JP2004311407A - 電子放出用複合粒子及びその製造方法,電子放出源及びその製造方法,電子放出エミッタ形成用組成物,及び電界放出表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 金属,酸化物及びセラミック物質からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなるマトリクス粒子2と,マトリクス粒子2の内部に一部が埋っており,他部は表面に突出しているカーボン系物質の個体3と,を有することを特徴とする電子放出用複合粒子1が提供される。
【選択図】 図1
Description
a)金属粒子前駆体物質を溶媒に溶解して溶液を製造する工程と,
b)溶液にカーボン系物質を添加し,混合する工程と,
c)金属粒子前駆体物質を還元し,金属粒子を生成して成長させる工程と,
を含むことを特徴とする電子放出用複合粒子の製造方法が提供される。
a)非極性溶媒に界面活性剤を分散し,第1溶液を製造する工程と,
b)金属塩が溶けている極性溶媒にカーボン系物質が分散し,第2溶液を製造する工程と,
c)第1溶液と第2溶液とを混合し,ミセルまたは逆ミセルを製造した後,還元剤を添加して金属粒子を生成して成長させる工程と,
d)ミセルまたは逆ミセルを熱処理して非極性溶媒と界面活性剤とを除去し,カーボン系物質と金属粒子とが結合した複合粒子を製造する工程と,
を含むことを特徴とする電子放出用複合粒子の製造方法が提供される。
a)金属粒子前駆体または無機物粒子前駆体の溶液にカーボン系物質を分散する工程と,
b)カーボン系物質の分散液の液滴を生成する工程と,
c)液滴を不活性キャリアガスと混合して高温の管型反応器を通過させ,瞬間的に液滴を熱分解する工程と,
を含み,
カーボン系物質の個体が,金属粒子または無機物粒子の内部に部分的に浸漬されると共に,一端を表面に突き出したことを特徴とする電子放出用複合粒子の製造方法が提供される。
AgNO340g,NH4OH1g,NaBH42g及びカーボンナノチューブ0.5gを混合して,Ag粒子を生成,成長させた。Ag粒子が成長しながら内部と表面にカーボンナノチューブが付着している複合粒子を得た。
非極性溶媒に5wt%のポリアクリレート樹脂を分散させて第1溶液を製造した。AgNO3が溶けている極性溶媒に,カーボンナノチューブ5wt%を分散させて第2溶液を製造した。第1溶液と第2溶液を1:20の比率で混合してAgイオンとカーボンナノチューブが所定の濃度で存在する逆ミセルを形成した。ここに還元剤を添加してAgイオンを還元してAg粒子を生成,成長させた。逆ミセル内に分散されているカーボンナノチューブが生成,成長するAg粒子と結合した。逆ミセルを含む溶液を200℃で熱処理して溶媒とポリアクリレート樹脂を除去してAg−CNT複合粒子を得た。
1MAgNO3水溶液にカーボンナノチューブ(CNT)粉末を0.5g/100mlの濃度で分散して溶液を製造した。本実施例の複合粒子は図3に示した装置を使用して製造した。溶液を攪拌してCNTが均等に分散されるようにした後,超音波噴霧装置を利用して液滴を発生させた。発生した液滴を,流量1l/minのN2キャリアガスに混合して400℃の管型反応器12内に流した。
実施例1の複合粒子とガラスフリットを2.5:1の比率で混合した後,ボールミリングした。その後,テルピネオール溶媒にエチルセルロースバインダー樹脂を溶かしたビークル(vehicle)を混合した後,攪拌してペースト組成物を製造した。ペースト組成物を3−ロールミルを利用して複合粒子を分散させた。次いで,基板上にスクリーン印刷法で印刷,乾燥,露光した後,現像してパターンを形成し,600℃の温度で焼成して電子放出源を製造した。
実施例1の複合粒子,分散剤(ポリアクリレート樹脂)及び純水を混合して製造した分散液を図6に示された超音波容器30に一杯に入れた後,超音波処理を行なった。超音波容器30に電極板32とパターンが形成されたカソード電極34を超音波容器30に一定間隔で設置して外部端子に任意調整されたバイアス電圧を印加して1秒〜数分間,複合粒子をカソード電極34に沈着されるようにした。その後,基板を蒸留水で洗浄し,乾燥して電子放出源を製造した。
実施例1の複合粒子の代わりにCNTを使用したことを除いては実施例4と同様な方法で電子放出源を製造した。
2 マトリクス粒子
3 カーボン系物質の個体
Claims (35)
- 金属,酸化物及びセラミック物質からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなるマトリクス粒子と,
前記マトリクス粒子の内部に一部が埋っており,他部は表面に突出しているカーボン系物質の個体と,
を有することを特徴とする電子放出用複合粒子。 - 前記マトリクス粒子は,Ag,Al,Ni,Cu,Zn,SiO2,MgO,TiO2及びAl2O3からなる群より選択される物質からなることを特徴とする請求項1に記載の電子放出用複合粒子。
- 前記カーボン系物質は,カーボンナノチューブ,ダイアモンド,ダイアモンド−ライクカーボン,黒鉛及びカーボンブラックからなる群より選択されることを特徴とする請求項1または2に記載の電子放出用複合粒子。
- 前記カーボン系物質の表面積は,前記電子放出用複合粒子の全表面積の少なくとも30%以上を占めることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子放出用複合粒子。
- 請求項1〜4に記載の電子放出用複合粒子からなる電子放出源。
- 前記電子放出源の表面は,0.001μm以上の表面粗度を有することを特徴とする請求項5に記載の電子放出源。
- 前記電子放出源の表面は,0.001μm〜10μmの表面粗度を有することを特徴とする請求項6に記載の電子放出源。
- 金属,酸化物及びセラミック物質からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなるマトリクス粒子と,前記マトリクス粒子の内部に一部が埋っており,他部は表面に突出しているカーボン系物質の個体とを有する電子放出用複合粒子の集合体で形成されたことを特徴とする電子放出源。
- 前記マトリクス粒子は,Ag,Al,Ni,Cu,Zn,SiO2,MgO,TiO2及びAl2O3からなる群より選択された物質からなることを特徴とする請求項8に記載の電子放出源。
- 前記カーボン系物質は,カーボンナノチューブ,ダイアモンド,ダイアモンド−ライクカーボン,黒鉛及びカーボンブラックからなる群より選択されることを特徴とする請求項8または9に記載の電子放出源。
- 前記カーボン系物質の表面積は,前記電子放出用複合粒子の全表面積の少なくとも30%以上を占めることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の電子放出源。
- 前記電子放出源の表面は,0.001μm以上の表面粗度を有することを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載の電子放出源。
- 前記電子放出源の表面は,0.001μm〜10μmの表面粗度を有することを特徴とする請求項12に記載の電子放出源。
- a)金属粒子前駆体物質を溶媒に溶解して溶液を製造する工程と,
b)前記溶液にカーボン系物質を添加し,混合する工程と,
c)前記金属粒子前駆体物質を還元し,金属粒子を生成して成長させる工程と,
を含むことを特徴とする電子放出用複合粒子の製造方法。 - 前記金属粒子前駆体物質は,金属塩であることを特徴とする請求項14に記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記金属塩は,Ag,Al,Ni,Cu及びZnからなる群より選択される金属を含む塩であることを特徴とする請求項15に記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記カーボン系物質は,カーボンナノチューブ,ダイアモンド,ダイアモンド−ライクカーボン,黒鉛及びカーボンブラックからなる群より選択されることを特徴とする請求項14〜16のいずれかに記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- a)非極性溶媒に界面活性剤を分散した第1溶液を製造する工程と,
b)金属塩が溶けている極性溶媒にカーボン系物質を分散した第2溶液を製造する工程と,
c)前記第1溶液と前記第2溶液とを混合し,ミセルまたは逆ミセルを製造した後,還元剤を添加して金属粒子を生成して成長させる工程と,
d)前記ミセルまたは逆ミセルを熱処理して前記非極性溶媒と前記界面活性剤とを除去し,前記カーボン系物質と前記金属粒子とが結合した複合粒子を製造する工程と,
を含むことを特徴とする電子放出用複合粒子の製造方法。 - 前記第1溶液/前記第2溶液の混合濃度比が,0.5〜30であることを特徴とする請求項18に記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記金属塩は,Ag,Al,Ni,Cu及びZnからなる群より選択される金属を含む塩であることを特徴とする,請求項18または19に記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記カーボン系物質は,カーボンナノチューブ,ダイアモンド,ダイアモンド−ライクカーボン,黒鉛及びカーボンブラックからなる群より選択されることを特徴とする請求項18〜20のいずれかに記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- a)金属粒子前駆体または無機物粒子前駆体の溶液にカーボン系物質を分散する工程と,
b)前記カーボン系物質の分散液の液滴を生成する工程と,
c)前記液滴を不活性キャリアガスと混合して高温の管型反応器を通過させ,瞬間的に前記液滴を熱分解する工程と,
を含み,
前記カーボン系物質の個体が,金属粒子または無機物粒子の内部に部分的に浸漬されると共に,一端を表面に突き出したことを特徴とする電子放出用複合粒子の製造方法。 - 前記液滴は,超音波噴霧装置,ノズル装置または気相噴霧装置を利用して形成されることを特徴とする請求項22に記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記管型反応器の温度は,200〜1000℃であることを特徴とする請求項22または23に記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記金属粒子前駆体は,金属塩であることを特徴とする請求項22〜24のいずれかに記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記金属塩は,Ag,Al,Ni,Cu及びZnからなる群より選択される金属を含む塩であることを特徴とする請求項25に記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記無機物粒子前駆体は,Siアルコキシドであることを特徴とする請求項22〜26のいずれかに記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記カーボン系物質は,カーボンナノチューブ,ダイアモンド,ダイアモンド−ライクカーボン,黒鉛及びカーボンブラックからなる群より選択されることを特徴とする請求項22〜27のいずれかに記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 前記金属粒子前駆体または無機物粒子前駆体の溶液は,0.001〜10M濃度で金属粒子前駆体または無機物粒子前駆体を含むことを特徴とする請求項22〜28のいずれかに記載の電子放出用複合粒子の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項による電子放出用複合粒子を含むことを特徴とする電子放出エミッタ形成用組成物。
- 請求項14〜29のいずれか1項によって製造された電子放出用複合粒子を含むことを特徴とする電子放出エミッタ形成用組成物。
- 請求項30に記載の電子放出エミッタ形成用組成物を印刷して形成された電子放出源を含むことを特徴とする電界放出表示素子。
- 請求項31に記載の電子放出エミッタ形成用組成物を印刷して形成された電子放出源を含むことを特徴とする電界放出表示素子。
- 請求項1〜4のいずれか1項による電子放出用複合粒子,溶媒及び分散剤を含む分散液を超音波容器に入れる工程と,
前記超音波容器に電極板と電子放出源のパターンが形成されたカソード電極とを所定間隔で設置し,電圧を印加して前記電子放出用複合粒子を前記カソード電極に沈着させる工程と,
を含むことを特徴とする電子放出源の製造方法。 - 請求項14〜29のいずれか1項によって製造された電子放出用複合粒子,溶媒及び分散剤を含む分散液を超音波容器に入れる工程と,
前記超音波容器に電極板と電子放出源のパターンが形成されたカソード電極とを所定間隔で設置し,電圧を印加して前記電子放出用複合粒子を前記カソード電極に沈着させる工程と,
を含むことを特徴とする電子放出源の製造方法。
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