発明の開示
したがって、一実施態様では、強度強化はんだボール接続部を可撓性回路に提供し、バイアの直径を小さくして可撓性回路の配置可能性を改善し、より高度なＩ／Ｏおよびより微細なピッチフレックスに基づくＢＧＡパッケージ用途に対処する。このため、回路は、第１表面および第２表面を有する誘電体層を備える基板を含む。導電性層は第１表面にある。傾斜バイアは、誘電体層内に形成され、第１の幅の第１開口部を第１表面に有し、第１の幅より大きい第２の幅の第２開口部を第２表面に有する。導電性プラグはバイア内に形成され、導電性層に接続し、第１開口部に隣接する部分から第２開口部まで延在する。このプラグは、プラグ界面で第２開口部に隣接して終端する。導電性はんだボールは、プラグ界面に接続し、延在して第２表面から突出する。
【００１６】
この実施態様の主な利点は、バイアアダプタープラグによって、小さいバイア（直径０．２００ｍｍ未満）で可撓性回路に確実なはんだボール接続部を形成できることである。こうしたバイアプラグアダプターの概念を利用すると、はんだボール相互接続部の確実性を犠牲にして、高度なＩ／Ｏ、微細なピッチフレックスに基づくＩＣパッケージ用途の配置要件を満たす必要がなくなる。可撓性回路の一般的な設計規則を使用すると、より小さいバイアは、より小さいバイア捕獲パッドを可能にし、したがって電子回路トレースを配置するバイア捕獲パッド間の空間を増やすことができる。
【００１７】
好適な実施態様の詳細な説明
図１に示す一実施態様では、可撓性回路１０は、可撓性誘電体材料から成る基板１２を含む。基板１２は、厚さＴ１が１２μｍ〜２５μｍのポリマーまたはその他の適切な材料である。ポリマーは、ポリイミド、ポリエステル、または電子回路用途で周知されているその他のポリマーで良い。基板１２は、第１表面１４および反対側の第２表面１６をさらに備える。銅、金めっき銅、金またはその他の適切な材料から成る導電性層１８は、第１表面１４に形成され、複数の導電性捕獲パッド２０、および捕獲パッド２０間に配置された複数の導電性トレース２２を備える。
【００１８】
複数の傾斜バイア２４は、基板１２内に形成される。各々のバイア２４は、第１の幅Ｗ１の第１開口部２６を第１表面１４に有し、第２の幅Ｗ２の第２開口部２８を第２表面１６に有する。第２の幅Ｗ２は、第１の幅Ｗ１より大きい。傾斜バイア２４は、２０°〜８０°の角度、好ましくは２０°〜４５°の角度で第１表面１４から傾斜する側壁３０を備える。第１開口部２６は図１Ａでは円形であり、図１Ｂでは長円形だが、その他の適切な形状で良く、第１の幅Ｗ１は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍである。
【００１９】
図１および図２の導電性プラグ３２は、傾斜バイア２４内に形成され、第１開口部２６に隣接する第１プラグ界面３４から第２開口部２８に向かって延在する。プラグ３２は、第２開口部２８に隣接して第２プラグ界面３６で終端する。第１プラグ界面３４は、導電性捕獲パッド２０に接続される。第２プラグ界面３６は、ドーム形である。第２プラグ界面３６は、第１表面１４と第２表面１６との間で終端するように形成するか、ドームの一部分が図３の第２表面１６から外側に延在するように形成するか、または図３のドーム状表面全体が図４の第２表面１６から外側に延在するように形成することができる。したがって、第１プラグ界面３４から第２プラグ界面３６まで延在するプラグの厚さまたは高さＴ２の範囲は異なるが、図２では少なくとも５μｍである。
【００２０】
図５の導電性はんだボール３８は、第１はんだボール表面４０において第２プラグ界面３６に接続し、第２基板表面１６から突出する。はんだボール３８は、プリント回路板４４に係合する第２はんだボール表面４２で終端する。プラグ３２およびはんだボール３８は、各種の適切な材料から形成することができる。たとえば、プラグ３２は、共融錫−鉛はんだから形成されたはんだボール３８に係合する高温錫−鉛はんだから形成することができる。また、プラグ３２は、錫−鉛はんだから形成されたはんだボール３８に係合する銅から形成しても良い。導電性要件に適合し、はんだボール材料より強力な剪断強度を有するプラグ材料を提供する条件を満たすその他の組合せを使用しても良い。さらに他の実施例として、プラグ３２は、錫−鉛はんだから形成されたはんだボール３８と係合するニッケルから形成することができる。さらに、結合を改善するには、界面コーティング４６を捕獲パッド２０と第１プラグ界面３４との間に形成する。コーティング４６は、金、パラジウムおよびニッケル−金から選択する適切な材料から形成することができる。さらに、プラグ３２とはんだボール３８との間の結合は、これらの間にもう一つの界面コーティング４８を形成して改善することもできる。コーティング４８は、金、パラジウムおよびニッケル−金から選択する適切な材料から形成することもできる。
【００２１】
図１の傾斜バイア２４は、並置構成で離間配置されている。捕獲パッド２０は、各々の第１開口部２６に形成される。したがって、捕獲パッド２０も、並置構成で離間配置される。バイア２４間の間隔は、中心間の距離Ｄが０．２５ｍｍ〜約１．２７ｍｍである。この間隔では、少なくとも３つのトレース２２を並置捕獲パッド２０間に通すことができる。
【００２２】
図６では、回路１０は、第１誘電体層１２ａおよび第２誘電体層１３を含む基板を備える。第１誘電体層１２ａは、第１表面１４ａおよび第２表面１６ａを備える。誘電体層１８ａは、第１誘電体層１２ａと第２誘電体層１３との間の第１表面１４ａに形成される。傾斜バイア２４は、上記の第１誘電体層１２ａ内に形成される。また、第２誘電体層１３は、上記のポリマー材料から形成される。層１２ａおよび１３の一方は、他の層のカバーコートとして形成される。
【００２３】
十分に周知されているテープボールグリッドアレイ（ＴＢＧＡ）パッケージは、集積回路（ＩＣ）がバイアのアレイに囲まれたキャビティ内に実装された基板を一般に備える。ＩＣからのリードは、バイアに相互接続する。図７および図８に示す本発明の一実施態様は、基板がＩＣと実質的に同じ表面積であるようにする実質的な改良を開示する。こうした改良は、上記のテーパ付きバイアの開口部のサイズを縮小して行うことができる。したがって、開口部の縮小サイズにより得られる利点によって、バイア間に配置されるトレースを増加することができる。また、逆のバイア開口部またはより大きいバイア開口部は表面接触を増加し、はんだボールの剪断強度を改善する。図７のチップスケールパッケージ１００は、第１表面１１４および第２表面１１６を有する基板１１２を備える。第１表面１１４の表面積Ａ１は、基板１１２上に取り付けられたＩＣ１５０の第２表面積Ａ２と実質的に同じである。第１表面１１４領域の部分上の導電性層１１８は、リード１５２によりＩＣ１５０に接続する。基板１１２の表面１１４の接着剤層１５５、およびＩＣ１５０上の接着剤層１５７は、これらの間の介入物層１５４により相互接続される。介入物層１５４は、たとえば、フォームまたはエラストマー材料などのような可撓性材料、またはセラミックもしくは銅シートなどのような非可撓性材料で良い。基板１１２は、上記の複数の傾斜バイア１２４を備える。各々のバイアは、第１表面１１４に第１開口部１２６、および第２表面１１６に第２開口部１２８を備える。第２の幅は、本明細書に記載するように第１の幅より広い。プラグ１３２は、第１開口部１２６に隣接する部分から第２開口部１２８に隣接する部分まで延在し、プラグ界面１３６で終端するように各バイア内に形成される。導電性はんだボール１３８はプラグ界面１３６に接続し、第２表面１１６から延在してプリント回路板１４４に接続する。したがって、複数のはんだボール１３８は、基板１１２の第２表面１１６全体で均一であるとともに、反対側の表面１１４にＩＣパッケージを実装するのに必要な、一般に従来周知されている空間によって妨げられないアレイを提供する。
【００２４】
図示のとおり、上記の実施態様の主な利点は、小さい（直径０．２００ｍｍ未満）バイアにより、可撓性回路に対する確実なはんだボール接続部を形成することができることである。バイアプラグアダプターの概念を使用すると、はんだボール相互接続部の確実性を犠牲にしなくても、高度なＩ／Ｏおよび微細ピッチフレックスに基づくＩＣパッケージ用途の配置要件に適合させることができる。可撓性回路の一般的な設計規則を使用すると、より小さいバイアによってより小さいバイア捕獲パッドが可能であり、したがって、電子回路トレースを配置するバイア捕獲パッド間の空間を増やすことができる。一例として、直径０．０８５ｍｍの傾斜バイア内にバイアプラグアダプターを使用すると、はんだボール相互接続部の確実性が、１つのトレースしか配置できない直径０．３００ｍｍのバイアの場合と同様であるように、４つのトレースを捕獲パッド間に配置することができる。
【００２５】
上記は、従来のはんだボールをバイアプラグアダプターの新奇な用途で使用して、微細機構の可撓性回路と粗い機構のプリント回路板のはんだボールパッド間にｚ軸バイア相互接続部を有する可撓性回路について記述している。このバイアプラグアダプターのこうした用途の１つは、プリント回路板の相互接続部に対するＢＧＡのＩＣパッケージにおける可撓性回路用途である。
【００２６】
バイアプラグアダプターは、傾斜バイア内に追加的にめっきされた金属プラグである。追加のめっき工程を使用してプラグを形成するほかに、はんだリフローなどの工程を使用してバイアプラグを形成することができる。このバイアプラグアダプターは、切頭体（平行な２面間の固体）形の金属機構であり、第２界面ではわずかにドーム形をしている。切頭体のｚ方向の厚さは傾斜バイア内で増加するので、従来のはんだボールを取り付けるための表面積が著しく増加し、小さいバイアが、大きいバイア用途の場合と同様のはんだボール相互接続部の確実性を有することを可能にする機械的アダプターを形成する。
【００２７】
可撓性回路で小さいバイアが可能になると、可撓性回路の配置可能性が改善され、より高度のＩ／Ｏおよびより微細なピッチフレックスに基づくＢＧＡパッケージ用途に対処することができる。
【００２８】
したがって、一実施態様は、第１表面および第２表面を有する誘電体層を備える基板を含む回路を提供する。導電性層は、第１表面にある。傾斜バイアは、誘電体層内に形成される。このバイアは、第１の幅の第１開口部を第１表面に有し、第１の幅より大きい第２の幅の第２開口部を第２表面に有する。導電性プラグは導電性層に接続され、バイア内に形成されて、第１開口部に隣接する部分から第２開口部に向かって延在する。プラグは、第２開口部に隣接してプラグ界面で終端する。導電性はんだボールは、プラグ界面に接続し、延在して第２表面から突出する。
【００２９】
もう１つの実施態様は、第１表面および第２表面を有する誘電体層を備える基板を含む回路を提供する。導電性層は第１表面にある。傾斜バイアは、誘電体層内に形成される。このバイアは、第１の幅の第１開口部を第１表面に有し、第１の幅より大きい第２の幅の第２開口部を第２表面に有する。導電性プラグは導電性層に接続し、バイア内に形成されて、第１開口部に隣接する部分から第２開口部に向かって延在する。プラグは、第２開口部に隣接してプラグ界面で終端する。導電性はんだボールは、第１はんだボール表面がプラグ界面に接続する。はんだボールは、延在して第２表面から突出し、第２はんだボール表面で終端する。プリント回路板は、第２はんだボールの表面に係合する。
【００３０】
さらにもう１つの実施態様では、回路は、第１表面および第２表面を有する誘電体層を備える基板を含む。並置された一対の傾斜バイアは、誘電体層内に形成される。各々のバイアは、第１の幅の第１開口部を第１表面に有し、第１の幅より大きい第２の幅の第２開口部を第２表面に有する。各々のバイアは、第１開口部に隣接して第１プラグ界面を有する導電性プラグを備える。各々のプラグは、第１プラグ界面に隣接する部分から第２開口部に向かって延在する。各々のプラグは、第２開口部に隣接して第２プラグ界面で終端する。導電性はんだボールは、各々のバイアに形成され、第１はんだボール表面が個々の第２プラグ界面に係合し、延在して第２表面から突出する。各々のはんだボールは、第２はんだボール表面で終端する。プリント回路板は、第２はんだボール表面に係合する。導電性捕獲パッド層は、各々のプラグの第１界面に係合し、並置および離間配置された捕獲パッド層を形成する。複数の導電性トレースは、並置された捕獲パッド層間に延在する。
【００３１】
さらに他の実施態様は、はんだボールを可撓性回路基板内のバイアに取り付ける方法を提供する。この方法は、第１表面および第２表面を有する可撓性回路基板内に傾斜バイアを形成して行われる。第１バイア開口部は第１表面に形成され、第１の幅を有する。第２バイア開口部は第２表面内に形成され、第１の幅より大きい第２の幅を有する。導電性層は、第１開口部に形成される。導電性プラグは、導電性層に接続された傾斜バイア内に形成され、プラグは第１表面に隣接する部分から第２表面に向かって延在する。プラグは、第２表面に隣接するプラグ界面で終端する。導電性はんだボールは、プラグ界面に係合する。はんだボールは、第２表面から突出するように延在する。
【００３２】
具体的な実施態様を示して説明してきたが、上記の開示事項には、広範な変形、変更および代用が考えられ、場合によっては、実施態様のいくつかの特徴を使用し、対応してその他の特徴を使用しなくても良い。したがって、添付の請求の範囲は、本明細書の実施態様の範囲に一致するように広く解釈するべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 複数のはんだボールにより回路板に相互接続される基板の一実施態様を示す側面図である。
【図１Ａ】 円形バイア開口部を示す上面図である。
【図１Ｂ】 長円形バイア開口部を示す上面図である。
【図２】 テーパ付きバイア内のプラグの一実施態様を示す側面図である。
【図３】 テーパ付きバイア内のプラグの一実施態様を示すもう１つの側面図である。
【図４】 テーパ付きバイア内のプラグの一実施態様を示すもう一つの側面図である。
【図５】 はんだボールにより回路板に相互接続された基板の一実施態様を示す側面図である。
【図６】 はんだボールにより回路板に相互接続された２層基板の一実施態様を示す側面図である。
【図７】 ＩＣチップが基板に接続されたチップスケールパッケージの一実施態様を示す側面図である。
【図８】 図７の線８−８に沿って切った基板の図である。

Claims (8)

  1. 第１表面および第２表面を有する誘電体層からなる可撓性基板と、
    前記第１表面上にあって前記誘電体層と共に可撓性回路を形成する導電性層と、
    前記誘電体層内に形成され、第１の幅の第１開口部を前記第１表面に有し、前記第１の幅より大きい第２の幅の第２開口部を前記第２表面に有する傾斜バイアと、
    前記傾斜バイア内に形成されており、前記第１開口部を介して前記導電性層に接続され、前記第１開口部に隣接する部分から前記第２開口部に向かって延在し、前記第２開口部に隣接して前記第１表面と第２表面の間にあるプラグ界面で終端する導電性プラグと、
    前記導電性プラグに接続され、前記第２表面から突出するように延在する導電性はんだボールと、
    を含む回路。
  2. 前記誘電体層が、ポリイミドおよびポリエステルから選択されるポリマー材料から形成され、１２μｍ〜１２５μｍの厚さを有し、前記導電性層が金または銅から形成される請求項１記載の回路。
  3. 前記傾斜バイアが、前記第１表面から２０°〜８０°の角度で傾斜する側壁を有する、請求項１記載の回路。
  4. 前記プラグ界面がドームを形成する、請求項１記載の回路。
  5. 前記導電性プラグが前記第１表面から前記プラグ界面まで延在する厚さを有し、前記導電性プラグの厚さが少なくとも５μｍである、請求項１記載の回路。
  6. 前記導電性はんだボールが錫−鉛はんだから形成され、前記導電性プラグが導電性材料から形成され、前記導電性プラグを形成する導電性材料は前記導電性はんだボールを形成する錫−鉛はんだより強い剪断強度を有する、請求項１記載の回路。
  7. 前記導電性層と前記導電性プラグとの間にある界面コーティングであって、金、パラジウムおよびニッケル−金から成る群から選択される界面コーティングと、
    前記導電性プラグの前記プラグ界面と前記導電性はんだボールとの間にある界面コーティングであって、金、パラジウムおよびニッケル−金から成る群から選択される界面コーティングと、
    をさらに含む、請求項６記載の回路。
  8. 第１表面および第２表面を有する誘電体層からなる可撓性基板と、
    並置された一対の傾斜バイアであって、各々の傾斜バイアが、前記誘電体層内に形成され、第１の幅の第１開口部を前記第１表面に有し、前記第１の幅より大きい第２の幅の第２開口部を前記第２表面に有する傾斜バイアとを含み、
    各々の傾斜バイアが、前記第１開口部に隣接する第１プラグ界面を有する導電性プラグを備え、
    各々の導電性プラグが、前記第１プラグ界面から前記第２開口部に向かって延在して、前記第１表面と前記第２表面との間で前記第２開口部に隣接する第２プラグ界面で終端し、
    各々の傾斜バイアに形成された導電性はんだボールであって、各々の導電性はんだボールが、個々の第２プラグ界面に係合する第１はんだボール表面を有し、前記第２表面から突出するように延在し、第２はんだボール表面で終端する導電性はんだボールと、
    前記第２はんだボール表面に係合するプリント回路板と、
    各々の導電性プラグの前記第１プラグ界面に係合し、並置および離間配置された捕獲パッド層を形成する導電性捕獲パッド層と、
    前記並置および離間配置された捕獲パッド層の間に延在する複数の導電性トレースと、
    を含む回路。
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