JP2006213551A - カーボンナノチューブ成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の骨子は、触媒金属微粒子の移動が妨げられるように基板表面に微細な突起を形成することある。具体的には、平滑な基板表面を乾式エッチングして微細突起を形成する工程と、該微細突起上に金属触媒の薄膜を蒸着させる工程と、該触媒金属上に化学気相成長法(CVD法)によりカーボンナノチューブを成長させる工程を含む製造方法を提供することにより、課題が達成される。
【選択図】 図4
Description
又、非特許文献2は、CVD法によってカーボンナノチューブを成長させる時の、触媒金属微粒子と成長するカーボンナノチューブの直径の関係について論じている。
又、本発明者らによる特許文献2では、基板上に配列パターンを制御性良く且つ容易にカーボンナノチューブを成長させる方法として、半導体プロセスで用いるパターン形成法と触媒金属上にカーボンナノチューブをCVD法等で成長させる方法を組合せることにより解決する方法を提案している。
ここにおいて、本発明が解決しようとする課題は、触媒金属の微粒子化と、該触媒金属の微粒上に細径のカーボンナノチューブを成長させる方法を提供することにある。
すなわち、薄膜上の触媒金属には、その表面自由エネルギーが小さくなる方向に状態を変えようとする力が常に働いているが、加熱により状態変化の駆動力が与えられ、微粒子化する。このようにして形成された触媒金属の微粒子は、図1に示すように、その表面自由エネルギーを小さくするため、基板上を移動して相互に合体し、より大径の粒子となり、通常小さいもので10nm、大きいものでは100nm以上に達する。そこで、本発明者等は、図2に示すように、触媒金属微粒子の移動が妨げられるように基板表面に微細な突起を形成することに思い至り、本発明を完成した。
反応性イオンエッチング法によりSi等の半導体基板をエッチングすると、基板が単結晶体か多結晶体かによって異なるが、単結晶体の場合には四角錐等の錐状体又はその類似体が形成される。結果として、エッチング後の表面積は、エッチング前の表面積の2〜5倍に増加する。
Si基板(縦、横、厚さ)を用い、平行平板型RFプラズマ反応性イオンエッチング(RIE)装置にて、該基板に乾式エッチング処理を行った。ここで、ガス導入前の真空度は3×10−3Pa、放電周波数は13.56MHz、放電電力200W,放電時間 、プロセスガスとして塩素ガスを用い、塩素ガスの圧力を、10,15,20Paの3段階とした。得られた結果をSEM写真にて図3に示すが、塩素ガスの圧力が低いほど基板の表面突起は微細であった。
1×10−5Paの真空度で純鉄を基板上に5分間蒸着し、約30nmの金属触媒薄膜を得た。
カーボンナノチューブの成長方法として、マイクロ波プラズマCVD法を用い、以下の条件でカーボンナノチューブを成長させた。この時の真空度6.7Pa、放電周波数2.45GHz、放電電力500W,圧力270Pa,プロセスガス H2,CH4,流量 H2/CH4=80/20 ml/min、処理時間 5分であった。
Claims (5)
- 平滑な基板表面を乾式エッチングして高さ5nm〜1μmの微細突起を形成する工程と、該微細突起上に膜厚が0.5nm〜50nmの金属触媒の薄膜を蒸着させる工程と、該触媒金属上に化学気相成長法(CVD法)によりカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする細径カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記乾式エッチング法が反応性イオンエッチング法であることを特徴とする請求項1に記載の細径カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記金属触媒が鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni)の何れかである又はそれらの合金であることを特徴とする請求項1〜2に記載の細径カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記基板が、シリコン(Si)、化合物半導体又はガラスであることを特徴とする請求項1〜3に記載の細径カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記細径カーボンナノチューブの外径が1nm〜60nmであることを特徴とする請求項1〜4に記載の細径カーボンナノチューブの製造方法。
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