JP5376197B2 - ナノ炭素材料複合体の製造方法 - Google Patents
ナノ炭素材料複合体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5376197B2 JP5376197B2 JP2008061892A JP2008061892A JP5376197B2 JP 5376197 B2 JP5376197 B2 JP 5376197B2 JP 2008061892 A JP2008061892 A JP 2008061892A JP 2008061892 A JP2008061892 A JP 2008061892A JP 5376197 B2 JP5376197 B2 JP 5376197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanocarbon material
- nanocarbon
- silicon oxide
- electron
- material composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 140
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 title claims description 138
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 72
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 61
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 55
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 5
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- -1 transition metal silicon oxide Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 23
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Description
しかしながら、この方法においても、触媒となる金属の粒径や化学状態を制御することが困難であり、ナノ炭素材料の構造を制御して合成することができない。このため、実用化の際に要求される、所望の構造の材料を作り分けて得ることはできず、結果的に収率が低下することは避けられなかった。
本発明の第二の目的は、ナノ炭素材料の種類や形状を制御して、かつ高い収率で合成できる、ナノ炭素材料複合体の製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の第三の目的は、上記ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス、例えば電子放出能及びその均一性と安定性に優れた電子放出素子やこの電子放出素子を適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子を提供することにある。
上記構成によれば、熱化学気相成長法を用い、かつ、酸化シリコン粒子を金属触媒の下地として用い、酸化シリコン触媒粒子とするので、触媒の径を制御しかつ均一に作製することができ、これによりナノ炭素材料の径の制御が可能となる。
上記構成によれば、電子放出素子材料を、酸化シリコン粒子とナノ炭素材料とを一体化した複合体としている。また、酸化シリコン粒子を核として、粒状集合体が均一に形成されているため、電子放出特性、すなわち電子放出能ならびに均一性、信頼性が向上する。
ここで、酸化シリコン粒子は、ナノ炭素材料を束ねる核として機能するが、酸化シリコンは化学的に非常に安定な物質であるため、様々なプロセスにおいても高い耐性を持つことから、実用用途における特性に悪影響を及ぼすことはない。また、らせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料で構成されるため、最も一般的なナノ炭素材料であるカーボンナノチューブと異なり、中空構造を持たず構造的に密であるため、より高性能かつ高信頼性の電子放出特性を得ることができる。
最初に、本発明のナノ炭素材料複合体について説明する。
図1は本発明のナノ炭素材料複合体の構成を示す模式断面図である。図1に示すように、本発明のナノ炭素材料複合体1は、核となる酸化シリコン粒子2と、酸化シリコン粒子2上に成長したナノ炭素繊維3とからなる。ナノ炭素繊維3はファイバー状のナノ炭素材料(以下「ファイバー状ナノ炭素繊維材料」ということもある)とらせん構造を有するファイバー状ナノ炭素繊維材料とからなるものである。図1では、ナノ炭素繊維3が直接酸化シリコン粒子2上に存在する場合を示しているが、ナノ炭素繊維3が、金属あるいは酸化物をはじめとする金属化合物を介して酸化シリコン粒子2上に存在する場合もある。
図2は本発明のナノ炭素材料複合体の製造工程を示し、(a)は酸化シリコン粒子22に遷移金属触媒を担持した酸化シリコン触媒粒子24を、(b)は製造されたナノ炭素材料複合体21を、模式的に示す図である。
図2(a)に示すように、本発明に用いる酸化シリコン粒子22は工業的に研磨用として市販されているものでよく、高い比表面積を有するもので、望ましくは、10m2/g以上のものを用いることにより、特に良好な反応効率並びに均一性を得ることができる。
触媒担体へ金属触媒を担持するには、所定量の金属塩、例えばパラジウムアセテートなどに所定量の酸化シリコン粒子22を加え、その後で過剰の水を蒸発させ、乾燥後400〜500℃の空気気流中で焼成して金属塩の分解と酸化を起こさせ、金属塩を酸化物に転換する。焼成温度はこれより低いと十分に硝酸塩などの不純物を除去できず、活性を発現しないか又は活性が低下するので好ましくない。
次に、原料としての炭化水素気体、例えばエチレンを600〜700℃に保持した触媒層上へ流して反応させる。この場合、炭化水素気体は不活性ガスに混合するか又は不活性ガスと切り替えて流すことができる。不活性ガスとしては、アルゴン(Ar)、窒素(N2)、ヘリウム(He)などのガスを用いればよい。反応管の形式は特に限定されるものでなく、固定床流通系でも流動床反応器を用いてもよい。
図3は、本発明の電子放出素子31の構成を模式的に示す断面図である。本発明の電子放出素子31は、例えば0.1〜10V/μmの強電界により電子を放出する素子である。電子放出素子31は、基体32と、基体32上に形成された接着性を有する導電層33と、接着性を有する導電層33上に配設されたナノ炭素材料複合体34とからなる。即ち、電子放出素子31は、基体32上に形成された導電層33上に、ナノ炭素材料複合体34を配して構成される。
図4に示す電子放出素子41は、基体42と、基体42上に形成された第一の導電層43と、第一の導電層43上に設けた接着性を有する第二の導電層47と、第二の導電層47上に設けたナノ炭素材料複合体44と、から構成されている。ナノ炭素材料複合体44は、第二の導電層47に固着されている。この電子放出素子41が、図3に示す電子放出素子31と異なるのは、第一の導電層43とナノ炭素材料複合体44との間に第二の導電層47を介在させている点である。
ここで、第一の導電層43が、ナノ炭素材料複合体44に対して電子を供給する電極として作用する点は図3に示す電子放出素子31と同様であるが、図3に示す場合と異なり、基体42上に形成される第一の導電層43と、この第一の導電層43上に形成される第二の導電層47との二層構造とすることで、次のような利点がある。即ち、第一の導電層43が第二の導電層47より低抵抗のもの、例えば金属で形成されることで、第一の導電層43を低抵抗でかつパターンニング性に自由度をもたらすことができる。第二の導電層47としてはカーボンテープなどを挙げることができる。この場合、第二の導電層47は、接着剤により形成された接着層47aとカーボン層47bと接着層47cとからなる。
酸化シリコン粒子22を担体として、それらに触媒成分としてのパラジウムを金属として5重量%含むようにした酸化シリコン触媒粒子24を以下のようにして、ナノ炭素材料複合体21を合成した。
最初に、酸化シリコン粒子22と金属塩としてのパラジウムアセテート(アルドリッチ製、99.9%)とを、水とエタノールからなる溶媒に入れて混合し、40℃で3時間乾燥後、400℃の空気気流中で3時間焼成し、パラジウム塩を酸化物として酸化シリコン触媒粒子24を得た。
ここで、溶媒となる水とエタノールの混合比を変化させた時の触媒の粒径を透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて調べた。その結果、溶媒が水のみでは、触媒の粒径は7〜16nm、水:エタノール=1:1では、粒径は10〜52nm、エタノールのみでは、粒径は105〜233nmであることがわかった。また、溶媒組成にエタノールの比率が高いほど分散度が高いことがわかった。
次に、酸化シリコン触媒粒子24からなる触媒層50mgを小型の固定床流通系反応管に充填し、触媒層を600℃、650℃、700℃でそれぞれ一定に保ち、原料ガスとしてエチレン及びアルゴンからなる混合ガスを50cm3/分の流速で60分間流して反応を行った。混合ガス中のエチレン分圧は40%以上とした。なお、反応時間は30分〜5時間とすることで反応生成物が得られた。
先ず、ガラス基板上に第一の導電層43としてのクロム層を、スパッタ法により厚さ100nmとなるように成膜し、続いて、接着性を有する第二の導電層47としてのカーボンテープを固着した。このカーボンテープ上に、上記実施例1で回収したナノ炭素材料複合体21を直接固着して、電子放出素子41を完成させた。
次に、実施例1及び2に対する比較例を示す。
ナノ炭素材料として市販されているクラスター状のカーボンナノチューブを用い、ペースト化した。具体的には、エチルセルロースをカルビトールに溶かし、ガラスフリットを加え、さらに市販のカーボンナノチューブを入れて十分混練してペーストとした。また、ガラス基板上に接着性のない導電層としてクロム層をスパッタ法により100nm厚で成膜し、上記作製したペーストを塗布した後に、空気中で焼成して脱溶剤処理及び脱有機バインダー処理を行い、真空中で焼成してガラスフリットを溶融して、市販のカーボンナノチューブを固着させ、比較例としてのエミッタを作製した。
上記結果から、実施例2のエミッタは、比較例よりも低電界から電子放出が生起し、しかも電流密度も大きいことが分かった。
2 酸化シリコン粒子
3 ナノ炭素繊維
21 ナノ炭素材料複合体
22 酸化シリコン粒子
23 ナノ炭素繊維
24 酸化シリコン触媒粒子
31 電子放出素子
32 基体
33 導電層
33a 接着層
33b カーボン層
33c 接着層
34 ナノ炭素材料複合体
35 酸化シリコン粒子
36 ナノ炭素繊維
41 電子放出素子
42 基体
43 第一の導電層
44 ナノ炭素材料複合体
47 第二の導電層
47a 接着層
47b カーボン層
47c 接着層
50 面発光素子
51 電子放出素子
52 アノード電極
53 蛍光体
54 スペーサ
55 基体
56 導電層
57 ナノ炭素材料複合体
59 ナノ炭素繊維
Claims (6)
- エタノール又は水とエタノールの混合溶液を用いて酸化シリコン粒子に遷移金属を担持させ、得られた粒子を酸化して酸化シリコン触媒粒子とし、該酸化シリコン触媒粒子を炭化水素からなる気相中でナノ炭素材料が合成される触媒反応温度に加熱し、上記酸化シリコン触媒粒子表面にらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を成長させることを特徴とする、ナノ炭素材料複合体の製造方法。
- 前記酸化シリコン粒子に遷移金属を担持させて得た粒子を焼成して酸化することを特徴とする、請求項1に記載のナノ炭素材料複合体の製造方法。
- 前記酸化の焼成温度を、400℃から500℃の範囲に設定することを特徴とする、請求項2に記載のナノ炭素材料複合体の製造方法。
- 前記遷移金属はパラジウムであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のナノ炭素材料複合体の製造方法。
- 前記炭化水素は、エチレンであることを特徴とする、請求項1に記載のナノ炭素材料複合体の製造方法。
- 前記酸化シリコン触媒粒子の触媒反応温度を、600℃から700℃の範囲に設定することを特徴とする、請求項1に記載のナノ炭素材料複合体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008061892A JP5376197B2 (ja) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | ナノ炭素材料複合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008061892A JP5376197B2 (ja) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | ナノ炭素材料複合体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009215123A JP2009215123A (ja) | 2009-09-24 |
JP5376197B2 true JP5376197B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=41187384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008061892A Expired - Fee Related JP5376197B2 (ja) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | ナノ炭素材料複合体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5376197B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6841420B2 (ja) * | 2017-05-02 | 2021-03-10 | 学校法人 名城大学 | 構造体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208027A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子及び電子放出源とそれらの製造方法並びにそれらを使用した画像表示装置及びその製造方法 |
JP2003123623A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Noritake Itron Corp | 電子放出源用カーボンナノチューブおよびその製造方法 |
JP2004105827A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Gifu Univ | コイル状炭素繊維製造用触媒及びその製造方法 |
JP4967536B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-07-04 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ナノ炭素材料複合体及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-03-11 JP JP2008061892A patent/JP5376197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009215123A (ja) | 2009-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100829759B1 (ko) | 카바이드 유도 탄소를 이용한 카본나노튜브 혼성체, 이를포함하는 전자 방출원 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자방출 소자 | |
JP5698982B2 (ja) | 照明ランプ及びナノ炭素材料複合基板とその製造方法 | |
CN101176181B (zh) | 具有电场发射性质的小直径碳纳米管的合成方法 | |
JP2008509540A5 (ja) | ||
JP2003288833A (ja) | カーボンファイバーの形成に用いる触媒及びその製造方法、並びに電子放出素子、電子源、画像形成装置 | |
JP2007533581A6 (ja) | 電子電界放出特性を有する、小直径カーボンナノチューブの合成方法 | |
KR20090113907A (ko) | 애노드 코팅을 구비한 전계 방출 소자 | |
JP2006294525A (ja) | 電子放出素子、その製造方法及びそれを用いた画像表示装置 | |
JP5376197B2 (ja) | ナノ炭素材料複合体の製造方法 | |
JP5283030B2 (ja) | らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス | |
JP3897794B2 (ja) | 電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法 | |
JP4984131B2 (ja) | ナノカーボンペースト及びナノカーボンエミッタの製造方法 | |
KR20050087376A (ko) | 평판표시소자의 전자방출원 형성용 조성물 및 이를 이용한전자방출원 | |
JP5283031B2 (ja) | コイン積層状ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス | |
JP5549028B2 (ja) | フレーク状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子 | |
JP2011181351A (ja) | 電子放出素子および電子放出素子のカソード電極の製造方法 | |
JP4967535B2 (ja) | ナノカーボンペースト及びナノカーボンエミッタの製造方法 | |
JP5099331B2 (ja) | ナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子 | |
JP5630727B2 (ja) | ナノ炭素材料複合体の製造方法 | |
JP4984130B2 (ja) | ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子 | |
JP5549027B2 (ja) | 粒子状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子 | |
JP5476751B2 (ja) | ナノカーボンエミッタ及びその製造方法並びにそれを用いた面発光素子 | |
JP5418874B2 (ja) | ナノ炭素材料複合体の製造方法及びナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子 | |
JP2009227873A (ja) | ナノ炭素材料複合体ペーストおよびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2008053177A (ja) | ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130614 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130821 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |