JP5698982B2 - 照明ランプ及びナノ炭素材料複合基板とその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の他の態様によると、電界放射型の電子放出素子に用いられるナノ炭素材料複合基板であって、表面に複数の突起部又は溝部が形成された基板と、前記突起部又は溝部の表面に、触媒を介して、固液界面接触分解法により形成されたナノ炭素材料とを備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板が提供される。
図3Aに示すように、基板1を洗浄した後、基板1を加工して、基板1に複数の突起部2を形成する。突起部2の代わりに複数の溝部を形成してもよい。基板1に突起部2または溝部を形成するには、リソグラフィーまたはドライまたはウェットエッチングを用いてもよいし、切削刃を用いた機械加工を用いてもよい。
液体槽11には有機液体12が収容される。液体槽11の周囲には水冷手段(図示せず)が設けられる。液体槽11の上部は蓋13で密閉される。蓋13には、有機液体12中に浸漬されるように1対の電極14が取り付けられている。1対の電極14の下部に基板1を保持して有機液体12に浸漬させ、この状態で基板1に電流を流して加熱する。蓋13の上部には、液体槽11から蒸発する有機液体蒸気を冷却凝縮して液体槽11に戻す、水冷パイプ15を備えた凝縮器16が設けられている。凝縮器16の上部にはフィルター17が設けられている。また、蓋13には、液体槽11および凝縮器16の空気を除去するために不活性ガスを導入するバルブ18が設けられている。
Claims (6)
- 電界放出型の電子放出素子を有する照明ランプであって、
前記電子放出素子は、
表面に、複数の、高さが10μm以上である四角柱状の突起部が形成されたシリコン基板と、
前記突起部の上面および側面を含む前記基板の表面に垂直に、コバルトまたはその酸化物を含む触媒を介して、固液界面接触分解法により形成されたナノ炭素材料と
を備えることを特徴とする照明ランプ。 - 前記ナノ炭素材料は、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンナノホーン、カーボンナノフィラメント、カーボンナノウォール、及びカーボンナノコイルからなる群から選ばれた1種以上のナノ炭素材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の照明ランプ。
- 電界放射型の電子放出素子に用いられるナノ炭素材料複合基板であって、
表面に、複数の、高さが10μm以上である四角柱状の突起部が形成されたシリコン基板と、
前記突起部の上面および側面を含む前記基板の表面に垂直に、コバルトまたはその酸化物を含む触媒を介して、固液界面接触分解法により形成されたナノ炭素材料と
を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板。 - シリコン基板の表面に、複数の、高さが10μm以上である四角柱状の突起部を形成する工程と、
前記突起部の上面および側面を含む前記基板の表面にコバルトまたはその酸化物を含む触媒を担持させる工程と、
前記触媒を担持させた前記基板を、メタノールを含む有機液体中に浸漬して加熱し、固液界面接触分解法により、前記突起部の上面および側面を含む前記基板の表面に垂直にナノ炭素材料を成長させる工程と
を有することを特徴とするナノ炭素材料複合基板の製造方法。 - リソグラフィーおよびエッチングにより、前記基板に前記突起部を形成することを特徴とする請求項4に記載のナノ炭素材料複合基板の製造方法。
- 切削刃を用いた機械加工により、前記基板に前記突起部を形成することを特徴とする請求項4に記載のナノ炭素材料複合基板の製造方法。
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RU2013121424A (ru) * | 2010-11-18 | 2014-12-27 | 3М Инновейтив Пропертиз Компани | Изолятор электромагнитных волн |
US8771822B2 (en) * | 2011-01-18 | 2014-07-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Methods for the growth of three-dimensional nanorod networks |
DK201100542A (da) * | 2011-07-15 | 2013-01-16 | Rosenkrans Anders Birkedal | Carbonado |
CN103367556B (zh) * | 2012-03-28 | 2016-01-20 | 清华大学 | 外延衬底 |
CN102709425A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-03 | 华南理工大学 | 一种具有金字塔阵列结构的led芯片及其制造方法 |
CN102825889A (zh) * | 2012-08-10 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及具有该显示基板的显示装置 |
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US9236488B2 (en) | 2012-08-23 | 2016-01-12 | Chubu University Educational Foundation | Thin film transistor and method for producing same |
KR102187985B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2020-12-07 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 바늘 형상 구조체 및 그 제조 방법 |
JP5968768B2 (ja) * | 2012-11-28 | 2016-08-10 | 株式会社フジクラ | カーボンナノファイバ構造体の製造方法及び製造装置 |
WO2014152509A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Solan, LLC | Plasmonic device enhancements |
JP6112937B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-04-12 | ヒロセ電機株式会社 | 中継電気コネクタ |
CN104505147B (zh) * | 2014-11-13 | 2017-07-04 | 重庆石墨烯研究院有限公司 | 石墨烯纳米墙柔性导电薄膜的制备方法 |
CN105489394B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-01-23 | 广州墨羲科技有限公司 | 基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙制作方法 |
KR101909147B1 (ko) * | 2016-08-22 | 2018-10-17 | 한국과학기술원 | 복합 나노구조체 및 이의 제조방법 |
CN108232204A (zh) * | 2016-12-10 | 2018-06-29 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种硅基有序化电极及其制备方法和应用 |
JP7324132B2 (ja) * | 2019-12-04 | 2023-08-09 | 国立大学法人東北大学 | 電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法 |
KR102440177B1 (ko) * | 2020-09-25 | 2022-09-05 | 비나텍주식회사 | 탄소나노섬유 제조방법 및 탄소나노섬유 제조장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003012312A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Japan Science & Technology Corp | 有機液体による高配向整列カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置 |
JP2003297222A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Japan Fine Ceramics Center | 電子放出素子及びその製造方法 |
JP2006147801A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Seiko Precision Inc | 放熱シート、インターフェース、電子部品及び放熱シートの製造方法 |
JP2006213551A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Mie Univ | カーボンナノチューブ成長方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6401526B1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-06-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotubes and methods of fabrication thereof using a liquid phase catalyst precursor |
JP3743628B2 (ja) | 2000-12-28 | 2006-02-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 単層カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2002285334A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | カーボンナノチューブ成長方法 |
US7022541B1 (en) * | 2001-11-19 | 2006-04-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Patterned growth of single-walled carbon nanotubes from elevated wafer structures |
JP3760878B2 (ja) | 2002-03-20 | 2006-03-29 | 三菱電機株式会社 | 陰極の製造方法 |
JP2006055698A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Nikon Corp | ガス吸蔵材料及びその製造方法ならびにガス吸蔵装置 |
JP4781662B2 (ja) * | 2004-11-17 | 2011-09-28 | シャープ株式会社 | カーボンナノチューブの作製方法およびカーボンナノチューブの作製装置 |
KR20070011804A (ko) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
JP4915778B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-04-11 | 富士通株式会社 | カーボンナノチューブ複合材料及びその製造方法 |
JP4949794B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2012-06-13 | 三菱重工業株式会社 | ナノカーボン材料製造用触媒の製造方法 |
JP2009032819A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Fujitsu Ltd | 電子装置の製造方法及びそれを用いた電子装置 |
WO2009031344A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Nec Corporation | カーボンナノチューブ分散膜 |
WO2009054461A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 放熱構造及びその製造方法、ヒートシンク及び放熱装置、加熱装置及びサセプタ、セラミックフィルタ及びその製造方法、並びに排ガス浄化用セラミックフィルタ及びディーゼルパティキュレートフィルタ |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003012312A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Japan Science & Technology Corp | 有機液体による高配向整列カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置 |
JP2003297222A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Japan Fine Ceramics Center | 電子放出素子及びその製造方法 |
JP2006147801A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Seiko Precision Inc | 放熱シート、インターフェース、電子部品及び放熱シートの製造方法 |
JP2006213551A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Mie Univ | カーボンナノチューブ成長方法 |
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